Продукція > TK6

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK60011CMCTOKO
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60011CMC-G
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60011DS8G0L
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60012BM5G0TOKO
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60012BM5GOL
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60015CS8G
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60015CS8G0L
на замовлення 6064 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60015CS8GOLTOKOSOT23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60022AM4GOLTOKOSSOP-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60022AM4GOLTOKO09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK6011BP21-5V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60A08J1
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60A08J1(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK60A08K3
на замовлення 39012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60D08J1(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
товар відсутній
TK60D08J1(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
TK60E08K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 60A 75V 150W 3600pF 0.0085
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TK60E08K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3
товар відсутній
TK60F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+151.23 грн
10+ 121.27 грн
100+ 96.5 грн
500+ 76.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK60F10N1L,LXGQToshibaMOSFET PD=205W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.01 грн
10+ 131.06 грн
100+ 90.77 грн
250+ 83.49 грн
500+ 75.53 грн
1000+ 65.33 грн
2000+ 61.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK60F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
TK60F10N1L,LXGQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R
товар відсутній
TK60J25D,S1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK60J25D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.0285 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+555.97 грн
5+ 411.03 грн
10+ 331.5 грн
50+ 280.22 грн
100+ 227.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK60P03M1,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
товар відсутній
TK60P03M1,RQ(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 60A 30V 63W 2700pF 0.0078
товар відсутній
TK60R10N1L,LQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+59.54 грн
250+ 57.16 грн
500+ 55.09 грн
1000+ 51.39 грн
Мінімальне замовлення: 196
TK60S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
товар відсутній
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TK60S06K3L(T6L1,NQTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 120A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
TK60S06K3L(T6L1,NQTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 120A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+59.54 грн
250+ 57.16 грн
500+ 55.09 грн
1000+ 51.39 грн
Мінімальне замовлення: 196
TK60S10N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK60S10N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK60S10N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK60S10N1L,LXHQToshibaMOSFET PD=180W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.22 грн
10+ 89.15 грн
100+ 61.62 грн
250+ 57.11 грн
500+ 51.81 грн
1000+ 44.46 грн
2000+ 42.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK60S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.63 грн
10+ 79.58 грн
100+ 63.36 грн
500+ 50.32 грн
1000+ 42.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK60S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
товар відсутній
TK60S10N1LLQ(OToshibaToshiba
товар відсутній
TK61027STL
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK6110ifm efector, inc.Description: ELECTRONIC TEMPERATURE SENSOR; 1
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded
Mounting Type: Panel Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Voltage - Supply: 9.6V ~ 32V
Sensor Type: Digital, Local
Sensing Temperature - Local: -20°C ~ 140°C
товар відсутній
TK61130U
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK61220
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK62012FTLTOKO
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK62012FTL-GTOKO07+
на замовлення 5560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK62012FTL-GTOKO09+
на замовлення 5578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK62012FTL-GTOKO07+NOP
на замовлення 5560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK62256-1595 DIP
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK62256-15
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK62512-15
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товар відсутній
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+614.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
TK62J60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC
товар відсутній
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товар відсутній
TK62J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1173.29 грн
10+ 1038.53 грн
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK62J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK62J60W,S1VQ(OTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK62J60W,S1VQ(OTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK62J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товар відсутній
TK62J60W5,S1VQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK62J60W5,S1VQ(OToshibaTK62J60W5,S1VQ(O
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+967.36 грн
17+ 717.62 грн
25+ 671.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
TK62N60WToshibaToshiba
товар відсутній
TK62N60W
Код товару: 183830		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
TK62N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK62N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1027.08 грн
30+ 800.57 грн
TK62N60W,S1VFToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1133.23 грн
10+ 984.46 грн
30+ 832.2 грн
60+ 786.48 грн
120+ 740.1 грн
270+ 716.91 грн
510+ 670.53 грн
TK62N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK62N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK62N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK62N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1112.69 грн
5+ 1023.5 грн
10+ 933.56 грн
TK62N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK62N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
TK62N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
товар відсутній
TK62N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+815.64 грн
10+ 721.87 грн
TK62N60W5,S1VFToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+786.92 грн
10+ 729.97 грн
30+ 538.68 грн
120+ 518.14 грн
270+ 505.55 грн
510+ 485.01 грн
1020+ 461.16 грн
TK62N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+802.74 грн
5+ 726.18 грн
10+ 648.88 грн
TK62N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
товар відсутній
