Продукція > TN2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TN2Trompeter / Cinch Connectivity SolutionsRF Adapters - Tee TRB Fixed Parrallel One Male to Two JKs
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TN2Cinch Connectivity Solutions TrompeterDescription: CONN ADAPT TRB JACK TO TRB PLUG
товар відсутній
TN2-12VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 12V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 12VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 11.7 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 1 A
Switching Voltage: 125VAC, 110VDC - Max
Must Release Voltage: 1.2 VDC
Must Operate Voltage: 9 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
товар відсутній
TN2-12V/5V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-24VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-24VPanasonic Industrial DevicesLow Signal Relays - PCB 1A 24VDC DPDT NON-LATCHING PCB
товар відсутній
TN2-24VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 24VDC
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 24VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 8.3 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 1 A
Switching Voltage: 125VAC, 110VDC - Max
Must Release Voltage: 2.4 VDC
Must Operate Voltage: 18 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TN2-3VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 3VDC
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 3VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 46.7 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 1 A
Switching Voltage: 125VAC, 110VDC - Max
Must Release Voltage: 0.3 VDC
Must Operate Voltage: 2.25 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TN2-3VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-3V-3Panasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 3VDC
товар відсутній
TN2-4.5VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-4.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 4.5V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 4.5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 31.1 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 1 A
Switching Voltage: 125VAC, 110VDC - Max
Must Release Voltage: 0.45 VDC
Must Operate Voltage: 3.38 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
товар відсутній
TN2-4.5V-3Panasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 4.5VDC
товар відсутній
TN2-48VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-48VPanasonic Electric WorksSignal Relay 48VDC 1A DPDT(14x5.6x9.8)mm THT
товар відсутній
TN2-48VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 48VDC
товар відсутній
TN2-5VPanasoni10+ SOP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 5VDC
товар відсутній
TN2-5VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-5V(SIGNAL RELAY DPDT 5VDC, 1A)
Код товару: 74350		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
TN2-5V-3Panasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 5V
товар відсутній
TN2-6VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 6V
товар відсутній
TN2-6VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-9VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 9VDC
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 9VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 15.5 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 1 A
Switching Voltage: 125VAC, 110VDC - Max
Must Release Voltage: 0.9 VDC
Must Operate Voltage: 6.75 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TN2-9VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-DC5V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-H-12VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-H-12VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 12V
товар відсутній
TN2-H-24VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-H-24VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 24V
товар відсутній
TN2-H-3VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-H-4.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 4.5V
товар відсутній
TN2-H-4.5VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-H-48VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-H-5VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-H-5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 5V
товар відсутній
TN2-H-6VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-H-9VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 9V
товар відсутній
TN2-H-9VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L-12VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L-12VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 12VDC
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 12VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 8.3 mA
Coil Type: Latching, Single Coil
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 1 A
Switching Voltage: 125VAC, 110VDC - Max
Must Operate Voltage: 9 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TN2-L-12V-3Panasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 12V
товар відсутній
TN2-L-24VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L-24VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 24VDC
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 24VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 6.3 mA
Coil Type: Latching, Single Coil
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 1 A
Switching Voltage: 125VAC, 110VDC - Max
Must Operate Voltage: 18 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TN2-L-3VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L-3VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 3V
товар відсутній
TN2-L-4.5VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L-4.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 4.5V
товар відсутній
TN2-L-48VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L-5VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L-5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 5VDC
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 20 mA
Coil Type: Latching, Single Coil
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 1 A
Switching Voltage: 125VAC, 110VDC - Max
Must Operate Voltage: 3.75 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Obsolete
товар відсутній
TN2-L-6VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 6V
товар відсутній
TN2-L-6VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L-9VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L-DC12V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L-DC4.5V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L-H-12VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L-H-24VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L-H-3VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L-H-4.5VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L-H-48VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L-H-5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 5V
товар відсутній
TN2-L-H-5VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L-H-6VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L-H-9VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L2-12VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L2-12VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 12V
товар відсутній
TN2-L2-24VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 24V
товар відсутній
TN2-L2-24VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L2-3VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L2-3VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 3V
товар відсутній
TN2-L2-4.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 4.5V
товар відсутній
TN2-L2-4.5VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L2-48VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L2-5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 5VDC
товар відсутній
TN2-L2-5VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L2-5VPanasonic Electric WorksSignal Relay 5VDC 1A DPDT(14x5.6x9.8)mm THT
товар відсутній
TN2-L2-6VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 6V
товар відсутній
TN2-L2-6VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L2-9VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 9V
товар відсутній
TN2-L2-9VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L2-DC5V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L2-H-12VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L2-H-12VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 12V
товар відсутній
TN2-L2-H-24VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L2-H-3VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L2-H-4.5VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L2-H-4.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 4.5V
товар відсутній
TN2-L2-H-48VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L2-H-5VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L2-H-5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 5V
товар відсутній
TN2-L2-H-6VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2-L2-H-6VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 6V
товар відсутній
TN2-L2-H-9VNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers
товар відсутній
TN20-2G300JS
на замовлення 53800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-2G300JS0805T
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-2I500JS-T
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-2S101JT0805T
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-2S223JT0805T
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-2T151JT
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-2T151KST
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-2T151KT
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-2T151KT0805T
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-2V221JT0805T
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-2V221JT
на замовлення 6523 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3A331JT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3A331KT
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3A331KT0805T
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3E102JT
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3E102KT
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3E681JT
на замовлення 4174 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3H103JT
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3H103JT0805T
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3I152JS-T
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3I152KT
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3I152LT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3K103JT
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3K103KT0805T
на замовлення 29960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3K103KT
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3K202KMITSUBISHI
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3K202KT
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3N153
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3N153JT0805T
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3N153KT
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3R803JT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3S104FT0805T
на замовлення 752000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3S104FT
на замовлення 376000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3S223KT
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3S332KT
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3U473JTMITSUBISHI2005+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3U473JTMITSUBISHI05+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3V103JTMIT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3V103XT
на замовлення 16914 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3V473K
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3V473K0805T
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3W472JT0805T
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3W472JT
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-3W503JT
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-4C104JT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-4C104JT0805T
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-4C104KT0805T
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-4C104KT
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-4C682JT
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-4C682KT
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-4D154KT
на замовлення 6107 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-5A205JTMITSUBISHISMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-5A205kT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-5e205JT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN20-5E505KTMITSUBISHI0805T
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2001
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2005BROTHERDescription: BROTHER - TN2005 - Tonerkartusche, schwarz - 1500 Seiten
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Verbrauchsmaterialtyp: Original
Druckermarke: Brother
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Typennummer Originalpatrone: TN2005
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: Decamethylcyclopentasiloxane (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4125.94 грн
TN200B-RH-3.5-5.0-1.3TaiwanДросель-трубка; I, А = 2; L = 1 мкГн; Тексп, °С = -25...+85; 7.6x3.5x5mm
на замовлення 349 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
79+7.94 грн
99+ 6.35 грн
110+ 5.71 грн
Мінімальне замовлення: 79
TN200B-RH-3.5-5.0-1.3
Код товару: 85723		Трансформатори, мережеві фільтри, силові дроселі > Сердечники, каркаси, скоби (для моткових виробів)
Група: Фільтр на кабель
Серія: RH
Тип: Фільтр на кабель
Типорозмір: RH3,5/5,0/1,3
Опис: Ферит завадогасний трубка на провід d < 1,3mm D = 3,5mm h = 5,0mm Ui = 2000 NiZn
Матеріал: TN200B
Проникність, µi: 2000 µi
у наявності 139 шт:
108 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+2.5 грн
10+ 2.2 грн
100+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
TN200B-RH-3.5-5.0-1.3Муфта помехоподавляющяя Ui=2000 NiZn (трубка на провод d<1,3mm)
товар відсутній
TN201
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2010BROTHERDescription: BROTHER - TN2010 - Tonerkartusche, schwarz - 1000 Seiten
tariffCode: 84439990
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Verbrauchsmaterialtyp: Original
Druckermarke: Brother
euEccn: NLR
Farbe: Schwarz
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Typennummer Originalpatrone: TN2010
Produktpalette: -
SVHC: Dodecamethylcyclohexasiloxane (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2572.49 грн
TN2010H-6FPSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220FPAB Tube
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 23
TN2010H-6FPSTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 20A TO220FPAB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 197A, 180A
Current - On State (It (AV)) (Max): 12.7 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 20 A
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.18 грн
10+ 80.06 грн
100+ 62.43 грн
500+ 48.4 грн
1000+ 38.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2010H-6FPSTMicroelectronicsTN2010H-6FP SMD/THT thyristors
товар відсутній
TN2010H-6FPSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220FPAB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 335
TN2010H-6FPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN2010H-6FP - Thyristor, 600 V, 10 mA, 12.7 A, 20 A, TO-220FPAB, 3 Pin(s)
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 600
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 197
Zündstrom, max., Igt: 10
Zündspannung, max., Vgt: 1.3
Haltestrom Ih, max.: 40
Anzahl der Pins: 3
Strom It av: 12.7
Produktpalette: TN2010H
Bauform - Thyristor: TO-220FPAB
Betriebstemperatur, max.: 150
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 20
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TN2010H-6FPSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220FPAB Tube
товар відсутній
TN2010H-6FPSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220FPAB Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 18
TN2010H-6FPSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220FPAB Tube
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+28.1 грн
Мінімальне замовлення: 414
TN2010H-6FPSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220FPAB Tube
товар відсутній
TN2010H-6FPSTMicroelectronicsSCRs High Temperature 20A SCRs
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.31 грн
10+ 83.05 грн
25+ 68.91 грн
100+ 56.39 грн
500+ 46.58 грн
1000+ 36.77 грн
2000+ 34.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2010H-6GSTMicroelectronicsSCR Diode 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
TN2010H-6GSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
TN2010H-6GSTMicroelectronicsSCRs High Temperature 20A SCRs
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.31 грн
10+ 83.05 грн
25+ 70.23 грн
100+ 56.39 грн
500+ 46.58 грн
1000+ 36.77 грн
2000+ 34.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2010H-6GSTMicroelectronicsDescription: SCR 700V 20A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 197A, 180A
Current - On State (It (AV)) (Max): 12.7 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 20 A
Voltage - Off State: 700 V
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.18 грн
10+ 80.06 грн
100+ 62.43 грн
500+ 48.4 грн
1000+ 38.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2010H-6GSTMicroelectronicsTN2010H-6G SMD/THT thyristors
товар відсутній
TN2010H-6GSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
TN2010H-6G-TRSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TN2010H-6G-TRSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TN2010H-6G-TRSTMicroelectronicsSCRs High Temperature 20A SCRs
на замовлення 4457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.31 грн
10+ 83.05 грн
25+ 70.23 грн
100+ 56.39 грн
500+ 46.58 грн
1000+ 36.77 грн
2000+ 33.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2010H-6G-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 197A, 180A
Current - On State (It (AV)) (Max): 12.7 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 20 A
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.28 грн
2000+ 38.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
TN2010H-6G-TRSTMicroelectronicsTN2010H-6G-TR SMD/THT thyristors
товар відсутній
TN2010H-6G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TN2010H-6G-TRSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TN2010H-6G-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 197A, 180A
Current - On State (It (AV)) (Max): 12.7 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 20 A
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 12706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.18 грн
10+ 80.06 грн
100+ 62.43 грн
500+ 48.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2010H-6ISTMicroelectronicsTN2010H-6I SMD/THT thyristors
на замовлення 107 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+90.09 грн
18+ 54.66 грн
49+ 52.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2010H-6ISTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
товар відсутній
TN2010H-6ISTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 180A, 197A
Current - On State (It (AV)) (Max): 13 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: TO-220AB Insulated
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 20 A
Voltage - Off State: 600 V
товар відсутній
TN2010H-6ISTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
товар відсутній
TN2010H-6ISTMicroelectronicsSCRs 20 A 600 V Low IGT High Temperature SCR in TO220I
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.63 грн
10+ 54.25 грн
100+ 42.01 грн
500+ 39.49 грн
1000+ 35.51 грн
2000+ 32.93 грн
10000+ 31.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2010H-6TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN2010H-6T - Thyristor, 600 V, 10 mA, 12.7 A, 20 A, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 40mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 197A
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 12.7A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 20A
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2010H
Zündstrom, max.: 10mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-220AB
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.71 грн
11+ 67.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
TN2010H-6TSTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 197A, 180A
Current - On State (It (AV)) (Max): 12.7 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 20 A
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.16 грн
10+ 76.13 грн
100+ 59.35 грн
500+ 46.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2010H-6TSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
TN2010H-6TSTMicroelectronicsSCRs High Temperature 20A SCRs
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.67 грн
10+ 79.24 грн
25+ 68.25 грн
100+ 53.54 грн
500+ 44.26 грн
1000+ 34.85 грн
2000+ 32.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2010H-6TSTMicroelectronicsSCR Diode 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
TN2010H-6TSTMicroelectronicsTN2010H-6T SMD/THT thyristors
товар відсутній
TN2010H-6TSTMicroelectronicsSCR Diode 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
TN2010TVISHAY
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2010T-T1VISHAYSOT23-R1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2010T-T1SI
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2010T-T1 SOT23-R1VISHAY
на замовлення 72200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2010T-T1 SOT23-R1VISHAY
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2010T-T1-E3VISHAY
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2010T-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 57018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2010T-T1SOT23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2010T-T1SOT23-R1VISHAY
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2015H-6FPSTMicroelectronicsTN2015H-6FP SMD/THT thyristors
товар відсутній
TN2015H-6FPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN2015H-6FP - Thyristor, 600 V, 15 mA, 12.7 A, 20 A, TO-220FPAB, 3 Pin(s)
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.34 грн
10+ 84.73 грн
100+ 62.58 грн
500+ 48.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
TN2015H-6FPSTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 20A TO220FPAB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 15 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 180A, 197A
Current - On State (It (AV)) (Max): 12.7 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Part Status: Last Time Buy
Current - On State (It (RMS)) (Max): 20 A
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TN2015H-6FPSTMicroelectronicsSCRs High temperature 20 A SCRs
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.22 грн
10+ 82.29 грн
100+ 55.79 грн
500+ 46.12 грн
1000+ 36.38 грн
2000+ 32.53 грн
5000+ 32.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2015H-6ISTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
TN2015H-6ISTMicroelectronicsSCR Diode 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
TN2015H-6ISTMicroelectronicsTN2015H-6I SMD/THT thyristors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+74.92 грн
22+ 45.55 грн
59+ 43.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2015H-6ISTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN2015H-6I - Thyristor, 600 V, 15 mA, 13 A, 20 A, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 180A
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 13A
RMS-Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 15mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-220AB
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.17 грн
50+ 53 грн
100+ 46.83 грн
500+ 37.06 грн
Мінімальне замовлення: 13
TN2015H-6ISTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 15 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 180A, 197A
Current - On State (It (AV)) (Max): 13 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: TO-220AB Insulated
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 20 A
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+96.76 грн
10+ 83.58 грн
100+ 65.15 грн
500+ 50.51 грн
1000+ 39.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2015H-6ISTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+90.74 грн
Мінімальне замовлення: 128
TN2015H-6ISTMicroelectronicsSCRs 20 A 600 V High Temperature SCR in TO-220I
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.63 грн
10+ 85.34 грн
25+ 72.22 грн
100+ 57.58 грн
500+ 48.04 грн
1000+ 38.3 грн
2000+ 36.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2015H-6ISTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+49.6 грн
13+ 47.59 грн
25+ 43.98 грн
100+ 37.37 грн
500+ 34.51 грн
1000+ 28.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
TN2015H-6ISTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
товар відсутній
TN2015H-6ISTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+51.25 грн
246+ 47.36 грн
279+ 41.74 грн
500+ 40.14 грн
1000+ 32.05 грн
Мінімальне замовлення: 227
TN2015H-6TSTMicroelectronicsSCRs High temperature 20A SCRs
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.58 грн
10+ 76.96 грн
25+ 64.8 грн
100+ 51.88 грн
500+ 42.87 грн
1000+ 33.86 грн
2000+ 31.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2015H-6TSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
TN2015H-6TSTMicroelectronicsTN2015H-6T SMD/THT thyristors
товар відсутній
TN2015H-6TSTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 15 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 180A, 197A
Current - On State (It (AV)) (Max): 12.7 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 20 A
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.29 грн
10+ 73.71 грн
100+ 57.48 грн
500+ 44.56 грн
1000+ 35.18 грн
2000+ 33.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2022-A1-CLB2F
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2022-B0
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN203W472KT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN204D154KT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN205A205JT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN21-B.29TEKOTN21-B.29 Multipurpose Enclosures
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1373.2 грн
2+ 1298.66 грн
TN21-B.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 24mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 24mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1046.54 грн
3+ 918.64 грн
TN21-B.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 24mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 24mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1255.85 грн
3+ 1144.77 грн
40+ 1055.99 грн
TN21-B2.29 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 24mm; TEKNET; ABS
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 24mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1421.75 грн
2+ 1296.14 грн
40+ 1200.1 грн
TN21-B2.29 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 24mm; TEKNET; ABS
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 24mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: black
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1184.79 грн
2+ 1040.11 грн
TN21-B2.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 24mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 24mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1427.1 грн
2+ 1301.3 грн
10+ 1252.28 грн
40+ 1200.1 грн
TN21-B2.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 24mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 24mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1189.25 грн
2+ 1044.25 грн
TN2101K1
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2102
на замовлення 12971 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2106K
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2106K1Supertex
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2106K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TN2106K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
TN2106K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
TN2106K1-GMicrochipN-Channel 60V 280mA (Tj) 360mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) TN2106K1-G Microchip TTN2106K1-G
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+53.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
TN2106K1-GMicrochip TechnologyMOSFET 60V 2.5Ohm
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.99 грн
25+ 38.25 грн
100+ 30.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
TN2106K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TN2106K1/M1L
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2106K1/N1LG
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2106N3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2106N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TN2106N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
TN2106N3-GMicrochip TechnologyMOSFET 60V 2.5Ohm
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.85 грн
100+ 39.7 грн
500+ 32.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
TN2106N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.74 грн
25+ 30.14 грн
100+ 26.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
TN2106N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TN2106N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.44 грн
25+ 35.34 грн
100+ 32.8 грн
Мінімальне замовлення: 7
TN2106N3-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 0.5 A, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2106
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+46.98 грн
25+ 41.48 грн
100+ 35.97 грн
Мінімальне замовлення: 16
TN2106N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
TN2106N3-G P005Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TN2106N3-G P013Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TN2106N3-G P014Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TN21243AirBorn, Inc.Description: NUT SPANNER WRENCHES, RECTANGLUL
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: Torque Wrenches
Tool Type: Spanner Tool
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2997.38 грн
5+ 2716.86 грн
10+ 2632.03 грн
25+ 2390.35 грн
TN21243AirBornOther Tools Tool
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3502.51 грн
5+ 3249.03 грн
10+ 2737.12 грн
25+ 2649 грн
50+ 2599.97 грн
100+ 2550.94 грн
250+ 2502.57 грн
TN2124K1Supertex
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2124K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.134A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.76 грн
25+ 48.93 грн
100+ 42.77 грн
250+ 39.19 грн
500+ 37.25 грн
1000+ 36.85 грн
3000+ 36.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
TN2124K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.14A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Pulsed drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TN2124K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.14A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Pulsed drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TN2124K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.134A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.56 грн
6000+ 49.22 грн
12000+ 47.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TN2124K1-GMicrochip TechnologyMOSFET 240V 15Ohm
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+61.84 грн
25+ 51.05 грн
100+ 39.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
TN2124K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2124K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 240 V, 134 mA, 15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 134mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
TN2124K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.134A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+60.05 грн
221+ 52.69 грн
244+ 47.76 грн
250+ 45.58 грн
500+ 41.79 грн
1000+ 39.68 грн
3000+ 38.93 грн
Мінімальне замовлення: 194
TN2124K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 240V 134MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 134mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 6525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.62 грн
25+ 45.88 грн
100+ 40.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
TN2124K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.134A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TN2124K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.134A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TN2124K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.134A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
TN2124K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 240V 134MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 134mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TN2124K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2124K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 240 V, 134 mA, 15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 134mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.65 грн
25+ 50.84 грн
100+ 45.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
TN2124K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.134A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+67.64 грн
185+ 62.81 грн
220+ 52.94 грн
233+ 48.25 грн
500+ 44.5 грн
1000+ 38.65 грн
Мінімальне замовлення: 172
TN212ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-12V / Signal-Relay, 2-Form-C, Single side stable, PC board
товар відсутній
TN212ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-12V / Signal-Relay, 2-Form-C, Single side stable, PC board
товар відсутній
TN2130K1
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2130K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
TN2130K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 360
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
TN2130K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 300V 0.085A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
TN2130K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.25A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Pulsed drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
TN2130K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.63 грн
29+ 26.31 грн
100+ 26.24 грн
Мінімальне замовлення: 23
TN2130K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 300V 0.085A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TN2130K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.1 грн
25+ 23.58 грн
100+ 22.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
TN2130K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.25A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Pulsed drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TN2130K1-GMicrochip TechnologyMOSFET 300V 25Ohm
на замовлення 38437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.08 грн
25+ 26.21 грн
100+ 21.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
TN2130K1-GSupertexTransistor N-Channel MOSFET; 300V; 20V; 25Ohm; 85mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN2130K1-G TTN2130k1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 50
TN2130K1-G-VAOMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CHANNEL 300V SOT-23
товар відсутній
TN2130K1-G-VAOMicrochip TechnologyMicrochip Technology
товар відсутній
TN22
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN22-1500
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN22-1500BSTTO-252
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN22-1500B-TR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN22-1500B-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 400V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 175 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 1.5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 22A
Current - On State (It (AV)) (Max): 1.8 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 3.1 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: DPAK
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2 A
Voltage - Off State: 400 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.34 грн
10+ 79.1 грн
100+ 61.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN22-1500B-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 400V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 175 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 1.5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 22A
Current - On State (It (AV)) (Max): 1.8 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 3.1 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: DPAK
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2 A
Voltage - Off State: 400 V
товар відсутній
TN22-1500HSTMicroelectronicsSCRs 2.0 Amp 1500 Volt
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.59 грн
10+ 107.44 грн
25+ 88.12 грн
100+ 74.87 грн
500+ 61.42 грн
1000+ 53.01 грн
3000+ 52.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN22-1500HSTMicroelectronicsDescription: SCR 400V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 175 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 1.5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 22A
Current - On State (It (AV)) (Max): 1.8 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 3.1 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2 A
Voltage - Off State: 400 V
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.21 грн
75+ 80.23 грн
150+ 66.01 грн
525+ 52.42 грн
1050+ 44.48 грн
2025+ 42.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN22-1500HSTMicroelectronicsSCR Diode 400V 2A(RMS) 22A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
TN22-1500HSTMicroelectronicsTN22-1500H SMD/THT thyristors
товар відсутній
TN22-1500HSTMicroelectronicsSCR Diode 400V 2A(RMS) 22A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
TN22-1500HSTMicroelectronicsSCR 400V 2A(RMS) 22A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
TN22-1500H
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN22-1500RSTMicroelectronicsSCRs DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
товар відсутній
TN22-1500RSTMicroelectronicsThyristor SCR 400V 22A
товар відсутній
TN22-1500TSTMicroelectronicsThyristor SCR 400V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
TN22-1500TSTMicroelectronicsCategory: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 2A; 1.8A; Igt: 1.5mA; TO220AB; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 2A
Load current: 1.8A
Gate current: 1.5mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Application: fluorescent lamp starter
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+84.73 грн
5+ 74.83 грн
18+ 53.83 грн
50+ 50.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN22-1500TSTMicroelectronicsSCRs STARTLIGHT
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.63 грн
10+ 93.72 грн
100+ 64.73 грн
250+ 62.22 грн
500+ 54.07 грн
1000+ 49.89 грн
2000+ 48.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN22-1500TSTMicroelectronicsCategory: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 2A; 1.8A; Igt: 1.5mA; TO220AB; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 2A
Load current: 1.8A
Gate current: 1.5mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Application: fluorescent lamp starter
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.05 грн
18+ 44.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
TN22-1500TSTMicroelectronicsThyristor SCR 400V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+48.07 грн
13+ 45.8 грн
100+ 43.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
TN22-1500TSTMicroelectronicsThyristor SCR 400V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
TN22-1500TSTMicroelectronicsDescription: SCR 400V 2A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 175 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 1.5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 22A
Current - On State (It (AV)) (Max): 1.8 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 3.1 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Last Time Buy
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2 A
Voltage - Off State: 400 V
товар відсутній
TN22-1500TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN22-1500T - Thyristor, 400 V, 1.5 mA, 1.8 A, 2 A, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 175mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 20A
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 1.8A
RMS-Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 1.5mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-220AB
Betriebstemperatur, max.: 110°C
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+124.13 грн
10+ 95.14 грн
100+ 69.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
TN22-1500TSTMicroelectronicsThyristor SCR 400V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
236+49.32 грн
249+ 46.7 грн
Мінімальне замовлення: 236
TN22-B.29TEKOTN22-B.29 Multipurpose Enclosures
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1641.54 грн
2+ 1552.1 грн
TN22-B.30TEKOTN22-B.30 Multipurpose Enclosures
товар відсутній
TN22-B2.29TEKOTN22-B2.29 Multipurpose Enclosures
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1736.79 грн
2+ 1641.54 грн
TN22-B2.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 28mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 28mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1586.75 грн
2+ 1446.66 грн
10+ 1392.25 грн
40+ 1335.93 грн
TN22-B2.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 28mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 28mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1322.29 грн
2+ 1160.9 грн
TN22.29TEKOTN22.29 Multipurpose Enclosures
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1400.53 грн
2+ 1324.33 грн
TN22.30TEKOTN22.30 Multipurpose Enclosures
товар відсутній
TN2210BROTHERDescription: BROTHER - TN2210 - Tonerkartusche, schwarz - 1200 Seiten
tariffCode: 84439990
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3622.74 грн
TN22150STTO-251
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2215600
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2219AonsemiDescription: TRANS NPN 40V 1A TO226-3
товар відсутній
TN2219AMRO
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2219AON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-226 Bulk
товар відсутній
TN2219AFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 1A TO226-3
товар відсутній
TN2219A TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN DARL 40V 0.8A TO237
Packaging: Box
Package / Case: TO-237AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-237
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
TN2219A(D26Z)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2219A-D26ZON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-226 T/R
товар відсутній
TN2219A_D26ZonsemiDescription: TRANS NPN 40V 1A TO226
товар відсутній
TN2219A_J05ZonsemiDescription: TRANS NPN 40V 1A TO92-3
товар відсутній
TN2220BROTHERDescription: BROTHER - TN2220 - Tonerkartusche, schwarz - 2600 Seiten
tariffCode: 84439990
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5878.6 грн
TN224ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-24V / Signal-Relay, 2-Form-C, Single side stable, PC board
товар відсутній
TN23-B.29TEKOTN23-B.29 Multipurpose Enclosures
товар відсутній
TN23-B.30TEKOTN23-B.30 Multipurpose Enclosures
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1749.21 грн
2+ 1653.97 грн
TN23-B2.29TEKOTN23-B2.29 Multipurpose Enclosures
товар відсутній
TN23-B2.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 35mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 35mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1756.22 грн
2+ 1601.47 грн
30+ 1483.35 грн
TN23-B2.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 35mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 35mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1463.52 грн
2+ 1285.13 грн
TN23.29 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 35mm; TEKNET; ABS
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 35mm
Version: hollowed area for foil keypad
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1215.71 грн
3+ 1108.64 грн
50+ 1022.86 грн
TN23.29 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 35mm; TEKNET; ABS
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 35mm
Version: hollowed area for foil keypad
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: black
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1013.09 грн
3+ 889.65 грн
TN23.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 35mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 35mm
Version: hollowed area for foil keypad
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1212.14 грн
3+ 1104.34 грн
30+ 1022.86 грн
TN23.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 35mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 35mm
Version: hollowed area for foil keypad
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1010.12 грн
TN23/14/7-3E25FerroxcubeDescription: Ferrite Misc
Tolerance: ±25%
Packaging: Bulk
Material: 3E25
Diameter: 0.933" (23.70mm)
Height: 0.295" (7.50mm)
Core Type: Toroid
Supplier Device Package: TN 23 x 14 x 7
Inductance Factor (Al): 3.82 µH
Initial Permeability (µi): 5500
Finish: Nylon
Gap: Ungapped
Core Factor (ΣI/A) mm⁻¹: 1.81
Effective Length (le) mm: 55.8
Effective Area (Ae) mm²: 30.9
Effective Magnetic Volume (Ve) mm³: 1722
товар відсутній
TN23/14/7-3E25FERROXCUBEDescription: FERROXCUBE - TN23/14/7-3E25 - Transformatorkerne, Ring, Ring, 3E25, 55.8 mm, 30.9 mm²
Kernmaterialgüte: 3E25
Effektive magnetische Weglänge: 55.8
Ferritkerngröße: -
Induktivitätsfaktor AL: 3.82
Effektiver Querschnitt Ae: 30.9
Kern: Ring
Zur Verwendung mit: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.63 грн
50+ 15.24 грн
Мінімальне замовлення: 35
TN23/14/7-4A11FerroxcubeСердечник TN23/14/7-4A11
на замовлення 420 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+72.62 грн
10+ 59.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN23/14/7-4C65FERROXCUBEDescription: FERROXCUBE - TN23/14/7-4C65 - Transformatorkerne, Ring, Ring, 4C65, 55.8 mm, 30.9 mm²
Kernmaterialgüte: 4C65
Effektive magnetische Weglänge: 55.8
Ferritkerngröße: -
Induktivitätsfaktor AL: 87
Effektiver Querschnitt Ae: 30.9
Kern: Ring
Zur Verwendung mit: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
TN230CBROTHERDescription: BROTHER - TN230C - Tonerkartusche, cyan - 1400 Seiten
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Verbrauchsmaterialtyp: Original
Druckermarke: Brother
euEccn: NLR
Farbe: Cyan
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Typennummer Originalpatrone: TN230C
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: Decamethylcyclopentasiloxane (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6045.09 грн
TN230YBROTHERDescription: BROTHER - TN230Y - Tonerkartusche, gelb - 1400 Seiten
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5671.97 грн
TN2310BROTHERDescription: BROTHER - TN2310 - Tonerkartusche, schwarz - 1200 Seiten
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Verbrauchsmaterialtyp: Original
Druckermarke: Brother
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Typennummer Originalpatrone: TN2310
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: 2-benzyl-2-dimethylamino-4'-morpholinobutyrophenone (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3565.51 грн
TN2320BROTHERDescription: BROTHER - TN2320 - Tonerkartusche, schwarz - 2600 Seiten
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Verbrauchsmaterialtyp: Original
Druckermarke: Brother
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Typennummer Originalpatrone: TN2320
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: 2-benzyl-2-dimethylamino-4'-morpholinobutyrophenone (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5586.49 грн
TN23ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-3V / Signal-Relay, 2-Form-C, Single side stable, PC board
товар відсутній
TN24,5ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-4.5V / Signal-Relay, 2-Form-C, Single side stable, PC board
товар відсутній
TN24/15-2P80FERROXCUBECategory: Ring ferrites
Description: Ferrite: toroidal; Øint: 13.8mm; Øout: 24.3mm; Core mat: 2P80; 57nH
Type of ferrite: toroidal
Internal diameter: 13.8mm
Outside diameter: 24.3mm
Core material: 2P80
Ferrite features: rounded edges
Inductance factor Al: 57nH
Height: 8.1mm
Design: plastic sheath
Effective core volume (Ve): 1895mm3
Effective core cross-section (Ae): 32.8mm2
Ferrite application: impulse transformers; RFI filters; wideband transformers
товар відсутній
TN24/15-2P80FERROXCUBECategory: Ring ferrites
Description: Ferrite: toroidal; Øint: 13.8mm; Øout: 24.3mm; Core mat: 2P80; 57nH
Type of ferrite: toroidal
Internal diameter: 13.8mm
Outside diameter: 24.3mm
Core material: 2P80
Ferrite features: rounded edges
Inductance factor Al: 57nH
Height: 8.1mm
Design: plastic sheath
Effective core volume (Ve): 1895mm3
Effective core cross-section (Ae): 32.8mm2
Ferrite application: impulse transformers; RFI filters; wideband transformers
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TN2404KVishay09+ SMD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2404KVISHAY
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2404K-T1Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE-USE TN2404K-T1-E3
товар відсутній
TN2404K-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TN2404K-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.32 грн
6000+ 23.32 грн
9000+ 22.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TN2404K-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 240V 0.2A 4.0Ohm
на замовлення 113431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+61.84 грн
10+ 54.25 грн
100+ 32.14 грн
500+ 26.83 грн
1000+ 22.86 грн
3000+ 20.67 грн
6000+ 19.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
TN2404K-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 6592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.34 грн
10+ 48.11 грн
100+ 33.32 грн
500+ 26.12 грн
1000+ 22.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
TN2404K-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TN2404K-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TN2404K-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.16A; 0.23W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+67.79 грн
6+ 44.9 грн
25+ 38.6 грн
28+ 35.61 грн
76+ 33.13 грн
500+ 32.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2404K-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TN2404K-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.91 грн
6000+ 19.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TN2404K-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.16A; 0.23W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.49 грн
10+ 36.03 грн
25+ 32.16 грн
28+ 29.68 грн
76+ 27.61 грн
500+ 26.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
TN2404K-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.58 грн
6000+ 21.65 грн
9000+ 20.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TN2404K-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - TN2404K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 200 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+57.6 грн
50+ 46.9 грн
100+ 36.12 грн
500+ 23.88 грн
1500+ 21.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
TN2404K-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TN2404K-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TN2404K-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.16A; 0.23W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TN2404K-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.16A; 0.23W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TN2404K-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
TN2404K-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.34 грн
10+ 48.11 грн
100+ 33.32 грн
500+ 26.12 грн
1000+ 22.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
TN2404K-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - TN2404K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 200 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.12 грн
500+ 23.88 грн
1500+ 21.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
TN2404K-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TN2404K-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 240V 0.2A 0.36W 4.0ohms @ 10V
на замовлення 21749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.54 грн
10+ 53.49 грн
100+ 32.2 грн
500+ 26.9 грн
1000+ 22.93 грн
3000+ 19.74 грн
6000+ 18.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
TN2404K-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TN2404KL-T1-E3VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2404KL-TAVishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.3A 3-Pin TO-226AA T/R
товар відсутній
TN2404KL-TA-E3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.3A 3-Pin TO-226AA T/R
товар відсутній
TN2404KL-TR1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.3A 3-Pin TO-226AA T/R
товар відсутній
TN2410
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2410LVishay / SiliconixMOSFET USE TN2404KL-TR1
товар відсутній
TN2410L
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2410L-TR1VishayVishay USE TN2404KL-TR1
товар відсутній
TN241BKBROTHERDescription: BROTHER - TN241BK - Tonerkartusche, schwarz - 2500 Seiten
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5761.16 грн
TN241CBROTHERDescription: BROTHER - TN241C - Tonerkartusche, cyan - 1400 Seiten
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Verbrauchsmaterialtyp: Original
Druckermarke: Brother
euEccn: NLR
Farbe: Cyan
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Typennummer Originalpatrone: TN241C
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5402.9 грн
TN241MBROTHERDescription: BROTHER - TN241M - Tonerkartusche, magenta - 1400 Seiten
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Verbrauchsmaterialtyp: Original
Druckermarke: Brother
euEccn: NLR
Farbe: Magenta
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Typennummer Originalpatrone: TN241M
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5402.9 грн
TN241YBROTHERDescription: BROTHER - TN241Y - Tonerkartusche, gelb - 1400 Seiten
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5402.9 грн
TN2425N8
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2425N8Microchip TechnologyMOSFET 250V 3.5Ohm
товар відсутній
TN2425N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TN2425N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TN2425N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 480MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товар відсутній
TN2425N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+109.61 грн
10+ 108.54 грн
25+ 89.78 грн
100+ 78.56 грн
250+ 72 грн
500+ 68.42 грн
1000+ 67.71 грн
3000+ 66.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
TN2425N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 250V 3.5Ohm
на замовлення 3238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.14 грн
25+ 99.06 грн
100+ 79.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2425N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TN2425N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 480MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.53 грн
25+ 89.23 грн
100+ 82.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2425N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TN2435N8
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2435N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.365A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TN2435N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.365A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TN2435N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.365A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+114.88 грн
103+ 113.8 грн
114+ 102.31 грн
125+ 89.9 грн
250+ 81.75 грн
500+ 77.06 грн
1000+ 75.04 грн
Мінімальне замовлення: 102
TN2435N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 1A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TN2435N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 365MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+84.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TN2435N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.365A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+106.68 грн
10+ 105.67 грн
25+ 95 грн
100+ 83.48 грн
250+ 75.91 грн
500+ 71.55 грн
1000+ 69.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
TN2435N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 1A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TN2435N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.365A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+127.33 грн
Мінімальне замовлення: 250
TN2435N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 350V 10Ohm
на замовлення 7796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.82 грн
10+ 117.34 грн
25+ 84.15 грн
100+ 77.52 грн
250+ 75.53 грн
500+ 74.87 грн
1000+ 71.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2435N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 365MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 7081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.38 грн
25+ 87.96 грн
100+ 80.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2460VISHAY
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2460LSI
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2460L
Код товару: 144793		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TN2460LG
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2460T
Код товару: 53988		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TN2460T
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2460T-T1VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2460T-T1 (мікросхеми різні)
Код товару: 40957		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
TN2460T-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2460T-T1/T03
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2460T-T2
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2460T-T2/T2SILICONIX
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2469TK-09
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2469TK-09E
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN248ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-48V / Signal-Relay, 2-Form-C, Single side stable, PC board
товар відсутній
TN248V
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN25/15/10FerroxcubeСердечник TN25/15/10-3E25 мю=5500 AL=5620±25%
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+63.16 грн
10+ 49.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
TN25/15/10-3E25FERROXCUBEDescription: FERROXCUBE - TN25/15/10-3E25 - Transformatorkerne, Ring, Ring, 3E25, 60.2 mm, 48.9 mm²
Kernmaterialgüte: 3E25
Effektive magnetische Weglänge: 60.2
Ferritkerngröße: -
Induktivitätsfaktor AL: 5.62
Effektiver Querschnitt Ae: 48.9
Kern: Ring
Zur Verwendung mit: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
TN25/15/10-3F3FERROXCUBECategory: Ring ferrites
Description: Ferrite: toroidal; Øint: 14mm; Øout: 25.8mm; Core mat: 3F3; 1840nH
Internal diameter: 14mm
Ferrite application: impulse transformers; RFI filters; wideband transformers
Core material: 3F3
Effective core volume (Ve): 2944mm3
Design: plastic sheath
Ferrite features: rounded edges
Inductance factor Al: 1840nH
Effective core cross-section (Ae): 48.9mm2
Height: 10.6mm
Outside diameter: 25.8mm
Type of ferrite: toroidal
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.01 грн
5+ 154.6 грн
13+ 63.5 грн
35+ 60.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
TN25/15/10-3F3FerroxcubeСердечник TN25/15/10-3F3 мю=1800 AL=1840±25%
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+49.77 грн
10+ 43.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
TN25/15/10-3F3FERROXCUBECategory: Ring ferrites
Description: Ferrite: toroidal; Øint: 14mm; Øout: 25.8mm; Core mat: 3F3; 1840nH
Internal diameter: 14mm
Ferrite application: impulse transformers; RFI filters; wideband transformers
Core material: 3F3
Effective core volume (Ve): 2944mm3
Design: plastic sheath
Ferrite features: rounded edges
Inductance factor Al: 1840nH
Effective core cross-section (Ae): 48.9mm2
Height: 10.6mm
Outside diameter: 25.8mm
Type of ferrite: toroidal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+264.01 грн
5+ 192.66 грн
13+ 76.2 грн
35+ 72.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
TN2501N8
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2501N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 18V; 0.25A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 18V
Pulsed drain current: 0.25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TN2501N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 18V 2.5Ohm
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126 грн
25+ 104.39 грн
100+ 82.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2501N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 18V 400MA SOT89-3
товар відсутній
TN2501N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 18V; 0.25A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 18V
Pulsed drain current: 0.25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TN2504N8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2504N8Microchip TechnologyMOSFET 40V 1Ohm
товар відсутній
TN2504N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 40V 0.89A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+62.5 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TN2504N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 40V 890MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 890mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+69.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TN2504N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 40V 0.89A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TN2504N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 40V 1Ohm
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.95 грн
25+ 81.53 грн
100+ 64.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2504N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TN2504N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 40V 0.89A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+91.01 грн
10+ 90.09 грн
25+ 75.4 грн
100+ 65.48 грн
250+ 60.07 грн
500+ 57.08 грн
1000+ 56.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
TN2504N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 40V 0.89A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+97.02 грн
144+ 81.2 грн
159+ 73.13 грн
250+ 69.86 грн
500+ 64.04 грн
1000+ 60.87 грн
Мінімальне замовлення: 120
TN2504N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TN2504N8-GMicrochip Technology / AtmelMOSFET 40V 1Ohm
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.45 грн
25+ 88.39 грн
100+ 69.57 грн
4000+ 68.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2504N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 40V 890MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 890mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 20 V
на замовлення 13920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.03 грн
25+ 73.3 грн
100+ 66.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2504N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 40V 0.89A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TN251-S010
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2510
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2510N8Microchip TechnologyMOSFET 100V 1.5Ohm
товар відсутній
TN2510N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.34 грн
5+ 89.72 грн
12+ 70.4 грн
32+ 66.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2510N8-GMicrochipTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
TN2510N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TN2510N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 5786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TN2510N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+120.41 грн
5+ 111.81 грн
12+ 84.48 грн
32+ 79.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2510N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 100V 1.5Ohm
на замовлення 11082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.4 грн
25+ 80.01 грн
100+ 62.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2510N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TN2510N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TN2510N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 5786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.59 грн
25+ 72.03 грн
100+ 65.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2511ifm efector, inc.Description: ELECTRONIC TEMPERATURE SENSOR; 1
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded
Mounting Type: Panel Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 80°C
Voltage - Supply: 18V ~ 32V
Sensor Type: Digital, Local
Sensing Temperature - Local: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30021.83 грн
TN2520N8Supertex
на замовлення 14200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2524N
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2524N8Microchip TechnologyMOSFET 240V 6Ohm
товар відсутній
TN2524N8Supertex09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2524N8Superchip09+
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2524N8SUPERTEX03+
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2524N8SIPEX10+ DO-214
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2524N8Supertex
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2524N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TN2524N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 240V 360MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+76.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TN2524N8-G
Код товару: 131242		Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
TN2524N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+83.67 грн
10+ 83.21 грн
25+ 69.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
TN2524N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 1A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.95 грн
5+ 98.01 грн
11+ 77.3 грн
29+ 73.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2524N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 240V 6Ohm
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.54 грн
25+ 90.67 грн
100+ 70.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2524N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 240V 360MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.78 грн
25+ 81.58 грн
100+ 73.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2524N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 1A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+139.14 грн
5+ 122.13 грн
11+ 92.76 грн
29+ 87.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
TN2529K6-GMicrochip TechnologyMOSFET NCh ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TN2529K6-G
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2529K6-G M932Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
TN2535SOP
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2535
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2535N8-G
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540
на замовлення 5088 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540-1000
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540-1000G
на замовлення 18900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540-1000GTR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540-12GSTMicroelectronicsTN2540-12G SMD/THT thyristors
товар відсутній
TN2540-12GSTMicroelectronicsDescription: SCR 1.2KV 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 80 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A, 314A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товар відсутній
TN2540-12GSTMicroelectronicsSCRs 25 A 1200 V Standard SCR Thyristor in D2PAK
товар відсутній
TN2540-12GSTMicroelectronicsSCR 1200V 25A(RMS) 314A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
TN2540-12G-TRSTMicroelectronicsSCRs 25 A 1200 V Standard SCR Thyristor in D2PAK
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.66 грн
10+ 162.3 грн
100+ 112.64 грн
500+ 95.41 грн
1000+ 73.55 грн
5000+ 71.56 грн
10000+ 70.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
TN2540-12G-TRSTMicroelectronicsSCR 1200V 25A(RMS) 314A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TN2540-12G-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 40mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 25A
Load current: 16A
Gate current: 40mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 300A
товар відсутній
TN2540-12G-TRSTMicroelectronicsSCR 1200V 25A(RMS) 314A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TN2540-12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN2540-12G-TR - Thyristor, 1.2 kV, 40 mA, 16 A, 25 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 80mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 314A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 16A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 25A
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2540-12G Series
Zündstrom, max.: 40mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Bauform - Thyristor: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.74 грн
10+ 143.45 грн
100+ 104.8 грн
500+ 88.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2540-12G-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 1.2KV 25A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 80 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A, 314A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.85 грн
10+ 131.62 грн
100+ 104.76 грн
500+ 83.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
TN2540-12G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 1200V 25A(RMS) 314A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TN2540-12G-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 40mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 25A
Load current: 16A
Gate current: 40mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TN2540-12G-TRSTMicroelectronicsSCR 1200V 25A(RMS) 314A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TN2540-12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN2540-12G-TR - Thyristor, 1.2 kV, 40 mA, 16 A, 25 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 80mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 314A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 16A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 25A
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2540-12G Series
Zündstrom, max.: 40mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Bauform - Thyristor: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.8 грн
500+ 88.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
TN2540-12G-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 1.2KV 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 80 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A, 314A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.1 грн
Мінімальне замовлення: 1000
TN2540-400G-TRSTM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540-400G-TRSTMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540-600
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540-600G
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540-600GSTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A, 314A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 600 V
товар відсутній
TN2540-600GSTMicroelectronicsThyristor SCR 600V 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsSCR 600V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+108.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
TN2540-600G-TRSTMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 25A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A, 314A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.84 грн
10+ 97.52 грн
100+ 77.63 грн
500+ 61.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 600V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+105.9 грн
Мінімальне замовлення: 1000
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsSCR 600V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TN2540-600G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN2540-600G-TR - Thyristor, 600 V, 40 mA, 16 A, 25 A, TO-262, 3 Pin(s)
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 600
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 314
Zündstrom, max., Igt: 40
Zündspannung, max., Vgt: 1.3
Haltestrom Ih, max.: 50
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins: 3
Strom It av: 16
Produktpalette: TN2540
Bauform - Thyristor: TO-262
Betriebstemperatur, max.: 125
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsSCR 600V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
TN2540-600G-TRSTM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsSCRs 25 Amp 600 Volt
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.61 грн
10+ 154.68 грн
100+ 106.68 грн
250+ 104.69 грн
500+ 90.11 грн
1000+ 76.2 грн
2000+ 68.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A, 314A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.88 грн
2000+ 52.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsTN2540-600G-TR SMD/THT thyristors
на замовлення 708 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+260.45 грн
6+ 174.76 грн
16+ 165.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 600V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsSCR 600V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TN2540-600GTR
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540-800G
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540-800G-TR
Код товару: 172430		Тиристори > Тиристори, діністори
товар відсутній
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 800V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 800V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+461.97 грн
39+ 300.08 грн
50+ 242.83 грн
100+ 218.93 грн
500+ 157.76 грн
1000+ 148.91 грн
Мінімальне замовлення: 26
TN2540-800G-TRSTMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsSCRs 25A SCRS
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.79 грн
10+ 140.2 грн
25+ 109.99 грн
100+ 98.06 грн
500+ 92.76 грн
1000+ 84.81 грн
2000+ 83.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 800V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 800V 25A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A, 314A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 22893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.2 грн
10+ 148.87 грн
100+ 120.44 грн
500+ 100.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 800V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 800V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+208.7 грн
10+ 186.12 грн
25+ 182.53 грн
100+ 148.28 грн
250+ 118.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2540-800G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN2540-800G-TR - Thyristor, 800 V, 40 mA, 16 A, 25 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 300A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 16A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 25A
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2540
Zündstrom, max.: 40mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Bauform - Thyristor: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.56 грн
500+ 112.77 грн
1000+ 89.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
TN2540-800G-TRSTM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 800V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+224.75 грн
58+ 200.44 грн
60+ 196.57 грн
100+ 159.69 грн
250+ 127.6 грн
Мінімальне замовлення: 52
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 800V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 40mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 16A
Max. load current: 25A
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 300A
Case: D2PAK
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 40mA
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.59 грн
5+ 108.36 грн
11+ 78.68 грн
28+ 74.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 40mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 16A
Max. load current: 25A
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 300A
Case: D2PAK
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 40mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 484 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+154.3 грн
5+ 135.03 грн
11+ 94.42 грн
28+ 89.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 800V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A, 314A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.2 грн
2000+ 86.32 грн
5000+ 82.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 800V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TN2540-800G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN2540-800G-TR - Thyristor, 800 V, 40 mA, 16 A, 25 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 300A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 16A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 25A
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2540
Zündstrom, max.: 40mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Bauform - Thyristor: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.36 грн
10+ 188.05 грн
25+ 178.39 грн
100+ 143.56 грн
500+ 112.77 грн
1000+ 89.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2540-800GTR
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540N3Microchip TechnologyMOSFET 400V 12Ohm
товар відсутній
TN2540N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 175mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 175mA
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
TN2540N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
товар відсутній
TN2540N3-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2540N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 175 mA, 8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.22 грн
25+ 72.54 грн
100+ 64.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
TN2540N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
TN2540N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
TN2540N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 175mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 175mA
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
TN2540N3-GMicrochip TechnologyMOSFET 400V 12Ohm
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.09 грн
25+ 92.96 грн
100+ 72.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2540N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
TN2540N3-G P003Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TN2540N3-G P005Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TN2540N3-G P013Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
TN2540N3-G P014Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TN2540N3-G-P002Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.82 грн
25+ 97.53 грн
100+ 78.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2540N3-G-P002MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 175mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Kind of package: tape
Mounting: THT
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 175mA
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TN2540N3-G-P002Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
товар відсутній
TN2540N3-G-P002Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
TN2540N3-G-P002MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 175mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Kind of package: tape
Mounting: THT
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 175mA
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
TN2540N3-P003-G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540N3-P013-GMicrochip TechnologyMOSFET
товар відсутній
TN2540N5
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540N8Supertex
на замовлення 30200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540N8Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+885.68 грн
50+ 354.58 грн
101+ 115.36 грн
Мінімальне замовлення: 14
TN2540N8SUPERTEX09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2540N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TN2540N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 260MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+84.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TN2540N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 260 mA, 8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
TN2540N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 260mA; Idm: 1.8A; 1.6W; SOT89
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.8A
Case: SOT89
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.26A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
TN2540N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 260mA; Idm: 1.8A; 1.6W; SOT89
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.8A
Case: SOT89
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.26A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TN2540N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 400V 12Ohm
на замовлення 7279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.82 грн
25+ 97.53 грн
100+ 78.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2540N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TN2540N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 260 mA, 8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.21 грн
25+ 101.83 грн
100+ 87.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
TN2540N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 260MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.38 грн
25+ 87.96 грн
100+ 80.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2540N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TN2540N8-L-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
TN2540NBSupertex
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN25F110-24LAMBDA110V/24V/25W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN25F110-5
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN25H-RID-5.0-3.0-3.0-1.25H2
Код товару: 122552		Трансформатори, мережеві фільтри, силові дроселі > Сердечники, каркаси, скоби (для моткових виробів)
товар відсутній
TN25H-RID-5.0-3.0-3.0-1.25H2Трансфлюктор-2 x d=1,25mm (MHB2-5.0/3.0/3.0) Ui=250 NiZn
товар відсутній
TN25ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-5V / Signal-Relay, 2-Form-C, Single side stable, PC board
товар відсутній
TN25V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2640
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2640K4
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2640K4-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 500MA TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 19475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.52 грн
25+ 155.49 грн
100+ 140.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
TN2640K4-GMicrochip TechnologyMOSFET 400V 5 Ohm
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.85 грн
25+ 168.39 грн
100+ 132.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
TN2640K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TN2640K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TN2640K4-GMICROCHIP TECHNOLOGYTN2640K4-G SMD N channel transistors
товар відсутній
TN2640K4-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 500MA TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+145.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TN2640K4-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2640K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2640 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+150.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
TN2640K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TN2640K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TN2640K4-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2640K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2640 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+199.2 грн
25+ 166.49 грн
100+ 150.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
TN2640LGTI07+/08+ SOP8
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2640LG-G
Код товару: 144489		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TN2640LG-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
TN2640LG-GMICROCHIP TECHNOLOGYTN2640LG-G SMD N channel transistors
товар відсутній
TN2640LG-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC
товар відсутній
TN2640LG-GMicrochip TechnologyMOSFET 400V 5Ohm
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.93 грн
25+ 144.01 грн
100+ 113.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
TN2640LG-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
TN2640N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.22A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
TN2640N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.22A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
TN2640N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 220mA; Idm: 2A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TN2640N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 220mA; Idm: 2A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TN2640N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 220MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.01 грн
25+ 103.94 грн
100+ 93.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2640N3-GMicrochip TechnologyMOSFET 400V 5Ohm
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.37 грн
25+ 114.3 грн
100+ 89.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
TN2640N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.22A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
TN2640N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.22A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
TN2640N3-G P002Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
TN2640N3-G P003Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
TN2640N3-G P005Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TN2640N3-G P013Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
TN2640N3-G P014Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
TN28F001BX-B-120Intel5 VOLT BOOT BLOCK FLASH MEMORY
товар відсутній
TN28F001BX-B120INTEL09+
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F001BX-B90INTEL09+
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F001BX-T150
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F001BX-T90
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F001BXB120INTEL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F001BXT150INTEL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F001BXT90INTEL
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F010INT00+ PLCC32
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F010-120
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F010-120Rochester Electronics, LLCDescription: IC MCU FLASH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
TN28F010-120-GRochester Electronics, LLCDescription: TN28F010-120-G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
TN28F010-150
на замовлення 16025 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F010-150-GRochester Electronics, LLCDescription: TN28F010-150-G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 32-PLCC
Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 150 ns
Memory Organization: 128K x 8
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2091.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
TN28F010-200
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F010-90
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F010-90-GRochester Electronics, LLCDescription: TN28F010-90-G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
TN28F010120INTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F010150INTEL
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F020INTELPLCC32
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F020INTEL98+
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F020-120INTEL09+
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F020-150Rochester Electronics, LLCDescription: EEPROM
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1617.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
TN28F020-150INTELPLCC 09+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F020-150INTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F020-150/-120
на замовлення 2623 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F020-150JC
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F020-200
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F020-90INTEL09+
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F020-90Rochester Electronics, LLCDescription: FLASH, 256KX8, 90NS, PQCC32
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 32-PLCC
Write Cycle Time - Word, Page: 90ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 90 ns
Memory Organization: 256K x 8
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1999.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
TN28F020120INTEL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F020150INTEL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F02090INTEL
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F512
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F512-120INTELPLCC32
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F512-120INTEL09+
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F512-150INTELPLCC32
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F512-150INTEL09+
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F512-200INTELPLCC32
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F512-200PIC4INTELPLCC32
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN28F512120INTEL
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN29/19/7.5-3E25FERROXCUBETN29/19-3E25 Ring ferrites
товар відсутній
TN2905
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2907AON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.8A 3-Pin TO-226 Bulk
товар відсутній
TN2907AFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 0.8A TO226-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-226-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 10071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 1025
TN2907A
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2907Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Dbl-Dif SI Exptl Plnr
товар відсутній
TN2907A-D26ZON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-226 T/R
товар відсутній
TN2907A_D26ZonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.8A TO226
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-226
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
TN2907A_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Dbl-Dif SI Exptl Plnr
товар відсутній
TN2ATrompeter / Cinch Connectivity SolutionsRF Adapters - Tee TRB Fixed Parrallel One Male to Two JKs
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TN2ACinch Connectivity Solutions TrompeterDescription: CONN ADAPT PLUG-JCK TRB TWIN/TRI
Features: Three Lug
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Style: U-Shape
Convert From (Adapter End): TRB Twinaxial/Triaxial (Concentric ) Plug, Male Pin
Convert To (Adapter End): TRB Twinaxial/Triaxial (Concentric) Jack, Female Socket (2)
Fastening Type: Bayonet Lock, Bayonet Lock
Adapter Series: TRB Twinaxial/Triaxial to TRB Twinaxial/Triaxial, Dual
Adapter Type: Plug to Jack
Center Gender: Female to Male
Conversion Type: Same Series
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10110.25 грн
10+ 9271.85 грн
TN2DC5V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2E-4.5V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2E-4.5V-H13
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2E-L2H-12VDC
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TN2L12ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-L-12V / Signal-Relay, 2-Form-C, 1 coil latching, PC board
товар відсутній
TN2L212ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-L2-12V / Signal-Relay, 2-Form-C, 2 coil latching, PC board
товар відсутній
TN2L224ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-L2-24V / Signal-Relay, 2-Form-C, 2 coil latching, PC board
товар відсутній
TN2L23ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-L2-3V / Signal-Relay, 2-Form-C, 2 coil latching, PC board
товар відсутній
TN2L24ULCSAJPanasonic Electric WorksElectromechanical Relay 4.5VDC 101.2Ohm 1A DPDT (14x5.6x9.8)mm THT General Purpose Relay
товар відсутній
TN2L25ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-L2-5V / Signal-Relay, 2-Form-C, 2 coil latching, PC board
товар відсутній
TN2L3ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-L-3V / Signal-Relay, 2-Form-C, 1 coil latching, PC board
товар відсутній
TN2L5ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-L-5V / Signal-Relay, 2-Form-C, 1 coil latching, PC board
товар відсутній
TN2R2K2ABK-0613PLelonAluminum Electrolytic Capacitors - Axial Leaded 100V 2.2uF 10% 6.3x13mm
товар відсутній
TN2TATrompeter / Cinch Connectivity SolutionsRF Adapters - Tee Cinch Connector
товар відсутній