Продукція > R60

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R60Copper Mountain TechnologiesDescription: NETWORK ANALYZER 1-PORT 6 GHZ
Packaging: Box
Features: 1 Port
Style: Bench
Frequency Range: 1MHz ~ 6GHz
Part Status: Active
товар відсутній
R60-050 (FRX050-60F)
Код товару: 170731		Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Самовідновлюючі (PolySwitch)
товар відсутній
R60-10JST Sales America Inc.Description: CONN RING CRIMP 1/0 AWG #3/8
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 1/0 AWG
Insulation: Non-Insulated
Thickness: 0.079" (2.01mm)
Terminal Type: D-Shaped
Stud/Tab Size: 3/8 Stud
Length - Overall: 1.957" (49.70mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.866" (22.00mm)
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
R60-10 (NJ)J.S.T. Deutschland GmbH030917-00
товар відсутній
R60-10(NJ)JST CorporationR60-10(NJ)
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+120 грн
107+ 109.36 грн
131+ 89.03 грн
200+ 80.35 грн
800+ 74.14 грн
1600+ 61.47 грн
Мінімальне замовлення: 97
R60-3001002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 10MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.787" (20.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.394" (10.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товар відсутній
R60-3001102Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 11MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.827" (21.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.433" (11.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товар відсутній
R60-3001202Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 10mm-LG Brass Nickel
товар відсутній
R60-3001202Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 12MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.866" (22.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.472" (12.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товар відсутній
R60-3001302Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 13MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.906" (23.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.512" (13.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товар відсутній
R60-3001402Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 14MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.945" (24.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.551" (14.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товар відсутній
R60-3001502Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 10mm-LG Brass Nickel
товар відсутній
R60-3001502Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 15MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.984" (25.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.591" (15.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товар відсутній
R60-3001602Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 16MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 1.024" (26.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.630" (16.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товар відсутній
R60-3001802Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 18MM
товар відсутній
R60-3002002Harwin Interconnect PLCM6 HEXAGONAL MALE/FEMAL SPACER
товар відсутній
R60-3002002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 20MM
товар відсутній
R60-3002502Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 25MM
товар відсутній
R60-3002502Harwin Interconnect PLCM6 HEXAGONAL MALE/FEMAL SPACER
товар відсутній
R60-3003002Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 8mm-LG Brass Nickel
товар відсутній
R60-3003002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 30MM
товар відсутній
R60-3003502Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 35MM
товар відсутній
R60-3004002Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 8mm-LG Brass Nickel
товар відсутній
R60-3004002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 40MM
товар відсутній
R60-8JST Sales America Inc.Description: CONN RING CRIMP 1/0 AWG #5/16
Features: Brazed Seam
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 1/0 AWG
Insulation: Non-Insulated
Thickness: 0.079" (2.01mm)
Terminal Type: D-Shaped
Stud/Tab Size: 5/16 Stud
Length - Overall: 1.957" (49.70mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.866" (22.00mm)
Part Status: Active
товар відсутній
R60-8 (NJ)J.S.T. Deutschland GmbH030907-00
товар відсутній
R600-000-000Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases HI TEMP GASKE
товар відсутній
R600-000-001Hammond ManufacturingDescription: GASKET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R600-000-001Hammond2.5mm X 1M Std Rolec Gasket
товар відсутній
R600-000-002Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases Gasket
товар відсутній
R600-000-002HammondRolec Gasket 3.0mm X 1M
товар відсутній
R600-000-002Hammond ManufacturingDescription: GASKET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R600-000-003Hammond3.5mm X 1M Std Rolec Gasket
товар відсутній
R600-000-003Hammond ManufacturingDescription: GASKET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R600-000-003Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases Gasket, Rolec 3.5mm x 1M
товар відсутній
R600-008-080Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases Gasket for R583.080 BUF14-11032T
товар відсутній
R6000
на замовлення 7457 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6000W.H. BradyLabels Thermal Transfer Printable Label Resin Black 59.95x299923mm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12122.81 грн
2+ 12019.07 грн
3+ 11678.65 грн
5+ 10852.07 грн
10+ 9981.72 грн
R6000Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIBBON 1" DIA BK
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 2.36" x 984'
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9683.08 грн
10+ 8702.65 грн
R6000TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
R6000625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 600V 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товар відсутній
R6000825XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO-
товар відсутній
R6000ENHTB1ROHMDescription: ROHM - R6000ENHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 7.3 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.1 грн
500+ 31.54 грн
1000+ 23.06 грн
2500+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
R6000ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 0.5A, SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.34 грн
10+ 45.21 грн
100+ 35.15 грн
500+ 27.96 грн
1000+ 22.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6000ENHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6000ENHTB1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 0.5A, SOP8, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.54 грн
10+ 50.21 грн
100+ 33.99 грн
500+ 28.82 грн
1000+ 23.46 грн
2500+ 22.06 грн
5000+ 21 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6000ENHTB1ROHMDescription: ROHM - R6000ENHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 7.3 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.94 грн
15+ 52.77 грн
100+ 41.1 грн
500+ 31.54 грн
1000+ 23.06 грн
2500+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
R6000ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 0.5A, SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
товар відсутній
R6001
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6001REED InstrumentsDescription: TEMP AND HUMIDITY MONITOR
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6001-KITREED InstrumentsDescription: THERMO-HYGROMETER W/RH STANDARDS
Packaging: Retail Package
Type: Hygro Thermometer (Thermo Hygrometer)
Includes: Calibration Kit
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
товар відсутній
R6001-NISTREED InstrumentsDescription: THERMO-HYGROMETER
Packaging: Retail Package
Type: Hygro Thermometer (Thermo Hygrometer)
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
товар відсутній
R6001030XXYAGalco Industrial ElectronicsDescription: DIODE,DO-9,1000V,300A,FWD,STD,RO
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6001225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
товар відсутній
R6001230XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205
товар відсутній
R6001425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
товар відсутній
R6001430XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205
товар відсутній
R6001625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205
товар відсутній
R6001630XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205
товар відсутній
R6001825XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205
товар відсутній
R6001830XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205
товар відсутній
R6001NLiNRCORE, LLCDescription: XFRMR ETHERNET MOD IND 10/100B-T
Packaging: Tube
Inductance: 120µH
Size / Dimension: 0.700" L x 0.490" W (17.78mm x 12.45mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Transformer Type: LAN 10G Base-T
Height - Seated (Max): 0.235" (5.97mm)
Part Status: Active
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1331.69 грн
10+ 1131.22 грн
25+ 1093.51 грн
50+ 920.05 грн
100+ 884.68 грн
R6001NLTiNRCORE, LLCDescription: XFRMR ETHERNET MOD IND 10/100B-T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Inductance: 120µH
Size / Dimension: 0.700" L x 0.490" W (17.78mm x 12.45mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Transformer Type: LAN 10G Base-T
Height - Seated (Max): 0.235" (5.97mm)
Part Status: Active
товар відсутній
R6002Brady CorporationDescription: R6000 HALOGEN FREE RIBBON 1=984'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 3.27" x 984'
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12453.25 грн
10+ 11563.9 грн
25+ 11392.58 грн
R6002W.H. BradyBlack Printer Ribbon, 3.27 in W x 984 ft L, For Use with 81 Label Printer, BradyPrinter 7100, Thermal Transfer Printers
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13894.49 грн
2+ 13396.21 грн
3+ 12974.43 грн
5+ 12163.84 грн
R6002BRADYDescription: BRADY - R6002 - THERMAL TRANSFER PRINTER RIBBON, BLACK, 3.27IN W
tariffCode: 39191080
Art des Zubehörs: Printer Ribbon
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: Brady Thermal Transfer Printers
usEccn: EAR99
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13311.39 грн
R6002W.H. BradyBlack Printer Ribbon, 3.27 in W x 984 ft L, For Use with 81 Label Printer, BradyPrinter 7100, Thermal Transfer Printers
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16704.99 грн
2+ 16562 грн
3+ 16093.06 грн
R6002025XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2KV 250A DO205AB DO9
товар відсутній
R6002030XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2KV 300A DO205AB DO9
товар відсутній
R6002225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2.2KV 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2200 V
товар відсутній
R6002425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2.4KV 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2400 V
товар відсутній
R6002625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2.6KV 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2600 V
товар відсутній
R6002END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+28.65 грн
442+ 26.32 грн
455+ 25.55 грн
500+ 23.7 грн
1000+ 21.08 грн
Мінімальне замовлення: 406
R6002END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 2A TO-252 (DPAK)
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.22 грн
10+ 61.41 грн
100+ 41.61 грн
500+ 35.25 грн
1000+ 28.69 грн
2500+ 26.9 грн
5000+ 25.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6002END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.7A; Idm: 4A; 26W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 26W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6002END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+47.41 грн
256+ 45.51 грн
500+ 43.87 грн
1000+ 40.92 грн
2500+ 36.77 грн
Мінімальне замовлення: 245
R6002END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.7A; Idm: 4A; 26W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 26W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6002END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6002END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6002END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.96 грн
10+ 56.04 грн
100+ 43.59 грн
500+ 34.67 грн
1000+ 28.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6002END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+47.41 грн
256+ 45.51 грн
500+ 43.87 грн
1000+ 40.92 грн
Мінімальне замовлення: 245
R6002END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товар відсутній
R6002END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6002END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6002ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товар відсутній
R6002ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товар відсутній
R6002ENDTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 2A Power MOSFET
товар відсутній
R6002ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товар відсутній
R6002ENHTB1ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.71 грн
10+ 66.44 грн
100+ 44.99 грн
500+ 38.16 грн
1000+ 32.53 грн
2500+ 27.63 грн
10000+ 27.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6002ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.41 грн
10+ 60.6 грн
100+ 47.15 грн
500+ 37.51 грн
1000+ 30.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6002ENHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.19 грн
10+ 46.52 грн
25+ 43.7 грн
100+ 33.47 грн
250+ 31.09 грн
500+ 26.46 грн
1000+ 20.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
R6002JND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.24 грн
17+ 43.93 грн
100+ 33.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
товар відсутній
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+62.32 грн
383+ 30.39 грн
419+ 27.77 грн
420+ 26.69 грн
515+ 20.14 грн
Мінімальне замовлення: 187
R6002JND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.24 грн
17+ 43.93 грн
100+ 33.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
R6002JND4TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 1A SOT-223-3, PrestoMOS with integrated high-speed diode: R6002JND4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.PrestoMOS series, R60xxJNx series increases design flexibility while maintaini
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.21 грн
10+ 50.98 грн
100+ 30.21 грн
500+ 25.24 грн
1000+ 21.53 грн
2000+ 19.48 грн
4000+ 18.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
R6002PCBrady CorporationDescription: R6002PC HALOGEN FREE, 3.27"X 984
Packaging: Bulk
товар відсутній
R6003-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 3.2MM
товар відсутній
R6003-00HarwinStandoffs & Spacers 3.2 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R60030-1COREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-1CRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-1CREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-1PREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-1PRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-1SRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-1SREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-2COREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-2CORBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-2CRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-2CREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-2PRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-2PREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-2SRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-2SREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-3CORBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-3COREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-3CREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-3CRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R60030-3PRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-3PREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R60030-3SRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60030-3SREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товар відсутній
R6003JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.64 грн
10+ 51.9 грн
25+ 48.78 грн
100+ 37.37 грн
250+ 34.71 грн
500+ 29.54 грн
1000+ 23.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6003JND4TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 1.3A SOT-223-3, PrestoMOS with integrated high-speed diode: R6003JND4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.PrestoMOS series, R60xxJNx series increases design flexibility while maintai
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.17 грн
10+ 58.21 грн
100+ 34.59 грн
500+ 28.82 грн
1000+ 24.58 грн
2000+ 22.26 грн
4000+ 20.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6003JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.7 грн
Мінімальне замовлення: 4000
R6003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
товар відсутній
R6003KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6003KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 44W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6003KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V Vdss; 3A Id 44W Pd; TO-252
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.95 грн
10+ 89.15 грн
100+ 65.93 грн
250+ 60.63 грн
500+ 56.72 грн
1000+ 47.64 грн
2500+ 44.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.41 грн
10+ 103.87 грн
100+ 83.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6003KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6003KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.1 грн
10+ 92.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
R6003KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORR6003KND3TL1 SMD N channel transistors
товар відсутній
R6004CNDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6004CNDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6004CNDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6004CNDTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R6004END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+31.88 грн
378+ 30.8 грн
382+ 30.4 грн
500+ 27.99 грн
1000+ 25.47 грн
Мінімальне замовлення: 365
R6004END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.48 грн
5000+ 43.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6004END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6004END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 4A Power MOSFET. Power MOSFET R6004END3 is suitable for switching power supply.
