Продукція > VISHAY SILICONIX > SQS407ENW-T1_GE3
SQS407ENW-T1_GE3

SQS407ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqs407enw.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+26.89 грн
6000+ 24.66 грн
9000+ 23.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQS407ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8W, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQS407ENW-T1_GE3 за ціною від 24.11 грн до 64.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQS407ENW-T1_GE3 SQS407ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqs407enw.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
на замовлення 71948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.69 грн
10+ 51.49 грн
100+ 36.07 грн
500+ 31.29 грн
1000+ 26.11 грн
3000+ 25.31 грн
6000+ 24.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQS407ENW-T1_GE3 SQS407ENW-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqs407enw.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.67 грн
10+ 51.2 грн
100+ 39.83 грн
500+ 31.68 грн
1000+ 25.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQS407ENW-T1_GE3 SQS407ENW-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2786219.pdf Description: VISHAY - SQS407ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній