NXH100B120H3Q0PTG onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5696.65 грн |
| 24+ | 5008.34 грн |
| 48+ | 4778.29 грн |
| 96+ | 4251.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH100B120H3Q0PTG onsemi
Description: IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5), IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 186 W, Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V.
Інші пропозиції NXH100B120H3Q0PTG за ціною від 4404.7 грн до 6070.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH100B120H3Q0PTG | Виробник : onsemi |
IGBT Modules Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins, TIM |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|