Продукція > IQE

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 24A 120W 8-Pin Quarter-Brick

товар відсутній

IQE-480-17A-120V/001-R

Module DC-DC 48VIN 1-OUT 12V 17A 204W 8-Pin Quarter-Brick

товар відсутній

IQE004NE1LM7ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	73.71 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE004NE1LM7ATMA1

TRENCH <= 40V

товар відсутній

IQE004NE1LM7ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.87 грн
10+	135.9 грн
100+	108.14 грн
500+	85.87 грн
1000+	72.86 грн
2000+	69.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE004NE1LM7ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	180.11 грн
10+	147.06 грн
100+	101.37 грн
250+	93.42 грн
500+	84.81 грн
1000+	72.88 грн
2500+	68.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE004NE1LM7CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	71.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE004NE1LM7CGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4879 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	180.11 грн
10+	147.06 грн
100+	101.37 грн
250+	93.42 грн
500+	84.81 грн
1000+	72.88 грн
2500+	68.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE004NE1LM7CGATMA1

TRENCH <= 40V

товар відсутній

IQE004NE1LM7CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 9980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.57 грн
10+	132.59 грн
100+	105.5 грн
500+	83.78 грн
1000+	71.08 грн
2000+	67.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

товар відсутній

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.03 грн
10+	158.49 грн
100+	109.99 грн
250+	101.37 грн
500+	92.1 грн
1000+	78.85 грн
2500+	74.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

TRENCH <= 40V

товар відсутній

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Opti MOST M7 Power-Transistor, 15V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	235.67 грн
54+	217.42 грн
55+	213.15 грн
57+	199.01 грн
100+	162.25 грн
250+	153.01 грн
500+	131.72 грн

Мінімальне замовлення: 50

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

товар відсутній

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Opti MOST M7 Power-Transistor, 15V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	218.84 грн
10+	201.89 грн
25+	197.92 грн
50+	184.79 грн
100+	150.66 грн
250+	142.08 грн
500+	122.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQE004NE1LM7SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

товар відсутній

IQE004NE1LM7SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

товар відсутній

IQE004NE1LM7SCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.03 грн
10+	158.49 грн
100+	109.99 грн
250+	101.37 грн
500+	92.1 грн
1000+	78.85 грн
2500+	74.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE004NE1LM7SCATMA1

TRENCH <= 40V

товар відсутній

IQE006NE2LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm

на замовлення 9004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.5 грн
500+	67.36 грн
1000+	52.5 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE006NE2LM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 2105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.77 грн
10+	109.72 грн
100+	83.49 грн
250+	82.82 грн
500+	74.87 грн
1000+	67.58 грн
5000+	66.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQE006NE2LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 3904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.7 грн
10+	130.03 грн
100+	103.48 грн
500+	82.17 грн
1000+	69.72 грн
2000+	66.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 41A T/R

товар відсутній

IQE006NE2LM5ATMA1

на замовлення 9004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	136.76 грн
10+	101.83 грн
100+	82.5 грн
500+	67.36 грн
1000+	52.5 грн

Мінімальне замовлення: 6

IQE006NE2LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

товар відсутній

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A IPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	69.82 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	103.32 грн
500+	86.96 грн
1000+	65.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A IPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 9875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	161.27 грн
10+	128.72 грн
100+	102.43 грн
500+	81.33 грн
1000+	69.01 грн
2000+	65.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	191.77 грн
10+	133.05 грн
100+	103.32 грн
500+	86.96 грн
1000+	65.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE006NE2LM5CGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4924 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	176.25 грн
10+	136.39 грн
100+	100.05 грн
250+	92.1 грн
500+	83.49 грн
1000+	68.25 грн
2500+	67.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

товар відсутній

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.03 грн
10+	159.25 грн
100+	109.99 грн
250+	101.37 грн
500+	92.76 грн
1000+	79.51 грн
2500+	74.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 4468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.33 грн
10+	145.01 грн
100+	115.42 грн
500+	91.66 грн
1000+	77.77 грн
2000+	73.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 5946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.03 грн
10+	141.7 грн
100+	112.77 грн
500+	89.55 грн
1000+	75.98 грн
2000+	72.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5SCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.03 грн
10+	159.25 грн
100+	109.99 грн
250+	101.37 грн
500+	92.76 грн
1000+	79.51 грн
2500+	74.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

товар відсутній

IQE008N03LM5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	70.03 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE008N03LM5ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

на замовлення 1931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.58 грн
10+	136.52 грн
100+	108.65 грн
500+	86.28 грн
1000+	73.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE008N03LM5ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

