MJD32CG ON Semiconductor
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 18.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD32CG ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.56 W.
Інші пропозиції MJD32CG за ціною від 15.21 грн до 61.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD32CG | Виробник : ONSEMI |
 Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Type of transistor: PNP Power dissipation: 15W Polarisation: bipolar Mounting: SMD Case: DPAK |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJD32CG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD32CG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD32CG | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Type of transistor: PNP Power dissipation: 15W Polarisation: bipolar Mounting: SMD Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD32CG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJD32CG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W |
на замовлення 18554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJD32CG | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP |
на замовлення 5944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD32CG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJD32CG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD32CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJD32CG Код товару: 117659 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|