TK62N60W5,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK62N60W5,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK62N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK62N60XToshibaMOSFET
товар відсутній
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK62N60X,S1FToshibaMOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
на замовлення 60 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
1+778.42 грн
10+ 658.34 грн
30+ 476.4 грн
270+ 420.08 грн
510+ 378.33 грн
2520+ 361.11 грн
TK62N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+705.27 грн
30+ 542.07 грн
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+734.57 грн
10+ 654.2 грн
30+ 541.04 грн
270+ 450.11 грн
510+ 376.91 грн
TK62N60X,S1F
Код товару: 198877		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+791.08 грн
17+ 704.52 грн
30+ 582.66 грн
270+ 484.73 грн
510+ 405.9 грн
Мінімальне замовлення: 15
TK62N60X,S1F(SToshibaSilicon N-Channel MOSFET
товар відсутній
TK62N60X,S1F(SToshibaSilicon N-Channel MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+477.76 грн
26+ 448.15 грн
30+ 441.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
TK62N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK62N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK62N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+794.57 грн
5+ 664.49 грн
10+ 534.42 грн
TK62N60XS1F(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK62Z60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1251.42 грн
10+ 1107.75 грн
TK62Z60X,S1FToshibaMOSFET TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1268.51 грн
10+ 1149.81 грн
100+ 815.64 грн
500+ 736.13 грн
1000+ 706.31 грн
2500+ 690.41 грн
TK62Z60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK62Z60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK62Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1175.12 грн
5+ 1085.19 грн
10+ 994.51 грн
TK62Z60X,S1F(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK62Z60X,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK6302
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK6310ifm efector, inc.Description: ELECTRONIC TEMPERATURE SENSOR; 1
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded
Mounting Type: Panel Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Voltage - Supply: 9.6V ~ 32V
Sensor Type: Digital, Local
Sensing Temperature - Local: -20°C ~ 140°C
товар відсутній
TK63101HCL-GTOKOSOT26/SOT363
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63118SCL-G
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63125SCL-GTOKO
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63126BCB-G
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63128BCB-G
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63128HCL-G
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63128SCL
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63128SCL-GTOKO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63129HC-GG
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63130BCB-G
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63133BCB-G
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63202FC-GJ
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63203FCL-GTOKO09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63203FCL-GTOKO07NOPB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63715S-G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63718HCL-G
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63723AB1GOBTOKO06NOPB
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63723AB1GOBTOKO09+
на замовлення 7018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63725HCL-GTOKO06+NOP
на замовлення 7317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63725HCL-GTOKO09+
на замовлення 7335 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63728AB1G0BTOKO07+NOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63728AB1G0BTOKO07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63728AB1G0BTOKO09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63728AB6GHB-C
на замовлення 8490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63728AB6GHB-C-G
на замовлення 8490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63728AB6GHB-G
на замовлення 8496 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63728S-G
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63733AB1GOBTOKO07NOPB
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63735AB1G0BTOKOFC-4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63735AB1G0BTOKO06NOPB
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63735AB1G0BTOKO09+
на замовлення 10518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63735AB1G0BTOKO07+PB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK64901AME-GH
на замовлення 4892 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65000FTL-GTOKO08NOPB
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65015MTOKOSOT-163
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65015MTLTOKO1995
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65025M
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65025MTLToko America Inc.Description: IC REG BOOST 3V 4MA SOT23L-6
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK65025MTL
на замовлення 11420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK650A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK650A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK650A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK650A60F,S4XToshibaMOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A
товар відсутній
TK650A60F,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.54Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.02 грн
4+ 113.88 грн
10+ 86.27 грн
26+ 81.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK650A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK650A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.54 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.95 грн
50+ 99.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK650A60F,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.54Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+163.22 грн
3+ 141.91 грн
10+ 103.53 грн
26+ 97.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK650A60F,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK65911MTL
на замовлення 591 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65919MTLTKO
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65929MTL-G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65931MTLTOKO
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65933
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65933MTL
на замовлення 16900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65A10N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK65A10N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK65A10N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh 4ohm VGS10V10uAVDS100V
товар відсутній
TK65A10N1,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 850 шт
товар відсутній
TK65A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK65A10N1,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
TK65A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+286.26 грн
