Продукція > SQ3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V

на замовлення 8303 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.45 грн
10+	41.55 грн
100+	28.8 грн
500+	22.58 грн
1000+	19.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3410EV-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.94 грн
6000+	17.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3410EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3410EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V

товар відсутній

SQ3410EV-T1_GE3

MOSFET 30V 8A 5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 18657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.49 грн
10+	45.72 грн
100+	27.1 грн
500+	22.66 грн
1000+	19.28 грн
3000+	16.9 грн
6000+	16.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3410EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V

товар відсутній

SQ3410EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3410EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP

товар відсутній

SQ3418AEEV-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 36100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.01 грн
10+	51.66 грн
100+	34.92 грн
500+	29.62 грн
1000+	24.18 грн
3000+	22.66 грн
6000+	21.6 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ3418AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V

товар відсутній

SQ3418AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V

товар відсутній

SQ3418AEEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3418AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.026 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.64 грн
500+	37.82 грн
1000+	29.05 грн
3000+	23.19 грн
6000+	22.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3418AEEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3418AEEV-T1_GE3

MOSFET N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

на замовлення 7123 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.16 грн
10+	40.16 грн
100+	28.56 грн
500+	25.91 грн
1000+	23.19 грн
3000+	21.73 грн
6000+	21.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3418AEEV-T1_GE3

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.04 грн
13+	61.32 грн
100+	47.64 грн
500+	37.82 грн
1000+	29.05 грн
3000+	23.19 грн
6000+	22.68 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ3418EEV-T1-GE3

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ3418EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

товар відсутній

SQ3418EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

товар відсутній

SQ3418EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

товар відсутній

SQ3418EV-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V

на замовлення 32858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.72 грн
10+	36.44 грн
100+	25.24 грн
500+	19.8 грн
1000+	16.85 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3418EV-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.6 грн
6000+	15.15 грн
9000+	14.03 грн
30000+	13.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3418EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.04 грн
6000+	15.55 грн
9000+	14.4 грн
30000+	13.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3418EV-T1_GE3

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 54636 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.46 грн
10+	41.15 грн
100+	24.38 грн
500+	20.41 грн
1000+	17.36 грн
3000+	14.71 грн
6000+	14.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3418EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V

на замовлення 35700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.15 грн
10+	37.48 грн
100+	25.92 грн
500+	20.32 грн
1000+	17.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419AEEV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 59940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.85 грн
10+	42.06 грн
100+	24.98 грн
500+	20.87 грн
1000+	18.29 грн
3000+	15.44 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419AEEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3419AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 5561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	46.45 грн
19+	40.43 грн
100+	31.14 грн
500+	24.43 грн
1000+	19.37 грн
3000+	18.99 грн

Мінімальне замовлення: 16

SQ3419AEEV-T1_GE3

Automotive P-Channel 60 V D-S 175 Degree C Mosfet

товар відсутній

SQ3419AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3419AEEV-T1_GE3

MOSFET -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified

на замовлення 28874 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.16 грн
10+	40.61 грн
100+	24.98 грн
500+	20.87 грн
1000+	17.76 грн
3000+	15.77 грн
6000+	14.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6551 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.44 грн
10+	37.27 грн
100+	25.81 грн
500+	20.24 грн
1000+	17.22 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

на замовлення 3419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3419EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

на замовлення 3419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3419EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

товар відсутній

SQ3419EEV-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 7.4A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3419EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 33986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.46 грн
10+	40.54 грн
100+	24.38 грн
500+	20.41 грн
1000+	17.36 грн
3000+	15.17 грн
6000+	14.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.44 грн
6000+	15 грн
9000+	13.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3419EV-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3419EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43 грн
10+	36.1 грн
100+	25 грн
500+	19.6 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419EV-T1_GE3

