Продукція > SUD

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD06N10-225L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD06N10-225L-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD06N10-225L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252

товар відсутній

SUD06N10-225L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252

товар відсутній

SUD06N10-225L-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA

товар відсутній

SUD06N10-225L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD06N10-225L-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA

товар відсутній

SUD06N10-22L

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD06N10-255L

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD08P06-155L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD08P06-155L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD08P06-155L-BE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.4A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товар відсутній

SUD08P06-155L-BE3

SUD08P06-155L-BE3

товар відсутній

SUD08P06-155L-BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 110527 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.73 грн
10+	56.08 грн
100+	37.97 грн
500+	32.14 грн
1000+	26.17 грн
2000+	24.18 грн
4000+	23.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD08P06-155L-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 2144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.94 грн
10+	51.7 грн
100+	40.18 грн
500+	31.96 грн
1000+	26.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD08P06-155L-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD08P06-155L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD08P06-155L-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD08P06-155L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD08P06-155L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD08P06-155L-GE3

Description: VISHAY - SUD08P06-155L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.2 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.31 грн
500+	29.19 грн
2000+	25.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUD08P06-155L-GE3

MOSFET -30V 0.155ohm@-10V -8.4A P-CH

на замовлення 17336 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.73 грн
10+	56.08 грн
100+	37.97 грн
500+	32.14 грн
1000+	26.17 грн
2000+	23.92 грн
4000+	23.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD08P06-155L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD08P06-155L-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SUD08P06-155L-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	27.12 грн
6000+	24.87 грн
10000+	23.73 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD08P06-155L-GE3

на замовлення 2992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.79 грн
12+	66.75 грн
100+	48.31 грн
500+	29.19 грн
2000+	25.61 грн

Мінімальне замовлення: 10

SUD08P06-155L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	23.34 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD08P06-155L-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET

товар відсутній

SUD08P06-155L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD08P06-155L-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

на замовлення 19648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.94 грн
10+	51.7 грн
100+	40.18 грн
500+	31.96 грн
1000+	26.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD08P06-155L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD08P06-155L-T4E3

Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD08P06-1S5L-E3

на замовлення 248 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD09P10-195-BE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товар відсутній

SUD09P10-195-BE3

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD09P10-195-BE3

SUD09P10-195-BE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SUD09P10-195-BE3

MOSFET 100V P-CH MOSFET (D-S)

на замовлення 135150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.68 грн
10+	48.31 грн
100+	32.73 грн
500+	27.76 грн
1000+	22.59 грн
2000+	21.2 грн
4000+	20.67 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD09P10-195-BE3

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V

на замовлення 1974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.36 грн
10+	53.42 грн
100+	41.67 грн
500+	32.31 грн
1000+	25.5 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD09P10-195-BE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товар відсутній

SUD09P10-195-GE3

MOSFET -100V 195mOhms@ 10V -8.8A

на замовлення 15319 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.46 грн
10+	53.79 грн
100+	37.63 грн
500+	31.08 грн
1000+	26.9 грн
4000+	25.51 грн
10000+	24.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD09P10-195-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	22.81 грн
6000+	20.92 грн
10000+	19.95 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD09P10-195-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD09P10-195-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

159+	73.24 грн
187+	62.39 грн
218+	53.4 грн
230+	48.83 грн
500+	42.3 грн

Мінімальне замовлення: 159

SUD09P10-195-GE3

Description: VISHAY - SUD09P10-195-GE3 - MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

на замовлення 1976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	67.71 грн
13+	57.31 грн
25+	53.96 грн
50+	46.79 грн
100+	40.33 грн

Мінімальне замовлення: 11

SUD09P10-195-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	25.05 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD09P10-195-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V

на замовлення 30253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.19 грн
10+	43.48 грн
100+	33.79 грн
500+	26.88 грн
1000+	21.9 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD09P10-195-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD09P10-195-GE3

SUD09P10-195-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SUD10P06

на замовлення 3212 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD10P06-280L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD10P06-280L

Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD10P06-280L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD10P06-280L

09+ SSOP20

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD10P06-280L

MOSFET 60V 10A 37W

товар відсутній

SUD10P06-280L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD08P06-155LGE3

товар відсутній

SUD10P06-280L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD10P06-280L-E3

на замовлення 682 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD10P06-280L-T4

MOSFET 60V P-CH 280MOHM 8M LOWVT

товар відсутній

SUD10P06-280L-T4E3

товар відсутній

SUD10P06-28DL

на замовлення 3666 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD10P06-28L

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD12NE06

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15N015-95

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15N06

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15N06

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15N06-90L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15N06-90L

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD15N06-90L-E3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15N06-90L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD15N15-95

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15N15-95

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15N15-95

09+ TSSOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15N15-95-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 6310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.91 грн
10+	113.54 грн
100+	90.39 грн
500+	71.78 грн
1000+	60.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD15N15-95-BE3

MOSFET 150V N-CH (D-S) 175 DEG.C

на замовлення 3587 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.28 грн
10+	124.96 грн
100+	86.14 грн
500+	85.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD15N15-95-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	64.02 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD15N15-95-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 15A; Idm: 25A; 62W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SUD15N15-95-E3

товар відсутній

SUD15N15-95-E3

Description: VISHAY - SUD15N15-95-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 6102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.51 грн
10+	104.8 грн
100+	83.99 грн
500+	68.95 грн
1000+	54.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD15N15-95-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 6643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.91 грн
10+	113.54 грн
100+	90.39 грн
500+	71.78 грн
1000+	60.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD15N15-95-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD15N15-95-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	64.02 грн
6000+	59.33 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD15N15-95-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT SUD15N15-95

на замовлення 21328 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.28 грн
10+	114.3 грн
100+	82.16 грн
250+	81.5 грн
500+	71.56 грн
1000+	62.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD15N15-T1-E3

на замовлення 1182 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15P01-52

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15P01-52

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15P01-52-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD15P02-52

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD17N25-165

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD17N25-165

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD17N25-165-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD17N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO252

товар відсутній

SUD17N25-165-E3

на замовлення 29000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD17N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO252

товар відсутній

SUD19N20

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19N20-90

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19N20-90

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19N20-90-BE3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19N20-90-BE3

MOSFET N-CHANNEL 200V (D-S

на замовлення 2732 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.03 грн
10+	172.97 грн
100+	119.26 грн
250+	109.99 грн
500+	100.71 грн
1000+	85.47 грн
2000+	81.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD19N20-90-BE3

Description: MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD19N20-90-BE3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19N20-90-BE3

Description: MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD19N20-90-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SUD19N20-90-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	87.19 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD19N20-90-E3
Код товару: 154670

товар відсутній

SUD19N20-90-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19N20-90-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19N20-90-E3

Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 3
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

SUD19N20-90-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19N20-90-E3

товар відсутній

SUD19N20-90-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

на замовлення 3073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.52 грн
10+	154.67 грн
100+	123.11 грн
500+	97.76 грн
1000+	82.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD19N20-90-E3

Description: VISHAY - SUD19N20-90-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 19
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

SUD19N20-90-E3

MOSFET 200V N-CH (D-S) 175 DEG.C

на замовлення 2556 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.71 грн
10+	173.73 грн
100+	119.93 грн
250+	114.63 грн
500+	101.37 грн
1000+	87.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD19N20-90-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD19N20-90-T4-E3

MOSFET N-CH 200V 19A

товар відсутній

SUD19N20-90-T4-E3

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19N20-90-T4-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD19P06

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19P06-60-BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 15362 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81.17 грн
10+	65.68 грн
100+	44.46 грн
500+	37.7 грн
1000+	30.68 грн
2000+	28.62 грн
4000+	28.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD19P06-60-BE3

SUD19P06-60-BE3

товар відсутній

SUD19P06-60-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

на замовлення 3741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	73.82 грн
10+	58.46 грн
100+	45.49 грн
500+	36.19 грн
1000+	29.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD19P06-60-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19P06-60-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252

товар відсутній

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19P06-60-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252

товар відсутній

SUD19P06-60-E3

MOSFET 60V 19A 38.5W

на замовлення 34547 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81.17 грн
10+	65.68 грн
100+	44.46 грн
500+	37.7 грн
1000+	30.68 грн
2000+	27.5 грн
4000+	27.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD19P06-60-E3
Код товару: 75848

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

SUD19P06-60-E3

SUD19P06-60-E3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SUD19P06-60-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	22.11 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD19P06-60-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

на замовлення 68000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	31.02 грн
6000+	28.45 грн
10000+	27.14 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD19P06-60-GE3

MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V

на замовлення 16406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.44 грн
10+	79.24 грн
100+	53.67 грн
500+	44.33 грн
1000+	35.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD19P06-60-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.19A; 2.3W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.19A
Power dissipation: 2.3W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.49 грн
8+	46.93 грн

Мінімальне замовлення: 7

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19P06-60-GE3

на замовлення 9 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	67.79 грн
5+	58.49 грн
24+	41.41 грн
65+	38.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUD19P06-60-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 18.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19P06-60-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

на замовлення 70063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	74.54 грн
10+	59.08 грн
100+	45.96 грн
500+	36.56 грн
1000+	29.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD19P06-60-GE3

Description: VISHAY - SUD19P06-60-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.3 A, 0.048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 18.3
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 38.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 38.5
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 7538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.79 грн
50+	71.43 грн
100+	64 грн
500+	49.07 грн

Мінімальне замовлення: 10

SUD19P06-60L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19P06-60L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19P06-60L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	88.77 грн
10+	72.46 грн
25+	71.54 грн
100+	53.23 грн
250+	48.79 грн
500+	39.36 грн
1000+	30.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

SUD19P06-60L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

на замовлення 21426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.86 грн
10+	66.05 грн
100+	51.37 грн
500+	40.86 грн
1000+	33.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD19P06-60L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19P06-60L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

149+	78.03 грн
151+	77.04 грн
196+	59.44 грн
250+	56.75 грн
500+	44.16 грн
1000+	32.34 грн

Мінімальне замовлення: 149

SUD19P06-60L-E3

на замовлення 1630 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19P06-60L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 19A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	34.67 грн
6000+	31.8 грн
10000+	30.33 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD19P06-60L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD19P06-60L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -19A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 46W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SUD19P06-60L-E3

MOSFET 60V 19A 46W 60mohm @ 10V

на замовлення 47654 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.44 грн
10+	73 грн
100+	48.77 грн
500+	41.21 грн
1000+	34.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD19P06-60L-E3

товар відсутній

SUD19P0660

на замовлення 9300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD19P0660L

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD20N10-66L-BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.19 грн
10+	46.04 грн
100+	31.87 грн
500+	24.99 грн
1000+	21.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD20N10-66L-BE3

MOSFET 100V N-CH TO-252

на замовлення 15885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.98 грн
10+	50.44 грн
100+	30.41 грн
500+	25.38 грн
1000+	21.6 грн
2000+	19.68 грн
4000+	18.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD20N10-66L-BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD20N10-66L-BE3

SUD20N10-66L-BE3

товар відсутній

SUD20N10-66L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD20N10-66L-GE3

MOSFET N-Channel 100-V D-S

на замовлення 5915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.98 грн
10+	50.44 грн
100+	30.41 грн
500+	25.38 грн
1000+	21.6 грн
2000+	19.28 грн
4000+	18.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD20N10-66L-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16.9A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SUD20N10-66L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD20N10-66L-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V

на замовлення 5493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.19 грн
10+	46.04 грн
100+	31.87 грн
500+	24.99 грн
1000+	21.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD20N10-66L-GE3

товар відсутній

SUD20N10-66L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	52.6 грн
13+	44.45 грн

Мінімальне замовлення: 11

SUD20N10-66L-GE3

SUD20N10-66L-GE3 Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 605 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

SUD20N10-66L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD20N10-66L-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	20.96 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD23N06-31

10+ TSSOP8

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD23N06-31-BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD23N06-31-BE3

SUD23N06-31-BE3

товар відсутній

SUD23N06-31-BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товар відсутній

SUD23N06-31-BE3
Код товару: 75849

товар відсутній

SUD23N06-31-BE3

Description: VISHAY - SUD23N06-31-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 21.4A, TO-252
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 21.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 31.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31.25
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: Lead

товар відсутній

SUD23N06-31-BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.92 грн
10+	48.18 грн
100+	37.46 грн
500+	29.8 грн
1000+	24.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD23N06-31-BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 957 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.87 грн
10+	54.1 грн
100+	36.57 грн
500+	31.08 грн
1000+	25.31 грн
2000+	23.79 грн
4000+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD23N06-31-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17.1A
Power dissipation: 31.25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1969 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	59.46 грн
10+	37.27 грн
25+	32.85 грн
27+	29.6 грн
75+	27.99 грн
500+	27.54 грн

Мінімальне замовлення: 7

SUD23N06-31-GE3

Description: VISHAY - SUD23N06-31-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21.4 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.25W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 2189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	65.63 грн
50+	56.34 грн
100+	47.12 грн
500+	36.72 грн
1000+	27.2 грн

Мінімальне замовлення: 12

SUD23N06-31-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	25.29 грн
6000+	23.19 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD23N06-31-GE3

MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V

на замовлення 22919 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.87 грн
10+	54.1 грн
100+	36.57 грн
500+	31.08 грн
1000+	25.31 грн
2000+	23.06 грн
4000+	22.4 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD23N06-31-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD23N06-31-GE3

на замовлення 1969 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	71.35 грн
6+	46.44 грн
25+	39.42 грн
27+	35.52 грн
75+	33.58 грн
500+	33.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD23N06-31-GE3

на замовлення 2189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.12 грн
500+	36.72 грн
1000+	27.2 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUD23N06-31-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD23N06-31-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 8152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.92 грн
10+	48.18 грн
100+	37.46 грн
500+	29.8 грн
1000+	24.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD23N06-31-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	21.41 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD23N06-31-T4-GE3

на замовлення 2475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.44 грн
10+	68.81 грн
100+	53.52 грн
500+	42.57 грн
1000+	34.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD23N06-31-T4-GE3

товар відсутній

SUD23N06-31-T4-GE3

MOSFET N-Channel 60-V (D-S)

на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.85 грн
10+	76.96 грн
100+	52.34 грн
500+	44.39 грн
1000+	36.11 грн
2500+	33.92 грн
5000+	32.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD23N06-31L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD23N06-31L

MOSFET 60V 23A 100W

товар відсутній

SUD23N06-31L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD23N06-31L-E3

MOSFET 60V 23A 100W

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SUD23N06-31L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD23N06-31L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD23N06-31L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD23N06-31L-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 5094 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.36 грн
10+	48.73 грн
100+	37.91 грн
500+	30.15 грн
1000+	24.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD23N06-31L-T4-E3

MOSFET N-CH 60-V (D-S) 175C Logic Level

на замовлення 12018 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.33 грн
10+	54.86 грн
100+	37.17 грн
500+	31.47 грн
1000+	25.64 грн
2500+	23.59 грн
5000+	22.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD23N06-31L-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 60V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.58 грн
5000+	23.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SUD23N06-31L-T4-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD23N06-31L-T4BE3

товар відсутній

SUD23N06-31L-T4BE3

MOSFET 60V N-CHANNEL

на замовлення 3339 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.73 грн
10+	56 грн
100+	37.9 грн
500+	32.14 грн
1000+	28.95 грн
2500+	28.89 грн
5000+	22.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD23N06-31L-T4BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товар відсутній

SUD23N06-31L-T4BE3

товар відсутній

SUD25N04

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N04-25

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N04-25

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N04-25-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD25N04-25-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO252

товар відсутній

SUD25N04-25-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO252

товар відсутній

SUD25N05-45L

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N06-45L
Код товару: 133238

товар відсутній

SUD25N06-45L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N06-45L

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N06-45L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N06-45L

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD23N06-31-GE3

товар відсутній

SUD25N06-45L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD25N06-45L-E3

10+ SOP

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N06-45L-E3

MOSFET 60V 25A 50W

товар відсутній

SUD25N06-45L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD25N06-45L-T4

MOSFET 60V N-CH LOGIC LEVEL

товар відсутній

SUD25N15-52

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N15-52

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD25N15-52

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD25N15-52-E3

товар відсутній

SUD25N15-52-BE3

SUD25N15-52-BE3

товар відсутній

SUD25N15-52-BE3

MOSFET 150V N-CH (D-S) 175 DEG.C

на замовлення 7683 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	173.93 грн
10+	142.49 грн
100+	98.72 грн
500+	83.49 грн
1000+	70.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD25N15-52-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	71.26 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD25N15-52-BE3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A

товар відсутній

SUD25N15-52-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

на замовлення 5390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	158.4 грн
10+	126.44 грн
100+	100.6 грн
500+	79.89 грн
1000+	67.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD25N15-52-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

на замовлення 2354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.83 грн
10+	128.03 грн
100+	101.89 грн
500+	80.92 грн
1000+	68.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD25N15-52-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 50A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SUD25N15-52-E3

Description: VISHAY - SUD25N15-52-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	188.79 грн
10+	146.43 грн
100+	113.72 грн
500+	91.8 грн
1000+	75.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD25N15-52-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD25N15-52-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD25N15-52-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	72.17 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD25N15-52-E3

товар відсутній

SUD25N15-52-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD25N15-52-E3

MOSFET 150V 25A 136W 52mohm @ 10V

на замовлення 4839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	173.93 грн
10+	150.11 грн
100+	105.35 грн
250+	101.37 грн
500+	88.12 грн
1000+	73.55 грн
2000+	70.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD25N15-52-T4-E3

MOSFET N-Channel 150-V D-S

товар відсутній

SUD25N15-52-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD30N03

на замовлення 145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD30N03-30

MOSFET 30V 30A 50W

товар відсутній

SUD30N03-30

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD30N03-30

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD30N03-30-E3

MOSFET 30V 30A 50W

товар відсутній

SUD30N03-30-T4

MOSFET 30V-30MILLIOHM N-CH

товар відсутній

SUD30N03-30-T4

на замовлення 3822 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD30N04-10

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD30N04-10

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD30N04-10

MOSFET 40V 30A 97W

товар відсутній

SUD30N04-10-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD30N04-10-E3

MOSFET 40V 30A 97W

товар відсутній

SUD30N04-10-T1-E3

MOSFET

товар відсутній

SUD30N04-10-T4

MOSFET 40V N-CH 12MTRENCH

товар відсутній

SUD35N05

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD35N05-26

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD35N05-26L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD35N05-26L
Код товару: 122656

товар відсутній

SUD35N05-26L

Trans MOSFET N-CH 55V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD35N05-26L-E3

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD35N05-26L-E3

Trans MOSFET N-CH 55V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD35N05-26L-E3

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO252

товар відсутній

SUD35N05-26L-E3

Description: MOSFET N-CH 55V 35A TO252

товар відсутній

SUD35N10-26

на замовлення 35 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD35N10-26P-BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

на замовлення 1835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.9 грн
10+	109.6 грн
100+	87.22 грн
500+	69.26 грн
1000+	58.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD35N10-26P-BE3

MOSFET 100V N-CH (D-S)

на замовлення 25970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.96 грн
10+	123.44 грн
100+	85.47 грн
250+	82.16 грн
500+	72.22 грн
1000+	61.16 грн
2000+	60.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD35N10-26P-BE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUD35N10-26P-BE3

товар відсутній

SUD35N10-26P-BE3

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

товар відсутній

SUD35N10-26P-BE3

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 4-Pin(3+Tab) TO-252

товар відсутній

SUD35N10-26P-BE3

SUD35N10-26P-BE3

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	74.81 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD35N10-26P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	150.47 грн
10+	133.65 грн
25+	128.13 грн
100+	103.82 грн
250+	94.68 грн
500+	72.85 грн
1000+	64.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD35N10-26P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

на замовлення 308 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.9 грн
10+	109.6 грн
100+	87.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD35N10-26P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD35N10-26P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD35N10-26P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

товар відсутній

SUD35N10-26P-E3

MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V

на замовлення 5237 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.96 грн
10+	123.44 грн
100+	85.47 грн
250+	78.85 грн
500+	71.56 грн
1000+	61.16 грн
2000+	56.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD35N10-26P-E3

товар відсутній

SUD35N10-26P-E3

товар відсутній

SUD35N10-26P-GE3

N-Channel 100 V MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	69.42 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD35N10-26P-GE3

MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V

на замовлення 19417 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.96 грн
10+	123.44 грн
100+	85.47 грн
250+	78.85 грн
500+	71.56 грн
1000+	61.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD35N10-26P-GE3

товар відсутній

SUD35N10-26P-GE3

товар відсутній

SUD35N10-26P-GE3

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.9 грн
10+	109.6 грн
100+	87.22 грн
500+	69.26 грн
1000+	58.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD35N10-26P-GE3

N-Channel 100 V MOSFET

товар відсутній

SUD35N10-26P-GE3

товар відсутній

SUD35N10-26P-T4GE3

товар відсутній

SUD35N10-26P-T4GE3

MOSFET N-Channel 100-V D-S

товар відсутній

SUD40151EL-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -42A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -42A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUD40151EL-GE3

товар відсутній

SUD40151EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V

на замовлення 2329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.41 грн
10+	96.14 грн
100+	76.57 грн
500+	60.8 грн
1000+	51.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD40151EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SUD40151EL-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-252

на замовлення 67017 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.64 грн
10+	106.68 грн
100+	74.87 грн
250+	68.25 грн
500+	62.22 грн
1000+	53.21 грн
2000+	52.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD40151EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SUD40151EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V

товар відсутній

SUD40151EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SUD40N02-08

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N02-08

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N02-08-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N02-08-E3

на замовлення 1931 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N02-08-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 40A TO252

товар відсутній

SUD40N02-3M3P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 24.4A/40A TO252

товар відсутній

SUD40N02-3M3P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 24.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N03

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N03-18

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N03-18P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N03-18P

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N03-18P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N04-10A

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N04-10A

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N04-10A

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N04-10A-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N04-10A-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252

товар відсутній

SUD40N04-10A-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N04-10A-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252

товар відсутній

SUD40N04-10AE3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N06
Код товару: 58679

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

SUD40N06-24

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N06-24-T4

MOSFET 60V N-CH .024

товар відсутній

SUD40N06-25L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N06-25L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N06-25L

MOSFET 60V 20A 75W

товар відсутній

SUD40N06-25L
Код товару: 88851

Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00

товар відсутній

SUD40N06-25L-E3

MOSFET 60V 20A 75W

товар відсутній

SUD40N06-25L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N06-25L-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N06-25L-T1-E3

MOSFET

товар відсутній

SUD40N06-25L-T4

MOSFET 60V AS 10MIL TRIMTL2 @2V 25R

товар відсутній

SUD40N0625LE3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N08-16

MOSFET 80V 40A 100W

товар відсутній

SUD40N08-16

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N08-16

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N08-16-E3

Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	189.65 грн
10+	143.85 грн
25+	142.49 грн
100+	120.48 грн
250+	99.68 грн
500+	91.57 грн
1000+	86.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD40N08-16-E3

Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N08-16-E3

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD40N08-16-E3

Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N08-16-E3

SUD40N08-16-E3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SUD40N08-16-E3

MOSFET 80V 40A 100W

на замовлення 9825 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.26 грн
10+	175.25 грн
100+	123.24 грн
500+	109.99 грн
1000+	101.37 грн
2000+	100.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD40N08-16-E3

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V

на замовлення 1838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	218.6 грн
10+	188.97 грн
100+	154.82 грн
500+	123.69 грн
1000+	104.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD40N08-16-E3

Description: VISHAY - SUD40N08-16-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.013 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	292.85 грн
10+	249 грн
100+	215.55 грн
500+	170.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD40N08-16-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N08-16-T4

09+ DIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N10-25

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD35N10-26P-GE3

товар відсутній

SUD40N10-25

0630+

на замовлення 520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N10-25

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N10-25

на замовлення 12170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N10-25

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N10-25

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40N10-25-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

на замовлення 2176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	201.4 грн
10+	162.68 грн
100+	131.58 грн
500+	109.76 грн
1000+	93.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD40N10-25-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SUD40N10-25-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N10-25-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	78.85 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD40N10-25-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD40N10-25-E3

товар відсутній

SUD40N10-25-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD40N10-25-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT SUD35N10-26P-GE3

на замовлення 8483 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.67 грн
10+	178.3 грн
25+	146.43 грн
100+	125.89 грн
250+	118.6 грн
500+	111.31 грн
1000+	95.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD40N10-25-T4-E3

MOSFET N-Channel 100-V D-S

товар відсутній

SUD40N10-25-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

товар відсутній

SUD40N1025

0433

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD40P03-20

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD42N03-3M9P-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

товар відсутній

SUD42N03-3M9P-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO252

товар відсутній

SUD42N03-3M9P-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO252

товар відсутній

SUD42N03-3M9P-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 30V 107A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD45N05

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45N05-20L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45N05-20L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45N05-20L

MOSFET 50V 30A 75W

товар відсутній

SUD45N05-20L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD23N06-31-GE3

товар відсутній

SUD45N05-20L-E3

Trans MOSFET N-CH 50V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD45P03

на замовлення 682 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45P03-09-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 45A DPAK

на замовлення 12521 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUD45P03-09-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 45A DPAK

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUD45P03-09-GE3

Description: VISHAY - SUD45P03-09-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 45 A, 0.0072 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 45
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 41.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 41.7
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

товар відсутній

SUD45P03-09-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 45A DPAK

на замовлення 12521 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUD45P03-09-GE3

MOSFET 30V 45A PCH

на замовлення 13533 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SUD45P03-10

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45P03-10

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45P03-10-E3

Description: MOSFET P-CH 30V TO252

товар відсутній

SUD45P03-10-E3
Код товару: 92766

товар відсутній

SUD45P03-10-E3

Description: MOSFET P-CH 30V TO252

товар відсутній

SUD45P03-15

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45P03-15

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45P03-15-E3

Description: MOSFET P-CH 30V TO252

товар відсутній

SUD45P03-15-E3

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45P03-15-T1-E3

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD45P04-16P-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 36A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD492H

