Продукція > NVB

Power MOSFET, N-Channel Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVB055N60S5F

Description: SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.2mA
Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4603 pF @ 400 V

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	336.45 грн
1600+	282.18 грн
2400+	271.73 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB055N60S5F

MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 45 A, 55 mohm, D2PAK Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FRFET, 600V, xxA, 55mohm, D2PAK

на замовлення 386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	493.95 грн
10+	417.56 грн
25+	329.3 грн
100+	302.8 грн
250+	284.91 грн
500+	267.02 грн
800+	239.85 грн

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	509.89 грн
26+	452.6 грн
28+	421.71 грн
100+	380.14 грн
250+	338.64 грн
500+	296.36 грн
800+	269.75 грн

Мінімальне замовлення: 23

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB072N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	531.82 грн
10+	439.37 грн
100+	366.14 грн

NVB072N65S3

MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG

на замовлення 3050 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	569.71 грн
10+	480.8 грн
25+	379.66 грн
100+	348.52 грн
250+	328.64 грн
500+	307.44 грн
800+	276.96 грн

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	450.97 грн
29+	412.88 грн
30+	392.91 грн
100+	360.51 грн
250+	321.92 грн
500+	280.84 грн

Мінімальне замовлення: 26

NVB072N65S3

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	418.76 грн
10+	383.39 грн
25+	364.84 грн
100+	334.76 грн
250+	298.92 грн
500+	260.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB072N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	473.47 грн
10+	420.27 грн
25+	391.58 грн
100+	352.99 грн
250+	314.45 грн
500+	275.19 грн
800+	250.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB082N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	361.53 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB082N65S3F

MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	613.77 грн
10+	518.9 грн
25+	409.47 грн
100+	375.68 грн
250+	353.82 грн
500+	331.29 грн
800+	298.16 грн

NVB082N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB082N65S3F

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVB082N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB082N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	574.1 грн
10+	473.47 грн
100+	394.57 грн

NVB082N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	261.85 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB095N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVB095N65S3F

MOSFET SUPERFET III MOSFET, 36A, 95mohm, 650V in D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	470.76 грн
10+	390.13 грн
100+	274.97 грн
500+	269.67 грн
800+	208.05 грн
2400+	196.12 грн

NVB095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	433.62 грн
10+	350.68 грн
100+	283.67 грн

NVB095N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 36A Automotive T/R

товар відсутній

NVB099N65S3

Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V

на замовлення 1408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	313.21 грн
10+	252.82 грн
100+	204.55 грн

NVB099N65S3

MOSFET SF3 650V EASY 99MOHM, D2PAK AUTO

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	340.12 грн
10+	281.17 грн
100+	198.11 грн
500+	186.19 грн
800+	146.43 грн
2400+	141.79 грн

NVB099N65S3

Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	188.81 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB099N65S3

Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A

товар відсутній

NVB099N65S3

Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVB110N65S3F

Power MOSFET Single N-Channel

товар відсутній

NVB110N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 21570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	420.72 грн
10+	340.12 грн
100+	275.12 грн

NVB110N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	253.96 грн
1600+	209.4 грн
2400+	197.17 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB110N65S3F

MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG

на замовлення 507 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	449.89 грн
10+	372.6 грн
25+	314.06 грн
100+	261.72 грн
250+	254.43 грн
500+	246.48 грн
800+	199.44 грн

NVB125N65S3

Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	261.61 грн
10+	211.54 грн
100+	171.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB125N65S3

MOSFET MOSFET - Power, N-Channel, SUPERFET III, Automotive, Easy-drive, 650 V, 24 A, 125 mohm D2-PAK

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	280.6 грн
10+	231.64 грн
25+	196.12 грн
100+	162.99 грн
250+	158.36 грн
500+	153.72 грн
800+	123.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB125N65S3