на замовлення 14855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.44 грн
10+	36.99 грн
100+	25.59 грн
500+	20.06 грн
1000+	17.07 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3419EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 10001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.76 грн
500+	21.67 грн
1000+	15.16 грн
5000+	13.7 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3419EV-T1_GE3

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.83 грн
6000+	15.35 грн
9000+	14.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3419EV-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -6.9A; Idm: -27A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -6.9A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

товар відсутній

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

341+	34.15 грн

Мінімальне замовлення: 341

SQ3419EV-T1_GE3

товар відсутній

SQ3419EV-T1_GE3

на замовлення 10001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50.84 грн
18+	42.81 грн
100+	28.76 грн
500+	21.67 грн
1000+	15.16 грн
5000+	13.7 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	27.06 грн
23+	25.43 грн
25+	24.85 грн
100+	20.71 грн
250+	14.34 грн

Мінімальне замовлення: 22

SQ3419EV-T1_GE3

MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 72881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	44.6 грн
10+	37.34 грн
100+	24.38 грн
500+	20.41 грн
1000+	17.36 грн
3000+	15.44 грн
6000+	14.64 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3425EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.02 грн
10+	40.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3425EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 20V (D-S)

на замовлення 5210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.46 грн
10+	40.54 грн
100+	24.38 грн
500+	20.41 грн
1000+	17.36 грн
3000+	15.44 грн
6000+	14.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3425EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP

товар відсутній

SQ3425EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.89 грн
10+	42.79 грн
100+	32.8 грн
500+	24.34 грн
1000+	19.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3425EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP

товар відсутній

SQ3425EV-T1_GE3

MOSFET P Ch -20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2509 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.2 грн
10+	49.15 грн
100+	32.8 грн
500+	25.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3426AEEV-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 41425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.16 грн
10+	41.45 грн
100+	24.98 грн
500+	20.87 грн
1000+	17.76 грн
3000+	15.77 грн
6000+	14.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3426AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.44 грн
10+	37.27 грн
100+	25.81 грн
500+	20.24 грн
1000+	17.22 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3426AEEV-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQ3426AEEV-T1_GE3

MOSFET 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 30254 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.11 грн
10+	33.91 грн
100+	22.53 грн
500+	19.21 грн
1000+	16.56 грн
3000+	15.37 грн
6000+	14.91 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3426AEEV-T1_GE3

товар відсутній

SQ3426AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.97 грн
6000+	15.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3426AEEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 6-Pin TSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3426CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQ3426CEV-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 60V 175C MOSFET 42mO 10V, 63mO 4.5V

на замовлення 18513 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.11 грн
10+	32.31 грн
100+	21 грн
500+	16.5 грн
1000+	13.19 грн
3000+	11.13 грн
9000+	10.14 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3426CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.12 грн
10+	28.99 грн
100+	20.15 грн
500+	14.77 грн
1000+	12 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3426CEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3426CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.034 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	43.85 грн
21+	36.79 грн
100+	24.75 грн
500+	18.08 грн
1000+	12.87 грн
3000+	11.72 грн
6000+	10.96 грн

Мінімальне замовлення: 17

SQ3426EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

товар відсутній

SQ3426EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

товар відсутній

SQ3426EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3426EV-T1"GE3

Description: VISHAY - SQ3426EV-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9939

товар відсутній

SQ3426EV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V

товар відсутній

SQ3426EV-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 224712 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.18 грн
10+	45.57 грн
100+	27.5 грн
500+	22.99 грн
1000+	19.55 грн
3000+	17.09 грн
6000+	15.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3426EV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V

на замовлення 1713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.6 грн
10+	43.96 грн
100+	33.71 грн
500+	25 грн
1000+	20 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3426EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 53390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	60.73 грн
15+	51.29 грн
100+	35.9 грн
500+	26.37 грн
1000+	19.81 грн
3000+	18.03 грн
6000+	17.71 грн
12000+	17.33 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQ3426EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.57 грн
6000+	18.45 грн
15000+	17.76 грн
30000+	16.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3426EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3426EV-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2253 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55 грн
10+	34.79 грн
25+	30.78 грн
31+	26.57 грн
83+	25.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3426EV-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2253 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	66 грн
6+	43.35 грн
25+	36.94 грн
31+	31.89 грн
83+	30.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ3426EV-T1_GE3

MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 59981 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.18 грн
10+	45.57 грн
100+	27.5 грн
500+	22.99 грн
1000+	19.55 грн
3000+	17.36 грн
6000+	16.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3426EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V

на замовлення 53981 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.04 грн
10+	45.07 грн
100+	34.56 грн
500+	25.64 грн
1000+	20.52 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3427AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.45 грн
10+	41.41 грн
100+	28.68 грн
500+	22.49 грн
1000+	19.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3427AEEV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 149455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.83 грн
10+	38.71 грн
100+	25.51 грн
500+	22.59 грн
1000+	19.74 грн
3000+	17.56 грн
6000+	16.56 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3427AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.86 грн
6000+	17.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3427AEEV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 6170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3427AEEV-T1_GE3

MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 620714 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.96 грн
10+	46.1 грн
100+	27.76 грн
500+	23.19 грн
1000+	19.74 грн
3000+	17.56 грн
6000+	16.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3427AEEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3427AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.079 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 19490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.14 грн
500+	24.16 грн
1000+	20.39 грн
5000+	18.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3427AEEV-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: -5.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSOP6
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD

товар відсутній

SQ3427AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.17 грн
10+	42.03 грн
100+	29.08 грн
500+	22.8 грн
1000+	19.4 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3427AEEV-T1_GE3

товар відсутній

SQ3427AEEV-T1_GE3

на замовлення 19490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	59.39 грн
15+	50.02 грн
100+	31.14 грн
500+	24.16 грн
1000+	20.39 грн
5000+	18.48 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQ3427AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.12 грн
6000+	17.45 грн
9000+	16.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3427EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3427EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3427EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3427EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP

товар відсутній

SQ3427EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 113735 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.46 грн
10+	40.54 грн
100+	24.38 грн
500+	20.41 грн
1000+	17.36 грн
3000+	14.91 грн
6000+	14.31 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3427EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP

товар відсутній

SQ3427EV-T1_GE3

MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 452505 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.46 грн
10+	40.54 грн
100+	24.38 грн
500+	20.41 грн
1000+	17.36 грн
3000+	15.44 грн
6000+	14.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3427EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3427EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.079 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 12583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.35 грн
500+	21.26 грн
1000+	14.84 грн
5000+	13.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3427EV-T1_GE3

на замовлення 17440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.72 грн
10+	36.44 грн
100+	25.23 грн
500+	19.78 грн
1000+	16.84 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3427EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3427EV-T1_GE3

на замовлення 12583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.25 грн
18+	43.63 грн
100+	27.35 грн
500+	21.26 грн
1000+	14.84 грн
5000+	13.44 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ3427EV-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 5W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -5.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSOP6
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.3 грн
11+	33.68 грн
25+	30.37 грн
37+	22.02 грн
100+	20.84 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3427EV-T1_GE3

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.59 грн
6000+	15.14 грн
9000+	14.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3427EV-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 5W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -5.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSOP6
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	66.36 грн
7+	41.97 грн
25+	36.44 грн
37+	26.42 грн
100+	25.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ3442EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP

товар відсутній

SQ3442EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3442EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP

товар відсутній

SQ3456BEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

товар відсутній

SQ3456BEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3456BEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3456BEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3456BEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

товар відсутній

SQ3456BEV-T1_GE3

MOSFET 30V 7.8A 4W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQ3456CEV

Trans MOSFET N-CH 30V 7.8A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3456CEV

Trans MOSFET N-CH 30V 7.8A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	16.5 грн
38+	15.39 грн
50+	14.34 грн