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD492H

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD492J

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD492J

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD494J

AUK

на замовлення 6200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD494J

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD494J

AUK

07+ SOT-363

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD494N

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD494N

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50M02-12P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50M02-12P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N014-06P

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-04P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-04P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-04P-E3

на замовлення 1840 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-04P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V

товар відсутній

SUD50N02-06

на замовлення 6800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-06-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-06-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 30A TO252

товар відсутній

SUD50N02-06-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N02-06P

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N02-06P

MOSFET OBSOLETE - USE SUD50N02-06P-E3

товар відсутній

SUD50N02-06P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-06P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-06P-E3

MOSFET 20V 26A 65W

товар відсутній

SUD50N02-06P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V

товар відсутній

SUD50N02-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUD50N02-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N02-06P-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N02-06P-E3

товар відсутній

SUD50N02-06P-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

SUD50N02-06P-T4

MOSFET 20V 26A 65W

товар відсутній

SUD50N02-09P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-09P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-09P

MOSFET 20V 20A 6.5W

товар відсутній

SUD50N02-09P-E3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

товар відсутній

SUD50N02-09P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUD50N02-06P-GE3

товар відсутній

SUD50N02-09P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N02-09P-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

товар відсутній

SUD50N02-09P-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUD50N02-06P-GE3

товар відсутній

SUD50N02-09P-GE3

N-Ch MOSFET DPak (TO-252) 20V 9.5mohm @ 10V 175C Rated

товар відсутній

SUD50N02-09P-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

товар відсутній

SUD50N02-09P-T4

MOSFET

товар відсутній

SUD50N02-09P-T4-E3

MOSFET

товар відсутній

SUD50N02-11P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-11P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-12P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N02-12P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N0206

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N0206T4

на замовлення 294 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-0

на замовлення 3774 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-06

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-06

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-06P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-06P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-06P

TO252

на замовлення 2528 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-06P

MOSFET OBSOLETE - USE SUD50N025-06P-E3

товар відсутній

SUD50N024-06P
Код товару: 89310

товар відсутній

SUD50N024-06P-E3

MOSFET 24V 80A 6.8W

товар відсутній

SUD50N024-06P-T4

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-06P-T4E3

TO252

на замовлення 42900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-09F-T4

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-09P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-09P

TO252

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-09P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-09P транзистор
Код товару: 85069

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

SUD50N024-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 22V 49A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 22 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

товар відсутній

SUD50N024-09P-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-09P-E4E3

TO252

на замовлення 22541 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-09P-T4

на замовлення 3774 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-09P-T4E3

на замовлення 4200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N024-6D-24

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N025

на замовлення 1072 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N025-05P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N025-05P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N025-06P-E3

06+

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N025-06P-E3

MOSFET 25V 78A 65W

товар відсутній

SUD50N025-06P-E3

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N025-06P-E3

Description: MOSFET N-CH 25V 78A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.7W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V

товар відсутній

SUD50N025-09BP-4E3

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N025-09BP-E3

Description: MOSFET N-CH D-S 25V TO252

товар відсутній

SUD50N03

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-06

vishay

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-06AP-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-06AP-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SUD50N03-06AP-E3

товар відсутній

SUD50N03-06AP-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-06AP-E3

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-06AP-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V

на замовлення 4295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.34 грн
10+	79.92 грн
100+	63.64 грн
500+	50.53 грн
1000+	42.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD50N03-06AP-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-06AP-E3

MOSFET 30V 90A 83W

на замовлення 2891 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.45 грн
10+	87.63 грн
100+	60.69 грн
250+	55.99 грн
500+	50.82 грн
1000+	43.6 грн
2000+	41.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD50N03-06AP-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	45.07 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50N03-06AP-T4E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V

товар відсутній

SUD50N03-06P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-06P

MOSFET RECOMMENDED ALT SUD50N048M8P4GE3

товар відсутній

SUD50N03-06P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-06P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 84A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N03-06P-E3

09+

на замовлення 478 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-07

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-07

SIL

02+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-07

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-07

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3

товар відсутній

SUD50N03-07-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-07-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3

товар відсутній

SUD50N03-07-T4

Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-06AP-E3

товар відсутній

SUD50N03-07AP

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3

товар відсутній

SUD50N03-07AP

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-07AP-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N03-06AP-E3

товар відсутній

SUD50N03-07AP-T4

MOSFET 30V N-CH, 175DEG C RATED

товар відсутній

SUD50N03-09P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-09P

VISHY

2004

на замовлення 1727 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-09P

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-09P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 63A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N03-09P-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-09P-E3

09+

на замовлення 618 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-09P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 63A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N03-09P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-09P-GE3

товар відсутній

SUD50N03-09P-GE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SUD50N03-1

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10
Код товару: 36248

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 15 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3200/55
Монтаж: SMD

товар відсутній

SUD50N03-10

02+

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

товар відсутній

SUD50N03-10

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10-E3

MOSFET 30V 15A 83W

товар відсутній

SUD50N03-10-T4

Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3

товар відсутній

SUD50N03-10-T4

на замовлення 1588 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10-T4-E3

товар відсутній

SUD50N03-10AP

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10AP

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10AP

MOSFET 30V 20A 71W

товар відсутній

SUD50N03-10AP-E3

MOSFET 30V 20A 71W

товар відсутній

SUD50N03-10AP-E3

09+

на замовлення 396 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10AP-T4

Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3

товар відсутній

SUD50N03-10BP

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

товар відсутній

SUD50N03-10BP-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

товар відсутній

SUD50N03-10BP-T4

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10BP-T4

MOSFET 30V N-CH 175DEG C RATED

товар відсутній

SUD50N03-10BP-T4-E3

MOSFET

товар відсутній

SUD50N03-10CP

MOSFET N-CH 30V(D-S),175 C MOSFET PWM OPTIMIZED

товар відсутній

SUD50N03-10CP

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10CP

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10CP-E3

Vishay OBSOLETE - USE SUD50N03-09P-E3

товар відсутній

SUD50N03-10CP-T4

товар відсутній

SUD50N03-10CP-T4E3

товар відсутній

SUD50N03-10P

SOT252/2.5

на замовлення 864 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-10P

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6_GE3

товар відсутній

SUD50N03-10P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

товар відсутній

SUD50N03-10P-T4

MOSFET 30V N-CH 10MOHM, 32M CELL TRENCH

товар відсутній

SUD50N03-11

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-11

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-11

SILICON

04+

на замовлення 1207 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-11

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-11*

на замовлення 34000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-11-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N03-11-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-12P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-12P

Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-12P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-12P-E3

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-12P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N03-12P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-12P-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N03-12P-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-16

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-16P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-16P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N03-16P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N03-16P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N03-16P-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N03-7M3P-E3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N0307E3

на замовлення 3898 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-05L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-05L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-05L-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 115A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N04-05L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3

товар відсутній

SUD50N04-05L-E3

TO-252

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-05L-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-05L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 115A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N04-06H

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-06H

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-06H-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 109A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N04-06H-E3

MOSFET 40V 109A 136W 6.0mohm @ 10V

товар відсутній

SUD50N04-07-E3

0904+

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-07L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-07L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N04-07L-E3

MOSFET 40V 65A 65W 7.4mohm @ 10V

товар відсутній

SUD50N04-09H-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N04-09H-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 115A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N04-09H-E3

MOSFET 40V 50A 83.3W 9.0mohm @ 10V

товар відсутній

SUD50N04-16P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1655 pF @ 20 V

товар відсутній

SUD50N04-16P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 9.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N04-37P-E3

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SUD50N04-37P-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 5.4A/8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 10.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V

товар відсутній

SUD50N04-8M8P-4BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

товар відсутній

SUD50N04-8M8P-4BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

товар відсутній

SUD50N04-8M8P-4BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 16324 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.04 грн
10+	83.05 грн
100+	55.66 грн
500+	47.18 грн
1000+	38.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD50N04-8M8P-4BE3

N-Channel MOSFET

товар відсутній

SUD50N04-8M8P-4GE3

Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0069ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 57191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	131.56 грн
10+	107.78 грн
100+	81.02 грн
500+	62.46 грн
1000+	45.55 грн
2500+	42.49 грн
5000+	41.67 грн
10000+	40.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUD50N04-8M8P-4GE3

MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V

на замовлення 3548 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.9 грн
10+	72.31 грн
100+	48.57 грн
500+	41.15 грн
1000+	38.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD50N04-8M8P-4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

на замовлення 1475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.42 грн
10+	64.53 грн
100+	50.19 грн
500+	39.92 грн
1000+	32.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD50N04-8M8P-4GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N04-8M8P-4GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N04-8M8P-4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V

товар відсутній

SUD50N04-8M8P-4GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N04-8M8P-4GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	89.19 грн
10+	73.54 грн
25+	62.95 грн
41+	23.85 грн
111+	22.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD50N04-8M8P-4GE3

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.33 грн
10+	59.01 грн
25+	52.45 грн
41+	19.88 грн
111+	18.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD50N04-8M8P-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N06-07L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-07L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-07L-E3

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-07L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N06-07L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N06-07L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N06-07L-E3

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-07L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N06-07L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 96A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N06-07L-GE3

товар відсутній

SUD50N06-07L-GE3

товар відсутній

SUD50N06-08H

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-08H

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-08H-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 93A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50N06-08H-E3

MOSFET 60V 93A 136W 7.8mohm @ 10V

товар відсутній

SUD50N06-09-T1-E3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-09L

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N06-09L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-09L

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N06-09L-E3

товар відсутній

SUD50N06-09L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	179.77 грн
71+	164.29 грн
72+	162.66 грн
100+	140.5 грн
250+	128.78 грн
500+	107.77 грн

Мінімальне замовлення: 65

SUD50N06-09L-E3

Siliconix

N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	71.81 грн

Мінімальне замовлення: 10

SUD50N06-09L-E3

Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm

на замовлення 2338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	174.67 грн
500+	142.87 грн
1000+	116.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUD50N06-09L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

на замовлення 22934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	220.04 грн
10+	178.07 грн
100+	144.07 грн
500+	120.18 грн
1000+	102.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	124.63 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50N06-09L-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2241 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.98 грн
5+	94.56 грн
12+	71.78 грн
31+	68.33 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	55.35 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	166.93 грн
10+	152.55 грн
25+	151.04 грн
100+	130.46 грн
250+	119.58 грн
500+	100.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD50N06-09L-E3

на замовлення 2241 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	135.57 грн
5+	117.83 грн
12+	86.14 грн
31+	81.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50N06-09L-E3

Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm

на замовлення 2033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	206.63 грн
50+	187.31 грн
100+	167.24 грн
500+	146.32 грн
1000+	116.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD50N06-09L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	107.22 грн
6000+	99.06 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50N06-09L-E3
Код товару: 169164

товар відсутній

SUD50N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	148.07 грн
83+	141.16 грн
100+	139.18 грн
200+	133.26 грн
500+	119.86 грн

Мінімальне замовлення: 79

SUD50N06-09L-E3

MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V

на замовлення 2006 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	266.69 грн
10+	220.97 грн
25+	180.88 грн
100+	155.04 грн
250+	146.43 грн
500+	137.82 грн
1000+	118.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50N06-09L-T1-E3

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-12

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-12

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-16

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-16

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-16-E3

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N06-36-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N06-36-T4-E3

MOSFET 60V 12A 24W 36mohm @ 10V

товар відсутній

SUD50N10-18P

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50N10-18P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N10-18P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD50N10-18P-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD50N10-18P-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N10-18P-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD50N10-34P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50N10-34P-T4-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 5.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD50N10-34P-T4-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.9A/20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50NP04-62-4-E3

на замовлення 1984 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50NP04-62-T4-E3

MOSFET 40V 8.0A 15.6/23.5W 30/32mohm @ 10V

товар відсутній

SUD50NP04-77P-T4-E3

Trans MOSFET N/P-CH 40V 8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD50NP04-77P-T4E3

Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10.8W, 24W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active

товар відсутній

SUD50P04

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-08-BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A

товар відсутній

SUD50P04-08-BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50P04-08-BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	73.45 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P04-08-BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 2563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	103.58 грн
10+	77.72 грн
100+	56.52 грн
500+	47.9 грн
1000+	39.03 грн
2000+	37.44 грн
4000+	34.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD50P04-08-BE3

P-Channel MOSFET

товар відсутній

SUD50P04-08-BE3

Description: VISHAY - SUD50P04-08-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 50A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

на замовлення 1120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	113.72 грн
10+	92.91 грн
25+	86.22 грн
50+	73.16 грн
100+	62.24 грн

Мінімальне замовлення: 7

SUD50P04-08-BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50P04-08-E3

Description: MOSFET P-CH 40V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

товар відсутній

SUD50P04-08-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 73.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2520 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.81 грн
6+	62.81 грн
17+	48.31 грн
46+	45.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD50P04-08-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-08-GE3

на замовлення 2520 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	90.98 грн
5+	78.27 грн
17+	57.98 грн
46+	54.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD50P04-08-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V

на замовлення 6155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	96.76 грн
10+	76.13 грн
100+	59.21 грн
500+	47.1 грн
1000+	38.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD50P04-08-GE3

MOSFET 40V 50A P-CH MOSFET

на замовлення 27864 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	103.58 грн
10+	83.82 грн
100+	56.52 грн
500+	47.9 грн
1000+	39.03 грн
2000+	36.71 грн
4000+	34.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD50P04-08-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-08-GE3

Description: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm

на замовлення 66789 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	120.41 грн
10+	92.17 грн
100+	67.27 грн
500+	52.87 грн
1000+	41.86 грн
5000+	41.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

SUD50P04-08-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	39.97 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P04-08-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-09L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-09L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-09L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A; 136W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SUD50P04-09L-E3

Description: VISHAY - SUD50P04-09L-E3 - MOSFET, P CHANNEL, -40V, -50A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

на замовлення 6479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	211.83 грн
10+	182.85 грн
25+	170.95 грн
50+	147.7 грн
100+	125.51 грн
250+	117.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD50P04-09L-E3
Код товару: 167710

товар відсутній

SUD50P04-09L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-09L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V

на замовлення 15877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.15 грн
10+	135.62 грн
100+	107.95 грн
500+	85.72 грн
1000+	72.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P04-09L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	123.07 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P04-09L-E3

товар відсутній

SUD50P04-09L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	76.46 грн
6000+	70.86 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P04-09L-E3

MOSFET 40V 50A 136W 9.4mohm @ 10V

на замовлення 5921 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.98 грн
10+	150.87 грн
100+	104.69 грн
500+	88.79 грн
1000+	74.87 грн
2000+	70.9 грн
4000+	68.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P04-09L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-09L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-09L-E3-VB

VBsemi

Transistor P-Channel MOSFET; -40V; +/-20V; 59mOhm; -50A; 136W; -55°C~175°C; SUD50P04-09L-E3 TSUD50P04-09L-E3 VBS
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 80 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	43.9 грн

Мінімальне замовлення: 20

SUD50P04-13L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-13L
Код товару: 92169

товар відсутній

SUD50P04-13L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-13L
Код товару: 92167

товар відсутній

SUD50P04-13L-E3

09+ SOP8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-13L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 93.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50P04-13L-E3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-13L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-13L-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 55.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD50P04-13L-GE3

товар відсутній

SUD50P04-15

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-15

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-15-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50P04-15-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-15-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-15-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50P04-15-T4

на замовлення 490 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-23

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-23-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 8.2A/20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 45.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 20 V

товар відсутній

SUD50P04-23-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P04-23-GE3

товар відсутній

SUD50P04-23-GE3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-40P

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P04-40P-E3

P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SUD50P04-40P-T4-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 6A/8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1555 pF @ 20 V

товар відсутній

SUD50P06
Код товару: 66964

товар відсутній

SUD50P06

на замовлення 115 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P06-15

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P06-15-BE3

Power MOSFET

товар відсутній

SUD50P06-15-BE3

Power MOSFET

товар відсутній

SUD50P06-15-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	77.53 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15-BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 33009 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.98 грн
10+	147.06 грн
100+	104.69 грн
250+	96.74 грн
500+	87.46 грн
1000+	74.87 грн
2000+	69.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15-BE3

Description: VISHAY - SUD50P06-15-BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 50A, TO-252
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

на замовлення 1923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	208.86 грн
10+	173.93 грн
25+	162.03 грн
50+	140.11 грн
100+	118.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD50P06-15-BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

на замовлення 3341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.02 грн
10+	137.49 грн
100+	109.46 грн
500+	86.92 грн
1000+	73.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

на замовлення 11264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.02 грн
10+	137.49 грн
100+	109.46 грн
500+	86.92 грн
1000+	73.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15-GE3

MOSFET 60V 50A 113W 15mohm @ 10V

на замовлення 24945 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	188.61 грн
10+	154.68 грн
100+	106.68 грн
500+	90.77 грн
1000+	76.86 грн
2000+	72.88 грн
4000+	70.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 113W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1882 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	162.03 грн
10+	134.59 грн
14+	60.05 грн
37+	56.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD50P06-15-GE3

Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm

на замовлення 20658 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	150.14 грн
50+	135.28 грн
100+	119.67 грн
500+	107.67 грн
1000+	84.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD50P06-15-GE3

на замовлення 1882 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	194.44 грн
10+	167.72 грн
14+	72.06 грн
37+	67.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P06-15-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	77.53 грн
6000+	71.85 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	131.02 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P06-15-GE3

на замовлення 20658 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	119.67 грн
500+	107.67 грн
1000+	84.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUD50P06-15-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

69+	170.32 грн
85+	137.42 грн
100+	128.71 грн
200+	123.18 грн
500+	101.96 грн
1000+	91.24 грн

Мінімальне замовлення: 69

SUD50P06-15L

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P06-15L

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P06-15L

MOSFET 60V 50A 136W

товар відсутній

SUD50P06-15L

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	80.88 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

на замовлення 30835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.02 грн
10+	137.49 грн
100+	109.46 грн
500+	86.92 грн
1000+	73.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15L-E3

MOSFET P-CH 60V 50A

на замовлення 32964 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.98 грн
10+	150.87 грн
100+	104.69 грн
250+	100.71 грн
500+	88.12 грн
1000+	74.87 грн
2000+	72.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P06-15L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 136W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1582 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	197.12 грн
10+	163.42 грн
12+	86.96 грн
31+	81.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	87.11 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15L-E3

Description: VISHAY - SUD50P06-15L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	202.92 грн
10+	149.4 грн
100+	110.01 грн
500+	92.49 грн
1000+	73.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD50P06-15L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	77.53 грн
6000+	71.85 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P06-15L-E3
Код товару: 82293

товар відсутній

SUD50P06-15L-E3

на замовлення 6380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P06-15L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P06-15L-E3

на замовлення 1582 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	164.26 грн
10+	131.14 грн
12+	72.47 грн
31+	68.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD50P06-15L-E3

Транз. Пол. БМ DPAK MOSFET P-channel 60 V; 50 A; 15mohm@17A, 10V Pmax=136 W

на замовлення 112 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	259.91 грн
10+	220.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P06-15L-T4-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD50P06-15L-T4-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V

товар відсутній

SUD50P06-15L-T4-E3

MOSFET P-Channel 60-V D-S

на замовлення 9465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.07 грн
10+	169.16 грн
25+	138.48 грн
100+	118.6 грн
250+	111.98 грн
500+	106.01 грн
1000+	90.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P06-15L-T4-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SUD50P0615