MOSFET Power, N Channel, Automotive AEC-Q101, Easy drive, 650 V, 24 A, 125 m

товар відсутній

NVB125N65S3

MOSFET Power, N Channel, Automotive, Easy drive, 650 V, 24 A, 125 m

товар відсутній

NVB125N65S3

Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	158.02 грн
1600+	130.29 грн
2400+	122.68 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB150N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	168.44 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB150N65S3F

MOSFET 650V FRFET,150M

на замовлення 2430 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	298.38 грн
10+	247.64 грн
25+	202.75 грн
100+	173.6 грн
250+	163.66 грн
500+	148.42 грн
800+	123.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB150N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB150N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB150N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	279.53 грн
10+	225.55 грн
100+	182.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB150N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB150N65S3F

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVB190N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVB190N65S3F

Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	272.04 грн
10+	204.4 грн
100+	165.01 грн
500+	135.28 грн
800+	107.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

NVB190N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

товар відсутній

NVB190N65S3F

на замовлення 590 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVB190N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	253.72 грн
10+	204.92 грн
100+	165.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB190N65S3F

MOSFET SUPERFET3 650V FRFET,190M

на замовлення 4474 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	275.19 грн
10+	227.83 грн
100+	161.01 грн
800+	124.57 грн
2400+	117.94 грн
4800+	114.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB190N65S3F

Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.158ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	165.01 грн
500+	135.28 грн
800+	107.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

NVB190N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVB190N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

товар відсутній

NVB190N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

товар відсутній

NVB25P06T4G

MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET

на замовлення 572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVB25P06T4G

Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

товар відсутній

NVB25P06T4G

Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

товар відсутній

NVB260N65S3

Description: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V

товар відсутній

NVB260N65S3

Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 m Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVB260N65S3

Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 m

товар відсутній

NVB260N65S3

Description: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V

товар відсутній

NVB260N65S3

MOSFET SF3 650V EASY 260MOHM, D2PAK AUTO

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.8 грн
10+	173.73 грн
100+	119.93 грн
500+	96.74 грн
800+	83.49 грн
2400+	78.85 грн
4800+	77.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB260N65S3

на замовлення 770 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVB5404NT4G

Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB5404NT4G

Description: ONSEMI - NVB5404NT4G - NVB5404NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

492+	124.87 грн

Мінімальне замовлення: 492

NVB5404NT4G

Description: MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.8 грн
10+	153.98 грн
100+	122.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB5404NT4G

MOSFET NFET D2PK 40V 129A 4.5MOH

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVB5405NT4G

Trans MOSFET N-CH 40V 16.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB5405NT4G

Description: NVB5405 - SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 32 V

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

214+	92.66 грн

Мінімальне замовлення: 214

NVB5426NT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

товар відсутній

NVB5860NLT4G

MOSFET NFET D2PAK 60V 169A 3MOHM

на замовлення 731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVB5860NLT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

товар відсутній

NVB5860NLT4G

Trans MOSFET N-CH 60V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB5860NT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

товар відсутній

NVB5860NT4G

Trans MOSFET N-CH 60V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB60N06T4G

Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVB60N06T4G

Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB60N06T4G

MOSFET NFET 60V .016R TR

товар відсутній

NVB60N06T4G

Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

210+	96.64 грн

Мінімальне замовлення: 210

NVB6410ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 76A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB6410ANT4G

MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVB6410ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

товар відсутній

NVB6411ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

175+	112.67 грн

Мінімальне замовлення: 175

NVB6411ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVB6411ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 77A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB6411ANT4G

MOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVB6412ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	101.39 грн
119+	97.94 грн
126+	92.44 грн
129+	87.06 грн
133+	78.08 грн
500+	72.82 грн

Мінімальне замовлення: 115

NVB6412ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

товар відсутній

NVB6412ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB6412ANT4G

MOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO

на замовлення 1016 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVB6412ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	94.15 грн
10+	90.94 грн
25+	85.84 грн
50+	80.84 грн
100+	72.51 грн
500+	67.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

NVB6413ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

товар відсутній

NVB6413ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBF170LT1G

MOSFET Automotive Power MOSFET, 60V, 500mA, 5 Ohm, Single N-Channel, SOT-23, Logic Level. Automotive version of the MMBF170L.