товар відсутній

IQE008N03LM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 518 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.52 грн
10+	152.39 грн
100+	105.35 грн
250+	101.37 грн
500+	88.79 грн
1000+	72.22 грн
5000+	69.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE008N03LM5CGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 5536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.52 грн
10+	152.39 грн
100+	105.35 грн
250+	97.4 грн
500+	88.12 грн
1000+	76.86 грн
5000+	69.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.58 грн
10+	136.52 грн
100+	108.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm

на замовлення 4748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.52 грн
10+	173.93 грн
25+	156.83 грн
100+	129.07 грн
500+	98.11 грн
1000+	86.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE008N03LM5CGATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	70.03 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

товар відсутній

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm

на замовлення 4748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	129.07 грн
500+	98.11 грн
1000+	86.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE008N03LM5CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

товар відсутній

IQE008N03LM5CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

товар відсутній

IQE008N03LM5CGSCATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE008N03LM5SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

товар відсутній

IQE008N03LM5SCATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE008N03LM5SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

товар відсутній

IQE013N04LM6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 12359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.18 грн
10+	143.35 грн
100+	114.1 грн
500+	90.6 грн
1000+	76.88 грн
2000+	73.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 2878 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	163.88 грн
10+	136.39 грн
100+	101.37 грн
250+	99.39 грн
500+	86.8 грн
1000+	74.87 грн
2500+	74.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6ATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm

на замовлення 9812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	156.09 грн
10+	114.47 грн
100+	93.65 грн
500+	75.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

IQE013N04LM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A T/R

товар відсутній

IQE013N04LM6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	77.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE013N04LM6ATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm

на замовлення 9812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	93.65 грн
500+	75.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE013N04LM6CGATMA1

Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 4919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.18 грн
10+	143.35 грн
100+	114.1 грн
500+	90.6 грн
1000+	76.88 грн
2000+	73.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6CGATMA1

Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

товар відсутній

IQE013N04LM6CGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 814 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.75 грн
10+	152.39 грн
100+	107.34 грн
250+	102.04 грн
500+	90.77 грн
1000+	75.53 грн
5000+	72.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQE013N04LM6CGSCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 907 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.12 грн
10+	176.01 грн
100+	121.25 грн
250+	111.98 грн
500+	101.37 грн
1000+	87.46 грн
2500+	83.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	231.9 грн
10+	171.7 грн
100+	125.61 грн
500+	105.6 грн
1000+	84.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

на замовлення 3165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.1 грн
10+	157.64 грн
100+	125.5 грн
500+	99.65 грн
1000+	84.55 грн
2000+	80.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

товар відсутній

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	231.9 грн
10+	171.7 грн
100+	125.61 грн
500+	105.6 грн
1000+	84.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE013N04LM6SCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	236.36 грн
10+	175.41 грн
100+	127.84 грн
500+	107.67 грн
1000+	86.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE013N04LM6SCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	236.36 грн
10+	175.41 грн
100+	127.84 грн
500+	107.67 грн
1000+	86.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE013N04LM6SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

товар відсутній

IQE013N04LM6SCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.12 грн
10+	176.01 грн
100+	121.25 грн
250+	111.98 грн
500+	101.37 грн
1000+	87.46 грн
2500+	83.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

товар відсутній

IQE022N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE022N06LM5ATMA1

MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 482-491 дні (днів)

2+	179.34 грн
10+	147.06 грн
100+	101.37 грн
250+	93.42 грн
500+	84.81 грн
1000+	73.55 грн
2500+	69.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TSON EP T/R

товар відсутній

IQE022N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.85 грн
10+	131.69 грн
100+	104.82 грн
500+	83.24 грн
1000+	70.63 грн
2000+	67.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5CGATMA1

MOSFET

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	179.34 грн
10+	147.06 грн
100+	101.37 грн
250+	93.42 грн
500+	84.81 грн
1000+	74.21 грн
5000+	66.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQE022N06LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4262 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	198.46 грн
10+	146.43 грн
100+	107.03 грн
500+	90.41 грн
1000+	72.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE022N06LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE022N06LM5CGATMA1

на замовлення 4262 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	107.03 грн
500+	90.41 грн
1000+	72.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE022N06LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 3575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.85 грн
10+	131.69 грн
100+	104.82 грн
500+	83.24 грн
1000+	70.63 грн
2000+	67.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 5926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.33 грн
10+	144.94 грн
100+	115.33 грн
500+	91.58 грн
1000+	77.7 грн
2000+	73.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	249 грн
10+	203.66 грн
25+	167.98 грн
100+	129.76 грн
500+	100.66 грн
1000+	92.38 грн
6000+	89.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE022N06LM5CGSCATMA1

MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 190-199 дні (днів)

2+	197.12 грн
10+	161.54 грн
100+	111.31 грн
250+	103.36 грн
500+	93.42 грн
1000+	80.17 грн
2500+	76.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin WHTFN EP T/R

товар відсутній

IQE022N06LM5CGSCATMA1

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	129.76 грн
500+	100.66 грн
1000+	92.38 грн
6000+	89.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE022N06LM5SCATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	196.34 грн
10+	160.78 грн
100+	110.65 грн
250+	102.7 грн
500+	92.76 грн
1000+	79.51 грн
2500+	75.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 5995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.33 грн
10+	144.94 грн
100+	115.33 грн
500+	91.58 грн
1000+	77.7 грн
2000+	73.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WHSON EP T/R

товар відсутній

IQE022N06LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE030N06NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	149.4 грн
500+	113.88 грн
1000+	81.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE030N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

на замовлення 7358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.78 грн
10+	150.53 грн
100+	119.8 грн
500+	95.13 грн
1000+	80.72 грн
2000+	76.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE030N06NM5ATMA1

на замовлення 9992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	232.65 грн
10+	185.82 грн
100+	149.4 грн
500+	113.88 грн
1000+	81.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE030N06NM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 6843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.07 грн
10+	167.63 грн
100+	115.95 грн
250+	110.65 грн
500+	98.06 грн
1000+	79.51 грн
5000+	76.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE030N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	81.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE030N06NM5ATMA1

SP005399424

товар відсутній

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	124.13 грн
500+	102.15 грн
1000+	76.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE030N06NM5CGATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.07 грн
10+	167.63 грн
100+	115.95 грн
250+	110.65 грн
500+	98.06 грн
1000+	79.51 грн
5000+	76.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE030N06NM5CGATMA1

SP005399428

товар відсутній

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.78 грн
10+	150.53 грн
100+	119.8 грн
500+	95.13 грн
1000+	80.72 грн
2000+	76.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	221.5 грн
10+	163.52 грн
100+	124.13 грн
500+	102.15 грн
1000+	76.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE030N06NM5CGSCATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.76 грн
10+	166.87 грн
25+	137.15 грн
100+	117.94 грн
250+	111.31 грн
500+	104.69 грн
1000+	90.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 21A 9-Pin WHTFN EP T/R

товар відсутній

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE030N06NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE030N06NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE030N06NM5SCATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3608 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.76 грн
10+	166.87 грн
25+	137.15 грн
100+	117.94 грн
250+	111.31 грн
500+	104.69 грн
1000+	90.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE030N06NM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 21A

товар відсутній

IQE036N08NM6ATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE036N08NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IQE036N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE036N08NM6CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE036N08NM6CGATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE036N08NM6CGATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IQE036N08NM6CGSCATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE036N08NM6CGSCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IQE036N08NM6CGSCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE036N08NM6SCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IQE036N08NM6SCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE036N08NM6SCATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE046N08LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE046N08LM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2629 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	187.84 грн
10+	154.68 грн
100+	106.68 грн
250+	98.72 грн
500+	89.45 грн
1000+	77.52 грн
5000+	70.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 4185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.73 грн
10+	138.31 грн
100+	110.07 грн
500+	87.4 грн
1000+	74.16 грн
2000+	70.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A

товар відсутній

IQE046N08LM5CGATMA1

MOSFET

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	187.84 грн
10+	154.68 грн
100+	106.68 грн
250+	98.72 грн
500+	89.45 грн
1000+	77.52 грн
5000+	70.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE046N08LM5CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQE046N08LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 4290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.73 грн
10+	138.31 грн
100+	110.07 грн
500+	87.4 грн
1000+	74.16 грн
2000+	70.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.93 грн
10+	152.12 грн
100+	121.09 грн
500+	96.16 грн
1000+	81.59 грн
2000+	77.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE046N08LM5CGSCATMA1

MOSFET

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.39 грн
10+	169.16 грн
100+	117.28 грн
250+	108.66 грн
500+	98.72 грн
1000+	84.15 грн
2500+	80.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5CGSCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IQE046N08LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.93 грн
10+	152.12 грн
100+	121.09 грн
500+	96.16 грн
1000+	81.59 грн
2000+	77.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5SCATMA1

MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 302-311 дні (днів)

2+	206.39 грн
10+	169.16 грн
100+	117.28 грн
250+	108.66 грн
500+	98.72 грн
1000+	84.15 грн
2500+	80.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 8-Pin WHSON EP T/R

товар відсутній

IQE046N08LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	82.54 грн

Мінімальне замовлення: 6000

IQE050N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	225.96 грн
10+	180.62 грн
25+	164.26 грн
100+	138.04 грн
500+	108.31 грн
1000+	86.65 грн
5000+	84.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE050N08NM5ATMA1

SP005583102

товар відсутній

IQE050N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 9410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.03 грн
10+	143.15 грн
100+	115.81 грн
500+	96.6 грн
1000+	82.72 грн
2000+	77.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE050N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	138.04 грн
500+	108.31 грн
1000+	86.65 грн
5000+	84.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE050N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	82.69 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE050N08NM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4545 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.48 грн
10+	160.01 грн
25+	135.17 грн
100+	112.64 грн
250+	109.33 грн
500+	100.05 грн
1000+	80.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	216.29 грн
10+	173.18 грн
25+	157.58 грн
100+	131.83 грн
500+	103.85 грн
1000+	82.82 грн
5000+	79.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE050N08NM5CGATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.48 грн
10+	160.01 грн
25+	135.17 грн
100+	112.64 грн
250+	109.33 грн
500+	100.05 грн
1000+	80.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 9770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.03 грн
10+	143.49 грн
100+	116.11 грн
500+	96.86 грн
1000+	82.93 грн
2000+	78.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	131.83 грн
500+	103.85 грн
1000+	82.82 грн
5000+	79.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE050N08NM5CGATMA1

SP005583114

товар відсутній

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	82.9 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE050N08NM5CGSCATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.03 грн
10+	175.25 грн
25+	143.78 грн
100+	123.24 грн
250+	116.61 грн
500+	109.99 грн
1000+	93.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 16A

товар відсутній

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE050N08NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE050N08NM5SCATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.8 грн
10+	176.01 грн
25+	144.44 грн
100+	123.9 грн
250+	117.28 грн
500+	109.99 грн
1000+	94.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE050N08NM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 16A

товар відсутній

IQE050N08NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE057N10NM6ATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE057N10NM6ATMA1

IQE057N10NM6ATMA1

товар відсутній

IQE057N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE057N10NM6CGATMA1

IQE057N10NM6CGATMA1

товар відсутній

IQE057N10NM6CGATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE057N10NM6CGATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE057N10NM6CGSCATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE057N10NM6CGSCATMA1

IQE057N10NM6CGSCATMA1

товар відсутній

IQE057N10NM6CGSCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE057N10NM6SCATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE057N10NM6SCATMA1

IQE057N10NM6SCATMA1

товар відсутній

IQE057N10NM6SCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE065N10NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 28330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.6 грн
10+	107.39 грн
100+	86.9 грн
500+	79.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQE065N10NM5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.53 грн
10+	167.63 грн
25+	141.79 грн
100+	118.6 грн
250+	114.63 грн
500+	105.35 грн
1000+	84.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE065N10NM5ATMA1

SP005399446

товар відсутній

IQE065N10NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	88.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	86.25 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE065N10NM5CGATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 5126 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.53 грн
10+	167.63 грн
25+	141.79 грн
100+	118.6 грн
250+	114.63 грн
500+	105.35 грн
1000+	84.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE065N10NM5CGATMA1

SP005399451

товар відсутній

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm

на замовлення 4675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	144.25 грн
500+	113.4 грн
1000+	90.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 9930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.92 грн
10+	149.36 грн
100+	120.79 грн
500+	100.76 грн
1000+	86.28 грн
2000+	81.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm

на замовлення 4675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	237.11 грн
10+	188.79 грн
25+	172.44 грн
100+	144.25 грн
500+	113.4 грн
1000+	90.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE065N10NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товар відсутній

IQE065N10NM5CGSCATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 5427 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	222.63 грн
10+	185.16 грн
25+	151.73 грн
100+	129.87 грн
250+	122.58 грн
500+	115.95 грн
1000+	99.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE065N10NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товар відсутній

IQE065N10NM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 9-Pin WHTFN EP T/R

товар відсутній

IQE065N10NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товар відсутній

IQE065N10NM5SCATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 3408 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	222.63 грн
10+	185.16 грн
25+	151.73 грн
100+	129.87 грн
250+	122.58 грн
500+	115.95 грн
1000+	99.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE065N10NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товар відсутній

