Продукція > ZXM

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товар відсутній

ZXM41N10FTA

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товар відсутній

ZXM41N10FTA

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM41N10FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товар відсутній

ZXM41N10FTC

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

товар відсутній

ZXM6

на замовлення 11670 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61N02F

Description: DIODES INC. - ZXM61N02F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
MSL: -999
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm

на замовлення 14881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.53 грн
500+	13.6 грн
1000+	10.83 грн
5000+	10.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXM61N02F

на замовлення 14881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.62 грн
25+	30.1 грн
100+	15.53 грн
500+	13.6 грн
1000+	10.83 грн
5000+	10.64 грн

Мінімальне замовлення: 19

ZXM61N02F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61N02F

MOSFET

товар відсутній

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

416+	27.95 грн
818+	14.21 грн
826+	14.06 грн
835+	13.42 грн
1041+	9.97 грн

Мінімальне замовлення: 416

ZXM61N02FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 5996 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

12+	23.55 грн
25+	12.64 грн
100+	10.85 грн
102+	8.88 грн
281+	8.4 грн
500+	8.39 грн

Мінімальне замовлення: 12

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 123000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.85 грн
9000+	6.13 грн
18000+	5.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N02FTA

MOSFET 20V N-Chnl HDMOS

на замовлення 78582 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.25 грн
12+	27.05 грн
100+	13.72 грн
500+	12.92 грн
1000+	11.07 грн

Мінімальне замовлення: 9

ZXM61N02FTA
Код товару: 127179

товар відсутній

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N02FTA

на замовлення 5996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	19.62 грн
35+	10.15 грн
100+	9.04 грн
102+	7.4 грн
281+	7 грн
500+	6.99 грн

Мінімальне замовлення: 19

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXM61N02FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 1906995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.25 грн
12+	24.36 грн
100+	14.6 грн
500+	12.69 грн
1000+	8.63 грн

Мінімальне замовлення: 9

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	33.5 грн
22+	26.2 грн
25+	25.95 грн
100+	12.72 грн
250+	11.66 грн
500+	11.08 грн
1000+	8.89 грн

Мінімальне замовлення: 18

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 123000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.97 грн
30000+	8.19 грн
60000+	7.63 грн
90000+	6.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N02FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXM61N02FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 1902000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.79 грн
6000+	8.11 грн
9000+	7.3 грн
30000+	6.75 грн
75000+	6.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N02FTA N02

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 240mOhm; 1,7A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61N02FTA TZXM61n02f
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 290 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXM61N02FTA/P02

на замовлення 1747 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXM61N02FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	11.25 грн
30000+	10.58 грн
50000+	10.31 грн

Мінімальне замовлення: 10000

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 10000

ZXM61N02FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.99 грн
10+	31.13 грн
100+	21.67 грн
500+	15.87 грн
1000+	12.9 грн
2000+	11.53 грн
5000+	10.77 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXM61N02FTC

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXM61N02FTC

MOSFET 20V N Chnl HDMOS

на замовлення 87081 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	40.27 грн
10+	33.76 грн
100+	20.41 грн
500+	15.9 грн
1000+	11.6 грн
2500+	11 грн
10000+	10.07 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXM61N03F

Description: DIODES INC. - ZXM61N03F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm

на замовлення 22470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.32 грн
500+	13.87 грн
1000+	9.11 грн
5000+	8.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXM61N03F

MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3

товар відсутній

ZXM61N03F

на замовлення 22470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	29.95 грн
31+	24.53 грн
100+	17.32 грн
500+	13.87 грн
1000+	9.11 грн
5000+	8.92 грн

Мінімальне замовлення: 25

ZXM61N03F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXM61N03FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2059 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

19+	20.29 грн
26+	13.39 грн
76+	10.53 грн
208+	9.96 грн

Мінімальне замовлення: 19

ZXM61N03FTA

N-MOSFET 30V 1.4A 220mΩ 625mW ZXM61N03FTA Diodes Inc TZXM61N03FTA
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 290 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	9.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXM61N03FTA

MOSFET 30V N-Chnl HDMOS

на замовлення 84551 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	25.9 грн
15+	21.72 грн
100+	14.91 грн
500+	12.85 грн
1000+	10.8 грн
3000+	9.28 грн

Мінімальне замовлення: 12

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 480000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N03FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

на замовлення 660000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.35 грн
6000+	9.46 грн
9000+	8.79 грн
30000+	8.06 грн
75000+	7.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

551+	21.1 грн
681+	17.06 грн
688+	16.89 грн
1148+	9.76 грн

Мінімальне замовлення: 551

ZXM61N03FTA

на замовлення 2059 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

11+	24.35 грн
25+	16.69 грн
76+	12.64 грн
208+	11.95 грн
3000+	11.84 грн

Мінімальне замовлення: 11

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	25.93 грн
26+	22.29 грн
30+	19.6 грн
100+	15.27 грн
250+	14 грн
500+	8.05 грн

Мінімальне замовлення: 23

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.76 грн
12000+	7.09 грн
24000+	6.6 грн
36000+	6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N03FTA
Код товару: 72846

товар відсутній

ZXM61N03FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

на замовлення 667771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.1 грн
11+	25.33 грн
100+	17.57 грн
500+	12.88 грн
1000+	10.47 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXM61N03FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61N03FTC

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V

товар відсутній

ZXM61N03FTR

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61N03GTA

на замовлення 31000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61N03TFA

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61P02F

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61P02F

Description: DIODES INC. - ZXM61P02F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm

на замовлення 6027 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.75 грн
500+	11.39 грн
1000+	9.24 грн
5000+	7.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXM61P02F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61P02F

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61P02F

MOSFET

товар відсутній

ZXM61P02F

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23

товар відсутній

ZXM61P02F

на замовлення 6027 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	36.42 грн
28+	27.43 грн
100+	13.75 грн
500+	11.39 грн
1000+	9.24 грн
5000+	7.96 грн

Мінімальне замовлення: 21

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

509+	22.85 грн
844+	13.77 грн
851+	13.65 грн
860+	13.03 грн

Мінімальне замовлення: 509

ZXM61P02FTA

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

на замовлення 654000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.36 грн
6000+	7.71 грн
9000+	6.94 грн
30000+	6.42 грн
75000+	6.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P02FTA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2748 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

13+	21.41 грн
25+	17.29 грн
75+	12.66 грн
205+	11.96 грн

Мінімальне замовлення: 13

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.77 грн
9000+	6.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P02FTA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 198909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.45 грн
18+	17.07 грн
100+	10.27 грн
1000+	7.42 грн
3000+	6.69 грн
9000+	6.56 грн
24000+	6.49 грн

Мінімальне замовлення: 11

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.61 грн
12000+	6.96 грн
24000+	6.47 грн
36000+	5.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	26.56 грн
27+	21.39 грн
28+	21.21 грн
100+	12.33 грн
250+	11.32 грн
500+	10.76 грн
1000+	6.08 грн

Мінімальне замовлення: 22

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 687000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P02FTA

на замовлення 2748 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

21+	17.84 грн
25+	13.87 грн
75+	10.55 грн
205+	9.97 грн

Мінімальне замовлення: 21

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P02FTA

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

на замовлення 657305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.82 грн
12+	23.12 грн
100+	13.89 грн
500+	12.07 грн
1000+	8.21 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P02FTA

Trans MOSFET P-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P02FTA/P

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61P02FTC

Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

товар відсутній

ZXM61P03F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61P03F

Description: DIODES INC. - ZXM61P03F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm

на замовлення 29970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.62 грн
500+	12.7 грн
1000+	10.83 грн
5000+	10.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXM61P03F

MOSFET

товар відсутній

ZXM61P03F

на замовлення 29970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.15 грн
28+	26.68 грн
100+	17.62 грн
500+	12.7 грн
1000+	10.83 грн
5000+	10.64 грн

Мінімальне замовлення: 23

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 411000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P03FTA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.9A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

25+	15.61 грн
30+	11.73 грн
90+	9.05 грн
245+	8.55 грн

Мінімальне замовлення: 25

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 411000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.86 грн
102000+	6.26 грн
204000+	5.83 грн
306000+	5.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXM61P03FTA

MOSFET 30V P-Chnl HDMOS

на замовлення 25407 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.45 грн
13+	24.31 грн
100+	15.37 грн
500+	11.93 грн
1000+	11.07 грн

Мінімальне замовлення: 11

ZXM61P03FTA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

на замовлення 941598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.95 грн
13+	22.78 грн
100+	15.82 грн
500+	11.59 грн
1000+	9.42 грн

Мінімальне замовлення: 11

ZXM61P03FTA
Код товару: 72847

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

ZXM61P03FTA

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 550mOhm; 1,1A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXM61P03FTA TZXM61p03f
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 48 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	10.62 грн

Мінімальне замовлення: 50

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 900000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P03FTA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXM61P03FTA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