товар відсутній

NVBF170LT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

NVBF170LT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

NVBG015N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4287.5 грн
10+	3753.52 грн
100+	3378.14 грн

NVBG015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG015N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVBG015N065SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V

на замовлення 558 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4542.98 грн
10+	4071.19 грн
25+	3487.82 грн
50+	3450.72 грн
100+	3185.69 грн
250+	3133.34 грн
500+	3022.69 грн

NVBG015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive T/R

товар відсутній

NVBG015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	4679.19 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG020N090SC1

MOSFET 20MOHM 900V

на замовлення 716 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4458.73 грн
10+	4007.19 грн
25+	3444.09 грн
50+	3408.31 грн
100+	3155.87 грн
250+	3067.75 грн
500+	2950.47 грн

NVBG020N090SC1

Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 13428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4144.16 грн
10+	3627.84 грн
100+	3265 грн

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG020N090SC1

Description: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm

на замовлення 629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	3451.05 грн

Мінімальне замовлення: 10

NVBG020N090SC1

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG020N090SC1

Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	3108.34 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG020N090SC1

на замовлення 629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3451.05 грн

NVBG020N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm

на замовлення 742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4937.61 грн
10+	4437.38 грн
100+	4140.81 грн
500+	3753.24 грн

NVBG020N120SC1

на замовлення 671 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	6363.54 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG020N120SC1

Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 13554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5419.22 грн
10+	4948.79 грн
25+	4814.12 грн
100+	4201.91 грн

NVBG020N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 468W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm

на замовлення 742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	4437.38 грн
100+	4140.81 грн
500+	3753.24 грн

Мінімальне замовлення: 10

NVBG020N120SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1

на замовлення 779 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	5804.54 грн
10+	5313.96 грн
25+	4447.9 грн
50+	4394.9 грн
100+	4137.82 грн
250+	4062.28 грн
500+	3855.56 грн

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG020N120SC1

Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	4474.85 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive T/R

товар відсутній

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	2611.24 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG022N120M3S

Description: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V

товар відсутній

NVBG022N120M3S

SiC MOSFET 1200 V 22 mohm

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1205.12 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	2639.02 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG022N120M3S

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3846.5 грн
10+	3377.8 грн
25+	2762.96 грн
50+	2670.86 грн
100+	2578.1 грн
250+	2486.67 грн
500+	2329.63 грн

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3117.87 грн
10+	2916.58 грн
25+	2856.91 грн

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	3357.71 грн
10+	3140.93 грн
25+	3076.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG025N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	2636.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

NVBG025N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1783.95 грн
10+	1526.56 грн
100+	1335.17 грн

NVBG025N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2447.85 грн

NVBG025N065SC1

NVBG025N065SC1

товар відсутній

NVBG025N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1183.17 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG025N065SC1

MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2983.82 грн
10+	2656.22 грн
25+	2233.56 грн
100+	2069.24 грн
250+	2008.28 грн
500+	1905.58 грн
800+	1876.43 грн

NVBG030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	2602.65 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG030N120M3S

SiC MOS D2PAK-7L 30mohm 1200V M3

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1100.77 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG030N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2393.17 грн
10+	2053.38 грн
100+	1802.34 грн

NVBG030N120M3S

MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 30 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 30 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2599.64 грн
10+	2282.86 грн
25+	1867.15 грн
50+	1804.87 грн
100+	1742.59 грн
250+	1680.3 грн
500+	1574.95 грн

NVBG030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG030N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1657.76 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG040N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1337.51 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG040N120M3S

MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in D2PAK-7LD package

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2160.57 грн
10+	1892.73 грн
25+	1535.2 грн
50+	1487.49 грн
100+	1439.13 грн
250+	1343.05 грн
500+	1227.76 грн

NVBG040N120M3S

Description: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.22V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 297W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0405ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2050.71 грн
10+	1884.96 грн
100+	1734.07 грн
500+	1547.4 грн
800+	1369.76 грн
1600+	1311.15 грн

