TPN4R806PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 22.2 грн |
| 10000+ | 20.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPN4R806PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V, Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TPN4R806PL,L1Q за ціною від 20.79 грн до 62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPN4R806PL,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V |
на замовлення 12779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPN4R806PL,L1Q | Виробник : Toshiba |
MOSFET TRANS POWER MOSFET |
на замовлення 4638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|