на замовлення 4389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.22 грн
10+ 84.58 грн
100+ 61.62 грн
250+ 57.11 грн
500+ 51.81 грн
1000+ 44.46 грн
2500+ 42.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 59W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 59W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6004END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 7053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.21 грн
10+ 82.41 грн
100+ 65.62 грн
500+ 52.1 грн
1000+ 44.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 59W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 59W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6004END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 59
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6004END4TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 2.4A SOT-223-3, Low-noise Power MOSFET: Power MOSFET R6004END4 is suitable for switching power supply.
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.33 грн
10+ 55.55 грн
100+ 37.57 грн
500+ 31.87 грн
1000+ 25.97 грн
2000+ 24.45 грн
4000+ 23.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6004END4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
R6004END4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.79 грн
10+ 54.66 грн
25+ 51.9 грн
100+ 40.02 грн
250+ 37.4 грн
500+ 33.06 грн
1000+ 25.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6004ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6004ENDTLROHMDescription: ROHM - R6004ENDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 58
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6004ENDTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+56.38 грн
250+ 54.12 грн
500+ 52.17 грн
1000+ 48.67 грн
Мінімальне замовлення: 206
R6004ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.64 грн
10+ 89.79 грн
100+ 70.01 грн
500+ 54.27 грн
1000+ 42.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004ENDTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+56.38 грн
250+ 54.12 грн
500+ 52.17 грн
1000+ 48.67 грн
2500+ 43.73 грн
Мінімальне замовлення: 206
R6004ENDTLROHMDescription: ROHM - R6004ENDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6004ENDTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+105.9 грн
10+ 93.72 грн
100+ 63.54 грн
500+ 52.21 грн
1000+ 41.21 грн
2500+ 38.43 грн
5000+ 37.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
R6004ENJTLROHMDescription: ROHM - R6004ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6004ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+103.58 грн
10+ 83.82 грн
100+ 58.9 грн
500+ 51.42 грн
1000+ 40.55 грн
2000+ 37.9 грн
5000+ 35.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
R6004ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+60.94 грн
250+ 58.49 грн
500+ 56.38 грн
Мінімальне замовлення: 191
R6004ENJTLROHMDescription: ROHM - R6004ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 58
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6004ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+71.06 грн
172+ 67.89 грн
250+ 65.16 грн
500+ 60.57 грн
Мінімальне замовлення: 164
R6004ENXROHMDescription: ROHM - R6004ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+124.13 грн
10+ 99.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
R6004ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.51 грн
10+ 85.51 грн
100+ 68.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R6004ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6004ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6004ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.55 грн
50+ 124.63 грн
100+ 102.55 грн
500+ 81.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6004ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.7 грн
10+ 144.01 грн
100+ 98.72 грн
250+ 97.4 грн
500+ 83.49 грн
1000+ 70.9 грн
2500+ 68.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6004JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6004JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.05 грн
10+ 120.39 грн
100+ 84.15 грн
500+ 68.91 грн
1000+ 57.31 грн
2500+ 53.34 грн
5000+ 51.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 12A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R6004JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6004JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 12A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6004JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.01 грн
10+ 103.18 грн
100+ 82.1 грн
500+ 65.2 грн
1000+ 55.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6004JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+72.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R6004JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6004JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6004JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6004JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
товар відсутній
R6004JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.1 грн
10+ 122.99 грн
100+ 97.87 грн
500+ 77.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6004JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6004JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.9 грн
13+ 58.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
R6004JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6004JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.33 грн
10+ 134.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6004JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6004JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.29 грн
10+ 134.11 грн
100+ 95.41 грн
250+ 88.12 грн
500+ 80.17 грн
1000+ 64.07 грн
5000+ 63.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6004JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.43 грн
10+ 134.59 грн
100+ 107.12 грн
500+ 85.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6004KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6004KNJTLROHMDescription: ROHM - R6004KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6004KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
товар відсутній
R6004KNJTLROHMDescription: ROHM - R6004KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.11 грн
14+ 57.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
R6004KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.47 грн
10+ 156.2 грн
25+ 128.54 грн
100+ 109.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6004KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.01 грн
10+ 111.88 грн
100+ 89.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.64 грн
10+ 119.63 грн
100+ 84.15 грн
500+ 67.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004KNXROHM - JapanMOSFET N-CH 600V 4A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6004KNX Rohm Semiconductor TR6004knx
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+53.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
R6004KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.51 грн
10+ 124.96 грн
100+ 86.14 грн
250+ 79.51 грн
500+ 72.88 грн
1000+ 61.42 грн
2000+ 58.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6004KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+143.35 грн
10+ 114.57 грн
100+ 91.22 грн
500+ 72.44 грн
1000+ 61.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6004KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6004KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.62 грн
10+ 147.17 грн
100+ 116.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6004PND3FRATLROHMDescription: ROHM - R6004PND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.02 грн
500+ 106.98 грн
1000+ 82.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
R6004PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+92.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6004PND3FRATLROHMDescription: ROHM - R6004PND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.25 грн
10+ 165.01 грн
100+ 136.02 грн
500+ 106.98 грн
1000+ 82.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6004PND3FRATLROHM SemiconductorMOSFET 600V 4A TO-252, Automotive Power MOSFET
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.8 грн
10+ 188.21 грн
100+ 133.84 грн
500+ 113.96 грн
1000+ 96.74 грн
2500+ 91.44 грн
5000+ 90.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6004PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.65 грн
10+ 153.98 грн
100+ 124.59 грн
500+ 103.92 грн
1000+ 88.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6004RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 100 V
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.54 грн
10+ 64.12 грн
25+ 60.85 грн
100+ 46.89 грн
250+ 43.84 грн
500+ 38.74 грн
1000+ 30.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6004RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.33 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.33ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.11 грн
16+ 47.35 грн
100+ 39.25 грн
Мінімальне замовлення: 14
R6004RND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET SUITABLE F/SWITCH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+33.78 грн
10000+ 31.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6004RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6004RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.33 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.33ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
R6005Brady CorporationDescription: R6005 HALOGEN FREE, 2.36" X 500'
товар відсутній
R6006W.H. BradyPrinter Ribbon, Resin, Side Out, 39.88 mm W x 299.92 m L, For Use with 81 Label Printer
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8183.99 грн
3+ 7951.03 грн
5+ 7385.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIB 1"DIA 1=984'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BRADYPRINTER PR Plus, BBP®72, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 1.57" x 984'
Part Status: Active
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6550.95 грн
10+ 5887.72 грн
R6006-00HARWINDescription: HARWIN - R6006-00 - Leiterplattenbefestigung, doppelseitiger Einrasthalter, Nylon 6.6, 6.3mm x 4mm
tariffCode: 39269097
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Doppelseitiger Einrasthalter
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 6.3mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 99
R6006-00HarwinStandoffs & Spacers 6.3 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.87 грн
24+ 13.03 грн
100+ 9.87 грн
200+ 9.28 грн
500+ 8.81 грн
1000+ 8.35 грн
2000+ 8.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
R6006-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 6.3MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Snap Lock
Material: Nylon
Length - Overall: 0.547" (13.90mm)
Between Board Height: 0.248" (6.30mm)
Holding Type: Snap Fit
Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm)
Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.35 грн
18+ 15.87 грн
21+ 13.18 грн
25+ 11.66 грн
50+ 11.14 грн
100+ 9.91 грн
Мінімальне замовлення: 15
R60060-1CORBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 60A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60060-1COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Class R Fuses
Fuse Type: Cartridge
Voltage: 600V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Box Lug
Fuse Size: 1.063" Dia x 5.5" L (27mm x 139.7mm)
Fuseholder Type: Block
Part Status: Obsolete
Current Rating (Amps): 60 A
Number of Circuits: 1
товар відсутній
R60060-1CRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 60A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60060-1CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
товар відсутній
R60060-1PRBussmann / EatonFuse Holder RPLCD BY R60060-1CR
товар відсутній
R60060-1PREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HOLDER
товар відсутній
R60060-1SRBussmann / EatonFuse Holder F/BLOCK CLASS R 600V
товар відсутній
R60060-2COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Class R Fuses
Fuse Type: Cartridge
Voltage: 600V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Box Lug
Fuse Size: 1.063" Dia x 5.5" L (27mm x 139.7mm)
Fuseholder Type: Block
Part Status: Obsolete
Current Rating (Amps): 60 A
Number of Circuits: 2
товар відсутній
R60060-2CORBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 60A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60060-2CRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 60A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60060-2CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
товар відсутній
R60060-3CORBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 60A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60060-3COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
товар відсутній
R60060-3CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
товар відсутній
R60060-3CRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 60A Class R Fuseblock
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6006ANDTLROHM SemiconductorMOSFET LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST
товар відсутній
R6006ANDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
товар відсутній
R6006ANDTL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6006ANDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150.51 грн
10+ 130.24 грн
100+ 104.67 грн
500+ 80.71 грн
1000+ 66.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+121.22 грн
101+ 115.8 грн
250+ 111.16 грн
500+ 103.32 грн
Мінімальне замовлення: 96
R6006ANXROHM SemiconductorMOSFET 10V DRIVE NCH MOSFET
товар відсутній
R6006ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товар відсутній
R6006ANX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6006ANXFU7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.4 грн
10+ 126.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 86W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 86W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
On-state resistance: 936mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 18A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6006JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.74 грн
10+ 137.15 грн
100+ 97.4 грн
500+ 82.16 грн
1000+ 70.23 грн
2500+ 65.93 грн
5000+ 64.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6006JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
товар відсутній
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6006JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 86W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 86W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
