НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
XP30-203002C
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP3000XS POWER BATTERIESDescription: 12V, 3,000A, 120 AH, RC: 240
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
XP3002000-01RLantronix, Inc.Description: IC MOD DSTNI-EX 120MHZ 1.25MB
Packaging: Tray
Connector Type: RJ45
Size / Dimension: 0.650" L x 1.800" W (16.50mm x 45.70mm)
Speed: 120MHz
RAM Size: 1.25MB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Module/Board Type: MPU Core
Core Processor: DSTni-EX
Co-Processor: XPort AR
Flash Size: 4MB
товар відсутній
XP3002000-01RLantronixNetworking Modules XPort AR Module
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
XP3002000-01RLantronixEmbedded Processor 16bit T/R
товар відсутній
XP300200K-01LantronixEmbedded Processor 16bit
товар відсутній
XP300200K-01Lantronix, Inc.Description: XPORT AR EVALUATION KIT
Packaging: Box
Function: Ethernet
Type: Interface
Utilized IC / Part: XPort AR
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
товар відсутній
XP300200K-01LantronixNetworking Development Tools XPort AR Evaluation Kit
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
XP300200S-01RLantronix, Inc.Description: XPORT AR SAMPLE EXTENDED TEMP -4
товар відсутній
XP300200S-01RLantronixNetworking Modules XPort AR Sample PACKAGE ROHS COMPLI
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
XP300200S-01RLantronixEmbedded Processor
товар відсутній
XP30M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 30MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 30 MHz
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
XP31011Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: POTENTIOMETER
товар відсутній
XP3132SIT4SOP8
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP3132SIT4
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP32M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 32MHZ 30ppm,8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 32 MHz
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
XP3311PANASONIC09+
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP338300L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP3389
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP3389/DX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP34024Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: POTENTIOMETER
товар відсутній
XP34036Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: POTENTIOMETER
товар відсутній
XP3470A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP3700MXSEMIDescription: XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.29 грн
500+ 40.03 грн
1000+ 31.66 грн
3000+ 29.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3700MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N AND P-CH 30V 7.8A 5.5A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.24 грн
10+ 55.22 грн
100+ 42.93 грн
500+ 34.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
XP3700MYAGEO XSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.22 грн
10+ 61.34 грн
100+ 41.54 грн
500+ 35.18 грн
1000+ 30.08 грн
3000+ 25.51 грн
9000+ 25.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
XP3700MXSEMIDescription: XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.1 грн
12+ 64.67 грн
100+ 51.29 грн
500+ 40.03 грн
1000+ 31.66 грн
3000+ 29.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
XP3700MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N AND P-CH 30V 7.8A 5.5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товар відсутній
XP3700MXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.22 грн
10+ 61.34 грн
100+ 41.54 грн
500+ 35.18 грн
1000+ 30.08 грн
3000+ 25.51 грн
9000+ 25.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
XP3700MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N AND P-CH 30V 11A 7.3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
товар відсутній
XP3700MTXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.63 грн
10+ 77.72 грн
100+ 52.68 грн
500+ 44.66 грн
1000+ 38.16 грн
3000+ 32.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP3700MTXSEMIDescription: XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+93.65 грн
10+ 81.76 грн
100+ 65.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
XP3700MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N AND P-CH 30V 11A 7.3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.88 грн
10+ 70.05 грн
100+ 54.48 грн
500+ 43.33 грн
1000+ 35.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP3700MTYAGEO XSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.63 грн
10+ 77.72 грн
100+ 52.68 грн
500+ 44.66 грн
1000+ 38.16 грн
3000+ 32.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP3700MTXSEMIDescription: XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3700YTXSemi CorporationDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK3X3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
товар відсутній
XP3700YTXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.39 грн
10+ 65.22 грн
100+ 44.13 грн
500+ 37.44 грн
1000+ 30.41 грн
3000+ 28.62 грн
6000+ 27.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP3700YTXSemi CorporationDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK3X3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
товар відсутній
XP3700YTYAGEO XSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.39 грн
10+ 65.22 грн
100+ 44.13 грн
500+ 37.44 грн
1000+ 30.41 грн
3000+ 28.62 грн
6000+ 27.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP380AO
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP3832CMTYAGEO XSemiMOSFET Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.3 грн
10+ 272.02 грн
25+ 223.95 грн
100+ 191.49 грн
250+ 180.88 грн
500+ 170.28 грн
1000+ 145.77 грн
XP3832CMTXSemiMOSFET Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.85 грн
10+ 292.6 грн
100+ 208.71 грн
500+ 177.57 грн
1000+ 149.74 грн
3000+ 142.45 грн
6000+ 137.15 грн
XP3A-3846-0642D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-3846-0642D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-3846-0642D-R/SOMRONCategory: Unclassified
Description: XP3A-3846-0642D-R/S
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+530.7 грн
50+ 426.54 грн
250+ 409.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
XP3A-3846-0642D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+488.1 грн
209+ 432.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
XP3A-3846-0642D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-3846-0642D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-3846-0650D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm)
Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-3846-0650D-D/SOMRONCategory: Unclassified
Description: XP3A-3846-0650D-D/S
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+529.22 грн
50+ 425.85 грн
250+ 407.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
XP3A-3846-0650D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm)
Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-3846-0650D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm)
Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-3846-0650D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm)
Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-3846-0660D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm)
Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-3846-0660D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm)
Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-3846-0660D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm)
Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-3846-0660D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm)
Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-3846-0670D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-3846-0670D-R/SOMRONCategory: Unclassified
Description: XP3A-3846-0670D-R/S
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+716.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
XP3A-3846-0670D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-3846-0670D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-3846-0670D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-3846-0673D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-4654-0730D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0730D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0730D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0730D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0742D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0742D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0742D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0742D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0750D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+761.71 грн
70+ 704.41 грн
200+ 675.98 грн
400+ 609.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP3A-4654-0750D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0750D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0750D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+1524.13 грн
35+ 1409.48 грн
70+ 1352.64 грн
200+ 1219.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP3A-4654-0750D-R/SOMRONCategory: Unclassified
Description: XP3A-4654-0750D-R/S
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+1436.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
XP3A-4654-0750D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0750D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+287.41 грн
200+ 265.93 грн
400+ 255.1 грн
Мінімальне замовлення: 9
XP3A-4654-0750D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+761.71 грн
70+ 704.41 грн
200+ 675.98 грн
400+ 609.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP3A-4654-0750D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0760D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0760D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0760D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0760D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0770D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0770D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0770D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-4654-0770D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
товар відсутній
XP3A-5866-0725D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-5866-0725D-D/SOMRONCategory: Unclassified
Description: XP3A-5866-0725D-D/S
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+749.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP3A-5866-0725D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1035.68 грн
60+ 957.98 грн
200+ 918.64 грн
300+ 828.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
XP3A-5866-0725D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-5866-0725D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-5866-0725D-S/SOMRONCategory: Unclassified
Description: XP3A-5866-0725D-S/S
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
470+684.56 грн
Мінімальне замовлення: 470
XP3A-5866-0725D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+1035.68 грн
60+ 957.98 грн
200+ 918.64 грн
300+ 828.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
XP3A-5866-0725D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-5866-0730D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товар відсутній
XP3A-5866-0730D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товар відсутній
XP3A-5866-0730D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товар відсутній
XP3A-5866-0730D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товар відсутній
XP3A-5866-0742D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE .6MM PITCH
товар відсутній
XP3A-5866-0742D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+761.71 грн
70+ 704.41 грн
200+ 675.98 грн
400+ 609.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP3A-5866-0742D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товар відсутній
XP3A-5866-0742D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товар відсутній
XP3A-5866-0742D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товар відсутній
XP3A-5866-0750D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товар відсутній
XP3A-5866-0750D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товар відсутній
XP3A-5866-0750D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товар відсутній
XP3A-5866-0750D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товар відсутній
XP3A-5866-0760D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3A-5866-0760D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3A-5866-0760D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3A-5866-0760D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3A-5866-0770D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE .6MM PITCH
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
XP3A-5866-0770D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товар відсутній
XP3A-5866-0770D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товар відсутній
XP3A-5866-0770D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
товар відсутній
XP3A-7583-0825D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товар відсутній
XP3A-7583-0825D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товар відсутній
XP3A-7583-0825D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товар відсутній
XP3A-7583-0825D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товар відсутній
XP3A-7583-0830D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3A-7583-0830D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3A-7583-0830D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3A-7583-0830D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3A-7583-0842D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товар відсутній
XP3A-7583-0842D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товар відсутній
XP3A-7583-0842D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товар відсутній
XP3A-7583-0842D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товар відсутній