на замовлення 939000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.32 грн
6000+	8.52 грн
9000+	7.91 грн
30000+	7.25 грн
75000+	7.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM61P03FTA

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

15+	18.73 грн
25+	14.62 грн
90+	10.86 грн
245+	10.26 грн

Мінімальне замовлення: 15

ZXM61P03FTA-P03

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM61P03FTC

Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V

товар відсутній

ZXM62M02E6

на замовлення 19892 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N02E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N02E6

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N02E6

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N02E6TA

MOSFET 20V N-Chnl HDMOS

на замовлення 2515 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXM62N02E6TAPBF

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N03E6TA

на замовлення 26100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6

товар відсутній

ZXM62N03E6TAPBF

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N03G

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N03G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N03G

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N03GTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

ZXM62N03GTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V

товар відсутній

ZXM62N03GTA

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62N03GTA

MOSFET 30V N-Chnl HDMOS

на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXM62N03GTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A/4.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V

товар відсутній

ZXM62P02E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P02E6T

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P02E6TA

Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 113445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.17 грн
10+	41.76 грн
100+	28.9 грн
500+	22.66 грн
1000+	19.28 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXM62P02E6TA

03/04+ SOT23-6

на замовлення 21100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P02E6TA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 2654 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.18 грн
10+	44.96 грн
100+	30.74 грн
500+	24.25 грн
1000+	19.41 грн
3000+	17.23 грн
6000+	17.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXM62P02E6TA

Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 108000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19 грн
6000+	17.34 грн
9000+	16.05 грн
30000+	14.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM62P02E6TA

Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM62P02E6TAPBF

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P03E6

Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.6 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm

на замовлення 2162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	55.37 грн
16+	46.75 грн
100+	29.88 грн
500+	24.29 грн
1000+	20.58 грн

Мінімальне замовлення: 14

ZXM62P03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P03E6

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P03E6

на замовлення 2162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.88 грн
500+	24.29 грн
1000+	20.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXM62P03E6

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P03E6TA

ZXM62P03E6TA SMD P channel transistors

на замовлення 987 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	62.44 грн
40+	24.52 грн
100+	24.51 грн
109+	23.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXM62P03E6TA

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.07 грн
6000+	14.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM62P03E6TA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

на замовлення 8960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.47 грн
10+	45.9 грн
100+	35.19 грн
500+	26.1 грн
1000+	20.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXM62P03E6TA

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.94 грн
6000+	18.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXM62P03E6TA

MOSFET 30V P-Chnl HDMOS

на замовлення 5563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.39 грн
10+	55.24 грн
100+	36.84 грн
500+	29.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXM62P03E6TC

MOSFET 30V P Chnl HDMOS

товар відсутній

ZXM62P03E6TC

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXM62P03E6TC

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-6

товар відсутній

ZXM62P03G

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P03G

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM62P03GTA

Description: MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223

товар відсутній

ZXM62P03GTA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63C02

2004

на замовлення 744 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63C02X8

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63C02XTA

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63C03

2004

на замовлення 811 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63C03XTA

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63N02

на замовлення 102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63N02E6TA

Diodes Inc.

товар відсутній

ZXM63N02E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23-6

товар відсутній

ZXM63N02XTA

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63N03XTA

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63P02

на замовлення 2380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63P02E6TA

2004

на замовлення 429 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63P02XTA

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM63P03XTA

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N02

на замовлення 648 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N02X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N02XTA

TSSOP8

на замовлення 14694 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N02XTA

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXM64N02XTA

09+

на замовлення 3681 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N02XTA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 1321 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXM64N02XTA

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXM64N02XTA

05+

на замовлення 77 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N02XTC

Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP

товар відсутній

ZXM64N035

02+ TO-220

на замовлення 134 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N035G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N035G

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N035G

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N035GT

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N035GTA

Description: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223

товар відсутній

ZXM64N035GTA

SOT223

на замовлення 23790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N035GTA

Description: MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223

товар відсутній

ZXM64N035GTA12A/35V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N035L3

TO-220 02 29

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N035L3

Description: MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3

товар відсутній

ZXM64N035L3

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N03XTA

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8-MSOP

товар відсутній

ZXM64N03XTA

на замовлення 441 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64N03XTC

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 8MSOP

товар відсутній

ZXM64N03XTR-ND

2004

на замовлення 446 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P02X

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P02X

05+ SOP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P02X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P02XTA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.22 грн
10+	78.48 грн
100+	56.92 грн
500+	47.71 грн
1000+	35.12 грн
2000+	33.2 грн
5000+	32.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXM64P02XTA

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	45.27 грн
2000+	40.69 грн
5000+	38.65 грн
10000+	34.91 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXM64P02XTA

Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin MSOP T/R

товар відсутній

ZXM64P02XTA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -19A; 1.1W; MSOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -19A
Power dissipation: 1.1W
Case: MSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

ZXM64P02XTA

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V

на замовлення 13470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	99.63 грн
10+	85.72 грн
100+	66.84 грн
500+	51.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXM64P02XTA

товар відсутній

ZXM64P02XTC

Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP

товар відсутній

ZXM64P035

на замовлення 1366 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P035G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P035G

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P035G

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P035GT

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P035GTA

Description: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223

товар відсутній

ZXM64P035GTA

SOT223

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P035GTA

Description: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223

товар відсутній

ZXM64P035GTA12A/35V

на замовлення 6200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P035L3

Description: MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3

товар відсутній

ZXM64P035L3

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P03X

Description: DIODES INC. - ZXM64P03X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.075 ohm, MSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm

на замовлення 638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	121.15 грн
10+	85.48 грн
100+	60.73 грн
500+	48.59 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXM64P03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P03X

MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP

товар відсутній

ZXM64P03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM64P03X

на замовлення 638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.73 грн
500+	48.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

товар відсутній

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	54.27 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXM64P03XTA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.1W; MSOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.1W
Case: MSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	33.52 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXM64P03XTA

MOSFET 30V P Chnl HDMOS

на замовлення 4603 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.54 грн
10+	83.05 грн
100+	54.13 грн
500+	46.65 грн
1000+	37.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXM64P03XTA

товар відсутній

ZXM64P03XTA

Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V

на замовлення 7994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.34 грн
10+	79.3 грн
100+	61.66 грн
500+	49.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	44.71 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXM64P03XTA

Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin MSOP T/R

товар відсутній

ZXM64P03XTA

Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	44.21 грн
2000+	40.08 грн
5000+	38.17 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXM64P03XTC

товар відсутній

ZXM64P03XTR-ND

2004

на замовлення 679 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66N02

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66N02

09+ SO-8

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66N02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC

товар відсутній

ZXM66N03

09+ SO-8

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66N03

на замовлення 1615 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66N03N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

товар відсутній

ZXM66P02

SO-8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P02N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P02N8

на замовлення 2152 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P02N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P02N8TA

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

товар відсутній

ZXM66P02N8TA

Trans MOSFET P-CH 20V 6.4A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXM66P02N8TA

на замовлення 694 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P02N8TA

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

товар відсутній

ZXM66P02N8TA

MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXM66P02N8TC

Description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC

товар відсутній

ZXM66P02N8TC

Trans MOSFET P-CH 20V 6.4A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXM66P03

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P03

09+ SO-8

на замовлення 1291 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P03

на замовлення 291 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P03N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P03N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P03N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXM66P03N8TA

Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC

на замовлення 2795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXM66P03N8TA

Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXM66P03N8TA

Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMC10A816DN8TC

MOSFET

товар відсутній

ZXMC10A816N8

MOSFET

товар відсутній

ZXMC10A816N8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100V; 1.7A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 9.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

ZXMC10A816N8TA

100V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

товар відсутній

ZXMC10A816N8TA

товар відсутній

ZXMC10A816N8TA

100V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

товар відсутній

ZXMC10A816N8TA

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC10A816N8TC

Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 210000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.52 грн
10+	59.84 грн
100+	46.67 грн
500+	36.18 грн
1000+	28.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMC10A816N8TC
Код товару: 184010

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товар відсутній

ZXMC10A816N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung Pd: 2.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	83.25 грн
11+	68.68 грн
100+	49.58 грн
500+	38.86 грн
1000+	28.35 грн

Мінімальне замовлення: 9

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 1510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

169+	68.75 грн
184+	63.23 грн
220+	52.93 грн
250+	46.29 грн
500+	38.47 грн
1000+	28.96 грн

Мінімальне замовлення: 169

ZXMC10A816N8TC

MOSFET 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE

на замовлення 14182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.73 грн
10+	56.77 грн
100+	38.36 грн
500+	32.53 грн
1000+	26.5 грн
2500+	25.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMC10A816N8TC

Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 210000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.5 грн
5000+	26.99 грн
12500+	25.97 грн
25000+	23.8 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMC10A816N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMC10A816N8TC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.58 грн
500+	38.86 грн
1000+	28.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.62 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMC10A816N8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 2.2/-2.1A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23/0.235Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 210000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMC10A816N8TC

товар відсутній

ZXMC10A816N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-Pin SO T/R

на замовлення 1510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	71.19 грн
10+	63.84 грн
25+	58.71 грн
100+	47.4 грн
250+	39.8 грн
500+	34.29 грн
1000+	26.89 грн

Мінімальне замовлення: 9

ZXMC3A16

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A16

03+ SMD8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A16DN8

09+

на замовлення 34 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A16DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A16DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A16DN8QTA

MOSFET BVDSS, 25V to 30V SO-8 0.5K

товар відсутній

ZXMC3A16DN8QTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 0.5K

товар відсутній

ZXMC3A16DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMC3A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

товар відсутній

ZXMC3A16DN8TA

MOSFET N and P Channel

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.5 грн
10+	104.39 грн
100+	70.9 грн
500+	58.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMC3A16DN8TA

ZXMC3A16DN8TA Multi channel transistors

товар відсутній

ZXMC3A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

товар відсутній

ZXMC3A16DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMC3A16DN8TC

ZXMC3A16DN8TC Multi channel transistors

товар відсутній

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMC3A16DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 14660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	99.63 грн
10+	85.51 грн
100+	66.67 грн
500+	51.69 грн
1000+	40.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMC3A16DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, 4.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.14 грн
5000+	38.55 грн
12500+	37.1 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMC3A16DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMC3A16DN8TC

MOSFET Cmp 30V NP Ch UMOS

на замовлення 1781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.49 грн
10+	81.53 грн
100+	54.93 грн
500+	46.51 грн
1000+	37.9 грн
2500+	35.65 грн
5000+	33.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMC3A17

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A17DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A17DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A17DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A17DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 26301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.51 грн
10+	50.59 грн
100+	39.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMC3A17DN8TA

ZXMC3A17DN8TA Multi channel transistors

на замовлення 85 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	72.25 грн
22+	45.09 грн
59+	42.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMC3A17DN8TA

MOSFET 30V Enhancement Mode

на замовлення 980 шт:

термін постачання 322-331 дні (днів)

4+	81.94 грн
10+	72.69 грн
100+	49.3 грн
500+	40.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMC3A17DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	34.63 грн
1000+	27.16 грн
2500+	25.57 грн
5000+	22.85 грн
12500+	21.8 грн
25000+	21.76 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMC3A17DN8TA

Description: DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.3 грн
13+	60.13 грн
50+	51.66 грн
100+	40.03 грн
250+	36.19 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMC3A17DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMC3A17DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

товар відсутній

ZXMC3A18

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A18DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A18DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A18DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3A18DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

товар відсутній

ZXMC3A18DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

товар відсутній

ZXMC3AM832

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

на замовлення 563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

товар відсутній

ZXMC3AM832TA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC3AM832TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

товар відсутній

ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

на замовлення 1026 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMC3AMCTA

MOSFET 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS

на замовлення 16377 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.89 грн
10+	58.06 грн
100+	39.22 грн
500+	33.26 грн
1000+	27.1 грн
3000+	24.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMC3AMCTA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: DFN3020B-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18/0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.19 грн
10+	35.2 грн
25+	31.13 грн
31+	26.11 грн
84+	24.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMC3AMCTA

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	65.02 грн
6+	43.86 грн
25+	37.35 грн
31+	31.33 грн
84+	29.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMC3AMCTA

Description: DIODES INC. - ZXMC3AMCTA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.45W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.45W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.79 грн
13+	61.32 грн
100+	44 грн
500+	34.65 грн
1000+	24.08 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMC3AMCTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active

на замовлення 42912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.22 грн
10+	51.7 грн
100+	40.21 грн
500+	31.99 грн
1000+	26.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

товар відсутній

ZXMC3AMCTA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin DFN EP T/R

товар відсутній

ZXMC3AMCTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Part Status: Active

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.15 грн
6000+	24.9 грн
9000+	23.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMC3AMCTA

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44 грн
500+	34.65 грн
1000+	24.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMC3F31DN8

MOSFET

товар відсутній

ZXMC3F31DN8TA

MOSFET 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.29 грн
10+	52.35 грн
100+	34.85 грн
500+	27.5 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMC3F31DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.62 грн
10+	47.76 грн
100+	36.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMC3F31DN8TA

ZXMC3F31DN8TA Multi channel transistors

на замовлення 471 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	77.15 грн
39+	25.1 грн
106+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMC3F31DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	30.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMC4559

SO-8

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC4559DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC4559DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC4559DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC4559DN8

MOSFET

товар відсутній

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	28.74 грн
1000+	27.07 грн
2500+	20.57 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMC4559DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.99 грн
10+	63.84 грн
100+	49.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	76.36 грн
10+	69.68 грн
25+	68.98 грн
100+	54.29 грн
250+	34.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

155+	75.04 грн
157+	74.28 грн
192+	60.63 грн
283+	39.67 грн

Мінімальне замовлення: 155

ZXMC4559DN8TA

MOSFET Comp. 60V NP-Chnl

на замовлення 5567 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.21 грн
10+	51.43 грн
100+	42.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMC4559DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V, 1021pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	43.73 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMC4559DN8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.6/-2.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.49 грн
11+	31.47 грн
25+	27.54 грн
33+	24.87 грн
90+	23.51 грн
500+	22.98 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMC4559DN8TA

на замовлення 1113 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	67.79 грн
7+	39.22 грн
25+	33.05 грн
33+	29.85 грн
90+	28.22 грн
500+	27.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	32.18 грн
1000+	29.41 грн
2000+	27.37 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMC4559DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	19.79 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMC4559DN8TC

MOSFET 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel

товар відсутній

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1480+	32.03 грн

Мінімальне замовлення: 1480

ZXMC4559DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

товар відсутній

ZXMC4559DN8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.9/-4.7A
Power dissipation: 2.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.055/0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

ZXMC4559DN8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 3.9/-4.7A
Power dissipation: 2.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.055/0.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMC4559DN8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	50.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMC4559DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO

товар відсутній

ZXMC4A16DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC4A16DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMC4A16DN8TA

MOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMC4A16DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMC4A16DN8TC

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

товар відсутній

ZXMC6A07T8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC6A09DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC6A09DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC6A09DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMC6A09DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 2936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.6 грн
10+	105.87 грн
100+	84.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMC6A09DN8TA

MOSFET Comp. 60V NP-Chnl

на замовлення 897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.78 грн
10+	118.1 грн
100+	81.5 грн
250+	77.52 грн
500+	66.26 грн
1000+	59.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	152.94 грн
84+	138.98 грн
85+	137.58 грн
102+	110.53 грн
250+	101.32 грн
500+	81.82 грн

Мінімальне замовлення: 76

ZXMC6A09DN8TA

ZXMC6A09DN8TA Multi channel transistors

товар відсутній

ZXMC6A09DN8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8-Pin SO T/R

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	142.01 грн
10+	129.05 грн
25+	127.76 грн
100+	102.64 грн
250+	94.09 грн
500+	75.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMC6A09DN8TA

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V, 1580pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 8.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	74.05 грн
1000+	60.5 грн
2500+	57.48 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMD63C02X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63C02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP

товар відсутній

ZXMD63C02XTA

MSOP

на замовлення 15100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP

товар відсутній

ZXMD63C02XTA

Description: MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP

товар відсутній

ZXMD63C02XTA

09+

на замовлення 15018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63C02XTC

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP

товар відсутній

ZXMD63C03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63C03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63C03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMD63C03XTA

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

на замовлення 13603000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMD63C03XTA

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

на замовлення 13602000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMD63C03XTA

MOSFET 30V N&P Chnl HDMOS

на замовлення 1305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMD63C03XTC

Description: MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP

товар відсутній

ZXMD63N02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63N02X

2004

на замовлення 1894 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63N02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

на замовлення 483345000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMD63N02XTA

MOSFET Dual 20V N Chl HDMOS

на замовлення 695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

на замовлення 400045000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMD63N02XTA

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63N02XTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

на замовлення 483345000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMD63N02XTC

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP

товар відсутній

ZXMD63N03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63N03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63N03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63N03XTA

ZXMD63N03XTA Multi channel transistors

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	267.58 грн
14+	72.88 грн
37+	69.57 грн

ZXMD63N03XTA

MOSFET Dual 30V N Chl HDMOS

на замовлення 944 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMD63N03XTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP

на замовлення 4715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	154.1 грн
10+	132.93 грн
100+	106.83 грн
500+	82.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

ZXMD63N03XTA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	75.52 грн
2000+	67.71 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMD63N03XTC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP

товар відсутній

ZXMD63N03XTC

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P02X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P02X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P02X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P02XTA

07+ SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P02XTA

SOT-223

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P02XTA

MOSFET Dual 20V P Chl HDMOS

на замовлення 843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMD63P02XTA

Trans MOSFET P-CH 20V 1.7A 8-Pin MSOP T/R

товар відсутній

ZXMD63P02XTA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP

товар відсутній

ZXMD63P02XTC

товар відсутній

ZXMD63P03X

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P03X

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P03X

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P03XTA

TSSOP8

на замовлення 3351 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD63P03XTA

MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS

на замовлення 1530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMD63P03XTA

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP

товар відсутній

ZXMD63P03XTC

Description: MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP

товар відсутній

ZXMD65N02

09+ SO-8

на замовлення 1149 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65N02

на замовлення 149 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65N02N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC

товар відсутній

ZXMD65N03

09+ SO-8

на замовлення 1073 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65N03

на замовлення 73 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65N03N8

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65N03N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMD65P02

на замовлення 275 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65P02

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65P02

09+ SO-8

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65P02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65P02N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65P02N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65P02N8TA

Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMD65P02N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMD65P02N8TC

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

товар відсутній

ZXMD65P03

на замовлення 1793 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65P03

09+ SO-8

на замовлення 2793 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65P03N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMD65P03N8TA

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC10A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.53 грн
5000+	30.75 грн
12500+	29.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMHC10A07N8TC

Diodes INC.

Транзистор польовий 2N+2P; Udss, В = 100; Id = 800 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 138 @ 60; Qg, нКл = 2,9 @ 10 В; Rds = 700 мОм @ 1,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,87; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 680 мА; SOICN-8

на замовлення 5 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

5+	124.8 грн
10+	62.4 грн
100+	41.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC10A07N8TC

MOSFET Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9

на замовлення 24339 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.35 грн
10+	71.55 грн
100+	47.97 грн
500+	40.68 грн
1000+	33.13 грн
2500+	29.62 грн
5000+	29.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMHC10A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 0.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 92688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.99 грн
10+	63.84 грн
100+	49.68 грн
500+	39.52 грн
1000+	32.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMHC10A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 100V 0.8A/0.68A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC10A07N8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 0.9/-0.7A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9/1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2123 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	74.03 грн
5+	62.96 грн
20+	49.69 грн
53+	46.96 грн
500+	45.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMHC10A07N8TC

на замовлення 2123 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.52 грн
20+	41.41 грн
53+	39.13 грн
500+	37.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMHC10A07T8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC10A07T8

SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC10A07T8

MOSFET

товар відсутній

ZXMHC10A07T8

07+ SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC10A07T8TA

MOSFET 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge

на замовлення 1967 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.28 грн
10+	111.25 грн
100+	76.86 грн
250+	73.55 грн
500+	64.73 грн
1000+	53.8 грн
2000+	52.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMHC10A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.28 грн
10+	98.83 грн
100+	78.65 грн
500+	62.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMHC10A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R

товар відсутній

ZXMHC10A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A, 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	58.64 грн
2000+	53.64 грн
5000+	51.63 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMHC10A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 100V 1A/0.8A 8-Pin SM8 T/R

товар відсутній

ZXMHC10A07T8TA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

ZXMHC10A07T8TA

товар відсутній

ZXMHC3A01N8

MOSFET

товар відсутній

ZXMHC3A01N8DICT

Diodes Inc./Zetex

MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

на замовлення 2 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

ZXMHC3A01N8TA

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.6 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMHC3A01N8TC

MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A

на замовлення 34090 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.21 грн
10+	48.84 грн
100+	34.19 грн
500+	31.14 грн
1000+	27.36 грн
2500+	25.71 грн
5000+	25.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMHC3A01N8TC

ZXMHC3A01N8TC SMD N channel transistors

товар відсутній

ZXMHC3A01N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 128789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.24 грн
10+	55.49 грн
100+	43.17 грн
500+	34.34 грн
1000+	27.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMHC3A01N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.17A/1.64A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC3A01N8TC

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC3A01N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 122500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMHC3A01T8

SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC3A01T8

07+ SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC3A01T8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC3A01T8TA

товар відсутній

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	52.5 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMHC3A01T8TA

товар відсутній

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	56.54 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMHC3A01T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active

на замовлення 53944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.39 грн
10+	92.35 грн
100+	73.5 грн
500+	58.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMHC3A01T8TA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC3A01T8TA
Код товару: 163888

товар відсутній

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

товар відсутній

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	81.15 грн
10+	73.51 грн
25+	73.12 грн
100+	62.47 грн
250+	57.22 грн
500+	49.57 грн
1000+	45.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXMHC3A01T8TA

MOSFET 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel

на замовлення 1621 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.91 грн
10+	99.82 грн
100+	70.23 грн
250+	69.57 грн
500+	59.17 грн
1000+	47.97 грн
2000+	47.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMHC3A01T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
Part Status: Active

на замовлення 53000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	54.8 грн
2000+	50.13 грн
5000+	48.25 грн
10000+	43.78 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMHC3A01T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	87.39 грн
147+	79.16 грн
148+	78.74 грн
167+	67.28 грн
250+	61.62 грн
500+	53.38 грн
1000+	49.15 грн

Мінімальне замовлення: 133

ZXMHC3F381N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 165000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMHC3F381N8TC

Description: DIODES INC. - ZXMHC3F381N8TC - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.75 грн
500+	43.96 грн
1000+	34.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.76 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMHC3F381N8TC

MOSFET MOSFET H-BRIDGE SOP-8L

на замовлення 26069 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.75 грн
10+	60.2 грн
100+	40.95 грн
500+	34.79 грн
1000+	27.89 грн
2500+	27.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMHC3F381N8TC

на замовлення 1765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.04 грн
50+	66.82 грн
100+	55.75 грн
500+	43.96 грн
1000+	34.47 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMHC3F381N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.98A/3.36A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC3F381N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.98A, 3.36A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 15V, 670pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 167922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.74 грн
10+	38.51 грн
100+	29.93 грн
500+	23.81 грн
1000+	23.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMHC3F381N8TC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 3.98/-3.36A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.98/-3.36A
Pulsed drain current: 22.9...-19.6A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge

товар відсутній

ZXMHC3F381N8TC

товар відсутній

ZXMHC6A07N8TC

товар відсутній

ZXMHC6A07N8TC

MOSFET Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A

на замовлення 85460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.15 грн
10+	50.9 грн
100+	35.98 грн
500+	32.4 грн
1000+	28.29 грн
2500+	25.64 грн
5000+	25.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMHC6A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 215000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.74 грн
5000+	26.36 грн
12500+	25.14 грн
25000+	23.55 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC6A07N8TC

товар відсутній

ZXMHC6A07N8TC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC6A07N8TC

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO

на замовлення 217628 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.52 грн
10+	54.73 грн
100+	42.58 грн
500+	33.87 грн
1000+	27.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMHC6A07N8TC

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R

товар відсутній

ZXMHC6A07T8

SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC6A07T8

07+ SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHC6A07T8

MOSFET

товар відсутній

ZXMHC6A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 6001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.96 грн
10+	91.1 грн
100+	72.49 грн
500+	57.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMHC6A07T8TA

MOSFET 60V UMOS H-Bridge

на замовлення 4223 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.26 грн
10+	85.34 грн
100+	57.25 грн
250+	56.72 грн
500+	52.08 грн
1000+	48.17 грн
2000+	46.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMHC6A07T8TA

Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	89.19 грн
200+	75.92 грн
500+	64.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMHC6A07T8TA

Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	54.04 грн
2000+	49.44 грн
5000+	47.58 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	56.28 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

товар відсутній

ZXMHC6A07T8TA

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	151.63 грн
10+	112.24 грн
50+	89.19 грн
200+	75.92 грн
500+	64.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMHC6A07T8TA

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 60/-60V; 1.4/-1.2A; 1.3W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.4/-1.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2792 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	116.84 грн
5+	99.77 грн
12+	82.82 грн
32+	78.68 грн
500+	75.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMHC6A07T8TA

Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R

товар відсутній

ZXMHC6A07T8TA

на замовлення 2792 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.37 грн
5+	80.06 грн
12+	69.02 грн
32+	65.57 грн
500+	62.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMHN6A07T8

07+ SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHN6A07T8

SM-8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMHN6A07T8TA

Trans MOSFET N-CH 60V 1.6A 8-Pin SM8 T/R

товар відсутній

ZXMHN6A07T8TA

Description: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8

товар відсутній

ZXMHN6A07T8TA

MOSFET 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge

на замовлення 609 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMN

на замовлення 13870 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

товар відсутній

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

товар відсутній

ZXMN0545FFTA

Description: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

товар відсутній

ZXMN0545G4

07+ SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN0545G4

SOT223

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN0545G4TA

Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

ZXMN0545G4TA

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN0545G4TA

MOSFET 450V 140mA N-Channel Enhancement MOSFET

на замовлення 5004 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMN0545G4TA

Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

товар відсутній

ZXMN0545G4TA

Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1114 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	87.24 грн
10+	77.31 грн
25+	56.43 грн
100+	53.87 грн
250+	37.08 грн
500+	35.24 грн
1000+	35.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN0545G4TA

Description: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

товар відсутній

ZXMN0545GTA

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A07F

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 625
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.44 грн
500+	14.91 грн
1000+	10.64 грн
5000+	10.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN10A07F

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	36.79 грн
25+	30.62 грн
100+	20.44 грн
500+	14.91 грн
1000+	10.64 грн
5000+	10.45 грн

Мінімальне замовлення: 21

ZXMN10A07FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.79 грн
26+	29.06 грн
100+	19.47 грн

Мінімальне замовлення: 22

ZXMN10A07FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1277 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	58.87 грн
14+	19.61 грн
25+	14.91 грн
74+	13.02 грн
203+	12.31 грн
500+	12.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMN10A07FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 639000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.95 грн
6000+	9.09 грн
9000+	8.44 грн
30000+	7.74 грн
75000+	7.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN10A07FTA

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	27.5 грн
18+	20.29 грн
25+	18.08 грн
73+	10.97 грн
200+	10.35 грн

Мінімальне замовлення: 14

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

446+	26.09 грн
578+	20.12 грн
583+	19.94 грн
729+	15.36 грн

Мінімальне замовлення: 446

ZXMN10A07FTA

на замовлення 1277 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	49.06 грн
22+	15.74 грн
28+	12.42 грн
74+	10.85 грн
203+	10.26 грн
500+	10.08 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXMN10A07FTA

на замовлення 35800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A07FTA

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN10A07FTA

на замовлення 1277 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	58.87 грн
14+	19.61 грн
25+	14.91 грн
74+	13.02 грн
203+	12.31 грн
500+	12.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMN10A07FTA

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 639441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.39 грн
12+	24.29 грн
100+	16.89 грн
500+	12.37 грн
1000+	10.06 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN10A07FTA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	27.55 грн
24+	24.24 грн
25+	24.23 грн
100+	18.02 грн
250+	16.53 грн
500+	12.68 грн

Мінімальне замовлення: 21

ZXMN10A07FTA

MOSFET 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 28409 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.29 грн
14+	23.01 грн
100+	13.98 грн
500+	11.4 грн
1000+	9.67 грн
3000+	8.81 грн

Мінімальне замовлення: 12

ZXMN10A07FTC

Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

товар відсутній

ZXMN10A07Z

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	16.89 грн
2000+	15.27 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 3002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

277+	42.01 грн
371+	31.38 грн
374+	31.08 грн
500+	23.45 грн
1000+	16.65 грн
3000+	14.43 грн

Мінімальне замовлення: 277

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	13.21 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A07ZTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 96480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.42 грн
10+	32.85 грн
100+	22.84 грн
500+	16.74 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXMN10A07ZTA

MOSFET 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 39261 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.44 грн
10+	35.74 грн
100+	21.4 грн
500+	15.04 грн
1000+	12.66 грн
2000+	11.33 грн
10000+	10.93 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

ZXMN10A07ZTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.1A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.49 грн
16+	22.36 грн
25+	17.53 грн
53+	15.18 грн
145+	14.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN10A07ZTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	19.6 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A07ZTA

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	67.79 грн
10+	27.87 грн
25+	21.04 грн
53+	18.22 грн
145+	17.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN10A07ZTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V

на замовлення 96000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	15.06 грн
2000+	12.96 грн
5000+	12.3 грн
10000+	10.72 грн
25000+	10.47 грн
50000+	10.21 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A08

на замовлення 459 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A08DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A08DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A08DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A08DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMN10A08DN8TA

MOSFET 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET

на замовлення 559 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.04 грн
10+	48.38 грн
100+	36.57 грн
500+	30.28 грн
1000+	23.32 грн
2500+	22.06 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	63.13 грн
11+	56.97 грн
100+	45.48 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMN10A08DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.94 грн
10+	56.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN10A08DN8TA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMN10A08DN8TA

Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; ZXMN10A08DN8TA TZXMN10a08dn8
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	29.61 грн

Мінімальне замовлення: 20

ZXMN10A08DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

товар відсутній

ZXMN10A08E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A08E6

MOSFET

товар відсутній

ZXMN10A08E6QTA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R

товар відсутній

ZXMN10A08E6QTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT26 T&R 3K

товар відсутній

ZXMN10A08E6QTA

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

товар відсутній

ZXMN10A08E6TA

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 156532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43 грн
10+	35.41 грн
100+	24.61 грн
500+	18.03 грн
1000+	14.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 5139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	31.42 грн
20+	29.4 грн
25+	29.1 грн
100+	23.44 грн
250+	21.55 грн
500+	17.33 грн
1000+	16.26 грн
3000+	15.18 грн

Мінімальне замовлення: 19

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN10A08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 156000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.5 грн
6000+	13.25 грн
9000+	12.3 грн
30000+	11.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

товар відсутній

ZXMN10A08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

на замовлення 5139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

367+	31.66 грн
371+	31.34 грн
444+	26.18 грн
447+	25.07 грн
534+	19.44 грн
1000+	17.51 грн
3000+	16.35 грн

Мінімальне замовлення: 367

ZXMN10A08E6TA

MOSFET 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 16013 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	34.48 грн
11+	29.87 грн
100+	20.27 грн
500+	17.96 грн
1000+	14.91 грн
3000+	13.25 грн
6000+	12.66 грн

Мінімальне замовлення: 9

ZXMN10A08E6TA-50

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

ZXMN10A08E6TA-50

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

товар відсутній

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

товар відсутній

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

товар відсутній

ZXMN10A08E6TC

товар відсутній

ZXMN10A08E6TC

MOSFET 100V N-Chnl UMOS

товар відсутній

ZXMN10A08E6TC

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R

товар відсутній

ZXMN10A08GT

на замовлення 20500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A08GTA

MOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET

на замовлення 17038 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.63 грн
10+	42.29 грн
100+	25.97 грн
500+	19.94 грн
1000+	17.76 грн
2000+	16.5 грн
5000+	16.23 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

ZXMN10A08GTA

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A08GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 147364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.74 грн
10+	40.58 грн
100+	28.13 грн
500+	22.05 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

ZXMN10A08GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

ZXMN10A08GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V

на замовлення 147000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	20.77 грн
2000+	17.81 грн
5000+	16.87 грн
10000+	14.66 грн
25000+	14.52 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A08T6TA

на замовлення 2525 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A09K

07+ DPAK

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A09K

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A09K

DPAK

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A09KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V

товар відсутній

ZXMN10A09KTC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.1A; 4.31W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 4.31W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN10A09KTC

товар відсутній

ZXMN10A09KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 50 V

на замовлення 1377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.84 грн
10+	105.6 грн
100+	84.9 грн
500+	65.46 грн
1000+	54.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN10A09KTC

MOSFET MOSFET N-CH 100V

на замовлення 806 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.68 грн
10+	101.34 грн
100+	70.23 грн
250+	64.73 грн
500+	58.7 грн
1000+	50.36 грн
2500+	47.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN10A09KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	67.25 грн
10+	64.27 грн
100+	58.22 грн
500+	51.56 грн
1000+	42.84 грн

Мінімальне замовлення: 9

ZXMN10A11G

Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	61.54 грн
15+	51.58 грн
100+	36.12 грн
500+	26.5 грн
1000+	23.95 грн

Мінімальне замовлення: 13

ZXMN10A11G

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A11G

Description: DIODES INC. - ZXMN10A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 3.9
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.12 грн
500+	26.5 грн
1000+	23.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN10A11GFTA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A11GTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.9A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 405 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	72.25 грн
8+	36.12 грн
25+	30.64 грн
38+	24.85 грн
103+	24.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN10A11GTA

на замовлення 405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	60.21 грн
12+	28.99 грн
25+	25.54 грн
38+	20.71 грн
103+	20.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	24.54 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A11GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	20.59 грн
2000+	17.66 грн
5000+	16.73 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A11GTA
Код товару: 131543

товар відсутній

ZXMN10A11GTA

MOSFET 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 3875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.18 грн
10+	45.18 грн
100+	27.23 грн
500+	22.73 грн
1000+	18.82 грн
2000+	18.35 грн
5000+	16.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	26.42 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 43000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	18.81 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A11GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

ZXMN10A11GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

на замовлення 7093 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.02 грн
10+	40.24 грн
100+	27.88 грн
500+	21.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN10A11GTC

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

товар відсутній

ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

товар відсутній

ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

товар відсутній

ZXMN10A11K

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

товар відсутній

ZXMN10A11KT

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A11KTC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; 4.06W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 4.06W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

ZXMN10A11KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN10A11KTC

товар відсутній

ZXMN10A11KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.56 грн
5000+	16.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMN10A11KTC

MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS)

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.96 грн
10+	46.48 грн
100+	27.63 грн
500+	23.06 грн
1000+	19.68 грн
2500+	17.36 грн
5000+	16.5 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN10A11KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN10A25

SOT-223

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A25GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	34.68 грн
2000+	31.44 грн
5000+	29.94 грн
10000+	26.8 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	78.47 грн
10+	70.92 грн
25+	70.18 грн
100+	53.62 грн
250+	49.19 грн
500+	39.31 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXMN10A25GTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.7A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.56 грн
6+	63.5 грн
17+	46.93 грн
46+	44.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

153+	76.37 грн
154+	75.58 грн
194+	59.88 грн
250+	57.22 грн
500+	44.1 грн

Мінімальне замовлення: 153

ZXMN10A25GTA

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	91.87 грн
5+	79.13 грн
17+	56.32 грн
46+	53.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN10A25GTA

MOSFET 100V N-Channel 2.9A MOSFET

на замовлення 2776 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.49 грн
10+	67.28 грн
100+	45.65 грн
500+	35.78 грн
1000+	30.94 грн
2000+	29.88 грн
5000+	29.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN10A25GTA

Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

на замовлення 20480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.84 грн
10+	62.19 грн
100+	48.37 грн
500+	38.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN10A25GTA

Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

ZXMN10A25K

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3

товар відсутній

ZXMN10A25K

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3

товар відсутній

ZXMN10A25KTC

Description: DIODES INC. - ZXMN10A25KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.4 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 2344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	68.98 грн
500+	52.87 грн
1000+	38.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN10A25KTC

MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS)

на замовлення 4691 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.08 грн
10+	75.82 грн
100+	51.81 грн
500+	43.93 грн
1000+	35.78 грн
2500+	32.14 грн
5000+	31.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN10A25KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.21 грн
5000+	33.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMN10A25KTC

на замовлення 2344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	112.98 грн
10+	93.65 грн
100+	68.98 грн
500+	52.87 грн
1000+	38.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN10A25KTC

Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN10A25KTC

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10A25KTC

Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 859 pF @ 50 V

на замовлення 9733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.44 грн
10+	68.95 грн
100+	53.65 грн
500+	42.68 грн
1000+	34.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN10B08E6

09+ SOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10B08E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN10B08E6QTA

ZXMN10B08E6QTA

товар відсутній

ZXMN10B08E6QTA

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R

товар відсутній

ZXMN10B08E6QTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V SOT26 T&R 3K

товар відсутній

ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN10B08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V

на замовлення 93000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.11 грн
6000+	17.43 грн
9000+	16.14 грн
30000+	15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN10B08E6TA

Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: SOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	63.18 грн
14+	53.22 грн
100+	37.24 грн
500+	27.4 грн
1000+	20.2 грн
5000+	19.81 грн

Мінімальне замовлення: 12

ZXMN10B08E6TA

MOSFET 100V N-Chnl UMOS

на замовлення 2835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.43 грн
10+	49.76 грн
100+	33.2 грн
500+	26.3 грн
1000+	21 грн
3000+	19.08 грн
9000+	18.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN10B08E6TA

Description: DIODES INC. - ZXMN10B08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.1
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.24 грн
500+	27.4 грн
1000+	20.2 грн
5000+	19.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA SMD N channel transistors

на замовлення 638 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	69.57 грн
40+	24.85 грн
109+	23.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN10B08E6TA

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 50 V

на замовлення 95543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.17 грн
10+	41.96 грн
100+	29.06 грн
500+	22.78 грн
1000+	19.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN10B08E6TA

Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN10B08E6TA 10B8

N-MOSFET 1.6A 100V 1.1W 0.23Ω ZXMN10B08E6 TZXMN10b08e6
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 36 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	16.83 грн

Мінімальне замовлення: 50

ZXMN10B08E6TC

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26

товар відсутній

ZXMN15A27KT

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN15A27KTC

Trans MOSFET N-CH 150V 2.55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN15A27KTC

на замовлення 6070 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN15A27KTC

Description: MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 25 V

товар відсутній

ZXMN15A27KTC

MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 150V N-CHANNEL

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMN15A27KTC

Description: MOSFET N-CH 150V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 25 V

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.3 грн
10+	39.34 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN2069FTA

Description: MOSFET N-CH SOT23-3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2088DE6

на замовлення 123800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2088DE6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2088DE6TA

MOSFET 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET

товар відсутній

ZXMN2088DE6TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

товар відсутній

ZXMN20B28K

MOSFET

товар відсутній

ZXMN20B28K-13

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN20B28KT

на замовлення 20500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	23.08 грн
5000+	22.85 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMN20B28KTC

Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.45 грн
10+	41.34 грн
100+	28.6 грн
500+	22.43 грн
1000+	19.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN20B28KTC

Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 2.2W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.53 грн
500+	26.02 грн
1000+	19.3 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.78 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMN20B28KTC

MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL

на замовлення 35747 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.65 грн
10+	46.4 грн
100+	27.96 грн
500+	23.32 грн
1000+	19.88 грн
2500+	16.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN20B28KTC

Description: DIODES INC. - ZXMN20B28KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	60.28 грн
15+	50.77 грн
100+	35.53 грн
500+	26.02 грн
1000+	19.3 грн

Мінімальне замовлення: 13

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN20B28KTC

10+ SOT-23

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN20B28KTC

Description: MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 358 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

ZXMN20B28KTC

Trans MOSFET N-CH 200V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN20B28KTC-13

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A01E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A01E6

MOSFET

товар відсутній

ZXMN2A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

на замовлення 1633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	41.57 грн
10+	35.06 грн
100+	26.86 грн
500+	19.93 грн
1000+	15.94 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

товар відсутній

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	12.31 грн

Мінімальне замовлення: 47

ZXMN2A01E6TA

на замовлення 967 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A01E6TA

MOSFET 20V N-Chnl UMOS

на замовлення 5708 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.53 грн
12+	26.9 грн
100+	19.02 грн
500+	15.97 грн
1000+	13.65 грн
3000+	12.85 грн
6000+	12.52 грн

Мінімальне замовлення: 11

ZXMN2A01E6TC

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

товар відсутній

ZXMN2A01F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A01F

MOSFET

товар відсутній

ZXMN2A01FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 806
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 11885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	38.43 грн
25+	30.62 грн
100+	19.77 грн
500+	13.73 грн
1000+	9.49 грн
5000+	9.3 грн

Мінімальне замовлення: 20

ZXMN2A01FTA

MOSFET 20V N-Chnl UMOS

на замовлення 40328 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.39 грн
12+	27.05 грн
100+	16.76 грн
500+	12.59 грн
1000+	9.47 грн
3000+	8.61 грн
6000+	8.55 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	27.75 грн
25+	23.43 грн
26+	22.83 грн
100+	16.44 грн
250+	15.09 грн
500+	11.17 грн
1000+	8.57 грн

Мінімальне замовлення: 21

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.79 грн
6000+	10.02 грн
15000+	9.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2A01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

на замовлення 1238787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.91 грн
6000+	8.22 грн
9000+	7.4 грн
30000+	6.84 грн
75000+	6.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.11 грн
6000+	10.15 грн
12000+	9.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.1 грн
6000+	8.58 грн
15000+	8.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2A01FTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2A01FTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 806
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 11885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.77 грн
500+	13.73 грн
1000+	9.49 грн
5000+	9.3 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.02 грн
6000+	9.3 грн
15000+	8.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

473+	24.58 грн
633+	18.36 грн
639+	18.2 грн
828+	13.53 грн
1080+	9.61 грн

Мінімальне замовлення: 473

ZXMN2A01FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.9A; Idm: 8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

ZXMN2A01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

365+	31.83 грн
487+	23.89 грн
491+	23.65 грн
626+	17.91 грн
1043+	9.95 грн

Мінімальне замовлення: 365

ZXMN2A01FTA

товар відсутній

ZXMN2A01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V

на замовлення 1239670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.97 грн
12+	24.71 грн
100+	14.8 грн
500+	12.86 грн
1000+	8.75 грн

Мінімальне замовлення: 9

ZXMN2A01FTA 7N2

Trans MOSFET N-CH 20V 2.2A Automotive 3-Pin SOT-23 ZXMN2A01FTA TZXMN2a01fta
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	4.94 грн

Мінімальне замовлення: 200

ZXMN2A01FTC

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

товар відсутній

ZXMN2A02

на замовлення 938 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A02F

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A02N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A02N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN2A02N8TA

MOSFET 20V N Chnl UMOS

на замовлення 416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMN2A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

на замовлення 749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN2A02N8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 10.2A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMN2A02X8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A02X8

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A02X8

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

товар відсутній

ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN2A02X8TA

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

товар відсутній

ZXMN2A02X8TC

Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

товар відсутній

ZXMN2A03

на замовлення 1126 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2A03E6TA

MOSFET N Channel

на замовлення 1764 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.23 грн
10+	54.71 грн
100+	36.51 грн
500+	28.82 грн
1000+	23.12 грн
3000+	20.87 грн
6000+	20.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMN2A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

на замовлення 4666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.49 грн
10+	50.25 грн
100+	38.51 грн
500+	28.56 грн
1000+	22.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

ZXMN2A03E6TA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.4A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