On-state resistance: 936mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 18A
товар відсутній
R6006JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.49 грн
10+ 98.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
R6006JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+118.58 грн
Мінімальне замовлення: 98
R6006JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.73 грн
10+ 138.38 грн
100+ 110.13 грн
500+ 87.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+118.58 грн
Мінімальне замовлення: 98
R6006JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6006JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6006JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
товар відсутній
R6006JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6006JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
товар відсутній
R6006JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6006JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6006JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+106.41 грн
115+ 101.64 грн
250+ 97.56 грн
500+ 90.68 грн
1000+ 81.23 грн
Мінімальне замовлення: 110
R6006JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.62 грн
10+ 163.06 грн
100+ 116.61 грн
250+ 107.34 грн
500+ 97.4 грн
1000+ 78.18 грн
5000+ 76.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.23 грн
10+ 155.22 грн
100+ 123.51 грн
500+ 98.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.91 грн
10+ 113.33 грн
100+ 90.19 грн
500+ 71.62 грн
1000+ 60.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6006KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006KND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.19 грн
10+ 118.1 грн
100+ 84.81 грн
250+ 78.18 грн
500+ 70.9 грн
1000+ 61.09 грн
2500+ 57.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6006KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6006KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 70
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6006KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 70W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 70W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 18A
товар відсутній
R6006KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 70W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 70W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
On-state resistance: 1.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 18A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R6006KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6006KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+77.55 грн
157+ 74.08 грн
250+ 71.11 грн
500+ 66.1 грн
1000+ 59.21 грн
Мінімальне замовлення: 150
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.66 грн
10+ 57.56 грн
25+ 54.58 грн
100+ 42.08 грн
250+ 39.34 грн
500+ 34.76 грн
1000+ 27 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+96.24 грн
248+ 46.99 грн
270+ 43.04 грн
272+ 41.31 грн
500+ 31.11 грн
Мінімальне замовлення: 121
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000
R6006KND4TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 2.8A SOT-223-3, High-speed switching Power MOSFET: R6006KND4 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.59 грн
10+ 59.05 грн
100+ 39.95 грн
500+ 33.92 грн
1000+ 27.63 грн
2000+ 25.97 грн
4000+ 24.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6006KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+83.24 грн
147+ 79.52 грн
Мінімальне замовлення: 140
R6006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+83.64 грн
146+ 79.9 грн
250+ 76.69 грн
500+ 71.29 грн
Мінімальне замовлення: 139
R6006KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.16 грн
10+ 155.44 грн
100+ 107.34 грн
250+ 104.03 грн
500+ 90.11 грн
1000+ 76.86 грн
2500+ 72.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.18 грн
10+ 143.08 грн
100+ 113.86 грн
500+ 90.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.2 грн
10+ 146.94 грн
100+ 116.99 грн
500+ 92.9 грн
1000+ 78.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+179.81 грн
68+ 172.96 грн
100+ 167.09 грн
250+ 156.24 грн
500+ 140.72 грн
1000+ 131.79 грн
Мінімальне замовлення: 65
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
товар відсутній
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6006PND3FRATLROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.21 грн
10+ 163.82 грн
100+ 113.3 грн
250+ 104.69 грн
500+ 94.75 грн
1000+ 86.14 грн
2500+ 74.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIB 1"DIA 1=984'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 4.33" x 984'
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17079.77 грн
10+ 15859.35 грн
25+ 15624.4 грн
R6007END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 78W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
On-state resistance: 1.2Ω
товар відсутній
R6007END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6007END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6007END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 78W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
On-state resistance: 1.2Ω
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R6007END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 7A Power MOSFET. Power MOSFET R6007END3 is suitable for switching power supply.
товар відсутній
R6007END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+93.65 грн
10+ 78.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
R6007END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.38 грн
10+ 122.58 грн
100+ 97.52 грн
500+ 77.44 грн
1000+ 65.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007ENJROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
R6007ENJTLROHMDescription: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6007ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.6 грн
10+ 114.5 грн
100+ 92.07 грн
500+ 70.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6007ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+93.7 грн
130+ 89.51 грн
250+ 85.92 грн
500+ 79.86 грн
1000+ 71.53 грн
Мінімальне замовлення: 124
R6007ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 78W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.2Ω
товар відсутній
R6007ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.23 грн
10+ 118.1 грн
100+ 84.81 грн
500+ 72.88 грн
1000+ 59.96 грн
2000+ 57.91 грн
5000+ 56.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6007ENJTLROHMDescription: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.92 грн
10+ 85.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
R6007ENJTL
Код товару: 190145		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
R6007ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 14A; 78W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 78W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.2Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6007ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+62.28 грн
191+ 61.1 грн
200+ 58.34 грн
203+ 55.39 грн
1000+ 49.71 грн
2000+ 46.79 грн
Мінімальне замовлення: 187
R6007ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
товар відсутній
R6007ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.57 грн
10+ 158.49 грн
100+ 110.65 грн
500+ 90.11 грн
1000+ 74.87 грн
2500+ 69.57 грн
5000+ 67.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.28 грн
10+ 143.7 грн
100+ 115.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.35 грн
50+ 144.62 грн
100+ 119 грн
500+ 94.49 грн
1000+ 80.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.53 грн
10+ 166.87 грн
100+ 114.63 грн
250+ 109.99 грн
500+ 96.74 грн
1000+ 78.18 грн
5000+ 76.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 780mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
товар відсутній
R6007JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 780mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R6007JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET R6007JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.18 грн
10+ 97.53 грн
100+ 74.87 грн
250+ 68.91 грн
500+ 62.88 грн
1000+ 54 грн
2500+ 51.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6007JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6007JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: D2PAK
On-state resistance: 780mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6007JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6007JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
товар відсутній
R6007JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R6007JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6007JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: D2PAK
On-state resistance: 780mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
товар відсутній
R6007JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.24 грн
10+ 93.65 грн
25+ 91.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
R6007JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.95 грн
10+ 168.54 грн
100+ 135.48 грн
500+ 104.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6007JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.75 грн
10+ 92.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
R6007JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.12 грн
10+ 174.48 грн
100+ 142.98 грн
500+ 114.22 грн
1000+ 96.33 грн
2000+ 91.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6007JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.21 грн
10+ 182.87 грн
50+ 136.49 грн
100+ 113.96 грн
250+ 110.65 грн
500+ 98.72 грн
1000+ 84.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товар відсутній
R6007KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET 600V NCH 7A TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.99 грн
10+ 89.15 грн
100+ 62.22 грн
250+ 57.45 грн
500+ 52.15 грн
1000+ 51.28 грн
2500+ 43.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6007KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товар відсутній
R6007KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
товар відсутній
R6007KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 7A Si MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6007KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.46 грн
10+ 117.19 грн
100+ 94.24 грн
500+ 72.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6007KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
товар відсутній
R6007KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 7A Si MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6007KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6007KNXROHM - JapanMOSFET N-CH 600V 7A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6007KNX Rohm Semiconductor TR6007knx
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+133.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6007KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.53 грн
10+ 166.87 грн
100+ 114.63 грн
250+ 111.31 грн
500+ 96.74 грн
1000+ 82.82 грн
2500+ 78.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+75.31 грн
158+ 73.94 грн
165+ 70.68 грн
Мінімальне замовлення: 155
R6007KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.37 грн
10+ 153.22 грн
100+ 121.97 грн
500+ 96.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6007RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6007RND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET SUITABLE F/SWITCH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+49.7 грн
5000+ 48.77 грн
10000+ 41.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6007RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.73 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.26 грн
10+ 133.79 грн
100+ 106.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6007RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.34 грн
10+ 86.89 грн
25+ 82.02 грн
100+ 65.59 грн
250+ 61.59 грн
500+ 53.89 грн
1000+ 43.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6008-00HarwinStandoffs & Spacers 8.0 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6008-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM
товар відсутній
R6008ANJ
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6008ANJTL
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6008ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.23 грн
10+ 168.2 грн
100+ 135.18 грн
500+ 104.22 грн
1000+ 86.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6008ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товар відсутній
R6008ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6008ANXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.54 грн
10+ 209.54 грн
100+ 149.74 грн
500+ 127.22 грн
1000+ 106.68 грн
2500+ 101.37 грн
5000+ 98.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6008FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6008FNJTLROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.33 грн
10+ 256.02 грн
100+ 181.55 грн
500+ 155.04 грн
1000+ 129.87 грн
5000+ 127.88 грн
10000+ 125.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6008FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
товар відсутній
R6008FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6008FNXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
товар відсутній
R6008FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6008FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товар відсутній
R6009Brady CorporationDescription: R6009 HALOGEN FREE, 4.33" X 500'
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
R6009W.H. BradyPrinter Ribbon Black Side Out
товар відсутній
R6009-00HarwinStandoffs & Spacers 9.5 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 4067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.22 грн
14+ 23.24 грн
100+ 18.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
R6009-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Snap Lock
Material: Nylon
Length - Overall: 0.681" (17.30mm)
Between Board Height: 0.374" (9.50mm)
Holding Type: Snap Fit
Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm)
Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active
на замовлення 4944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.95 грн
13+ 22.78 грн
15+ 18.98 грн
25+ 16.76 грн
50+ 16.05 грн
100+ 14.26 грн
250+ 13.33 грн
500+ 12.62 грн
1000+ 11.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
R6009END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 5016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.42 грн
10+ 130.79 грн
100+ 104.09 грн
500+ 82.65 грн
1000+ 70.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 9A Power MOSFET. Power MOSFET R6009END3 is suitable for switching power supply.