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P0615L

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P08-25L

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P08-25L-BE3
Код товару: 182312

товар відсутній

SUD50P08-25L-BE3

Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	76.46 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P08-25L-BE3

MOSFET 80V P-CH MOSFET (D-S) 17

на замовлення 52199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.98 грн
10+	150.87 грн
100+	104.69 грн
250+	100.71 грн
500+	88.12 грн
1000+	74.87 грн
2000+	70.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P08-25L-BE3

P-Channel MOSFET

товар відсутній

SUD50P08-25L-BE3

Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V

на замовлення 4719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.15 грн
10+	135.62 грн
100+	107.95 грн
500+	85.72 грн
1000+	72.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P08-25L-E3

Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 18580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	170.95 грн
50+	148.66 грн
100+	127.1 грн
500+	106.98 грн
1000+	85.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD50P08-25L-E3

MOSFET 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V

на замовлення 152244 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.42 грн
10+	126.49 грн
100+	92.76 грн
250+	90.11 грн
500+	82.16 грн
1000+	74.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	65.16 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P08-25L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V

на замовлення 6320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.02 грн
10+	137.49 грн
100+	109.46 грн
500+	86.92 грн
1000+	73.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P08-25L-E3

SUD50P08-25L-E3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SUD50P08-25L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	77.53 грн
6000+	71.85 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P08-25L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P08-25L-E3

Транз. Пол. БМ TO-252-3 MOSFET P-channel 80 V; 50 A; Pmax=136 W

на замовлення 40 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	197.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P08-25L-E3
Код товару: 133983

товар відсутній

SUD50P08-26

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P08-26-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P08-26-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252

товар відсутній

SUD50P10-43-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P10-43-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD50P10-43L

на замовлення 25200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD50P10-43L-BE3

Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товар відсутній

SUD50P10-43L-BE3

Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD50P10-43L-BE3

MOSFET 100V P-CH MOSFET (D-S) 17

на замовлення 22002 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	187.84 грн
10+	153.92 грн
100+	106.68 грн
500+	90.11 грн
1000+	85.47 грн
2000+	84.81 грн
4000+	81.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P10-43L-BE3

Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD50P10-43L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUD50P10-43L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

на замовлення 3969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	76.2 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P10-43L-E3

Транз. Пол. БМ DPAK MOSFET P-channel 60 V; 50 A; 15mohm@17A, 10V Pmax=136 W

на замовлення 30 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	254.38 грн
10+	231.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P10-43L-E3

MOSFET 100V 37A 136W 43mohm @ 10V

на замовлення 42158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	158.47 грн
10+	122.68 грн
100+	92.76 грн
250+	91.44 грн
500+	82.16 грн
1000+	74.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P10-43L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -37.1A; Idm: -40A; 95W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252

товар відсутній

SUD50P10-43L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P10-43L-E3

Description: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm

на замовлення 14615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	191.77 грн
10+	142.71 грн
100+	111.49 грн
500+	91.1 грн
1000+	75.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUD50P10-43L-E3

товар відсутній

SUD50P10-43L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

на замовлення 3969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.43 грн
10+	135.21 грн
100+	107.59 грн
500+	85.43 грн
1000+	72.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P10-43L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P10-43L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	120.85 грн
10+	108.65 грн
25+	82.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD50P10-43L-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -36.4A; Idm: -40A; 72.7W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -36.4A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 72.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252

товар відсутній

SUD50P10-43L-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	106.68 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P10-43L-GE3

Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm

на замовлення 1140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	110.01 грн
500+	93.18 грн
1000+	73.9 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUD50P10-43L-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	76.2 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD50P10-43L-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P10-43L-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD50P10-43L-GE3

товар відсутній

SUD50P10-43L-GE3

на замовлення 1140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	150.14 грн
50+	130.07 грн
100+	110.01 грн
500+	93.18 грн
1000+	73.9 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD50P10-43L-GE3

MOSFET 100V 37A P-Channel

на замовлення 41694 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.2 грн
10+	150.11 грн
100+	104.03 грн
250+	96.07 грн
500+	87.46 грн
1000+	74.87 грн
2000+	70.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD50P10-43L-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V

на замовлення 5010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.43 грн
10+	135.21 грн
100+	107.59 грн
500+	85.43 грн
1000+	72.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUD54P04-23-GE3

MOSFET 40V 23mohm @ 10V

товар відсутній

SUD5N03-11

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70090E-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 21705 шт:

термін постачання 985-994 дні (днів)

3+	108.99 грн
10+	89.15 грн
100+	71.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

на замовлення 3958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.34 грн
10+	80.27 грн
100+	63.89 грн
500+	50.73 грн
1000+	43.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUD70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	128.76 грн
101+	115.63 грн
104+	112.74 грн
109+	103.4 грн
121+	86.15 грн
250+	80.79 грн
500+	70.28 грн
1000+	61.97 грн

Мінімальне замовлення: 91

SUD70090E-GE3

Description: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 50
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: ThunderFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

SUD70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	45.25 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SUD70090E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

товар відсутній

SUD70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	119.57 грн
10+	107.37 грн
25+	104.69 грн
50+	96.02 грн
100+	80 грн
250+	75.02 грн
500+	65.26 грн
1000+	57.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD70090E-GE3

товар відсутній

SUD70N02

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N02-03P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N02-03P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD70N02-049-E3

на замовлення 1670 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N02-04P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N02-04P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N02-05+P

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N02-05P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N02-05P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N02-05P-T4

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N03-04P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N03-04P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N03-04P

на замовлення 966 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N03-06P

07+ SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N03-06P

06+

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD70N03-06P

SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUD80460E-BE3

Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SUD80460E-BE3

MOSFET 150V N-CHANNEL MOSFET (D-S)

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 656-665 дні (днів)

5+	67.48 грн
10+	58.67 грн
100+	39.16 грн
500+	31.34 грн
1000+	26.64 грн
2000+	25.38 грн
4000+	24.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD80460E-BE3

Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD80460E-GE3

MOSFET 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.

на замовлення 4055 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.03 грн
10+	58.29 грн
100+	36.38 грн
500+	29.88 грн
1000+	26.7 грн
2000+	24.18 грн
4000+	23.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

SUD80460E-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SUD80460E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD80460E-GE3

SUD80460E-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SUD80460E-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SUD80460E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V

товар відсутній

SUD90330E-BE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

товар відсутній

SUD90330E-BE3

SUD90330E-BE3

товар відсутній

SUD90330E-BE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

товар відсутній

SUD90330E-BE3

MOSFET N-CHANNEL 200V (D-S)

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SUD90330E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SUD90330E-GE3