ZXMN2A03E6TA

товар відсутній

ZXMN2A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2A03E6TC

Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6

товар відсутній

ZXMN2A04D

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A04D

09+ SO-8

на замовлення 1021 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A04DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 12579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.45 грн
10+	104.08 грн
100+	82.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	64.97 грн
11+	55.22 грн
100+	53.22 грн

Мінімальне замовлення: 9

ZXMN2A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	72.81 грн
1000+	59.49 грн
2500+	56.51 грн
5000+	51.04 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMN2A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMN2A04DN8TA

MOSFET Dl 20V N-Chnl UMOS

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.14 грн
10+	115.06 грн
100+	79.51 грн
250+	78.85 грн
500+	66.26 грн
1000+	57.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN2A04DN8TA

SOP 08+PBF

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A04DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

товар відсутній

ZXMN2A14F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A14F

TOSHIBA

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2A14FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.3A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

ZXMN2A14FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.13 грн
6000+	12 грн
9000+	11.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2A14FTA

N-MOSFET 20V 3.4A ZXMN2A14FTA DIODES TZXMN2a14f
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	7.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	36.48 грн
19+	31.8 грн
25+	31.48 грн
100+	23.73 грн
250+	21.77 грн
500+	17.09 грн
1000+	13.51 грн

Мінімальне замовлення: 16

ZXMN2A14FTA

MOSFET N Channel

на замовлення 78691 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.11 грн
10+	32 грн
100+	19.81 грн
500+	15.64 грн
1000+	11.86 грн
3000+	11 грн

Мінімальне замовлення: 9

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

343+	33.9 грн
439+	26.5 грн
443+	26.25 грн
541+	20.7 грн
1000+	15.15 грн

Мінімальне замовлення: 343

ZXMN2A14FTA

товар відсутній

ZXMN2A14FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 10 V

на замовлення 27792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.7 грн
10+	32.02 грн
100+	22.28 грн
500+	16.33 грн
1000+	13.27 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXMN2A14FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2AM832

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

на замовлення 3401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN2AM832TA

на замовлення 746 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2AM832TA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN2AMCTA

MOSFET 20V DUAL N-CH ENH 12V VGS 3.7 IDS

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMN2AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN2AMCTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2AMCTA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 299pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3020B-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

ZXMN2AMCTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 8-Pin DFN EP T/R

товар відсутній

ZXMN2AN8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2B01F

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2B01F

Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 806mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	36.27 грн
27+	28.54 грн
100+	17.47 грн
500+	12.29 грн
1000+	11.28 грн
3000+	11.21 грн

Мінімальне замовлення: 21

ZXMN2B01F

Description: DIODES INC. - ZXMN2B01F - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 806mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.47 грн
500+	12.29 грн
1000+	11.28 грн
3000+	11.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN2B01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

на замовлення 188643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.1 грн
13+	22.85 грн
100+	13.69 грн
500+	11.9 грн
1000+	8.09 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2B01FTA

MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap

на замовлення 14657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.39 грн
12+	26.52 грн
100+	15.77 грн
500+	11.86 грн
1000+	10.14 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA SMD N channel transistors

товар відсутній

ZXMN2B01FTA

Description: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V

на замовлення 186000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.24 грн
6000+	7.61 грн
9000+	6.85 грн
30000+	6.33 грн
75000+	5.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2022 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

498+	23.33 грн
684+	16.98 грн
690+	16.83 грн
890+	12.59 грн
1099+	9.44 грн

Мінімальне замовлення: 498

ZXMN2B01FTA

Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2022 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	25.99 грн
27+	21.67 грн
100+	15.2 грн
250+	13.95 грн
500+	10.39 грн
1000+	8.42 грн

Мінімальне замовлення: 23

ZXMN2B03E6

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2B03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2B03E6TA

MOSFET 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap

на замовлення 8780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ZXMN2B03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.19 грн
10+	46.66 грн
100+	35.78 грн
500+	26.54 грн
1000+	21.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN2B03E6TA

Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A Automotive 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2B03E6TA

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2B03E6TA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V

товар відсутній

ZXMN2B14FH

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2B14FH

MOSFET

товар відсутній

ZXMN2B14FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.94 грн
6000+	19.67 грн
15000+	18.94 грн
30000+	17.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

220+	52.88 грн
222+	52.37 грн
291+	40.03 грн
294+	38.22 грн
500+	27.79 грн
1000+	21.2 грн

Мінімальне замовлення: 220

ZXMN2B14FHTA

MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.85 грн
10+	42.21 грн
100+	26.64 грн
500+	22.86 грн
1000+	19.81 грн
3000+	17.96 грн
6000+	17.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN2B14FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 872 pF @ 10 V

на замовлення 33397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.62 грн
10+	48.11 грн
100+	36.86 грн
500+	27.35 грн
1000+	21.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN2B14FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	55.97 грн
12+	49.1 грн
25+	48.63 грн
100+	35.85 грн
250+	32.86 грн
500+	24.77 грн
1000+	19.69 грн

Мінімальне замовлення: 11

ZXMN2F30FH

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2F30FH

MOSFET

товар відсутній

ZXMN2F30FHQTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

товар відсутній

ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2F30FHQTA

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 8145 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.7 грн
12+	25.98 грн
100+	15.37 грн
500+	11.6 грн
1000+	8.68 грн
3000+	7.02 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA SMD N channel transistors

товар відсутній

ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2F30FHQTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2F30FHQTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.82 грн
12+	24.09 грн
100+	16.4 грн
500+	11.54 грн
1000+	8.65 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN2F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

на замовлення 184462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.67 грн
13+	21.6 грн
100+	12.95 грн
500+	11.25 грн
1000+	7.65 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2F30FHTA

MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

на замовлення 127210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	19.4 грн
20+	15.47 грн
100+	9.01 грн
1000+	7.09 грн
3000+	6.36 грн
9000+	6.03 грн
24000+	5.96 грн

Мінімальне замовлення: 16

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FHTA SMD N channel transistors

товар відсутній

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.12 грн
6000+	6.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2F30FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 10 V

на замовлення 183000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.8 грн
6000+	7.2 грн
9000+	6.48 грн
30000+	5.99 грн
75000+	5.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN2F30FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.66 грн
6000+	7.53 грн
12000+	7.39 грн
45000+	6.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2F30FHTA

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 4,9A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ZXMN2F30FHTA TZXMN2f30fh
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	12.22 грн

Мінімальне замовлення: 50

ZXMN2F34FH

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN2F34FH

MOSFET

товар відсутній

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	32.67 грн
22+	27.22 грн
25+	25.21 грн
100+	17.44 грн
250+	15.02 грн
500+	11.8 грн
1000+	8.36 грн

Мінімальне замовлення: 18

ZXMN2F34FHTA

ZXMN2F34FHTA SMD N channel transistors

на замовлення 1256 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

13+	21.41 грн
86+	11.35 грн
235+	10.68 грн

Мінімальне замовлення: 13

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2F34FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V

на замовлення 112155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.82 грн
12+	24.09 грн
100+	16.39 грн
500+	11.54 грн
1000+	8.65 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN2F34FHTA

MOSFET 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET

на замовлення 88510 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.08 грн
15+	20.42 грн
100+	10.8 грн
1000+	7.35 грн
3000+	6.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN2F34FHTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.4
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.25 грн
25+	30.77 грн
100+	18.8 грн
500+	13.39 грн
1000+	9.3 грн

Мінімальне замовлення: 19

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN2F34FHTA

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 277 pF @ 10 V

на замовлення 108000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.78 грн
6000+	7.94 грн
15000+	7.43 грн
30000+	6.39 грн
75000+	6.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN2F34FHTA

Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

428+	27.15 грн
597+	19.48 грн
642+	18.12 грн
784+	14.3 грн
1107+	9.37 грн

Мінімальне замовлення: 428

ZXMN2F34FHTA

Description: DIODES INC. - ZXMN2F34FHTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.4
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.8 грн
500+	13.39 грн
1000+	9.3 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN2F34MATA

Description: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

товар відсутній

ZXMN2F34MATA

Description: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

товар відсутній

ZXMN2F34MATA

Trans MOSFET N-CH 20V 8.5A 3-Pin DFN T/R

товар відсутній

ZXMN2N02

на замовлення 128 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3804

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A01E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A01E6

MOSFET

товар відсутній

ZXMN3A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 132000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.51 грн
6000+	13.24 грн
9000+	12.25 грн
30000+	11.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN3A01E6TA

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A01E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN3A01E6TA

MOSFET 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 12999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	38.81 грн
10+	33.76 грн
100+	20.61 грн
500+	17.23 грн
1000+	14.97 грн
3000+	13.52 грн
6000+	13.45 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXMN3A01E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 144787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.7 грн
10+	31.89 грн
100+	22.06 грн
500+	17.3 грн
1000+	14.72 грн

Мінімальне замовлення: 8

ZXMN3A01E6TC

Description: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

товар відсутній

ZXMN3A01F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A01F

Description: DIODES INC. - ZXMN3A01F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.05 грн
500+	13.53 грн
1000+	10.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN3A01F

