Продукція > SH8

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SH8-0556
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8-0617
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8-1106
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8.0-F червоний роз'єм (Amass)
Код товару: 195491		AMASSРоз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення червоний DC. Контакт "мама", корпус "тато". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Вилка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід
у наявності 47 шт:
23 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 200 шт:
200 шт - очікується 18.05.2024
1+161 грн
10+ 134.5 грн
100+ 112.98 грн
SH8.0-F чорний роз'єм (Amass)
Код товару: 195492		AMASSРоз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення чорний DC. Контакт "мама", корпус "тато". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Розетка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід
у наявності 48 шт:
23 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 200 шт:
200 шт - очікується 18.05.2024
1+161 грн
10+ 134.5 грн
100+ 112.98 грн
SH8.0-F.S.B AMASSAMASSPlug, DC supply, female, 1 pin, 125A, 600V, straight black color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-F.S.B AMASS Z SH8.0-F-B
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+238.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
SH8.0-F.S.R AMASSAMASSPlug, DC supply, female, 1 pin, 125A, 600V, straight red color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-F.S.R AMASS Z SH8.0-F-R
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+238.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
SH8.0-M червоний роз'єм (Amass)
Код товару: 195489		AMASSРоз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення червоний DC. Контакт "папа", корпус "мама". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Розетка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід
у наявності 48 шт:
23 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 200 шт:
200 шт - очікується 18.05.2024
1+150 грн
10+ 125.1 грн
100+ 105.04 грн
SH8.0-M чорний роз'єм (Amass)
Код товару: 195490		AMASSРоз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення чорний DC. Контакт "тато", корпус "мама". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Розетка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід
у наявності 48 шт:
23 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 200 шт:
200 шт - очікується 18.05.2024
1+150 грн
10+ 125.1 грн
100+ 105.04 грн
SH8.0-M.S.B AMASSAMASSPlug, DC supply, male, 1 pin, 125A, 600V, straight black color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-M.S.B AMASS Z SH8.0-M-B
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+221.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
SH8.0-M.S.R AMASSAMASSPlug, DC supply, male, 1 pin, 125A, 600V, straight red color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-M.S.R AMASS Z SH8.0-M-R
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+230.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
SH800
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH801-22.5NINGBO SANHE ENCLOSURE & MOLD CO., LTD.90х23х111mm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
SH803B
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH81I
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8270P-HA002
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH82I
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8518F600BHEPOhmiteDescription: 8518 SHUNT 600A M3
Packaging: Box
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Resistance: 100 µOhms
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.75 грн
10+ 612.61 грн
25+ 571.78 грн
50+ 472.73 грн
100+ 408.84 грн
250+ 370.51 грн
SH8518F600BHEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole 8518 SHUNT 600A M3
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+643.92 грн
10+ 572.24 грн
25+ 441.28 грн
50+ 413.45 грн
100+ 385.62 грн
250+ 379.66 грн
SH8518F600BHEPOHMITEDescription: OHMITE - SH8518F600BHEP - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, SHA Series, 36 W, ± 1%, Manganin
tariffCode: 85332900
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Widerstandstechnologie: Manganin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 36W
Widerstand: 100µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C, ± 100ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SHA Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 18mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+830.24 грн
3+ 797.54 грн
5+ 765.58 грн
10+ 680.53 грн
20+ 586.13 грн
50+ 442.15 грн
SH8518F600BPEPOhmiteDescription: 8518 SHUNT 600A PIN
Packaging: Box
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Resistance: 100 µOhms
товар відсутній
SH8518F600BPEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole .00001OHM 1% 36W 100PPM
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+788.47 грн
10+ 728.44 грн
25+ 591.68 грн
50+ 521.45 грн
100+ 497.6 грн
250+ 479.71 грн
500+ 372.37 грн
SH8518F600BPEPOHMITEDescription: OHMITE - SH8518F600BPEP - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, SHA Series, 36 W, ± 1%, Manganin
tariffCode: 85332900
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Widerstandstechnologie: Manganin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 36W
Widerstand: 100µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C, ± 100ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SHA Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 18mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+838.42 грн
3+ 805.72 грн
5+ 773.01 грн
10+ 687.43 грн
20+ 592.5 грн
50+ 451.7 грн
SH8518F800AHEPOhmiteSH8518F800AHEP
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+180.86 грн
67+ 173.97 грн
Мінімальне замовлення: 65
SH8518F800AHEPOHMITEDescription: OHMITE - SH8518F800AHEP - 8518 SHUNT 800A M3
Produktlänge: 85
Produktbreite: 18
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, min.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
SH8518F800AHEPOhmiteDescription: 8518 SHUNT 840A M3
Packaging: Box
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Part Status: Active
Resistance: 50 µOhms
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+662.98 грн
10+ 568.92 грн
25+ 558.31 грн
50+ 461.59 грн
SH8518F800AHEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole 8518 SHUNT 800A M3
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+643.92 грн
10+ 572.24 грн
25+ 441.28 грн
50+ 413.45 грн
100+ 382.97 грн
250+ 366.41 грн
SH8518F800APEPOhmiteDescription: 8518 SHUNT 840A PIN
Packaging: Box
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Resistance: 50 µOhms
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+682.33 грн
10+ 585.83 грн
25+ 574.9 грн
50+ 475.28 грн
SH8518F800APEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole .00005OHM 1% 36W 100PPM
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+643.92 грн
10+ 572.24 грн
25+ 441.28 грн
50+ 413.45 грн
100+ 382.97 грн
250+ 374.36 грн
500+ 366.41 грн
SH8518F800APEPOhmiteSH8518F800APEP
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+180.86 грн
67+ 173.97 грн
Мінімальне замовлення: 65
SH8518F800APEPOHMITEDescription: OHMITE - SH8518F800APEP - 8518 SHUNT 800A PIN
Produktlänge: 85
Produktbreite: 18
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, min.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