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.15 грн
10+ 133.34 грн
100+ 98.72 грн
250+ 94.09 грн
500+ 83.49 грн
1000+ 70.9 грн
2500+ 65.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.98 грн
10+ 78.79 грн
100+ 63.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
R6009END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6009END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 18A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R6009END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 18A; 94W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 94W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6009END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
R6009END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+78.48 грн
155+ 74.97 грн
250+ 71.96 грн
500+ 66.89 грн
1000+ 59.91 грн
2500+ 55.82 грн
Мінімальне замовлення: 148
R6009ENJTLROHMDescription: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6009ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+93.58 грн
127+ 91.9 грн
795+ 14.61 грн
801+ 13.99 грн
806+ 12.87 грн
1000+ 11.93 грн
Мінімальне замовлення: 125
R6009ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товар відсутній
R6009ENJTLROHMDescription: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+93.65 грн
10+ 81.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
R6009ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+126.78 грн
100+ 121.12 грн
250+ 116.25 грн
500+ 108.06 грн
1000+ 96.79 грн
Мінімальне замовлення: 92
R6009ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товар відсутній
R6009ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.67 грн
10+ 172.2 грн
100+ 124.57 грн
500+ 109.33 грн
1000+ 89.45 грн
2000+ 86.8 грн
5000+ 82.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.19 грн
10+ 229.35 грн
100+ 162.99 грн
500+ 138.48 грн
1000+ 110.65 грн
5000+ 106.68 грн
10000+ 104.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.12 грн
10+ 211.89 грн
100+ 173.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 3693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.48 грн
10+ 184.4 грн
50+ 131.19 грн
100+ 111.98 грн
500+ 100.05 грн
1000+ 80.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.03 грн
50+ 135.32 грн
100+ 115.98 грн
500+ 96.75 грн
1000+ 82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 585mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R6009JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 585mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6009JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+124.14 грн
Мінімальне замовлення: 94
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.63 грн
10+ 160.33 грн
100+ 128.89 грн
500+ 99.38 грн
1000+ 82.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET R6009JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.34 грн
10+ 147.06 грн
100+ 101.37 грн
250+ 97.4 грн
500+ 85.47 грн
1000+ 73.55 грн
2500+ 68.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.69 грн
10+ 86.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+124.14 грн
100+ 118.58 грн
Мінімальне замовлення: 94
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+66.23 грн
179+ 65.05 грн
795+ 14.61 грн
812+ 13.8 грн
1000+ 12.43 грн
2000+ 11.67 грн
Мінімальне замовлення: 176
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6009JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+135.59 грн
90+ 130.42 грн
100+ 125.99 грн
Мінімальне замовлення: 86
R6009JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R6009JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6009JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.98 грн
10+ 166.87 грн
25+ 137.15 грн
100+ 117.94 грн
250+ 110.65 грн
500+ 104.69 грн
1000+ 86.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6009JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6009JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 585mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6009JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+135.59 грн
90+ 130.42 грн
100+ 125.99 грн
Мінімальне замовлення: 86
R6009JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 585mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6009JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.48 грн
10+ 148.46 грн
100+ 120.07 грн
500+ 100.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.93 грн
10+ 122.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6009JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6009JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+124.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
R6009JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+91.4 грн
132+ 88.44 грн
143+ 81.54 грн
200+ 76.43 грн
1000+ 67.07 грн
Мінімальне замовлення: 128
R6009JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.74 грн
50+ 164.5 грн
100+ 141.01 грн
500+ 117.63 грн
1000+ 100.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6009JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.65 грн
10+ 143.25 грн
50+ 97.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6009KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET 600V NCH 9A TO-252
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.5 грн
10+ 96.01 грн
100+ 66.26 грн
250+ 61.02 грн
500+ 55.92 грн
1000+ 55.13 грн
2500+ 46.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6009KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товар відсутній
R6009KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товар відсутній
R6009KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.48 грн
10+ 121.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6009KNJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 94W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6009KNJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 94W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6009KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6009KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товар відсутній
R6009KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6009KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.23 грн
10+ 126.49 грн
100+ 88.12 грн
500+ 72.88 грн
1000+ 59.96 грн
2000+ 55.86 грн
5000+ 53.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6009KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+109.32 грн
112+ 104.42 грн
250+ 100.24 грн
Мінімальне замовлення: 107
R6009KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.63 грн
10+ 123.68 грн
100+ 99.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6009KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.55 грн
10+ 128.77 грн
100+ 90.11 грн
500+ 73.55 грн
1000+ 56.78 грн
5000+ 54.66 грн
10000+ 53.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6009KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.48 грн
10+ 159.25 грн
50+ 137.15 грн
100+ 111.31 грн
250+ 110.65 грн
500+ 99.39 грн
1000+ 82.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+67.12 грн
177+ 65.94 грн
185+ 62.98 грн
200+ 59.78 грн
Мінімальне замовлення: 174
R6009KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.05 грн
10+ 146.94 грн
100+ 118.88 грн
500+ 99.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.93 грн
10+ 90.14 грн
25+ 85.06 грн
100+ 68.01 грн
250+ 63.86 грн
500+ 55.88 грн
1000+ 45.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6009RND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET SUITABLE F/SWITCH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+51.56 грн
5000+ 50.59 грн
10000+ 42.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+98.22 грн
130+ 89.53 грн
160+ 72.84 грн
200+ 65.68 грн
Мінімальне замовлення: 119
R600CH08
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R600CH10
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R600CH12
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R600CH14
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R600CH20
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R600CH20C2G0
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R600CH20C2H0
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R600CH20D2H0
Код товару: 108459		Транзистори > IGBT
товар відсутній
R600CH20FY0
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R600CH25
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R601-000-000Hammond2.5mm X 1M Silicone Gasket
товар відсутній
R601-000-000Hammond ManufacturingDescription: GASKET
товар відсутній
R601-000-001Hammond3mm X 1M Silicone Gasket
товар відсутній
R601-000-001Hammond ManufacturingDescription: GASKET
товар відсутній
R601-000-002Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes & Cases Silicone Gasket 3.5mm x 1M
товар відсутній
R601-000-002Hammond3.5mm X 1M Silicone Gasket
товар відсутній
R601-000-002Hammond ManufacturingDescription: GASKET
товар відсутній
R6010W.H. BradyTls 2200 / Tls Pc Link Black Print Ribbon
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6010W.H. BradyTls 2200 / Tls Pc Link Black Print Ribbon
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4888.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6010Brady CorporationDescription: R6000 HALOGEN FREE RIB BK 1=75'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: TLS-PC LINK™ Thermal Labeling System, TLS 2200® Thermal Labeling System
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 2" x 75'
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4413.65 грн
10+ 3851.94 грн
R6010BRADYDescription: BRADY - R6010 - PRINTER RIBBON, BLACK, 22.9M
Art des Zubehörs: Farbband für Drucker
Zur Verwendung mit: Drucker der Produktreihen TLS 2200 & TLS PC Link von Brady
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6010W.H. BradyTls 2200 / Tls Pc Link Black Print Ribbon
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6010-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYL 10.5MM
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6010-00HARWINDescription: HARWIN - R6010-00 - Leiterplattenbefestigung, doppelseitiger Einrasthalter, Nylon 6.6, 10.5mm x 4mm
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
Leiterplattenbefestigung: Doppelseitiger Einrasthalter
Höhe: 10.5
Außenbreite: 4
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.75 грн
69+ 10.78 грн
Мінімальне замовлення: 55
R6010-00HarwinStandoffs & Spacers 10.5 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.94 грн
14+ 23.24 грн
100+ 17.16 грн
200+ 16.43 грн
500+ 15.57 грн
1000+ 14.71 грн
2000+ 14.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
R6010...BRADYDescription: BRADY - R6010... - LABEL PRINTER RIBBON, 2IN W, 75FT L, BLACK
tariffCode: 39191080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Bandbreite: 0
Beschriftungsband: Thermal Transfer
euEccn: NLR
Länge des Bands: 0
Klebebandmaterial: Polyester
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Farbe des Beschriftungsbands: Black
Zur Verwendung mit: 0
usEccn: EAR99
Produktpalette: 0
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3635.38 грн
R60100-1CORBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 100A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60100-1COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-1CREaton ElectricalFuse Block 100A 600V Chassis Mount Solder Lug
товар відсутній
R60100-1CRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 100A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60100-1CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-1STRBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товар відсутній
R60100-1STREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-1STRMBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товар відсутній
R60100-1STRMEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-2COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-2CORBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 100A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60100-2CRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 100A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60100-2CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-3COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-3CRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 100A Class R Fuseblock
товар відсутній
R60100-3CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-3CREatonFuse Block 100A 600V Chassis Mount Solder Lug
товар відсутній
R60100-3CRQEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-3CRQBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товар відсутній
R60100-3SREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товар відсутній
R60100-3SRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 100A Class R Fuseblock
товар відсутній
R601001 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 3.28'
товар відсутній
R601001 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP
товар відсутній
R601002 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 6.56'
товар відсутній
R601002 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP
товар відсутній
R601003 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables Belden Wire & Cable
товар відсутній
R601003 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 9.84'
товар відсутній
R601005 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 16.4'
товар відсутній
R601005 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP
товар відсутній
R6010225XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
товар відсутній
R6010230XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
товар відсутній
R6010425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 250A DO205AB
товар відсутній
R6010430XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
товар відсутній
R6010625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 600V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товар відсутній
R6010630XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
товар відсутній
R6010825XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
товар відсутній
R6010830XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
товар відсутній
R6010ANX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6010ANXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 10A MOSFET
товар відсутній
R6010ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+188.21 грн
65+ 181.04 грн
Мінімальне замовлення: 62
R6010ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM
товар відсутній
R6010F00Harwin0
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6010F00HARWINCategory: Plastic Standoffs
Description: Spacer: PCB distance
Type of spacer: PCB distance
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
178+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 178
R6010YND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+97.74 грн
131+ 89.13 грн
161+ 72.49 грн
200+ 65.42 грн
500+ 60.39 грн
Мінімальне замовлення: 119
R6010YND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6010YND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.6 грн
10+ 112.77 грн
100+ 78.18 грн
250+ 72.22 грн
500+ 65.33 грн
1000+ 56.12 грн
2500+ 53.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6010YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET 600V 10A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.11 грн
10+ 147.06 грн
100+ 101.37 грн
250+ 93.42 грн
500+ 84.81 грн
1000+ 72.88 грн
3000+ 68.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6010YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6010YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+126.78 грн
101+ 115.16 грн
124+ 94.36 грн
200+ 85.11 грн
Мінімальне замовлення: 92
R6010YNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.96 грн
10+ 123.44 грн
100+ 85.47 грн
250+ 78.85 грн
500+ 71.56 грн
1000+ 61.49 грн
3000+ 58.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6010YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+99.68 грн
128+ 91.26 грн
157+ 74.23 грн
200+ 67 грн
Мінімальне замовлення: 117
R6010YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6011030XXYAGalco Industrial ElectronicsDescription: DIODE,DO-9,1000V,300A,REV,STD,RO
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6011225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
товар відсутній
R6011230XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205
товар відсутній
R6011425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
товар відсутній
R6011430XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205
товар відсутній
R6011625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205
товар відсутній
R6011630XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205
товар відсутній
R6011825XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205
товар відсутній
R6011830XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205
товар відсутній
R6011END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.89 грн
10+ 188.77 грн
100+ 151.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 22A; 124W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 124W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 720mΩ
товар відсутній
R6011END3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 11A Power MOSFET. Power MOSFET R6011END3 is suitable for switching power supply.