Мінімальне замовлення: 35

SQ3456CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V

на замовлення 3050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.99 грн
10+	31.54 грн
100+	23.54 грн
500+	17.36 грн
1000+	13.41 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3456CEV-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 30V 175C MOSFET 35mO 10V, 52mO 4.5V

на замовлення 5759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.64 грн
10+	31.16 грн
100+	20.21 грн
500+	15.9 грн
1000+	12.72 грн
3000+	10.73 грн
9000+	9.74 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3456CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3456EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 6TSOP

товар відсутній

SQ3457EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 5823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	38.81 грн
10+	34.06 грн
100+	22.46 грн
500+	19.88 грн
1000+	17.36 грн
3000+	15.11 грн
6000+	14.58 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3457EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.32 грн
10+	44.24 грн
100+	33.94 грн
500+	25.18 грн
1000+	20.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3457EV-T1_BE3

SQ3457EV-T1-BE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SQ3457EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.9 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3457EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm

на замовлення 17803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	44.3 грн
50+	35.83 грн
100+	27.35 грн
500+	18.08 грн
1500+	16.37 грн

Мінімальне замовлення: 17

SQ3457EV-T1_GE3

SQ3457EV-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SQ3457EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3457EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.72 грн
10+	36.44 грн
100+	25.23 грн
500+	19.78 грн
1000+	16.84 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3457EV-T1_GE3

на замовлення 17803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.35 грн
500+	18.08 грн
1500+	16.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3457EV-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 203399 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.11 грн
10+	33.15 грн
100+	21.14 грн
500+	18.29 грн
1000+	16.1 грн
3000+	14.91 грн
6000+	14.18 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3457EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.59 грн
6000+	15.14 грн
9000+	14.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3460EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3460EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

товар відсутній

SQ3460EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQ3460EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3460EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 1020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.3 грн
12+	62.51 грн
100+	44.97 грн
500+	34.99 грн
1000+	24.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQ3460EV-T1_GE3

MOSFET 20V 8A 3.6W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.42 грн
10+	59.2 грн
100+	40.09 грн
500+	33.59 грн
1000+	26.97 грн
3000+	25.58 грн
6000+	24.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQ3460EV-T1_GE3

на замовлення 1020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.97 грн
500+	34.99 грн
1000+	24.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3460EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3461EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

товар відсутній

SQ3461EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

товар відсутній

SQ3461EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 47953 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.35 грн
10+	48.08 грн
100+	28.49 грн
500+	23.79 грн
1000+	20.27 грн
3000+	17.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3461EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.6A; 1.67W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6.6A
Power dissipation: 1.67W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 16631 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.35 грн
10+	47.24 грн
100+	28.49 грн
500+	23.79 грн
1000+	20.27 грн
3000+	18.02 грн
6000+	17.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQ3461EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

товар відсутній

SQ3461EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

товар відсутній

SQ3469EV-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQ3469EV-T1_GE3

товар відсутній

SQ3469EV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6

товар відсутній

SQ3469EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V

на замовлення 8655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.42 грн
10+	32.71 грн
100+	22.65 грн
500+	17.76 грн
1000+	15.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3469EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.9 грн
6000+	13.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3469EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V

на замовлення 2013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43 грн
10+	35.96 грн
100+	24.91 грн
500+	19.53 грн
1000+	16.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3469EV-T1_GE3

MOSFET 20V 8A 5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.46 грн
10+	41.15 грн
100+	24.38 грн
500+	20.41 грн
1000+	17.36 грн
3000+	15.17 грн
6000+	14.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3469EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V

товар відсутній

SQ3481EV-T1-GE3

MOSFET P-Channel 30V Automotive MOSFET

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQ3481EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3481EV-T1_BE3