XP3A-7583-0850D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.030" (0.08mm ~ 0.75mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-7583-0850D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.030" (0.08mm ~ 0.75mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-7583-0850D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3A-7583-0850D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.030" (0.08mm ~ 0.75mm)
Operating Force - Initial: 15gf
товар відсутній
XP3A-7583-0860D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товар відсутній
XP3A-7583-0860D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товар відсутній
XP3A-7583-0860D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товар відсутній
XP3A-7583-0860D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товар відсутній
XP3A-7583-0870D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товар відсутній
XP3A-7583-0870D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товар відсутній
XP3A-7583-0870D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товар відсутній
XP3A-7583-0870D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0825D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0825D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0825D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0825D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0830D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0830D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3A-9098-0830D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0830D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0842D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3A-9098-0842D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3A-9098-0842D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3A-9098-0842D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3A-9098-0850D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0850D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0850D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0850D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0860D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0860D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0860D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0860D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0870D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0870D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0870D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3A-9098-0870D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
товар відсутній
XP3B-3012-3015 1-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.046" (1.18mm)
Recommended Working Height: 0.039" (0.98mm)
Minimum Working Height: 0.037" (0.93mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.008" (0.08mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 8gf
товар відсутній
XP3B-3012-3015-1-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE PIN .4MM PITCH
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.046" (1.18mm)
Recommended Working Height: 0.039" (0.98mm)
Minimum Working Height: 0.037" (0.93mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.008" (0.08mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 8gf
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-D/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-D/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
XP3B-3029-5050-1-D/DOMRONCategory: Unclassified
Description: XP3B-3029-5050-1-D/D
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+176.16 грн
50+ 150.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
XP3B-3029-5050-1-D/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
XP3B-3029-5050-1-D/ROMRONCategory: Unclassified
Description: XP3B-3029-5050-1-D/R
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+344.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
XP3B-3029-5050-1-D/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-D/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
XP3B-3029-5050-1-D/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-D/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP3B-3029-5050-1-R/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
XP3B-3029-5050-1-R/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-R/DOMRONCategory: Unclassified
Description: XP3B-3029-5050-1-R/D
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+176.16 грн
50+ 150.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
XP3B-3029-5050-1-R/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-R/ROMRONCategory: Unclassified
Description: XP3B-3029-5050-1-R/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+176.16 грн
50+ 150.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
XP3B-3029-5050-1-R/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
XP3B-3029-5050-1-R/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
XP3B-3029-5050-1-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Active
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+151.23 грн
Мінімальне замовлення: 34
XP3B-3029-5050-1-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Active
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-R/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-R/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-S/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
XP3B-3029-5050-1-S/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-S/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-S/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.008" (0.06mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 25gf
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-S/SOMRONCategory: Unclassified
Description: XP3B-3029-5050-1-S/S
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+176.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
XP3B-3029-5050-1-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+145.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
XP3B-3029-5050-1-S/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
XP3B-3029-5050-1-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-S/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-S/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-T/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
XP3B-3029-5050-1-T/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-T/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-T/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
XP3B-3029-5050-1-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
XP3B-3029-5050-1-T/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-T/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
товар відсутній
