на замовлення 397 шт:
термін постачання 206-215 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 860.21 грн |
| 10+ | 766.19 грн |
| 25+ | 635.03 грн |
| 100+ | 551.33 грн |
| 250+ | 526.09 грн |
| 400+ | 494.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PD55003-E STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: RF, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 2.5A, Power dissipation: 31.7W, Case: PowerSO10RF, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Frequency: 500MHz, Kind of channel: enhanced, Output power: 3W, Electrical mounting: SMT, Open-loop gain: 17dB, Efficiency: 52%, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PD55003-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
PD55003-E Код товару: 175999 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 40V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товар відсутній |
|
 |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 40V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
товар відсутній |
|
 |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 40V Drain current: 2.5A Power dissipation: 31.7W Case: PowerSO10RF Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Frequency: 500MHz Kind of channel: enhanced Output power: 3W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17dB Efficiency: 52% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
.jpg "PD55003-E") |
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10 Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 2.5A Frequency: 500MHz Power - Output: 3W Gain: 17dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 12.5 V Current - Test: 50 mA |
товар відсутній |
|
|
|
PD55003-E | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2.5A; 31.7W; PowerSO10RF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 40V Drain current: 2.5A Power dissipation: 31.7W Case: PowerSO10RF Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Frequency: 500MHz Kind of channel: enhanced Output power: 3W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17dB Efficiency: 52% |
товар відсутній |