SQ3481EV-T1-BE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SQ3481EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3481EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 50541 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.25 грн
10+	31.47 грн
100+	21.67 грн
500+	19.68 грн
1000+	17.36 грн
3000+	15.11 грн
6000+	14.38 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3481EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3481EV-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 43768 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.46 грн
10+	40.54 грн
100+	24.38 грн
500+	20.41 грн
1000+	17.36 грн
3000+	15.11 грн
6000+	14.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3481EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товар відсутній

SQ3493EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3493EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm

на замовлення 11064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.58 грн
500+	21.46 грн
1000+	15.23 грн
5000+	14.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3493EV-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.46 грн
10+	41.53 грн
100+	24.58 грн
500+	20.61 грн
1000+	17.49 грн
3000+	15.84 грн
6000+	14.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3493EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 10 V

на замовлення 5994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.87 грн
10+	37.82 грн
100+	26.19 грн
500+	20.53 грн
1000+	17.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3493EV-T1_GE3

на замовлення 11064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.25 грн
17+	44.67 грн
100+	27.58 грн
500+	21.46 грн
1000+	15.23 грн
5000+	14.91 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ3493EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3493EV-T1_GE3

SQ3493EV-T1-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SQ3495EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3495EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm

на замовлення 2261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.65 грн
500+	21.53 грн
1000+	14.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3495EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.44 грн
10+	36.86 грн
100+	25.5 грн
500+	19.99 грн
1000+	17.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3495EV-T1_GE3

на замовлення 2261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53 грн
17+	44.08 грн
100+	27.65 грн
500+	21.53 грн
1000+	14.84 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ3495EV-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 14384 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.11 грн
10+	33.3 грн
100+	21.53 грн
500+	18.68 грн
1000+	16.43 грн
3000+	15.37 грн
6000+	14.71 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQ3495EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.76 грн
6000+	15.29 грн
9000+	14.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3585EV-T1_GE3

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.57A/2.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товар відсутній

SQ3585EV-T1_GE3

MOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 13354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	252 грн
10+	208.02 грн
25+	171.61 грн
100+	146.43 грн
250+	138.48 грн
500+	130.53 грн
1000+	111.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ3585EV-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12072 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	231.51 грн
10+	200.15 грн
25+	189.25 грн
100+	153.94 грн
250+	146.04 грн
500+	131.04 грн
1000+	108.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQ3585EV-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	116.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3985EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 20V (D-S)

на замовлення 12720 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.46 грн
10+	41.15 грн
100+	24.38 грн
500+	20.41 грн
1000+	17.36 грн
3000+	15.7 грн
6000+	14.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3985EV-T1_GE3

MOSFET P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 131909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.46 грн
10+	40.54 грн
100+	24.38 грн
500+	20.41 грн
1000+	17.36 грн
3000+	15.31 грн
6000+	14.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3985EV-T1_GE3

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQ3985EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 6-Pin TSOP

товар відсутній

SQ3987EV-T1_GE3

MOSFET Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 66742 шт:

термін постачання 551-560 дні (днів)

7+	50.25 грн
10+	43.81 грн
100+	29.22 грн
500+	23.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQ3987EV-T1_GE3
Код товару: 174743

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SQ3987EV-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3987EV-T1_GE3

DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQ3987EV-T1_GE3

DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQ3987EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 7888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.66 грн
500+	21.74 грн
1000+	19.62 грн
3000+	19.24 грн
6000+	18.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQ3987EV-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7092 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.42 грн
10+	33.13 грн
100+	22.94 грн
500+	17.99 грн
1000+	15.31 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3987EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 7888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	49.95 грн
18+	42.74 грн
100+	29.66 грн
500+	21.74 грн
1000+	19.62 грн
3000+	19.24 грн
6000+	18.79 грн

Мінімальне замовлення: 15

SQ3989EV-T1_BE3

Description: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active

товар відсутній

SQ3989EV-T1_BE3

Description: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active

товар відсутній

SQ3989EV-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.99 грн
10+	31.2 грн
100+	21.73 грн
500+	15.92 грн
1000+	12.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQ3989EV-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQ3989EV-T1_GE3