Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RTF010P02TL
RTF010P02TL

RTF010P02TL Rohm Semiconductor

RTF010P02.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RTF010P02TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TUMT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RTF010P02TL за ціною від 15.94 грн до 45.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RTF010P02TL RTF010P02TL Виробник : Rohm Semiconductor RTF010P02.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 5836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.99 грн
10+ 37.5 грн
100+ 27.97 грн
500+ 20.62 грн
1000+ 15.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
RTF010P02TL Виробник : ROHM RTF010P02.pdf
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RTF010P02TL Виробник : ROHM RTF010P02.pdf 09+ SOT-323
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RTF010P02TL RTF010P02TL Виробник : ROHM Semiconductor rohm_s_a0002833002_1-2281693.pdf MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
товар відсутній