SH8536F1K0AHEPOhmiteSH8536F1K0AHEP
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+432.82 грн
29+ 414.23 грн
50+ 398.44 грн
Мінімальне замовлення: 27
SH8536F1K0AHEPOhmiteDescription: 8536 SHUNT 1000A M3
Packaging: Box
Power (Watts): 50W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Part Status: Active
Resistance: 50 µOhms
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1085.85 грн
10+ 941 грн
25+ 836.45 грн
50+ 735.92 грн
SH8536F1K0AHEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole 8536 SHUNT 1000A M3
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1147.92 грн
10+ 1018.75 грн
25+ 787.15 грн
50+ 737.45 грн
1000+ 718.24 грн
SH8536F1K0APEPOhmiteDescription: 8536 SHUNT 1000A PIN
Packaging: Box
Power (Watts): 50W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Part Status: Active
Resistance: 50 µOhms
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1194.8 грн
10+ 1035.83 грн
25+ 920.74 грн
50+ 810.1 грн
100+ 756.08 грн
SH8536F1K0APEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole .00005OHM 1% 50W 50PPM
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1263.87 грн
10+ 1121.62 грн
25+ 866.66 грн
50+ 812.32 грн
100+ 758.65 грн
250+ 720.23 грн
500+ 718.24 грн
SH86117P-HC088
на замовлення 10546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH86170P064
на замовлення 412 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH86170PQ64
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
sh86270p
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH86273P/064PR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH86275P/064PR
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH86276P/064PR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH86278P/064PR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH86280NP/064PR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH86311AP/064PR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
sh86312p/064pr
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH875-14-Black TexturedLMB / HeegerRacks & Rack Cabinet Accessories UNI-PAC Handle Side D W H x 13.875 x 8.5625
товар відсутній
SH875-14-Blue/WhiteLMB / HeegerRacks & Rack Cabinet Accessories UNI-PAC Handle Side D W H x 13.875 x 8.5625
товар відсутній
SH875-14-Semi-gloss BlackPAIRLMB / HeegerRacks & Rack Cabinet Accessories UNI-PAC Handle Sides (Pair) D W H x 13.875 x 8.5625
товар відсутній
SH875048N/A00+
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH875048W-5V36
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH875048W-5W62
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH875064W-5W61
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH88810-81
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH89BKMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - SH89BK - Klebeband, Elektro-Isolierband, PVC (Polyvinylchlorid), schwarz, 50mm x 33m
tariffCode: 39191080
Länge des Bands - Metrisch: 33
Rollenlänge - metrisch: 33
rohsCompliant: YES
Trägermaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Klebebandfarbe: Schwarz
euEccn: NLR
Bandbreite - Imperial: 1.97
Bandbreite - Metrisch: 50
Länge des Bands - Imperial: 108.3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Rollenlänge - imperial: 108.3
Bandtyp: Isolierband
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+571.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
SH89P20
на замовлення 457 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH89RDMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - SH89RD - Klebeband, Elektro-Isolierband, PVC (Polyvinylchlorid), rot, 50mm x 33m
tariffCode: 39191080
Länge des Bands - Metrisch: 33m
Rollenlänge - metrisch: 33m
Klebstoff: -
rohsCompliant: YES
Trägermaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Banddicke, gesamt: -
usEccn: EAR99
Klebebandfarbe: Rot
euEccn: NLR
Bandbreite - Imperial: 1.97"
Bandbreite - Metrisch: 50mm
Länge des Bands - Imperial: 108.3ft
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Rollenlänge - imperial: 108.3ft
Bandtyp: Isolierband
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+579.01 грн
5+ 489.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
SH8G41
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8J31ROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
SH8J31GZETBRohm SemiconductorDescription: 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8J31GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: -18A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 85mΩ
Gate charge: 40nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SH8J31GZETBROHM SemiconductorMOSFET 60V Pch+Pch Si MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 192-201 дні (днів)
3+127.55 грн
10+ 113.53 грн
100+ 78.85 грн
500+ 64.8 грн
1000+ 53.8 грн
2500+ 50.02 грн
5000+ 48.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8J31GZETBRohm SemiconductorDescription: 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 7477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.26 грн
10+ 101.87 грн
100+ 81.87 грн
500+ 63.12 грн
1000+ 52.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8J31GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: -18A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.5A
On-state resistance: 85mΩ
Gate charge: 40nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SH8J31GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+84.43 грн
144+ 80.66 грн
250+ 77.42 грн
500+ 71.96 грн
1000+ 64.46 грн
2500+ 60.05 грн
5000+ 58.44 грн
Мінімальне замовлення: 138
SH8J31GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 3566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+84.43 грн
144+ 80.66 грн
250+ 77.42 грн
500+ 71.96 грн
1000+ 64.46 грн
2500+ 60.05 грн
Мінімальне замовлення: 138
SH8J31TB1ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
SH8J62
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8J62ROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
SH8J62TBROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
SH8J62TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+59.8 грн
250+ 57.4 грн
500+ 55.32 грн
1000+ 51.61 грн
2500+ 46.38 грн
Мінімальне замовлення: 195
SH8J62TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.68 грн
500+ 52.66 грн
1000+ 38.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
SH8J62TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.97 грн
5000+ 34.74 грн
12500+ 33.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8J62TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SH8J62TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 8140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+35.64 грн
347+ 33.56 грн
355+ 32.77 грн
500+ 30.65 грн
1000+ 28.11 грн
2500+ 25.47 грн
5000+ 25.38 грн
Мінімальне замовлення: 326
SH8J62TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
SH8J62TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+59.8 грн
250+ 57.4 грн
500+ 55.32 грн
1000+ 51.61 грн
Мінімальне замовлення: 195
SH8J62TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.24 грн
10+ 93.65 грн
100+ 68.68 грн
500+ 52.66 грн
1000+ 38.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
SH8J62TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+59.8 грн
250+ 57.4 грн
500+ 55.32 грн
1000+ 51.61 грн
2500+ 46.38 грн
Мінімальне замовлення: 195
SH8J62TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 13937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.59 грн
10+ 77.02 грн
100+ 60.07 грн
500+ 46.57 грн
1000+ 36.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8J62TB1ROHM SemiconductorMOSFET Pch+Pch -30V -4.5A MOSFET
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.31 грн
10+ 76.2 грн
100+ 51.62 грн
500+ 43.8 грн
1000+ 35.65 грн
2500+ 33.53 грн
5000+ 31.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8J65
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8J65TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.54 грн
10+ 93.73 грн
100+ 74.61 грн
500+ 59.25 грн
1000+ 50.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8J65TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SH8J65TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+69 грн
182+ 64.07 грн
192+ 60.51 грн
203+ 55.21 грн
500+ 50.94 грн
Мінімальне замовлення: 169
SH8J65TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.81 грн
500+ 63.57 грн
1000+ 47.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
SH8J65TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8J65TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8J65TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+76.62 грн
159+ 73.2 грн
250+ 70.27 грн
500+ 65.31 грн
1000+ 58.5 грн
Мінімальне замовлення: 152
SH8J65TB1ROHM SemiconductorMOSFET Pch+Pch -30V -7A MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
3+128.32 грн
10+ 105.15 грн
100+ 72.88 грн
250+ 66.92 грн
500+ 60.96 грн
1000+ 52.28 грн
2500+ 49.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8J65TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.74 грн
10+ 106.29 грн
100+ 75.81 грн
500+ 63.57 грн
1000+ 47.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
SH8J65TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+76.62 грн
159+ 73.2 грн
250+ 70.27 грн
500+ 65.31 грн
1000+ 58.5 грн
2500+ 54.49 грн
Мінімальне замовлення: 152
SH8J65TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
SH8J66
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8J66TB1ROHM SemiconductorMOSFET Pch+Pch -30V -9A MOSFET
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.79 грн
10+ 156.97 грн
100+ 109.99 грн
500+ 90.11 грн
1000+ 74.87 грн
2500+ 68.91 грн
5000+ 66.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
SH8J66TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 7233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.32 грн
10+ 152.19 грн
100+ 122.35 грн
500+ 94.33 грн
1000+ 78.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
SH8J66TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SH8J66TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+138.66 грн
100+ 128.21 грн
250+ 117.06 грн
500+ 101.46 грн
1000+ 77.77 грн
Мінімальне замовлення: 84
SH8J66TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
SH8J66TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 2
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+147.91 грн
500+ 113.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
SH8J66TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8J66TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+90.78 грн
134+ 86.73 грн
250+ 83.25 грн
500+ 77.38 грн
1000+ 69.31 грн
Мінімальне замовлення: 128
SH8J66TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 2
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.15 грн
10+ 173.93 грн
100+ 147.91 грн
500+ 113.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8JB5TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -40V; -8.5A; Idm: -34A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: -34A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.5A
On-state resistance: 18.7mΩ
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SH8JB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.16 грн
10+ 122.64 грн
100+ 102.57 грн
500+ 80.75 грн
1000+ 63.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
SH8JB5TB1Rohm SemiconductorDescription: -40V DUAL PCH+PCH, SOP8, POWER M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 8094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.27 грн
10+ 128.93 грн
100+ 102.63 грн
500+ 81.5 грн
1000+ 69.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
SH8JB5TB1ROHM - JapanTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Bubstitute: SH8JB5TB1; SH8JB5 TSH8JB5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+108.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
SH8JB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.57 грн
500+ 80.75 грн
1000+ 63.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
SH8JB5TB1ROHM SemiconductorMOSFET -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 16494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.56 грн
10+ 125.72 грн
100+ 92.1 грн
250+ 91.44 грн
500+ 77.52 грн
1000+ 65.93 грн
2500+ 61.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
SH8JB5TB1Rohm SemiconductorDescription: -40V DUAL PCH+PCH, SOP8, POWER M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.69 грн
5000+ 67.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8JB5TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -40V; -8.5A; Idm: -34A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: -34A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.5A
On-state resistance: 18.7mΩ
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SH8JC5TB1Rohm SemiconductorDescription: -60V DUAL PCH+PCH, SOP8, POWER M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.69 грн
5000+ 67.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8JC5TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -7.5A; Idm: -30A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: -30A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 35mΩ
Gate charge: 50nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SH8JC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.025 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 7.5
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.36 грн
10+ 154.6 грн
100+ 131.56 грн
500+ 100.77 грн
1000+ 77.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
SH8JC5TB1ROHM SemiconductorMOSFET -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 11510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.56 грн
10+ 124.96 грн
100+ 92.1 грн
250+ 90.11 грн
500+ 77.52 грн
1000+ 65.93 грн
2500+ 61.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
SH8JC5TB1Rohm SemiconductorDescription: -60V DUAL PCH+PCH, SOP8, POWER M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 6843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.27 грн
10+ 128.93 грн
100+ 102.63 грн
500+ 81.5 грн
1000+ 69.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
SH8JC5TB1ROHM - JapanTranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Substitute: SH8JC5TB1; SH8JC5TB1 TSH8JC5TB1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+134.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8JC5TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -7.5A; Idm: -30A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Pulsed drain current: -30A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 35mΩ
Gate charge: 50nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SH8JC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.025 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 7.5
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.56 грн
500+ 100.77 грн
1000+ 77.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