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.26 грн
10+ 172.97 грн
100+ 119.26 грн
250+ 109.99 грн
500+ 100.71 грн
1000+ 85.47 грн
2500+ 81.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товар відсутній
R6011END3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 22A; 124W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 124W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 720mΩ
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R6011ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.65 грн
10+ 243.07 грн
100+ 172.93 грн
500+ 147.09 грн
1000+ 123.9 грн
2000+ 117.94 грн
5000+ 113.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
товар відсутній
R6011ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.16 грн
10+ 220.52 грн
100+ 180.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6011ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.08 грн
10+ 195.83 грн
100+ 139.8 грн
500+ 118.6 грн
1000+ 99.39 грн
2500+ 94.75 грн
5000+ 90.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.31 грн
10+ 210.3 грн
100+ 150.41 грн
500+ 127.88 грн
1000+ 108 грн
2000+ 102.04 грн
5000+ 98.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.57 грн
50+ 159.24 грн
100+ 136.49 грн
500+ 113.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 11A Power MOSFET. Power MOSFET R6011KND3 is suitable for switching power supply.
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.08 грн
10+ 196.59 грн
100+ 137.15 грн
500+ 115.29 грн
1000+ 95.41 грн
2500+ 87.46 грн
5000+ 86.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 124W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 124W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 720mΩ
товар відсутній
R6011KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
товар відсутній
R6011KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 124W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 124W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 720mΩ
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
R6011KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6011KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 11
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+188.79 грн
10+ 161.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6011KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.25 грн
10+ 172.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.4 грн
10+ 137.35 грн
100+ 110.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
товар відсутній
R6011KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 11A Si MOSFET
товар відсутній
R6011KNXROHMDescription: ROHM - R6011KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.18 грн
10+ 87.71 грн
100+ 63.62 грн
500+ 53.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
R6011KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 11A Si MOSFET
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.23 грн
10+ 125.72 грн
100+ 88.12 грн
500+ 72.22 грн
1000+ 59.96 грн
2500+ 55.86 грн
5000+ 53.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6011KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.46 грн
10+ 108.08 грн
100+ 86.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6011KNXROHM - JapanMOSFET N-CH 600V 11A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6011KNX Rohm Semiconductor TR6011knx
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
8+86.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
R6011KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.81 грн
10+ 203.88 грн
100+ 167.03 грн
500+ 133.44 грн
1000+ 112.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6011KNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 53W; TO220FP
Mounting: THT
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 53W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 720mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6011KNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 33A; 53W; TO220FP
Mounting: THT
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 53W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 720mΩ
товар відсутній
R6011KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.86 грн
10+ 211.07 грн
100+ 150.41 грн
500+ 128.54 грн
1000+ 108 грн
2000+ 102.7 грн
5000+ 98.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6012025XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205
товар відсутній
R6012030XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205
товар відсутній
R6012225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205
товар відсутній
R6012425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205
товар відсутній
R6012625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 2.6KV 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2600 V
товар відсутній
R6012ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+216.45 грн
56+ 208.2 грн
Мінімальне замовлення: 54
R6012ANJTLROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET NCH 600V 12A 3PIN
товар відсутній
R6012ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
товар відсутній
R6012ANX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6012ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товар відсутній
R6012ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+217.26 грн
56+ 208.99 грн
100+ 201.9 грн
250+ 188.78 грн
Мінімальне замовлення: 54
R6012ANXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 12A MOSFET
товар відсутній
R6012ANXFU7C7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6012FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
товар відсутній
R6012FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+203.61 грн
60+ 195.86 грн
100+ 189.21 грн
Мінімальне замовлення: 58
R6012FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6012FNJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R6012FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6012FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6012FNXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 12A
товар відсутній
R6012FNXROHMDescription: ROHM - R6012FNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.39 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.39
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6012FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+184.71 грн
66+ 177.67 грн
Мінімальне замовлення: 63
R6012FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
товар відсутній
R6012JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6012JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.59 грн
10+ 153.86 грн
25+ 146.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6012JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6012JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6012JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6012JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+112.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R6012JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6012JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 12A Power MOSFET; R6012JNJ is a power MOSFET for switching applications.
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.86 грн
10+ 197.35 грн
25+ 162.33 грн
100+ 139.14 грн
250+ 131.85 грн
500+ 123.9 грн
1000+ 105.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6012JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6012JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 160W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
R6012JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+207.64 грн
60+ 193.7 грн
100+ 180.47 грн
Мінімальне замовлення: 56
R6012JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.17 грн
10+ 176.07 грн
100+ 142.44 грн
500+ 118.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6012JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+98.61 грн
128+ 90.81 грн
132+ 88.34 грн
500+ 80.62 грн
1000+ 74.03 грн
Мінімальне замовлення: 118
R6012JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 12A Power MOSFET. R6012JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.74 грн
10+ 228.59 грн
50+ 187.51 грн
100+ 161.01 грн
250+ 151.73 грн
500+ 143.12 грн
1000+ 115.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6012JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6012JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.06 грн
10+ 210.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6012JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
товар відсутній
R6012JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6012JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6012JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 36A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6013Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIBBON .5" DI BK
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BBP®11, BBP®12 Label Printer, THT 1" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 4" x 242'
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7013.24 грн
R6013W.H. BradyBlack 6000 Series Thermal Transfer Printer Ribbon
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9269.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6013-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"
Packaging: Bulk
Mounting Type: Snap Lock
Material: Nylon
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Between Board Height: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Holding Type: Snap Fit
Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm)
Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.55 грн
10+ 30.09 грн
11+ 25.12 грн
25+ 22.18 грн
50+ 21.23 грн
100+ 18.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
R6013-00HarwinStandoffs & Spacers 12.7 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.58 грн
13+ 25.07 грн
100+ 18.95 грн
200+ 18.02 грн
500+ 17.09 грн
1000+ 16.1 грн
2000+ 15.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
R6013VND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
товар відсутній
R6013VND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET 600V 13A TO-252 POWER MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+90.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
R6013VND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+92.59 грн
132+ 88.25 грн
148+ 78.77 грн
Мінімальне замовлення: 126
R6013VND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.5 грн
10+ 162.95 грн
25+ 153.72 грн
100+ 122.9 грн
250+ 115.4 грн
500+ 100.98 грн
1000+ 82.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6013VNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 8A TO-220FM POWER MOSFET
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.68 грн
10+ 201.92 грн
50+ 148.42 грн
100+ 135.17 грн
250+ 127.88 грн
500+ 119.93 грн
1000+ 102.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6013VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.15 грн
10+ 183.31 грн
50+ 173.32 грн
100+ 140.96 грн
250+ 133.74 грн
500+ 120 грн
1000+ 99.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6014YND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6014YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+260.15 грн
10+ 211.83 грн
25+ 168.72 грн
100+ 131.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6014YND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+113.52 грн
108+ 107.6 грн
124+ 93.77 грн
200+ 86.23 грн
Мінімальне замовлення: 103
R6014YND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6014YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
R6014YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6014YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.5 грн
10+ 269.81 грн
25+ 214.81 грн
100+ 167.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6014YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET LOW ON-RESISTANCE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.64 грн
10+ 212.59 грн
25+ 174.26 грн
100+ 149.74 грн
250+ 141.13 грн
500+ 133.84 грн
1000+ 113.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6014YNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-220FM, FAST SWITCHING
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.89 грн
50+ 166.27 грн
100+ 142.51 грн
500+ 118.88 грн
1000+ 101.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6014YNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 9AR MOSFET
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.31 грн
10+ 205.73 грн
50+ 151.07 грн
100+ 137.15 грн
250+ 129.87 грн
500+ 121.91 грн
1000+ 104.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6014YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6014YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.215 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+256.43 грн
10+ 169.47 грн
100+ 145.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6015REED InstrumentsDescription: WOOD MOISTURE METER
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6015ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+295.17 грн
42+ 282.49 грн
50+ 271.73 грн
Мінімальне замовлення: 40
R6015ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товар відсутній
R6015ANJTLROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET NCH 600V 15A 3PIN
товар відсутній
R6015ANX
Код товару: 105991		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
R6015ANXROHM SemiconductorMOSFET RECOMMENDED ALT 755-R6015KNX
товар відсутній
R6015ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+320.9 грн
38+ 307.11 грн
50+ 295.41 грн
100+ 275.19 грн
250+ 247.08 грн
Мінімальне замовлення: 37
R6015ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.92 грн
10+ 319.56 грн
100+ 258.5 грн
R6015ANZROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
R6015ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6015ANZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товар відсутній
R6015ANZC8ROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
товар відсутній
R6015ANZFU7C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товар відсутній
R6015ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товар відсутній
R6015ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.96 грн
10+ 228.59 грн
25+ 187.51 грн
100+ 161.01 грн
250+ 151.73 грн
500+ 143.12 грн
1000+ 121.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+162.54 грн
75+ 156.35 грн
100+ 151.04 грн
250+ 141.23 грн
500+ 127.21 грн
1000+ 119.14 грн
Мінімальне замовлення: 72
R6015ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6015ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6015ENXROHMDescription: ROHM - R6015ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.26 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.51 грн
10+ 216.29 грн
100+ 179.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6015ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.26 грн
10+ 196.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+274.84 грн
67+ 175.16 грн
83+ 141.29 грн
100+ 127.85 грн
500+ 104.55 грн
Мінімальне замовлення: 43
R6015ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 30A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6015ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.41 грн
50+ 186.28 грн
100+ 159.66 грн
500+ 133.19 грн
1000+ 114.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.14 грн
10+ 253.74 грн
50+ 180.22 грн
100+ 154.38 грн
500+ 137.15 грн
1000+ 109.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 30A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+165.81 грн
73+ 159.49 грн
Мінімальне замовлення: 71
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+165.81 грн
73+ 159.49 грн
100+ 154.08 грн
250+ 144.07 грн
500+ 129.77 грн
1000+ 121.53 грн
Мінімальне замовлення: 71
R6015ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.8 грн
30+ 241.7 грн
120+ 207.17 грн
R6015ENZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 15A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.99 грн
10+ 284.98 грн
25+ 240.52 грн
100+ 200.1 грн
300+ 194.14 грн
600+ 177.57 грн
1200+ 143.12 грн
R6015ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6015ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6015ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6015ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
товар відсутній
R6015ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R6015ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товар відсутній
R6015FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+229.05 грн
53+ 220.32 грн
Мінімальне замовлення: 51
R6015FNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 15A Power MOSFET
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.56 грн
10+ 255.26 грн
100+ 181.55 грн
500+ 155.04 грн
1000+ 129.87 грн
2000+ 123.9 грн
5000+ 119.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товар відсутній
R6015FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.04 грн
10+ 177.65 грн
100+ 143.67 грн
500+ 119.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товар відсутній
R6015FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+278.84 грн
44+ 266.85 грн
50+ 256.69 грн
100+ 239.12 грн
Мінімальне замовлення: 42
R6015FNXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 15A
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.73 грн
10+ 438.13 грн
100+ 312.74 грн
500+ 265.03 грн
1000+ 223.95 грн
2500+ 212.69 грн
5000+ 204.74 грн
R6015FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377 грн
10+ 305.06 грн
100+ 246.79 грн
500+ 205.87 грн
R6015KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+87.22 грн
2000+ 79.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R6015KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+216.21 грн
56+ 207.97 грн
100+ 200.92 грн
Мінімальне замовлення: 54
R6015KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.44 грн
10+ 163.06 грн
100+ 112.64 грн
250+ 104.03 грн
500+ 94.09 грн
1000+ 77.52 грн
2000+ 75.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.2 грн
10+ 146.94 грн
100+ 116.99 грн
500+ 92.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+122.9 грн
100+ 117.1 грн
Мінімальне замовлення: 95
R6015KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.96 грн
10+ 123.44 грн
100+ 84.81 грн
250+ 84.15 грн
500+ 74.21 грн
1000+ 58.11 грн
5000+ 56.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6015KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.48 грн
10+ 112.22 грн
100+ 89.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6015KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+100.65 грн
121+ 96.1 грн
123+ 94.55 грн
200+ 90.99 грн
Мінімальне замовлення: 116
R6015KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+191.82 грн
63+ 184.52 грн
100+ 178.26 грн
250+ 166.67 грн
500+ 150.13 грн
Мінімальне замовлення: 61
R6015KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.14 грн
10+ 219.45 грн
50+ 187.51 грн
100+ 154.38 грн
250+ 151.07 грн
500+ 136.49 грн
1000+ 117.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.41 грн
50+ 186.28 грн
100+ 159.66 грн
500+ 133.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6015KNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 15A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.99 грн
10+ 284.98 грн
25+ 240.52 грн
100+ 200.1 грн
300+ 194.14 грн
600+ 177.57 грн
1200+ 143.12 грн
R6015KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6015KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.8 грн
30+ 241.7 грн
120+ 207.17 грн
R6015KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6015KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товар відсутній
R6015KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6018REED InstrumentsDescription: DUAL MOISTURE METER
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6018ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
товар відсутній
R6018ANJTLROHM SemiconductorMOSFET NCH MOSFET T/R 10V DRIVE
товар відсутній
R6018JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET R6018JNJ is a power MOSFET for switching applications.
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.74 грн
10+ 243.83 грн
25+ 199.44 грн
100+ 171.61 грн
250+ 161.67 грн
500+ 152.39 грн
1000+ 129.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6018JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 220W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.41 грн
10+ 152.37 грн
25+ 149.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6018JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.64 грн
10+ 219.27 грн
100+ 177.39 грн
500+ 147.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6018JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 220W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6018JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
товар відсутній
R6018JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.25 грн
50+ 246.29 грн
100+ 211.11 грн
500+ 176.1 грн
1000+ 150.79 грн
2000+ 141.98 грн
R6018JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6018JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+350.17 грн
10+ 289.55 грн
50+ 237.87 грн
100+ 204.07 грн
250+ 192.15 грн
500+ 180.88 грн
1000+ 155.04 грн
R6018VNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 10A INTEGRATED HIGH-SPEE
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.59 грн
10+ 213.35 грн
50+ 157.03 грн
100+ 143.12 грн
250+ 135.17 грн
500+ 127.22 грн
1000+ 109.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6018VNXC7GROHMDescription: ROHM - R6018VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 61
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 61
Bauform - Transistor: TO-220FM
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.71 грн
10+ 295.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6018VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 204mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.05 грн
50+ 171.26 грн
100+ 146.8 грн
500+ 122.46 грн
1000+ 104.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6018VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R601F3150AA6AJKEMETR601F3150AA6AJ
товар відсутній
R602-10-4
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6020REED InstrumentsDescription: TEMPERATURE & HUMIDITY USB DATA
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Cap, Hardware, Mounting Bracket, Software
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7095.67 грн
R6020PHILIPS04+
на замовлення 522 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6020-NISTREED InstrumentsDescription: USB TEMPERATURE/HUMIDITY DATA LO
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Calibration Certificate, Cap, Hardware, Mounting Bracket, Software
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26805.85 грн
R60200-1CREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товар відсутній
R60200-1CRQEaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товар відсутній
R60200-1STREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товар відсутній
R60200-1STRBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товар відсутній
R60200-1STRMEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товар відсутній
R60200-1STRMBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товар відсутній
R60200-3CREatonFuse Block 200A 600V Chassis Mount Solder Lug
товар відсутній
R60200-3CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товар відсутній
R6020222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB
товар відсутній
R6020225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 200V 250A DO205AB DO9
товар відсутній
R6020235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 200V 350A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
товар відсутній
R6020422PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB
товар відсутній
R6020425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB
товар відсутній
R6020435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 400V 350A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
товар відсутній
R6020622PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB
товар відсутній
R6020625HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB
товар відсутній
R6020635ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB
товар відсутній
R6020822PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB
товар відсутній
R6020825HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB
товар відсутній
R6020835ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB
товар відсутній
R6020ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+361.13 грн
34+ 345.62 грн
50+ 332.45 грн
100+ 309.7 грн
250+ 278.06 грн
500+ 259.67 грн
Мінімальне замовлення: 33
R6020ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020ANJTLROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET NCH 600V 20A 3PIN
товар відсутній
R6020ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.69 грн
10+ 374.57 грн
R6020ANX
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6020ANXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A MOSFET
товар відсутній
R6020ANZROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
R6020ANZ
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6020ANZ8U7C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+322.97 грн
38+ 309.09 грн
50+ 297.32 грн
100+ 276.97 грн
250+ 248.68 грн
Мінімальне замовлення: 36
R6020ANZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020ANZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R6020ANZFL1C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 231W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 231W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 60nC
Case: D2PAK
товар відсутній
R6020ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.76 грн
2000+ 83.2 грн
5000+ 79.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R6020ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.48 грн
10+ 165.35 грн
25+ 143.12 грн
100+ 116.61 грн
250+ 113.3 грн
500+ 101.37 грн
1000+ 85.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 231W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 231W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 60nC
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
R6020ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+215.28 грн
57+ 207.08 грн
100+ 200.05 грн
250+ 187.06 грн
500+ 168.49 грн
1000+ 157.79 грн
Мінімальне замовлення: 54
R6020ENJTLROHMDescription: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
R6020ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 9061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.03 грн
10+ 143.49 грн
100+ 116.1 грн
500+ 96.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+215.28 грн
57+ 207.08 грн
100+ 200.05 грн
250+ 187.06 грн
500+ 168.49 грн
1000+ 157.79 грн
Мінімальне замовлення: 54
R6020ENJTLROHMDescription: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.18 грн
10+ 156.09 грн
25+ 141.97 грн
100+ 118.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
R6020ENXROHMDescription: ROHM - R6020ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.13 грн
10+ 173.18 грн
100+ 141.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6020ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.64 грн
10+ 197.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.18 грн
10+ 206.49 грн
25+ 168.96 грн
100+ 145.11 грн
250+ 137.15 грн
500+ 127.88 грн
1000+ 103.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 68W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 60nC
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6020ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+232.66 грн
52+ 223.8 грн
100+ 216.21 грн
250+ 202.17 грн
500+ 182.1 грн
Мінімальне замовлення: 50
R6020ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+206.31 грн
70+ 166.82 грн
100+ 155.96 грн
500+ 133.26 грн
Мінімальне замовлення: 57
R6020ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.45 грн
50+ 259.4 грн
100+ 222.34 грн
500+ 185.48 грн
R6020ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.5 грн
10+ 306.31 грн
50+ 260.39 грн
100+ 214.68 грн
250+ 210.7 грн
500+ 190.82 грн
1000+ 162.99 грн
R6020ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 68W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 60nC
Case: TO220FP
товар відсутній
R6020ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+232.66 грн
52+ 223.8 грн
100+ 216.21 грн
Мінімальне замовлення: 50
R6020ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6020ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6020ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6020ENZ1C9ROHMDescription: ROHM - R6020ENZ1C9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
R6020ENZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.44 грн
10+ 306.17 грн
100+ 247.67 грн
500+ 206.6 грн
R6020ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET 600V 20A TO-247, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.42 грн
10+ 331.46 грн
30+ 233.23 грн
270+ 206.73 грн
510+ 176.91 грн
1020+ 166.97 грн
R6020ENZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.72 грн
10+ 258.66 грн
25+ 209.6 грн
100+ 147.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6020ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.52 грн
10+ 326.46 грн
100+ 264.09 грн
R6020ENZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 20A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.7 грн
10+ 353.55 грн
25+ 298.16 грн
100+ 248.47 грн
300+ 240.52 грн
600+ 220.64 грн
1200+ 178.23 грн
R6020ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+324.8 грн
38+ 310.84 грн
50+ 299 грн
100+ 278.54 грн
Мінімальне замовлення: 36
R6020ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6020ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020FNJTLROHMDescription: ROHM - R6020FNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 304
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6020FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+325.53 грн
38+ 311.55 грн
50+ 299.68 грн
100+ 279.16 грн
250+ 250.65 грн
Мінімальне замовлення: 36
R6020FNJTLROHMDescription: ROHM - R6020FNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 304
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 304
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6020FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020FNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Power MOSFET
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+394.24 грн
10+ 349.74 грн
100+ 249.13 грн
500+ 212.69 грн
1000+ 178.9 грн
2000+ 169.62 грн
5000+ 162.99 грн
R6020FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.17 грн
10+ 224.86 грн
100+ 184.23 грн
500+ 147.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.07 грн
10+ 429.71 грн
100+ 358.12 грн
R6020FNXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 20A
товар відсутній
R6020FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+176.69 грн
71+ 165.83 грн
200+ 163.86 грн
500+ 152.3 грн
1000+ 140.13 грн
Мінімальне замовлення: 66
R6020FNXROHMDescription: ROHM - R6020FNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+423.67 грн
10+ 363.46 грн
25+ 344.14 грн
100+ 271.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+330.97 грн
Мінімальне замовлення: 36
R6020JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+396.98 грн
31+ 379.92 грн
50+ 365.45 грн
100+ 340.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
R6020JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 252W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 234mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 252W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 45nC
Case: D2PAK
товар відсутній
R6020JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 252W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.07 грн
10+ 233.39 грн
25+ 214.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6020JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+308.2 грн
10+ 249.36 грн
100+ 201.74 грн
500+ 168.28 грн
R6020JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+396.98 грн
31+ 379.92 грн
50+ 365.45 грн
100+ 340.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
R6020JNJGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 252W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 234mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 252W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 45nC
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
R6020JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+159.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
R6020JNJGTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Power MOSFET; R6020JNJ is a power MOSFET for switching applications.
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.82 грн
10+ 235.45 грн
100+ 183.53 грн
500+ 173.6 грн
1000+ 149.74 грн
2000+ 141.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6020JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.6 грн
10+ 353.55 грн
50+ 268.35 грн
100+ 236.54 грн
250+ 231.24 грн
500+ 207.39 грн
1000+ 169.62 грн
R6020JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.62 грн
10+ 246.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6020JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+329.79 грн
37+ 315.63 грн
50+ 303.6 грн
Мінімальне замовлення: 36
R6020JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.17 грн
10+ 310.52 грн
100+ 251.19 грн
500+ 209.53 грн
1000+ 179.41 грн
R6020JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+609.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.6 грн
10+ 456.01 грн
100+ 380.03 грн
R6020JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET R6020JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+583.62 грн
10+ 504.42 грн
25+ 380.98 грн
100+ 357.13 грн
250+ 315.39 грн
600+ 284.25 грн
1200+ 270.33 грн
R6020JNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.74 грн
10+ 344.47 грн
100+ 278.67 грн
R6020JNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 20A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.44 грн
10+ 388.6 грн
25+ 331.95 грн
100+ 301.47 грн
300+ 257.74 грн
600+ 239.85 грн
1200+ 195.46 грн
R6020JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+193.47 грн
122+ 95.35 грн
123+ 94.56 грн
Мінімальне замовлення: 61
R6020JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+347.6 грн
35+ 332.67 грн
50+ 319.99 грн
100+ 298.09 грн
250+ 267.64 грн
Мінімальне замовлення: 34
R6020JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020JNZC8ROHMDescription: ROHM - R6020JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 76
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 76
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6020JNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.93 грн
10+ 396.58 грн
R6020JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.18 грн
10+ 199.64 грн
25+ 172.93 грн
100+ 140.47 грн
500+ 125.23 грн
1000+ 106.68 грн
2000+ 100.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020KNJTLROHMDescription: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+185.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
R6020KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.64 грн
10+ 184.49 грн
100+ 149.25 грн
500+ 124.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+258.47 грн
47+ 247.36 грн
50+ 237.94 грн
Мінімальне замовлення: 45
R6020KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.63 грн
10+ 150.32 грн
100+ 121.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020KNX
Код товару: 181658		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
R6020KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.12 грн
10+ 163.82 грн
25+ 139.8 грн
100+ 115.29 грн
250+ 113.3 грн
500+ 101.37 грн
1000+ 82.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020KNXROHMDescription: ROHM - R6020KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6020KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.1 грн
10+ 259.23 грн
100+ 209.7 грн
500+ 174.93 грн
R6020KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+339.35 грн
10+ 280.4 грн
50+ 239.19 грн
100+ 197.45 грн
250+ 193.47 грн
500+ 174.92 грн
1000+ 149.74 грн
R6020KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6020KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+231.85 грн
53+ 223.02 грн
100+ 215.45 грн
250+ 201.45 грн
Мінімальне замовлення: 51
R6020KNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020KNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020KNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6020KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6020KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.2 грн
10+ 427.43 грн
100+ 356.21 грн
R6020KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Power MOSFET. R6020KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.
товар відсутній
R6020KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020KNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 20A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.51 грн
10+ 333.74 грн
25+ 281.6 грн
100+ 233.89 грн
300+ 227.27 грн
600+ 208.05 грн
1200+ 168.3 грн
R6020KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.3 грн
10+ 308.24 грн
100+ 249.34 грн
R6020KNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+336.99 грн
37+ 322.51 грн
50+ 310.22 грн
100+ 289 грн
250+ 259.47 грн
Мінімальне замовлення: 35
R6020KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6020PNJFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товар відсутній
R6020PNJFRATLROHMDescription: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 304W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 304W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.98 грн
10+ 327.79 грн
100+ 271.3 грн
500+ 219.48 грн
1000+ 198.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6020PNJFRATLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V Vdss 20A ID TO-263(D2PAK); LPTS
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.57 грн
10+ 379.46 грн
25+ 298.82 грн
100+ 274.97 грн
250+ 258.41 грн
500+ 241.84 грн
1000+ 216 грн
R6020PNJFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 304W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 304W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 65nC
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
R6020PNJFRATLROHMDescription: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 304W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 304W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+271.3 грн
500+ 219.48 грн
1000+ 198.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
R6020PNJFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.59 грн
10+ 349.79 грн
100+ 291.46 грн
500+ 241.34 грн
R6020PNJFRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 304W; D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 304W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 65nC
Case: D2PAK
товар відсутній
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+177.68 грн
78+ 150.04 грн
100+ 141.16 грн
Мінімальне замовлення: 66
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 20A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+298.88 грн
10+ 258.48 грн
100+ 211.77 грн
500+ 169.18 грн
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+185.41 грн
66+ 178.34 грн
100+ 172.29 грн
Мінімальне замовлення: 63
R6020YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6020YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.154 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.33 грн
10+ 229.67 грн
100+ 185.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6020YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET LOW ON-RESISTANCE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.47 грн
10+ 249.16 грн
25+ 204.74 грн
100+ 175.58 грн
250+ 165.65 грн
500+ 157.69 грн
1000+ 133.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6020YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.154 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.07 грн
10+ 178.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6020YNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 12A MOSFET
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.68 грн
10+ 216.4 грн
50+ 159.02 грн
100+ 145.11 грн
250+ 136.49 грн
500+ 128.54 грн
1000+ 109.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+161.72 грн
75+ 155.56 грн
100+ 150.28 грн
Мінімальне замовлення: 72
R6020YNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 12A TO-220FM, FAST SWITCHIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.09 грн
10+ 190.35 грн
100+ 154 грн
500+ 128.47 грн
1000+ 110 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6020YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET POWER MOSFET LOW ON-RESISTANCE
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.67 грн
10+ 372.6 грн
25+ 306.11 грн
100+ 262.38 грн
250+ 247.81 грн
600+ 233.23 грн
1200+ 190.82 грн
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+221.11 грн
62+ 189.52 грн
Мінімальне замовлення: 53
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+327.11 грн
38+ 313.06 грн
50+ 301.13 грн
100+ 280.52 грн
Мінімальне замовлення: 36
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.74 грн
10+ 344.27 грн
100+ 278.49 грн
500+ 232.32 грн
R6020YNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.154 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+476.44 грн
10+ 343.4 грн
100+ 277.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6021022PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205
товар відсутній
R6021025HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205
товар відсутній
R6021035ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205
товар відсутній
R6021222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205
товар відсутній
R6021225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
товар відсутній
R6021235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205
товар відсутній
R6021425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
товар відсутній
R6021435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205
товар відсутній
R6022YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.76 грн
10+ 180.59 грн
25+ 148.42 грн
100+ 127.88 грн
250+ 119.93 грн
500+ 113.3 грн
1000+ 96.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024ENJTLROHMDescription: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.82 грн
10+ 217.92 грн
25+ 179.56 грн
100+ 153.72 грн
250+ 145.11 грн
500+ 136.49 грн
1000+ 118.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6024ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
R6024ENJTLROHMDescription: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.66 грн
10+ 267.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
R6024ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+224.62 грн
54+ 216.06 грн
100+ 208.72 грн
250+ 195.16 грн
500+ 175.79 грн
1000+ 164.63 грн
Мінімальне замовлення: 52
R6024ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.99 грн
10+ 200.91 грн
100+ 162.58 грн
500+ 135.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024ENJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
R6024ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.26 грн
10+ 196.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024ENXROHMDescription: ROHM - R6024ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6024ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.82 грн
10+ 217.92 грн
25+ 179.56 грн
100+ 153.72 грн
250+ 145.11 грн
500+ 138.48 грн
1000+ 112.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6024ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6024ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.73 грн
10+ 319.26 грн
50+ 274.31 грн
100+ 224.61 грн
250+ 221.96 грн
500+ 199.44 грн
1000+ 170.95 грн
R6024ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 74W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 74W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6024ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.5 грн
50+ 271.16 грн
100+ 232.42 грн
500+ 193.89 грн
R6024ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+229.75 грн
53+ 221 грн
100+ 213.49 грн
250+ 199.63 грн
500+ 179.81 грн
1000+ 168.4 грн
Мінімальне замовлення: 51
R6024ENXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 74W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 74W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6024ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
R6024ENZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6024ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+280.05 грн
44+ 268.02 грн
50+ 257.81 грн
100+ 240.17 грн
Мінімальне замовлення: 42
R6024ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET 600V NCH 24A TO-247
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+436.75 грн
10+ 361.17 грн
25+ 296.17 грн
100+ 253.77 грн
250+ 239.85 грн
600+ 225.28 грн
1200+ 193.47 грн
R6024ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+387.93 грн
36+ 328.71 грн
50+ 249.74 грн
Мінімальне замовлення: 30
R6024ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 24A, 15V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.12 грн
10+ 333.22 грн
100+ 269.59 грн
R6024ENZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 24A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.62 грн
10+ 364.98 грн
25+ 307.44 грн
100+ 256.42 грн
300+ 248.47 грн
600+ 227.93 грн
1200+ 183.53 грн
R6024ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.71 грн
10+ 336.19 грн
100+ 271.97 грн
R6024ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+281.33 грн
44+ 265.53 грн
50+ 243.81 грн
200+ 228.44 грн
Мінімальне замовлення: 42
R6024ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
R6024ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6024ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
R6024KNJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
R6024KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+270.91 грн
45+ 259.27 грн
50+ 249.39 грн
Мінімальне замовлення: 43
R6024KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
R6024KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.1 грн
10+ 229.35 грн
25+ 180.22 грн
100+ 161.67 грн
250+ 152.39 грн
500+ 143.78 грн
1000+ 121.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024KNJTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6024KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
R6024KNJTLROHMDescription: ROHM - R6024KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6024KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.2 грн
10+ 147.15 грн
100+ 117.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024KNXROHMDescription: ROHM - R6024KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6024KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+215.28 грн
57+ 207.08 грн
Мінімальне замовлення: 54
R6024KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.12 грн
10+ 161.54 грн
100+ 111.98 грн
250+ 109.99 грн
500+ 94.09 грн
1000+ 75.53 грн
5000+ 73.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6024KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6024KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+147.08 грн
83+ 140.17 грн
100+ 138.19 грн
Мінімальне замовлення: 79
R6024KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.73 грн
10+ 319.26 грн
50+ 274.31 грн
100+ 224.61 грн
250+ 221.96 грн
500+ 199.44 грн
1000+ 170.95 грн
R6024KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.5 грн
50+ 271.16 грн
100+ 232.42 грн
500+ 193.89 грн
R6024KNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6024KNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024KNZ1C9ROHMDescription: ROHM - R6024KNZ1C9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
R6024KNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.92 грн
10+ 361.93 грн
100+ 301.61 грн
500+ 249.75 грн
R6024KNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
R6024KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6024KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+459.35 грн
10+ 414.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+489.27 грн
25+ 468.25 грн
Мінімальне замовлення: 24
R6024KNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6024KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET 600V 24AHIGH-SWITCH MOSFET
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.58 грн
10+ 392.41 грн
50+ 337.92 грн
100+ 284.25 грн
250+ 282.26 грн
500+ 251.12 грн
1000+ 225.28 грн
R6024KNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 24A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.62 грн
10+ 364.98 грн
25+ 307.44 грн
100+ 256.42 грн
300+ 248.47 грн
600+ 227.93 грн
1200+ 183.53 грн
R6024KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.71 грн
10+ 336.19 грн
100+ 271.97 грн
R6024KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF
товар відсутній
R6024KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6024VNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+186.34 грн
65+ 179.24 грн
100+ 173.16 грн
Мінімальне замовлення: 63
R6024VNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET 600V 24A HIGH-SPEED DIODE
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390.37 грн
10+ 339.08 грн
50+ 249.79 грн
100+ 226.6 грн
250+ 214.68 грн
500+ 201.42 грн
1000+ 172.27 грн
R6024VNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6024VNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+448.2 грн
10+ 364.95 грн
25+ 332.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024VNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024VNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 600V 24A TO-220AB, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.5 грн
50+ 271.48 грн
100+ 232.7 грн
500+ 194.11 грн
1000+ 166.21 грн
R6024VNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V 13A INTEGRATED HIGH-SPEE
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.22 грн
10+ 297.17 грн
50+ 218.65 грн
100+ 198.77 грн
250+ 188.17 грн
500+ 176.91 грн
1000+ 151.73 грн
R6024VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6024VNXC7GROHMDescription: ROHM - R6024VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.127 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+394.68 грн
10+ 320.35 грн
25+ 291.37 грн
100+ 243.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6024VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+163.36 грн
74+ 157.13 грн
100+ 151.8 грн
Мінімальне замовлення: 72
R6024VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 13A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.78 грн
50+ 238.17 грн
100+ 204.14 грн
500+ 170.29 грн
1000+ 145.81 грн
R6025ANZROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
R6025ANZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
товар відсутній
R6025ANZC8
Код товару: 131473		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
R6025ANZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R6025ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+505.73 грн
25+ 484 грн
Мінімальне замовлення: 23
R6025ANZFL1C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
товар відсутній
R6025ANZFU7C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
товар відсутній
R6025FNZ1C9
Код товару: 118196		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
R6025FNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R6025FNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товар відсутній
R6025FNZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товар відсутній
R6025FNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6025JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET R6025JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+479.27 грн
10+ 396.99 грн
50+ 325.99 грн
100+ 278.95 грн
250+ 263.71 грн
500+ 248.47 грн
1000+ 200.1 грн
R6025JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6025JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6025JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.41 грн
10+ 367.04 грн
100+ 296.94 грн
500+ 247.7 грн
1000+ 212.1 грн
R6025JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 75A; 85W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
On-state resistance: 182mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 75A
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6025JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+464.28 грн
27+ 444.33 грн
50+ 427.4 грн
100+ 398.15 грн
250+ 357.48 грн
500+ 333.84 грн
Мінімальне замовлення: 26
R6025JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+142.14 грн
86+ 136.22 грн
100+ 133.26 грн
500+ 124.7 грн
1000+ 113.69 грн
Мінімальне замовлення: 82
R6025JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 75A; 85W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
On-state resistance: 182mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 57nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 75A
Case: TO220FP
товар відсутній
R6025JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+464.28 грн
27+ 444.33 грн
50+ 427.4 грн
Мінімальне замовлення: 26
R6025JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+395.39 грн
Мінімальне замовлення: 30
R6025JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET R6025JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
товар відсутній
R6025JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6025JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6025JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+622.12 грн
10+ 513.36 грн
100+ 427.81 грн
500+ 354.24 грн
R6025JNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 25A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.82 грн
10+ 421.37 грн
25+ 361.11 грн
100+ 343.22 грн
300+ 286.9 грн
600+ 268.35 грн
1200+ 230.58 грн
R6025JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+391.24 грн
Мінімальне замовлення: 30
R6025JNZC17ROHMDescription: ROHM - R6025JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+419.21 грн
10+ 312.18 грн
100+ 264.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6025JNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.98 грн
10+ 373.87 грн
100+ 311.59 грн
R6025JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6025JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6025JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6025JNZC8ROHM SemiconductorMOSFET NCH 600V 25A POWER
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6025JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+434.77 грн
28+ 416.09 грн
Мінімальне замовлення: 27
R6025JNZC8ROHMDescription: ROHM - R6025JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
R6025JNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.42 грн
10+ 446.34 грн
R6027YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 27A, TO-220AB, Power MOSFET: R6027YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.51 грн
10+ 320.03 грн
25+ 263.04 грн
100+ 225.28 грн
250+ 213.35 грн
500+ 200.76 грн
1000+ 170.95 грн
R6027YNXC7GROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 14A, TO-220FM, Power MOSFET: R6027YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+401.19 грн
10+ 332.22 грн
25+ 272.32 грн
100+ 233.23 грн
250+ 220.64 грн
500+ 208.05 грн
1000+ 176.25 грн
R6027YNXC7GRohm SemiconductorDescription: NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.15 грн
10+ 306.44 грн
100+ 247.91 грн
500+ 206.8 грн
1000+ 177.07 грн
R6027YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 27A, TO-247G, Power MOSFET: R6027YNZ4 is a power MOSFET with Low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+437.52 грн
10+ 361.93 грн
25+ 297.5 грн
100+ 255.09 грн
250+ 241.18 грн
600+ 204.74 грн
1200+ 186.19 грн
R602A-US915NetvoxDescription: R602A LORAWAN SIREN SENSOR
Packaging: Bulk
Function: Sensor
Frequency: 915MHz
Modulation or Protocol: LoRaWAN
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9808.5 грн
R603-000-001HammondR603-000-001
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+188.68 грн
Мінімальне замовлення: 62
R6030PHILIPS04+
на замовлення 606 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6030REED InstrumentsDescription: TEMPERATURE/HUMIDITY DATA LOGGER
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Hardware, Lock, Mounting Bracket, USB Cable
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11396.07 грн
R6030PHIQFN
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
R6030-NISTREED InstrumentsDescription: TEMP./HUMIDITY DATA LOGGER W/CER
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Calibration Certificate, Hardware, Lock, Mounting Bracket, USB Cable
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31106.25 грн
R6030222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 200V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
товар відсутній
R6030225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 200V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
товар відсутній
R6030235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 200V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
товар відсутній
R6030422PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
товар відсутній
R6030425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
товар відсутній
R6030435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
товар відсутній
R6030622PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 600V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товар відсутній
R6030625HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 600V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товар відсутній
R6030635ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 600V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товар відсутній
R6030822PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 800V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 800 V
товар відсутній
R6030825HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 800V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 800 V
товар відсутній
R6030835ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 800V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 800 V
товар відсутній
R6030ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.27 грн
10+ 232.4 грн
25+ 192.15 грн
100+ 189.5 грн
250+ 186.85 грн
500+ 172.93 грн
5000+ 169.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
R6030ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+337.85 грн
36+ 323.33 грн
Мінімальне замовлення: 35
R6030ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товар відсутній
R6030ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.86 грн
50+ 321.28 грн
100+ 287.47 грн
500+ 238.04 грн
R6030ENXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.76 грн
10+ 384.03 грн
50+ 323.34 грн
100+ 277.62 грн
250+ 272.32 грн
500+ 244.49 грн
1000+ 220.64 грн
R6030ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+327.6 грн
38+ 313.53 грн
50+ 301.58 грн
100+ 280.94 грн
250+ 252.24 грн
500+ 235.56 грн
1000+ 229.8 грн
Мінімальне замовлення: 36
R6030ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6030ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6030ENZ1C9
Код товару: 169489		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
R6030ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 30A Power MOSFET. R6030ENZ4 is a power MOSFET for switching applications.
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+664.79 грн
10+ 561.57 грн
30+ 443.27 грн
120+ 415.44 грн
270+ 382.97 грн
510+ 358.46 грн
1020+ 308.1 грн
R6030ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+662.27 грн
25+ 631.69 грн
Мінімальне замовлення: 18
R6030ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+628.58 грн
10+ 518.75 грн
R6030ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6030ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.92 грн
10+ 361.31 грн
100+ 301.12 грн
R6030ENZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 30A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.59 грн
10+ 407.65 грн
25+ 335.93 грн
100+ 294.85 грн
300+ 284.91 грн
600+ 259.73 грн
1200+ 223.29 грн
R6030ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+244.8 грн
53+ 219.14 грн
200+ 213.21 грн
Мінімальне замовлення: 48
R6030ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
R6030ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+199.4 грн
62+ 187.55 грн
200+ 184.59 грн
Мінімальне замовлення: 59
R6030ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
товар відсутній
R6030JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 95W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 143mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 74nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6030JNXC7GROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 95W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 143mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 74nC
товар відсутній
R6030JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.31 грн
10+ 444.14 грн
25+ 423.44 грн
100+ 345.04 грн
250+ 329.54 грн
500+ 300.46 грн
1000+ 257.4 грн
R6030JNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V Vdss; 95W Pd PrestoMOS; 30A
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+539.56 грн
10+ 455.66 грн
50+ 359.12 грн
100+ 329.97 грн
250+ 310.75 грн
500+ 291.54 грн
1000+ 261.72 грн
R6030JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+356.74 грн
35+ 341.41 грн
50+ 328.41 грн
100+ 305.94 грн
250+ 274.68 грн
500+ 256.52 грн
Мінімальне замовлення: 33
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.9 грн
10+ 280.56 грн
100+ 226.96 грн
500+ 189.33 грн
R6030JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFET R6030JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+545.75 грн
10+ 499.85 грн
25+ 369.06 грн
100+ 351.17 грн
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
R6030JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6030JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 93W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+836.19 грн
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+455.62 грн
27+ 436.04 грн
50+ 419.43 грн
100+ 390.73 грн
Мінімальне замовлення: 26
R6030JNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 143mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 74nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
R6030JNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 143mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 74nC
товар відсутній
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+455.62 грн
27+ 436.04 грн
50+ 419.43 грн
100+ 390.73 грн
250+ 350.81 грн
Мінімальне замовлення: 26
R6030JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+242.83 грн
100+ 231.97 грн
Мінімальне замовлення: 48
R6030JNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.91 грн
10+ 392.44 грн
100+ 327.05 грн
R6030JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+450.99 грн
27+ 431.61 грн
Мінімальне замовлення: 26
R6030JNZC17ROHM SemiconductorMOSFET 600V 30A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+523.33 грн
10+ 441.94 грн
25+ 374.36 грн
100+ 348.52 грн
300+ 301.47 грн
600+ 279.61 грн
1200+ 243.17 грн
R6030JNZC8ROHMDescription: ROHM - R6030JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
R6030JNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+623.56 грн
10+ 514.4 грн