на замовлення 4734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	30.92 грн
30+	25.57 грн
100+	16.05 грн
500+	13.53 грн
1000+	10.89 грн

Мінімальне замовлення: 25

ZXMN3A01FQTA

MOSFET BVDSS, 25V to 30V SOT23

товар відсутній

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

445+	26.15 грн

Мінімальне замовлення: 445

ZXMN3A01FTA

MOSFET 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 96746 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.62 грн
13+	24.84 грн
100+	13.38 грн
500+	12.26 грн
1000+	10.73 грн
3000+	8.41 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	29.83 грн
24+	24.53 грн
25+	24.28 грн
100+	19.51 грн
250+	17.9 грн
500+	11.25 грн

Мінімальне замовлення: 20

ZXMN3A01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 256612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.1 грн
11+	25.33 грн
100+	17.57 грн
500+	12.88 грн
1000+	10.47 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.1 грн
6000+	9.89 грн
9000+	9.75 грн
15000+	9.27 грн
30000+	8.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.53 грн
6000+	9.85 грн
15000+	9.17 грн
30000+	8.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN3A01FTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.6A; 0.806W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 0.806W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	208.12 грн
8+	110.12 грн
20+	104.11 грн
3000+	101.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN3A01FTA

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	249.74 грн
8+	137.23 грн
20+	124.94 грн
3000+	121.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN3A01FTA

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN3A01FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V

на замовлення 255000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.35 грн
6000+	9.46 грн
9000+	8.79 грн
30000+	8.06 грн
75000+	7.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN3A01FTC

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

товар відсутній

ZXMN3A01FTC

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

398+	29.25 грн
517+	22.5 грн
538+	21.62 грн
661+	16.96 грн

Мінімальне замовлення: 398

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

ZXMN3A01ZTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	11.58 грн
2000+	9.97 грн
5000+	9.46 грн
10000+	8.25 грн
25000+	8.06 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN3A01ZTA

Description: DIODES INC. - ZXMN3A01ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.106 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 970mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.36 грн
500+	11.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	33.4 грн
21+	27.44 грн
25+	27.16 грн
100+	20.15 грн
250+	17.93 грн
500+	14 грн

Мінімальне замовлення: 18

ZXMN3A01ZTA

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 970mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 186 pF @ 25 V

на замовлення 50286 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.1 грн
11+	25.33 грн
100+	17.57 грн
500+	12.88 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN3A01ZTA

MOSFET 30V N-Ch ENH Mode 120mOhm 10VGS 3.3A

на замовлення 10958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.08 грн
12+	27.51 грн
100+	16.63 грн
500+	10.87 грн
1000+	9.21 грн
2000+	8.41 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN3A01ZTA

на замовлення 830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	36.42 грн
25+	30.03 грн
100+	18.36 грн
500+	11.04 грн

Мінімальне замовлення: 21

ZXMN3A01ZTA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

ZXMN3A02N8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A02N8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A02N8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMN3A02N8TA

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMN3A02N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMN3A02X8

07+ MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A02X8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A02X8

MSOP8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN3A02X8TA

MOSFET 30V N Chnl UMOS

на замовлення 16195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.09 грн
10+	99.06 грн
100+	67.58 грн
500+	55.39 грн
1000+	43.73 грн
2000+	40.81 грн
5000+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN3A02X8TA

на замовлення 780 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A02X8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	44.06 грн

Мінімальне замовлення: 1000

ZXMN3A02X8TC

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

товар відсутній

ZXMN3A03E6

Description: DIODES INC. - ZXMN3A03E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.71 грн
500+	26.92 грн
1000+	22.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

ZXMN3A03E6

MOSFET

товар відсутній

ZXMN3A03E6

на замовлення 3967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	65.56 грн
14+	54.56 грн
100+	34.71 грн
500+	26.92 грн
1000+	22.36 грн

Мінімальне замовлення: 12

ZXMN3A03E6

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A03E6TA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.6A; 1.1W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

ZXMN3A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

на замовлення 53500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21 грн
6000+	19.16 грн
9000+	17.74 грн
30000+	16.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

ZXMN3A03E6TA

MOSFET 30V N Chnl UMOS

на замовлення 73723 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.3 грн
10+	39.24 грн
100+	25.58 грн
500+	22.33 грн
1000+	19.61 грн
3000+	18.49 грн
6000+	18.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

399+	29.16 грн
400+	29.07 грн
456+	25.52 грн
460+	24.36 грн
500+	20.96 грн
1000+	18.77 грн

Мінімальне замовлення: 399

ZXMN3A03E6TA

товар відсутній

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	28.37 грн
22+	27.07 грн
25+	26.99 грн
100+	22.85 грн
250+	20.94 грн
500+	18.68 грн
1000+	17.43 грн

Мінімальне замовлення: 21

ZXMN3A03E6TA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

на замовлення 54941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.91 грн
10+	46.17 грн
100+	31.94 грн
500+	25.04 грн
1000+	21.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN3A03E6TA

Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN3A03E6TC

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V

товар відсутній

ZXMN3A04D

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04D

09+ SO-8

на замовлення 1109 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04D

на замовлення 109 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04D

ZXMN

04+ SMD8

на замовлення 1120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04DN8TA

Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній

ZXMN3A04DN8TA

MOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.18 грн
10+	117.34 грн
100+	82.16 грн
500+	67.58 грн
1000+	60.82 грн
2500+	58.7 грн
5000+	57.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN3A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	64.85 грн
1000+	52.99 грн
2500+	50.34 грн
5000+	45.47 грн
12500+	43.96 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMN3A04DN8TA

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.81W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 22603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.11 грн
10+	92.76 грн
100+	73.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN3A04DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

товар відсутній

ZXMN3A04DN8TC

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04K

07+ DPAK

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04K

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04K

DPAK

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04KTC

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

ZXMN3A04KTC

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A04KTC

Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.88 грн
10+	105.12 грн
100+	83.63 грн
500+	66.41 грн
1000+	56.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN3A04KTC

Description: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

ZXMN3A04KTC

MOSFET N-Ch 30 Volt 18.4A

на замовлення 1549 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	151.51 грн
10+	134.87 грн
100+	94.09 грн
500+	77.52 грн
1000+	64.14 грн
2500+	59.43 грн
10000+	55.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN3A04KTC

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.43 грн
10+	100.08 грн
100+	79.63 грн
500+	63.24 грн
1000+	53.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

ZXMN3A05N8TA

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

товар відсутній

ZXMN3A06D

на замовлення 367 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A06DN8

07+ SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A06DN8

SO8

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A06DN8

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A06DN8

09+

на замовлення 397 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A06DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 514 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.71 грн
10+	70.54 грн
100+	55.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN3A06DN8TA

MOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.8 грн
10+	75.89 грн
100+	48.37 грн
500+	41.81 грн
1000+	37.9 грн
2500+	36.44 грн
5000+	34.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN3A06DN8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	47.19 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMN3A06DN8TA

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	33.24 грн

Мінімальне замовлення: 500

ZXMN3A06DN8TA

Dual N-Channel 30 V 0.035 Ohm Power MOSFET ZXMN3A06DN8TA DIODES TZXMN3a06dn8
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	53.09 грн

Мінімальне замовлення: 10

ZXMN3A06DN8TC

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

товар відсутній

ZXMN3A06N8TA

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

товар відсутній

ZXMN3A13FTA

на замовлення 1503 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A14F

06+;

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A14F

SOT23

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A14F

07+ SOT23

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A14F

MOSFET

товар відсутній

ZXMN3A14FPBF

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A14FQTA

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

товар відсутній

ZXMN3A14FQTA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2773 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	76.26 грн
8+	33.97 грн
25+	28.91 грн
37+	25.98 грн
102+	24.56 грн
500+	24.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

ZXMN3A14FQTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.76 грн
10+	45.28 грн
100+	34.72 грн
500+	25.76 грн
1000+	20.61 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN3A14FQTA

MOSFET MOSFET BVDSS 25V-30V

на замовлення 19671 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.8 грн
10+	46.56 грн
100+	31.08 грн
500+	24.52 грн
1000+	19.61 грн
3000+	18.62 грн
9000+	16.7 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN3A14FQTA

на замовлення 2773 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.55 грн
13+	27.26 грн
25+	24.09 грн
37+	21.65 грн
102+	20.47 грн
500+	20.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

ZXMN3A14FQTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

товар відсутній

ZXMN3A14FTA

08+ SOP8

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ZXMN3A14FTA

Description: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.55 грн
6000+	14.18 грн
9000+	13.13 грн
30000+	12.2 грн

Мінімальне замовлення: 3000

ZXMN3A14FTA

MOSFET N Channel

на замовлення 64640 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.06 грн
13+	24.69 грн
100+	16.9 грн
500+	15.24 грн
1000+	13.98 грн
3000+	13.12 грн

Мінімальне замовлення: 12

ZXMN3A14FTA