XP3B-3029-5050-1-T/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-D/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-D/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-D/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-D/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-D/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-D/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-D/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-R/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-R/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-R/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-R/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-R/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-R/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-R/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-S/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-S/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-S/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-S/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-S/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-S/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-S/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-T/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-T/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-T/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-T/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-T/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-T/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товар відсутній
XP3B-3829-5050-1-T/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
товар відсутній
XP3C023AMTYAGEO XSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.05 грн
10+ 111.25 грн
100+ 76.86 грн
250+ 70.9 грн
500+ 64.73 грн
1000+ 55.59 грн
3000+ 52.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP3C023AMTXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.82 грн
10+ 121.15 грн
100+ 84.81 грн
500+ 69.57 грн
1000+ 57.91 грн
3000+ 53.93 грн
6000+ 51.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP3N028ENXSEMIDescription: XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOT-23S
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.01 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 14.78 грн
3000+ 13.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3N028ENXSEMIDescription: XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.34 грн
26+ 29.43 грн
100+ 24.01 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 14.78 грн
3000+ 13.7 грн
Мінімальне замовлення: 22
XP3N035NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.1 грн
500+ 13.46 грн
1000+ 8.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3N035NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.72 грн
24+ 31.37 грн
100+ 19.1 грн
500+ 13.46 грн
1000+ 8.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 0.00105 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+178.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
товар відсутній
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 0.00105 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.43 грн
10+ 220.75 грн
100+ 178.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP3N1R0MTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.88 грн
10+ 239.26 грн
25+ 196.79 грн
100+ 168.96 грн
250+ 159.02 грн
500+ 149.74 грн
1000+ 127.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.34 грн
10+ 215.96 грн
100+ 174.72 грн
500+ 145.75 грн
1000+ 124.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP3N1R8MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 32.8A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.46 грн
10+ 72.88 грн
100+ 56.65 грн
500+ 45.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 0.00189 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00189ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3N1R8MTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 40.6 A PMPAK-5x6
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.4 грн
10+ 79.24 грн
100+ 53.34 грн
500+ 45.25 грн
1000+ 38.63 грн
3000+ 32.8 грн
9000+ 32.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP3N1R8MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 32.8A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товар відсутній
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 0.00189 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00189ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.03 грн
10+ 81.76 грн
100+ 59.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
XP3N2R8AMTXSemiMOSFET N-CH 30V 32.8 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.57 грн
10+ 56.08 грн
100+ 37.97 грн
500+ 32.2 грн
1000+ 27.5 грн
3000+ 23.32 грн
9000+ 23.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
XP3N2R8AMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 63.5A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.09 грн
10+ 53.56 грн
100+ 41.65 грн
500+ 33.13 грн
1000+ 26.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
XP3N2R8AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 0.0028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.79 грн
13+ 61.25 грн
100+ 44 грн
500+ 34.65 грн
1000+ 28.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
XP3N2R8AMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 63.5A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 15 V
товар відсутній
XP3N2R8AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 0.0028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44 грн
500+ 34.65 грн
1000+ 28.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 0.005 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3N5R0AMTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 63.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.31 грн
10+ 89.91 грн
100+ 61.35 грн
500+ 52.01 грн
1000+ 42.34 грн
3000+ 39.89 грн
6000+ 37.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 0.005 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.82 грн
10+ 100.34 грн
100+ 72.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
XP3N5R0AYTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 63.5 A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.08 грн
10+ 76.2 грн
100+ 52.01 грн
500+ 44.06 грн
1000+ 35.91 грн
3000+ 33.79 грн
6000+ 32.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP3N5R0HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.18 грн
10+ 92.17 грн
100+ 71.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
XP3N5R0HYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 62A TO-252
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.54 грн
10+ 89.91 грн
100+ 61.09 грн
500+ 51.75 грн
1000+ 42.14 грн
3000+ 39.69 грн
6000+ 37.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP3N5R0HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3N5R0MXSEMIDescription: XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.5 грн
15+ 50.17 грн
100+ 40.81 грн
500+ 31.82 грн
1000+ 25.17 грн
3000+ 23.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
XP3N5R0MXSEMIDescription: XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOIC
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.81 грн
500+ 31.82 грн
1000+ 25.17 грн
3000+ 23.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.04 грн
500+ 35.48 грн
1000+ 28.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3N9R5AMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 38.7A PMPAK-3X3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
товар відсутній
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.27 грн