SH8JE5TB1Rohm SemiconductorDescription: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8JE5TB1Rohm SemiconductorDescription: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.28 грн
10+ 133.21 грн
100+ 106.03 грн
500+ 84.2 грн
1000+ 71.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
SH8K10SGZETBROHM SemiconductorMOSFET 30V NCH / NCH+SBD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SH8K11GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K11GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.07 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
SH8K11GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 140mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
SH8K11GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 140mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
SH8K11GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K11GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.07 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
SH8K12TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
товар відсутній
SH8K12TB1ROHM SemiconductorMOSFET TRNSISTR 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
товар відсутній
SH8K12TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8K13TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8K14TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8K15TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
товар відсутній
SH8K1TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 5A MOSFET
товар відсутній
SH8K1TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SH8K1TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8K1TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8K2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8K22
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8K22TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8
товар відсутній
SH8K22TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 45V 4.5A MOSFET
товар відсутній
SH8K22TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8
товар відсутній
SH8K25GZ0TBROHM SEMICONDUCTORSH8K25GZ0TB Multi channel transistors
товар відсутній
SH8K25GZ0TBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SH8K25GZ0TBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER
товар відсутній
SH8K25GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8K25GZ0TB1ROHM SemiconductorMOSFET LOW POWER MOSFET
на замовлення 7243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.26 грн
10+ 74.75 грн
100+ 50.42 грн
500+ 41.68 грн
1000+ 34.32 грн
2500+ 29.09 грн
10000+ 27.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8K25GZ0TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.2 A, 0.06 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 5.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 3
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
SH8K25GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 17463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.72 грн
10+ 74.82 грн
100+ 58.33 грн
500+ 45.23 грн
1000+ 35.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8K26GZ0TBROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.027 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
SH8K26GZ0TBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE
товар відсутній
SH8K26GZ0TBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; Idm: 12A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
SH8K26GZ0TBROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.027 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
SH8K26GZ0TBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. Middle Power MOSFET SH8K26 is suitable for switching power supply.
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.93 грн
10+ 56.46 грн
100+ 37.7 грн
500+ 29.82 грн
1000+ 23.85 грн
2500+ 21.53 грн
10000+ 19.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
SH8K26GZ0TBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE
товар відсутній
SH8K26GZ0TBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; Idm: 12A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
SH8K26GZ0TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.04 грн
500+ 44.1 грн
1000+ 30.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
SH8K26GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.61 грн
10+ 81.65 грн
100+ 63.67 грн
500+ 49.36 грн
1000+ 38.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8K26GZ0TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.34 грн
10+ 77.3 грн
100+ 56.04 грн
500+ 44.1 грн
1000+ 30.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
SH8K26GZ0TB1ROHM SemiconductorMOSFET LOW POWER MOSFET
на замовлення 14967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.99 грн
10+ 81.53 грн
100+ 55.06 грн
500+ 45.52 грн
1000+ 37.37 грн
2500+ 31.74 грн
10000+ 30.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8K26GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8K2TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 6A MOSFET
товар відсутній
SH8K2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
товар відсутній
SH8K2TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8K2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
товар відсутній
SH8K3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8K3ROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
SH8K32
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8K32GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+79.14 грн
154+ 75.6 грн
250+ 72.57 грн
500+ 67.45 грн
1000+ 60.42 грн
2500+ 56.29 грн
Мінімальне замовлення: 147
SH8K32GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K32GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.046 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
SH8K32GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. Complex type MOSFETs(N+N) are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications.Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet var
на замовлення 17470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.22 грн
10+ 89.15 грн
100+ 61.42 грн
250+ 56.72 грн
500+ 51.48 грн
1000+ 44.13 грн
2500+ 41.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8K32GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SH8K32GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
SH8K32GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+79.14 грн
154+ 75.6 грн
250+ 72.57 грн
500+ 67.45 грн
1000+ 60.42 грн
Мінімальне замовлення: 147
SH8K32GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.49 грн
10+ 81.99 грн
100+ 65.24 грн
500+ 51.81 грн
1000+ 43.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8K32GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K32GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.046 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
SH8K32GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+79.96 грн
171+ 68.11 грн
200+ 58.34 грн
211+ 53.3 грн
500+ 46.18 грн
1000+ 41.63 грн
2000+ 39.26 грн
2500+ 38.16 грн
5000+ 36.55 грн
Мінімальне замовлення: 146
SH8K32GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.21 грн
5000+ 42.82 грн
12500+ 41.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8K32TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
SH8K32TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP (5.0x6.0)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.8 грн
