SQ4917EY-T1_BE3

SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix


sq4917ey.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+45.07 грн
5000+ 41.77 грн
12500+ 40.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0, Verlustleistung, p-Kanal: 0, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 0, Betriebstemperatur, max.: 175°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ4917EY-T1_BE3 за ціною від 40.14 грн до 117.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
158+74.78 грн
165+ 71.44 грн
250+ 68.57 грн
500+ 63.74 грн
1000+ 57.09 грн
2500+ 53.19 грн
Мінімальне замовлення: 158
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
148+79.67 грн
155+ 75.97 грн
174+ 67.78 грн
200+ 62.85 грн
1000+ 52.84 грн
2000+ 49.01 грн
Мінімальне замовлення: 148
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
129+91.45 грн
147+ 80.22 грн
149+ 79.41 грн
219+ 52 грн
250+ 47.66 грн
500+ 45.3 грн
1000+ 43.22 грн
Мінімальне замовлення: 129
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4917ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.78 грн
10+ 79.91 грн
100+ 63.64 грн
500+ 50.53 грн
1000+ 42.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4917ey.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+106.63 грн
10+ 84.92 грн
25+ 74.49 грн
50+ 71.11 грн
100+ 44.71 грн
250+ 42.49 грн
500+ 42.06 грн
1000+ 40.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4917ey.pdf MOSFET Dual P-CHANNEL 60 V
на замовлення 41589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.99 грн
10+ 85.8 грн
100+ 59.08 грн
250+ 57.52 грн
500+ 52.7 грн
1000+ 44.22 грн
2500+ 42.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQ4917EY-T1"BE3 SQ4917EY-T1"BE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0004852750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ4917EY-T1"BE3 - MOSFET, DUAL, P-CH, 60V, 8A, SOIC
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+117.93 грн
10+ 97.39 грн
25+ 90.54 грн
50+ 79.13 грн
100+ 67.17 грн
250+ 61.83 грн
Мінімальне замовлення: 7