12+ 62.66 грн
100+ 45.04 грн
500+ 35.48 грн
1000+ 28.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
XP3N9R5AMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 38.7A PMPAK-3X3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
товар відсутній
XP3N9R5AYTXSEMIDescription: XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.23 грн
14+ 56.79 грн
100+ 46.23 грн
500+ 35.96 грн
1000+ 28.48 грн
3000+ 26.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
XP3N9R5AYTXSEMIDescription: XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.23 грн
500+ 35.96 грн
1000+ 28.48 грн
3000+ 26.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3NA2R4MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 29.2A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
товар відсутній
XP3NA2R4MTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 36.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.83 грн
10+ 126.49 грн
100+ 87.46 грн
250+ 80.83 грн
500+ 73.55 грн
1000+ 62.88 грн
3000+ 59.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 0.0024 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.24 грн
10+ 124.13 грн
100+ 90.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
XP3NA2R4MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 29.2A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+146.21 грн
10+ 116.92 грн
100+ 93.08 грн
500+ 73.91 грн
1000+ 62.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 0.0024 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3NA3R4MTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 29.2 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.54 грн
10+ 90.67 грн
100+ 62.88 грн
250+ 58.17 грн
500+ 52.81 грн
1000+ 45.25 грн
3000+ 43 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 0.0034 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.15 грн
10+ 92.17 грн
100+ 65.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
товар відсутній
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 0.0034 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.06 грн
10+ 80.89 грн
100+ 64.42 грн
500+ 51.15 грн
1000+ 43.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 0.0072 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.11 грн
10+ 75.07 грн
100+ 55.3 грн
Мінімальне замовлення: 8
XP3NA7R2MTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 20.4 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.67 грн
10+ 72.31 грн
100+ 49.3 грн
500+ 41.81 грн
1000+ 33.99 грн
3000+ 32.07 грн
6000+ 30.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 0.0072 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3P010MXSEMIDescription: XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P010 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.17 грн
10+ 126.36 грн
100+ 102.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
XP3P010MYAGEO XSemiMOSFET P-CH -30V -13 .3A SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.09 грн
10+ 106.68 грн
100+ 73.55 грн
250+ 67.58 грн
500+ 61.35 грн
1000+ 55.59 грн
3000+ 48.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP3P010MXSEMIDescription: XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOIC
usEccn: EAR99
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3P010YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.2 грн
500+ 28.64 грн
1000+ 23.25 грн
3000+ 21.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3P010YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.19 грн
17+ 44.75 грн
100+ 36.2 грн
500+ 28.64 грн
1000+ 23.25 грн
3000+ 21.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
XP3P050AGYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товар відсутній
XP3P050AGYAGEO XSemiMOSFET P-CH -30V -4. 1A SOT-89
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.21 грн
10+ 50.82 грн
100+ 30.15 грн
500+ 25.11 грн
1000+ 21.4 грн
2000+ 19.41 грн
5000+ 18.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
XP3P050AGYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.19 грн
10+ 45.69 грн
100+ 31.62 грн
500+ 24.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
XP3P050AMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+48.74 грн
10+ 40.72 грн
100+ 28.19 грн
500+ 22.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
XP3P050AMYAGEO XSemiMOSFET P-CH -30V -5. 8A SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.49 грн
10+ 45.34 грн
100+ 26.9 грн
500+ 22.46 грн
1000+ 19.68 грн
3000+ 16.7 грн
6000+ 16.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
XP3P050AMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товар відсутній
XP3P055NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.95 грн
12+ 23.47 грн
100+ 16.29 грн
500+ 11.94 грн
1000+ 9.7 грн
Мінімальне замовлення: 11
XP3P055NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
товар відсутній
XP3P055NYAGEO XSemiMOSFET P-CH -30V -3. 9A SOT-23S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.22 грн
12+ 25.75 грн
100+ 16.7 грн
500+ 13.12 грн
1000+ 10.14 грн
3000+ 9.28 грн
9000+ 8.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
XP3P080NXSEMIDescription: XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P080 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.89 грн
26+ 29.06 грн
100+ 23.64 грн
500+ 18.43 грн
1000+ 14.59 грн
3000+ 13.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
XP3P080NXSEMIDescription: XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOT-23S
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.64 грн
500+ 18.43 грн
1000+ 14.59 грн
3000+ 13.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3P3R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 0.003 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3P3R0MTXSemi CorporationDescription: MOSFET P-CH -30V -15.5A SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.41 грн
10+ 197.67 грн
100+ 159.85 грн
500+ 133.35 грн
1000+ 114.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP3P3R0MTYAGEO XSemiMOSFET P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.96 грн
10+ 214.11 грн
25+ 175.58 грн
100+ 151.07 грн
250+ 142.45 грн
500+ 134.5 грн
1000+ 120.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP3P3R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 0.003 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.47 грн
10+ 196.97 грн
100+ 159.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP3P3R0MTXSemi CorporationDescription: MOSFET P-CH -30V -15.5A SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
товар відсутній
XP3P7R0EMXSEMIDescription: XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.81 грн
12+ 65.19 грн
100+ 53.07 грн
500+ 41.34 грн
1000+ 32.68 грн
3000+ 30.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
XP3P7R0EMXSEMIDescription: XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.07 грн
500+ 41.34 грн
1000+ 32.68 грн
3000+ 30.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP3R303GMT-LYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 31A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.06 грн
10+ 125.72 грн
100+ 86.8 грн
250+ 80.17 грн
500+ 72.88 грн
1000+ 62.22 грн
3000+ 59.37 грн
Мінімальне замовлення: 3