IQE065N10NM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin WHSON EP T/R

товар відсутній

IQE220N15NM5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

2+	212.58 грн
10+	176.78 грн
25+	145.11 грн
100+	123.9 грн
250+	117.28 грн
500+	109.99 грн
1000+	94.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE220N15NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 7A 8-Pin TSON EP T/R

товар відсутній

IQE220N15NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

товар відсутній

IQE220N15NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

товар відсутній

IQE220N15NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

товар відсутній

IQE220N15NM5CGATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

2+	212.58 грн
10+	176.78 грн
25+	145.11 грн
100+	123.9 грн
250+	117.28 грн
500+	109.99 грн
1000+	94.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE220N15NM5CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 7A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQE220N15NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

товар відсутній

IQE220N15NM5CGSCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

товар відсутній

IQE220N15NM5CGSCATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

2+	233.45 грн
10+	193.54 грн
25+	158.36 грн
100+	135.83 грн
250+	127.88 грн
500+	120.59 грн
1000+	103.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE220N15NM5CGSCATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IQE220N15NM5CGSCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

товар відсутній

IQE220N15NM5SCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

товар відсутній

IQE220N15NM5SCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

товар відсутній

IQE220N15NM5SCATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

2+	233.45 грн
10+	193.54 грн
25+	158.36 грн
100+	135.83 грн
250+	127.88 грн
500+	120.59 грн
1000+	103.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE220N15NM5SCATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

iQE24009A120V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 12V

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IQE24009A120V-001-R

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 9A 108W 8-Pin Quarter-Brick

товар відсутній

IQE24009A120V-007-R

Description: DC DC CONVERTER 12V 108W

товар відсутній

iQE24012A080V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 8V 96W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Packaging: Tray
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 12A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 8V
Power (Watts): 96 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товар відсутній

IQE24015A033V-031-R

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 40V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 15A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 16V
Voltage - Output 1: 3.3V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 50 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товар відсутній

IQE24015A033V-031-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 16-40VDC

товар відсутній

IQE24015A050V-031-R

Description: DC DC CONVERTER 5V 75W
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 15A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active Low
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товар відсутній

iQE24024A050V-001-R

Isolated DC/DC Converters 18-36Vin 5V 24A 120W NegPlrty 1/4brick TH

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IQE24024A050V-001-R

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 24A 120W 8-Pin Quarter-Brick

товар відсутній

iQE24024A050V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 5V 120W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Package / Case: 8-DIP Module
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Intermediate Bus Converter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 24A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active Low
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4449.48 грн

IQE24024A050V-007-R

Description: DC DC CONVERTER 5V 120W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Packaging: Tray
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 24A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Power (Watts): 120 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товар відсутній

IQE24030A033V-007-R

Isolated DC/DC Converters 18-36VDC

товар відсутній

iQE48010A150V-007-R

Isolated DC/DC Converters 48Vin15Vout 10A 150W PCB Mount 1/4 Brick

товар відсутній

IQE48017A120V-000-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75VDC

товар відсутній

iQE48017A120V-001-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 48Vin12Vout 17A 204W PCB Mount 1/4 Brick

на замовлення 72 шт:

термін постачання 182-191 дні (днів)

1+	5745.79 грн
10+	5619.51 грн
25+	4498.26 грн
50+	4496.93 грн
72+	4188.17 грн

iQE48017A120V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 12V
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Package / Case: 8-DIP Module, 1/4 Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 17A
Voltage - Input (Min): 36V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5716.67 грн
5+	5461.87 грн
10+	5418.94 грн
25+	4924.01 грн

IQE48017A120V-007-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75VDC

товар відсутній

IQE48030A050V-001-R

TDK-Lambda Americas Inc.

Description: CONVRTR DC-DC 5V 30A 150W PCB

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IQE48030A050V-001-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75Vin 5V 30A 150W NegPlrty 1/4brick TH

товар відсутній

iQE48040A033V-001-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 48Vin3.3Vout40A 132W PCB Mount 1/4 Brick

товар відсутній

IQE4W011A120V-001-R

Module DC-DC 1-OUT 12V 11A 132W 8-Pin Quarter-Brick

товар відсутній

IQE4W011A120V-001-R

Module DC-DC 1-OUT 12V 11A 132W 8-Pin Quarter-Brick

товар відсутній

IQE4W011A120V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 12V 132W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Package / Case: 8-DIP Module
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Intermediate Bus Converter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 60V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 11A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5771.86 грн
5+	5514.19 грн
10+	5470.16 грн
25+	4802.31 грн
50+	4636.72 грн

IQE4W011A120V-001-R