IQE046N08LM5CGATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 4290 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	177.7 грн
10+	142.29 грн
100+	113.24 грн
500+	89.92 грн
1000+	76.3 грн
2000+	72.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IQE046N08LM5CGATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції IQE046N08LM5CGATMA1 за ціною від 72.26 грн до 193.25 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IQE046N08LM5CGATMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET	на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 2+ 193.25 грн 10+  159.13 грн 100+  109.75 грн 250+  101.57 грн 500+  92.02 грн 1000+  79.75 грн 5000+  72.26 грн Мінімальне замовлення: 2 купити
	IQE046N08LM5CGATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 9-Pin TTFN EP T/R	товар відсутній	купити
	IQE046N08LM5CGATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V	товар відсутній	купити