84+ 139.18 грн
92+ 126.35 грн
114+ 98.99 грн
Мінімальне замовлення: 41
TK65A10N1S4X(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK65A10N1S4X(S-XToshibaMOSFET
товар відсутній
TK65E10N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 148A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.65 грн
10+ 152.6 грн
100+ 121.45 грн
500+ 96.45 грн
1000+ 81.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK65E10N1,S1XToshibaMOSFET 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.28 грн
10+ 117.34 грн
100+ 96.74 грн
1000+ 77.52 грн
5000+ 75.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+72.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+78.35 грн
Мінімальне замовлення: 149
TK65E10N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; Idm: 296A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+277.37 грн
86+ 135.24 грн
95+ 123.39 грн
Мінімальне замовлення: 42
TK65E10N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
товар відсутній
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.4 грн
Мінімальне замовлення: 1000
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+79.6 грн
Мінімальне замовлення: 1000
TK65E10N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; Idm: 296A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK65G10N1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK65G10N1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK65G10N1,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 136A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TK65G10N1,RQToshibaMOSFET UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.53 грн
10+ 179.06 грн
100+ 125.23 грн
500+ 102.7 грн
1000+ 85.47 грн
2000+ 79.51 грн
5000+ 76.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK65G10N1,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 136A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TK65G10N1,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 283A; 156W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 283A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
TK65G10N1,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 283A; 156W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 283A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK65G10NE,RQ(SToshibaToshiba
товар відсутній
TK65L60V,VQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK65S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 65A 40V 88W 2800pF 0.0045
товар відсутній
TK65S04K3L(T6L1,NQTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK65S04K3L(T6L1,NQTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
TK65S04K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK65S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3
товар відсутній
TK65S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+56.72 грн
6000+ 52.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK65S04N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK65S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 7976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.15 грн
10+ 100.63 грн
100+ 80.08 грн
500+ 63.59 грн
1000+ 53.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK65S04N1L,LQToshibaMOSFET UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.37 грн
10+ 113.53 грн
100+ 78.18 грн
500+ 66.26 грн
1000+ 56.12 грн
2000+ 53.27 грн
4000+ 51.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK65S04N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
TK65S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK65S04N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK65S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.41 грн
10+ 61.15 грн
100+ 47.54 грн
500+ 37.82 грн
1000+ 30.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK65S04N1L,LXHQToshibaMOSFET 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 11935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.03 грн
10+ 68.58 грн
100+ 46.38 грн
500+ 39.36 грн
1000+ 32.07 грн
2000+ 30.15 грн
4000+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK65S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK65S04N1L,LXHQ(OToshibaSilicon N-Channel MOS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+69.88 грн
174+ 66.75 грн
250+ 64.07 грн
500+ 59.55 грн
1000+ 53.34 грн
2500+ 49.7 грн
Мінімальне замовлення: 167
TK67673M (TC)Description: SAFETY TAPE KIT-CONSUMER VERSION
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (4), Strips (46)
Tape Type: Safety
Tape Included: 17002, 220, 3431, 3903, 471, 6900, 766, 983-326, SJ3550, SJ3560
товар відсутній
TK68112AS-G
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68112AS2GOL-C
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68112SG
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68126AMFGOL-C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68129AMFGOL-C
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68418AB1G0B
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68522AS2-GH@C
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68528AS2-GH
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68530AS2-GH
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68530AS2-GH@C
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68533AS2-GH
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68HC11D0CFNE3TekmosMCU 8-bit CISC ROMLess 44-Pin PLCC
товар відсутній
TK68HC11D0CFNE3Tekmos Inc.MCU 8-bit CISC ROMLess 44-Pin PLCC
товар відсутній
TK68HC11D0CFNE3/REELSTekmos Inc.MCU 8-bit CISC ROMLess 44-Pin PLCC
товар відсутній
TK68HC11K1CFNE4TekmosMCU 8-bit CISC ROMLess 5V 84-Pin PLCC
товар відсутній
TK68HC11K1CFUE4TekmosHigh-Performance Microcontroller Units
товар відсутній
TK68HC24FN
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68HC705C9ACFNTekmosMCU 8-bit HC05 CISC 16KB Flash 44-Pin PLCC
товар відсутній
TK68HC705C9ACFNETekmosMCU 8-bit HC05 CISC 16KB Flash 44-Pin PLCC
товар відсутній
TK68HC711D3CFNE2TekmosTK68HC711D3CFNE2^TEKMOS
товар відсутній
TK68HC711D3CFNE3/REEL/TK7800A/P0310Tekmos Inc.TK68HC711D3CFNE3/REEL/TK7800A/P0310
товар відсутній
TK68HC711D3CFNE3/REELS/TK7707ATekmos Inc.TK68HC711D3CFNE3/REELS/TK7707A
товар відсутній
TK68HC711E9MFNE2Tekmos Inc.TK68HC711E9MFNE2
товар відсутній
TK68HC711KS2CFNE4-(PROG)TekmosTK68HC711KS2CFNE4-(PROG)^TEKMOS
товар відсутній
TK6900_1/2NA
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK6A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS
товар відсутній
TK6A45DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5.5A 450V 35W 490pF 1.35
товар відсутній
TK6A50D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK6A50D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
On-state resistance: 1.2Ω
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK6A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK6A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 6A 500V 35W 540pF 1.4 Ohm
товар відсутній
TK6A50D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
On-state resistance: 1.2Ω
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
товар відсутній
TK6A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO220SIS
товар відсутній
TK6A53D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm
товар відсутній
TK6A53D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS
товар відсутній
TK6A55DA
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK6A55DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 5.5A TO220SIS
товар відсутній
TK6A55DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48
товар відсутній
TK6A60
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK6A60DToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60D
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK6A60D(PHIL,Q,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60D(Q)ToshibaMOSFET
товар відсутній
TK6A60D(Q)
на замовлення 358 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK6A60D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK6A60D(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK6A60D(QM)ToshibaMOSFET
товар відсутній
TK6A60D(S4SH6,Q,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60D(S4SY,A,Q)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60D(S4SY,Q,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60D(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 600V 3.0s IDSS 10 uA 1.0 Ohm
товар відсутній
TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK6A60D(STA4,Q,M)
Код товару: 107094		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK6A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товар відсутній
TK6A60D(STA4,X,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60D(STA4,X,S)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60D,S5HITAPQ(JToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60D,S5Q(JToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60DR(Q,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60DR(STA4,Q,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60DR(STA4,X,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60DR,S4X(SToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
TK6A60W,S4VXToshibaMOSFET N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.01 грн
10+ 122.68 грн
100+ 98.72 грн
250+ 82.82 грн
500+ 72.88 грн
1000+ 61.02 грн
2500+ 59.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK6A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1200 шт
товар відсутній
TK6A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK6A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK6A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.01 грн
50+ 94.4 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK6A60WS4VX(MToshibaMOSFET
товар відсутній
TK6A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
товар відсутній
TK6A65DToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK6A65D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.5 грн
10+ 106.68 грн
100+ 84.81 грн
250+ 70.23 грн
500+ 62.88 грн
1000+ 51.88 грн
5000+ 50.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK6A65D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Case: TO220FP
товар відсутній
TK6A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6A65D(STA4,X,M)ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK6A65D(STA4,X,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A65D(STA4,X,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.95 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.09 грн
10+ 81.76 грн
100+ 63.18 грн
500+ 51.63 грн
1000+ 41.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
TK6A65D(STA4XM)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A65DSTA4QM
Код товару: 143200		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TK6A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK6A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
товар відсутній
TK6A65W,S5XToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
товар відсутній
TK6A65W,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK6A65W,S5X(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23.2A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.85Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK6A65W,S5X(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23.2A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.85Ω
товар відсутній
TK6A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.99 грн
10+ 98.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6A80E,S4XToshibaMOSFET PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.64 грн
10+ 107.44 грн
100+ 74.21 грн
250+ 68.25 грн
500+ 60.76 грн
1000+ 50.55 грн
2500+ 49.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6A80E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS Tube
товар відсутній
TK6A80E,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 18A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.39 грн
10+ 87.65 грн
12+ 72.47 грн
31+ 68.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6A80E,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6A
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK6A80E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.71 грн
10+ 107.78 грн
50+ 92.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK6A80E,S4X(SToshibaSilicon N-Channel MOS
товар відсутній
TK6A80E,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 18A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+142.71 грн
3+ 123.85 грн
10+ 105.18 грн
12+ 86.96 грн
31+ 81.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK6A80ES4X(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK6P-5.08TraktronixDescription: 6 PIN 5.08MM QUICK SPEAKER CONN
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.21 грн
TK6P53D
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK6P53D(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 525V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK6P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товар відсутній
TK6P53D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm
товар відсутній
TK6P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.59 грн
10+ 70.74 грн
100+ 54.99 грн
500+ 43.74 грн
1000+ 35.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6P60V,RVQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+72.28 грн
10+ 66.94 грн
100+ 61.83 грн
500+ 55.53 грн
1000+ 48.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
TK6P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.15 грн
10+ 100.7 грн
100+ 80.14 грн
500+ 63.64 грн
1000+ 54 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6P60W,RVQToshibaMOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.31 грн
10+ 81.53 грн
100+ 60.96 грн
250+ 60.23 грн
500+ 54.13 грн
1000+ 52.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+77.84 грн
162+ 72.09 грн
175+ 66.59 грн
500+ 59.8 грн
1000+ 51.71 грн
Мінімальне замовлення: 150
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
TK6P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
товар відсутній
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
TK6P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+83.71 грн
153+ 76.2 грн
188+ 61.99 грн
201+ 55.97 грн
1000+ 45.83 грн
Мінімальне замовлення: 139
TK6P60W,RVQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 24.8A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 24.8A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK6P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.03 грн
10+ 88.45 грн
100+ 73.29 грн
500+ 57.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK6P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
TK6P60W,RVQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 24.8A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 24.8A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK6P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.29 грн
500+ 57.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK6P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
товар відсутній
TK6P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK6P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.44 грн
10+ 69.09 грн
100+ 53.73 грн
500+ 42.74 грн
1000+ 34.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6P65W,RQToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 7670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.85 грн
10+ 77.72 грн
100+ 52.74 грн
500+ 44.72 грн
1000+ 36.44 грн
2000+ 34.26 грн
4000+ 32.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6P65W,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23.2A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.89Ω
товар відсутній
TK6P65W,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23.2A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.89Ω
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK6P65W,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK6Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
TK6Q60W,S1VQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
товар відсутній
TK6Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.71 грн
75+ 96.66 грн
150+ 79.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6Q60W,S1VQ(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 24.8A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 24.8A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK6Q60W,S1VQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
TK6Q60W,S1VQ(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 24.8A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 24.8A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK6Q65W,S1QToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
товар відсутній
TK6Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 19
TK6Q65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK6Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK6Q65W,S1Q(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK6Q65W,S1Q(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23.2A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.89Ω
товар відсутній
TK6Q65W,S1Q(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23.2A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.89Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK6R4E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R4E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 112 A, 0.0055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 152W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.44 грн
10+ 89.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK6R4E10PL,S1X(SToshibaPower MOSFET (N-ch single 60V
товар відсутній
TK6R7A10PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3455 pF @ 50 V
товар відсутній
TK6R7A10PL,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.36 грн
10+ 84.58 грн
100+ 57.51 грн
500+ 48.7 грн
1000+ 39.69 грн
2500+ 37.37 грн
5000+ 35.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6R7A10PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK6R7A10PL,S4X(SToshibaSilicon N-channel MOS
товар відсутній
TK6R7P06PLToshibaToshiba
товар відсутній
TK6R7P06PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK6R7P06PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 25753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.21 грн
10+ 47.21 грн
100+ 36.7 грн
500+ 29.2 грн
1000+ 23.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK6R7P06PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK6R7P06PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.77 грн
5000+ 22.72 грн
12500+ 21.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TK6R7P06PL,RQToshibaMOSFET N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W
на замовлення 29509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.44 грн
10+ 64.92 грн
100+ 44.06 грн
500+ 36.38 грн
1000+ 28.76 грн
2500+ 26.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK6R7P06PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; Idm: 190A; 66W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R7P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 66W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK6R7P06PL,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK6R7P06PL,RQ(S2ToshibaTK6R7P06PL,RQ(S2
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+84.3 грн
Мінімальне замовлення: 138
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R7P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 66W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.02 грн
11+ 69.2 грн
100+ 56.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; Idm: 190A; 66W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK6R8A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK6R8A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK6R8A08QM,S4XToshibaMOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.22 грн
10+ 80.77 грн
100+ 55.52 грн
500+ 45.06 грн
1000+ 33.13 грн
5000+ 31.47 грн
10000+ 30.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6R8A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6R8A08QM,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R8A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58 A, 0.0053 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.69 грн
50+ 100.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK6R8A08QM,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK6R9P08QM,RQToshibaMOSFET UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm
на замовлення 31625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+78.85 грн
10+ 63.78 грн
100+ 43.13 грн
500+ 36.57 грн
1000+ 29.82 грн
2500+ 28.03 грн
5000+ 26.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6R9P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.39 грн
10+ 56.8 грн
100+ 44.19 грн
500+ 35.15 грн
1000+ 28.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6R9P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 62A T/R
товар відсутній
TK6R9P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.83 грн
5000+ 27.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TK6R9P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK6R9P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK6R9P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.22 грн
12+ 66.97 грн
100+ 48.39 грн
500+ 38.1 грн
1000+ 31.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
TK6R9P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.39 грн
500+ 38.1 грн
1000+ 31.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK6R9P08QM,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній