Продукція > VISHAY > SIJA54ADP-T1-GE3
SIJA54ADP-T1-GE3

SIJA54ADP-T1-GE3 VISHAY

sija54adp.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+112.41 грн
100+ 81.06 грн
500+ 68.02 грн
1000+ 58.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJA54ADP-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 126A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SIJA54ADP-T1-GE3 за ціною від 52.01 грн до 781.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIJA54ADP-T1-GE3 SIJA54ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sija54adp.pdf MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 18030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.58 грн
10+ 112.88 грн
100+ 77.71 грн
250+ 72.26 грн
500+ 65.3 грн
1000+ 61.14 грн
3000+ 52.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIJA54ADP-T1-GE3 SIJA54ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sija54adp.pdf Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.1 грн
10+ 121.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIJA54ADP-T1-GE3 SIJA54ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sija54adp.pdf Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+149.88 грн
10+ 112.41 грн
100+ 81.06 грн
500+ 68.02 грн
1000+ 58.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIJA54ADP-T1-GE3 SIJA54ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sija54adp.pdf MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+781.74 грн
10+ 696.89 грн
100+ 501.7 грн
500+ 436.94 грн
1000+ 380.36 грн
2000+ 353.1 грн
SIJA54ADP-T1-GE3 SIJA54ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sija54adp.pdf Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
товар відсутній