5000+ 47.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8K32TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+98.46 грн
124+ 94.06 грн
250+ 90.29 грн
500+ 83.92 грн
1000+ 75.17 грн
2500+ 70.03 грн
Мінімальне замовлення: 118
SH8K32TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.45 грн
500+ 67.43 грн
1000+ 51.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
SH8K32TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SH8K32TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+98.46 грн
124+ 94.06 грн
250+ 90.29 грн
500+ 83.92 грн
1000+ 75.17 грн
Мінімальне замовлення: 118
SH8K32TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP (5.0x6.0)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.09 грн
10+ 96.01 грн
100+ 77.18 грн
500+ 59.51 грн
1000+ 49.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8K32TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.99 грн
10+ 112.24 грн
100+ 88.45 грн
500+ 67.43 грн
1000+ 51.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
SH8K32TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 60V 4.5A MOSFET
на замовлення 39843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.72 грн
10+ 96.01 грн
100+ 65.93 грн
250+ 61.35 грн
500+ 55.72 грн
1000+ 47.71 грн
2500+ 44.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8K32TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8K37GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 5.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SH8K37GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товар відсутній
SH8K37GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. SH8K37GZETB is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching and motor drive.Buy Sample FAQ Contact Us Data Sheet PackageDimensions
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.54 грн
10+ 90.67 грн
100+ 62.88 грн
250+ 58.11 грн
500+ 52.74 грн
1000+ 45.19 грн
2500+ 42.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8K37GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 5.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
SH8K37GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+86.55 грн
141+ 82.68 грн
250+ 79.36 грн
500+ 73.77 грн
1000+ 66.08 грн
2500+ 61.56 грн
Мінімальне замовлення: 135
SH8K37GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.36 грн
10+ 84.06 грн
100+ 66.92 грн
500+ 53.14 грн
1000+ 45.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8K39GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. SH8K39 is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (SOP8), suitable for switching and motor drive.
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.19 грн
10+ 122.68 грн
100+ 84.81 грн
250+ 78.18 грн
500+ 70.9 грн
1000+ 60.69 грн
2500+ 56.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8K39GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+109.05 грн
112+ 104.17 грн
250+ 100 грн
500+ 92.95 грн
Мінімальне замовлення: 107
SH8K39GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.2 грн
10+ 112.91 грн
100+ 89.86 грн
500+ 71.36 грн
1000+ 60.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8K39GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 13A; Idm: 30A; 5.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 5.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
SH8K39GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+109.05 грн
112+ 104.17 грн
250+ 100 грн
500+ 92.95 грн
1000+ 83.25 грн
2500+ 77.55 грн
Мінімальне замовлення: 107
SH8K39GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товар відсутній
SH8K39GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 13A; Idm: 30A; 5.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 5.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SH8K3TBROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
SH8K3TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 7A MOSFET
товар відсутній
SH8K3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товар відсутній
SH8K3TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8K3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.97 грн
10+ 59.84 грн
100+ 46.51 грн
500+ 37 грн
1000+ 30.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8K41GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K41GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
SH8K41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8K41GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K41GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
SH8K41GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET
на замовлення 26640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.87 грн
10+ 58.67 грн
100+ 39.82 грн
500+ 32.86 грн
1000+ 25.97 грн
5000+ 23.79 грн
10000+ 23.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
SH8K41GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 3.4A; Idm: 13.6A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 13.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
SH8K41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.51 грн
10+ 55.35 грн
100+ 43.17 грн
500+ 33.47 грн
1000+ 26.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
SH8K41GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 3.4A; Idm: 13.6A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 13.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
SH8K41TBROHMDescription: ROHM - SH8K41TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
SH8K41TBROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
SH8K4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товар відсутній
SH8K4TB1
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8K4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.48 грн
10+ 121.54 грн
100+ 97.71 грн
500+ 75.34 грн
1000+ 62.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8K4TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 9A MOSFET
товар відсутній
SH8K5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8K51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SH8K51GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. SH8K51 is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (SOP8), suitable for switching.
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.33 грн
10+ 60.65 грн
100+ 41.08 грн
500+ 33.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
SH8K51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SH8K52GZETBROHM SemiconductorMOSFET 100V Nch+Nch Power MOSFET. SH8K52 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.58 грн
10+ 70.25 грн
100+ 47.57 грн
500+ 40.28 грн
1000+ 32.86 грн
2500+ 30.88 грн
5000+ 29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8K52GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.87 грн
5000+ 30.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8K52GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
SH8K52GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SH8K52GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 9895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.56 грн
10+ 62.67 грн
100+ 48.7 грн
500+ 38.74 грн
1000+ 31.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8K5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SH8K5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8
товар відсутній
SH8K5TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 3.5A MOSFET
товар відсутній
SH8KA1GZETBROHM SemiconductorMOSFET SH8KA1 is a power transistor with low on-resistance, suitable for switching and motor drive.
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.04 грн
10+ 48.08 грн
100+ 29.02 грн
500+ 24.18 грн
1000+ 20.67 грн
2500+ 17.96 грн
5000+ 17.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
SH8KA1GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8KA1GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+50.89 грн
10+ 42.72 грн
100+ 29.6 грн
500+ 23.21 грн
1000+ 19.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
SH8KA2ROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
SH8KA2GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8A; Idm: 16A; 2.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
SH8KA2GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8A; Idm: 16A; 2.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SH8KA2GZETBROHMDescription: ROHM - SH8KA2GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.023 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.8
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
SH8KA2GZETBROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.17 грн
10+ 79.24 грн
100+ 54.13 грн
500+ 45.85 грн
1000+ 37.37 грн
2500+ 35.12 грн
5000+ 33.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8KA2GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8KA2GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+45.64 грн
266+ 43.81 грн
500+ 42.22 грн
1000+ 39.39 грн
Мінімальне замовлення: 255
SH8KA2GZETBROHMDescription: ROHM - SH8KA2GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.023 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.8
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
SH8KA2GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.89 грн
10+ 73.78 грн
100+ 57.36 грн
500+ 45.63 грн
1000+ 37.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8KA2TB1ROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 7592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+103.58 грн
10+ 85.34 грн
100+ 57.05 грн
500+ 49.3 грн
1000+ 39.62 грн
2500+ 37.1 грн
5000+ 36.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8KA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товар відсутній
SH8KA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+50.57 грн
250+ 48.54 грн
500+ 46.79 грн
1000+ 43.64 грн
Мінімальне замовлення: 230
SH8KA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.33 грн
10+ 81.99 грн
25+ 77.85 грн
100+ 60.02 грн
250+ 56.11 грн
500+ 49.58 грн
1000+ 38.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8KA4TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 41573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.49 грн
10+ 46.93 грн
100+ 36.52 грн
500+ 29.06 грн
1000+ 23.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
SH8KA4TBROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.53 грн
10+ 67.51 грн
100+ 45.78 грн
500+ 37.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
SH8KA4TBROHM SEMICONDUCTORSH8KA4TB Multi channel transistors
товар відсутній
SH8KA4TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.66 грн
5000+ 22.61 грн
12500+ 21.57 грн
25000+ 20.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8KA4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET2 N-CH SOP8G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.29 грн
10+ 73.3 грн
100+ 57.17 грн
500+ 44.32 грн
1000+ 34.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8KA4TB1ROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 4434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.58 грн
10+ 76.96 грн
100+ 51.62 грн
500+ 42.67 грн
1000+ 33.73 грн
2500+ 31.41 грн
5000+ 29.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8KA4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET2 N-CH SOP8G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товар відсутній
SH8KA4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KA4TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0165 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
SH8KA4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KA4TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0165 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
SH8KA7ROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND
товар відсутній
SH8KA7GZETBROHM SEMICONDUCTORSH8KA7GZETB Multi channel transistors
товар відсутній
SH8KA7GZETBROHM SemiconductorMOSFET SH8KA7 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET for switching and mortor drive application.
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+154.6 грн
10+ 136.39 грн
100+ 95.41 грн
500+ 78.18 грн
1000+ 65 грн
2500+ 60.43 грн
5000+ 58.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND
товар відсутній
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+90.92 грн
134+ 86.85 грн
250+ 83.37 грн
500+ 77.49 грн
1000+ 69.41 грн
Мінімальне замовлення: 128
SH8KB6TB1ROHM SemiconductorMOSFET 40V N&N-CHANNEL
на замовлення 7541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.09 грн
10+ 58.14 грн
100+ 39.42 грн
500+ 32.6 грн
1000+ 25.71 грн
2500+ 23.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
SH8KB6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KB6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.75 грн
14+ 53.89 грн
100+ 38.43 грн
500+ 30.23 грн
1000+ 21.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+44.11 грн
500+ 37.95 грн
Мінімальне замовлення: 264
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 8.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.36 грн
10+ 49.28 грн
100+ 38.35 грн
500+ 30.51 грн
1000+ 24.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 8.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 13.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товар відсутній
SH8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 13.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.84 грн
10+ 105.12 грн
100+ 81.95 грн
500+ 63.53 грн
1000+ 50.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8KB7TB1ROHM SemiconductorMOSFET 40V N&N-CHANNEL
на замовлення 17450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.91 грн
10+ 108.2 грн
100+ 73.55 грн
500+ 60.56 грн
1000+ 47.77 грн
25000+ 44.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8KB7TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KB7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 13.5 A, 13.5 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0065ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.56 грн
13+ 57.53 грн
100+ 43.11 грн
500+ 33.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
SH8KC6TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 65 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+62.88 грн
8+ 34.4 грн
25+ 29.82 грн
40+ 22.94 грн
108+ 21.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
SH8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.18 грн
5000+ 24.01 грн
12500+ 22.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8KC6TB1ROHM SemiconductorMOSFET 60V Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 34955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.56 грн
10+ 54.71 грн
100+ 37.04 грн
500+ 31.34 грн
1000+ 25.58 грн
2500+ 24.05 грн
5000+ 22.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
SH8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.31 грн
17+ 46.38 грн
100+ 33.22 грн
500+ 26.09 грн
1000+ 18.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
SH8KC6TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.4 грн
13+ 27.61 грн
25+ 24.85 грн
40+ 19.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
SH8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 19963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.07 грн
10+ 49.9 грн
100+ 38.79 грн
500+ 30.86 грн
1000+ 25.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
SH8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.025 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.36 грн
500+ 55.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
SH8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.56 грн
10+ 105.74 грн
100+ 82.45 грн
500+ 63.92 грн
1000+ 50.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товар відсутній
SH8KC7TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.82 грн
10+ 98.86 грн
100+ 73.29 грн
500+ 57.63 грн
1000+ 43.13 грн
5000+ 38.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
SH8KC7TB1ROHM SemiconductorMOSFET 60V N&N-CHANNEL
на замовлення 7544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.68 грн
10+ 108.96 грн
100+ 74.21 грн
500+ 60.89 грн
1000+ 48.1 грн
2500+ 44.92 грн
5000+ 44.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.28 грн
10+ 106.63 грн
100+ 85.7 грн
500+ 66.08 грн
1000+ 54.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8KE6TB1ROHM SemiconductorMOSFET 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8,
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.14 грн
10+ 108.2 грн
100+ 75.53 грн
500+ 66.19 грн
2500+ 56.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товар відсутній
SH8KE7TB1ROHM SemiconductorMOSFET SH8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching and motor drive. This product includes two 100V Nch MOSFETs in a small surface mount package (SOP8).
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.55 грн
10+ 118.1 грн
100+ 82.16 грн
250+ 75.53 грн
500+ 68.91 грн
1000+ 62.22 грн
2500+ 53.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8M11TB1ROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A
товар відсутній
SH8M11TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
товар відсутній
SH8M12TB1ROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET N/P-CH 4V
товар відсутній
SH8M12TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
товар відсутній
SH8M12TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8M13GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Pch Si MOSFET
на замовлення 12070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.75 грн
10+ 61.03 грн
100+ 41.28 грн
500+ 34.98 грн
1000+ 28.49 грн
2500+ 25.71 грн
5000+ 25.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
SH8M14TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP
товар відсутній
SH8M14TB1ROHM SemiconductorMOSFET 4V DRIVE TYP N/P CH MID PWR MOSFET
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.09 грн
10+ 90.67 грн
100+ 61.62 грн
500+ 52.28 грн
1000+ 42.6 грн
2500+ 39.49 грн
5000+ 37.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8M2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8M24GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Pch MOSFET. Complex type MOSFETs(P+N) are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications.Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet var
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.44 грн
10+ 68.96 грн
100+ 48.83 грн
500+ 42.14 грн
1000+ 34.32 грн
2500+ 32.33 грн
5000+ 30.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8M24GZETBROHMDescription: ROHM - SH8M24GZETB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 6 A, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.11 грн
18+ 42.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
SH8M24GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 9108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.86 грн
10+ 66.19 грн
100+ 51.5 грн
500+ 40.97 грн
1000+ 33.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8M24GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.76 грн
5000+ 31.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8M24GZETBROHMDescription: ROHM - SH8M24GZETB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 6 A, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SH8M24TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 45/-45V; 6/-6A; Idm: 14÷18A; 3.1W
Case: SOP8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.8/13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 14...18A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 45/-45V
Drain current: 6/-6A
On-state resistance: 64/92mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
товар відсутній
SH8M24TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.51 грн
10+ 84.48 грн
100+ 65.69 грн
500+ 52.26 грн
1000+ 42.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8M24TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 45V/-45V 4.5A/-3.5A; MOSFET
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.72 грн
10+ 96.77 грн
100+ 65.93 грн
500+ 55.46 грн
1000+ 44.53 грн
2500+ 41.74 грн
5000+ 39.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8M24TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.34 грн
5000+ 40.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8M24TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 45/-45V; 6/-6A; Idm: 14÷18A; 3.1W
Case: SOP8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.8/13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 14...18A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 45/-45V
Drain current: 6/-6A
On-state resistance: 64/92mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SH8M2TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 3.5A/-3.5A; MOSFET
товар відсутній
SH8M2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8
товар відсутній
SH8M2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.94 грн
10+ 55.91 грн
100+ 42.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
SH8M3
на замовлення 6075 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8M31GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8M31 IS A POWER MOSFET WITH LO
товар відсутній
SH8M31GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8M31 IS A POWER MOSFET WITH LO
товар відсутній
SH8M31GZETBROHM SemiconductorMOSFET SH8M31 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.5 грн
10+ 109.72 грн
100+ 76.2 грн
250+ 73.55 грн
500+ 64.07 грн
1000+ 54.53 грн
2500+ 51.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8M3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
SH8M3TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 5A/-4.5A; MOSFET
товар відсутній
SH8M3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.26 грн
10+ 64.81 грн
100+ 50.5 грн
500+ 39.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8M4
на замовлення 6082 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8M41
на замовлення 6067 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8M41GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Pch MOSFET SOP8 Nch+Pch
товар відсутній
SH8M41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8M41GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80/-80V
Drain current: 3.4/-2.6A
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160/310mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SH8M41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.61 грн
10+ 74.4 грн
100+ 57.86 грн
500+ 46.02 грн
1000+ 37.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8M41GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80/-80V
Drain current: 3.4/-2.6A
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160/310mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SH8M41TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.49 грн
10+ 80.89 грн
100+ 62.89 грн
500+ 50.02 грн
1000+ 40.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8M41TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80/-80V
Drain current: 3.4/-2.6A
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160/310mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.49 грн
10+ 36.86 грн
25+ 32.58 грн
27+ 29.68 грн
74+ 28.09 грн
500+ 27.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
SH8M41TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 80V/-80V 3.4A/-2.6A; MOSFET
на замовлення 19291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.09 грн
10+ 91.44 грн
100+ 61.35 грн
500+ 52.08 грн
1000+ 42.41 грн
2500+ 37.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8M41TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8M41TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80/-80V
Drain current: 3.4/-2.6A
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160/310mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+67.79 грн
6+ 45.93 грн
25+ 39.09 грн
27+ 35.61 грн
74+ 33.71 грн
500+ 32.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8M4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
товар відсутній
SH8M4TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 9A/-7A; MOSFET
товар відсутній
SH8M4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
товар відсутній
SH8M4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
товар відсутній
SH8M5
на замовлення 6077 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8M51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SH8M51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SH8M51GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Pch MOSFET. SH8M51 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.72 грн
10+ 94.48 грн
100+ 63.48 грн
500+ 54.13 грн
1000+ 44.13 грн
2500+ 41.54 грн
5000+ 39.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8M51GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 3/-2.5A; Idm: 10÷12A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 3/-2.5A
Pulsed drain current: 10...12A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 190/340mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5/12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SH8M51GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 3/-2.5A; Idm: 10÷12A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 3/-2.5A
Pulsed drain current: 10...12A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 190/340mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5/12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SH8M5TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 6A/-7A; MOSFET
товар відсутній
SH8M5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.3 грн
10+ 110.98 грн
100+ 89.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8M5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8
товар відсутній
SH8M70
на замовлення 6069 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SH8M70TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8
товар відсутній
SH8M70TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8
товар відсутній
SH8M70TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8
товар відсутній
SH8MA2GZETBROHM SEMICONDUCTORSH8MA2GZETB Multi channel transistors
товар відсутній
SH8MA2GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.15 грн
10+ 38.31 грн
100+ 29.38 грн
500+ 21.8 грн
1000+ 17.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
SH8MA2GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO
товар відсутній
SH8MA2GZETBROHM SemiconductorMOSFET SH8MA2 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for Switching.
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.66 грн
10+ 48.92 грн
100+ 32.67 грн
500+ 25.77 грн
1000+ 20.61 грн
2500+ 18.62 грн
10000+ 17.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
SH8MA3TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.74 грн
500+ 33.61 грн
1000+ 23.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
SH8MA3TB1ROHM SemiconductorMOSFET SH8MA3TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching.
на замовлення 7358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.73 грн
10+ 56.16 грн
100+ 38.03 грн
500+ 32.2 грн
1000+ 26.24 грн
2500+ 24.71 грн
5000+ 23.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
SH8MA3TB1ROHM SEMICONDUCTORSH8MA3TB1 Multi channel transistors
товар відсутній
SH8MA3TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.56 грн
13+ 59.46 грн
100+ 42.74 грн
500+ 33.61 грн
1000+ 23.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
SH8MA4TB1Rohm SemiconductorDescription: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.85 грн
5000+ 31.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8MA4TB1ROHM SemiconductorMOSFET SH8MA4TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching.
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.26 грн
10+ 67.82 грн
100+ 45.85 грн
500+ 38.89 грн
1000+ 31.67 грн
2500+ 29.15 грн
5000+ 28.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8MA4TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 9/-8.5A; Idm: 18A; 3W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 9/-8.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.5/41.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5/19.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SH8MA4TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 9/-8.5A; Idm: 18A; 3W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 9/-8.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.5/41.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5/19.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SH8MA4TB1Rohm SemiconductorDescription: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.42 грн
10+ 70.68 грн
100+ 55.13 грн
500+ 42.74 грн
1000+ 33.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
SH8MB5TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 8.5A; Idm: 34A; 2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6/51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SH8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SH8MB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+124.87 грн
10+ 95.14 грн
100+ 71.21 грн
500+ 56.46 грн
1000+ 42.37 грн
5000+ 41.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
SH8MB5TB1ROHM SemiconductorMOSFET 40V Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 19264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.41 грн
10+ 93.72 грн
100+ 64.73 грн
250+ 63.48 грн
500+ 54.2 грн
1000+ 46.45 грн
2500+ 44.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.96 грн
10+ 91.04 грн
100+ 72.45 грн
500+ 57.53 грн
1000+ 48.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8MB5TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 8.5A; Idm: 34A; 2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6/51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SH8MC4TB1ROHM SemiconductorMOSFET 60V 3.5A/4A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
5+71.89 грн
10+ 58.67 грн
100+ 39.69 грн
500+ 33.66 грн
1000+ 27.43 грн
2500+ 25.84 грн
5000+ 24.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
SH8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 6.5A/7.0A DUAL NCH+PCH, SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.01 грн
10+ 111.47 грн
100+ 89.6 грн
500+ 69.09 грн
1000+ 57.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8MC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.78 грн
10+ 81.76 грн
100+ 60.06 грн
500+ 48.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
SH8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 6.5A/7.0A DUAL NCH+PCH, SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товар відсутній
SH8MC5TB1ROHM SemiconductorMOSFET 60V 6.5A-7.0A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 18158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.91 грн
10+ 101.34 грн
100+ 70.23 грн
250+ 66.92 грн
500+ 58.51 грн
1000+ 50.09 грн
2500+ 48.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8ME5TB1ROHM SemiconductorMOSFET
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.5 грн
10+ 110.49 грн
100+ 76.2 грн
250+ 70.9 грн
500+ 64.07 грн
1000+ 57.84 грн
2500+ 50.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
SH8R0
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)