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1853.32 грн
10+	1703.07 грн
25+	1616.09 грн

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2074.2 грн
10+	1939.08 грн
20+	1747.22 грн
50+	1637.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

NVBG040N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2016.89 грн
10+	1725.68 грн
100+	1509.34 грн

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG040N120M3S

SiC MOS D2PAK-7L 40mohm 1200V M3

товар відсутній

NVBG040N120M3S

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1884.96 грн
100+	1734.07 грн
500+	1547.4 грн
800+	1369.76 грн
1600+	1311.15 грн

Мінімальне замовлення: 10

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	1995.89 грн
10+	1834.08 грн
25+	1740.4 грн
50+	1629.72 грн
100+	1461.3 грн

Мінімальне замовлення: 6

NVBG040N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	2790.99 грн
10+	2720.54 грн
25+	2531.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

NVBG040N120SC1

Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1730.41 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1134.78 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG040N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG040N120SC1
Код товару: 179416

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	3145.89 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG040N120SC1

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBG040N120SC1

MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, D2PAK?7L

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2727.95 грн
10+	2514.49 грн
25+	2167.96 грн
50+	2166.64 грн
100+	2035.45 грн
250+	2034.79 грн
500+	2034.12 грн

NVBG040N120SC1

Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2608.91 грн
10+	2232.62 грн
100+	1952.72 грн

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2591.63 грн
10+	2526.21 грн
25+	2350.8 грн

NVBG045N065SC1

NVBG045N065SC1

товар відсутній

NVBG045N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1843.92 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG045N065SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V

на замовлення 1231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2263.38 грн
10+	2057.31 грн
100+	1527.25 грн
500+	1239.03 грн
800+	1227.76 грн

NVBG045N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V

товар відсутній

NVBG045N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG045N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V

товар відсутній

NVBG060N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1563.2 грн
10+	1337.45 грн
100+	1169.77 грн

NVBG060N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,44mohm,650V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG060N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1036.6 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG060N065SC1

NVBG060N065SC1

товар відсутній

NVBG060N065SC1

MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

на замовлення 800 шт:

термін постачання 140-149 дні (днів)

1+	962.4 грн
10+	835.88 грн
25+	707.64 грн
50+	667.88 грн
100+	628.79 грн
250+	608.91 грн
500+	569.82 грн

NVBG060N090SC1

Silicon Carbide MOSFET,60mohm,900V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG060N090SC1

N-Channel MOSFET

товар відсутній

NVBG060N090SC1

на замовлення 594 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBG060N090SC1

Description: MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V

на замовлення 1460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1960.98 грн
10+	1678.47 грн
100+	1468.04 грн

NVBG060N090SC1

MOSFET 60MOHM

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2077.85 грн
10+	1819.58 грн
25+	1476.23 грн
50+	1430.51 грн
100+	1384.79 грн
250+	1292.03 грн
500+	1184.03 грн

NVBG060N090SC1

Description: MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1300.91 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG060N090SC1-ENG

SiC MOS D2PAK 7L 60mohm 900V

товар відсутній

NVBG070N120M3S

MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 70 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 70 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

на замовлення 1599 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1553.75 грн
10+	1360.87 грн
25+	1103.86 грн
50+	1069.41 грн
100+	1034.95 грн
250+	965.38 грн
500+	883.22 грн

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1769.5 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1005.69 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1750.88 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG075N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,6mohm,650V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG075N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1298.72 грн
10+	1101.89 грн
100+	952.99 грн

NVBG075N065SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V

на замовлення 1594 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1417.7 грн
10+	1241.25 грн
25+	1007.79 грн
50+	975.98 грн
100+	944.84 грн
250+	881.23 грн
500+	805.7 грн

NVBG075N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	896.86 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG075N065SC1

SiliconCarbide MOSFET,6mohm,650V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG080N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V

товар відсутній

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1214.33 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG080N120SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

на замовлення 1453 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1062.89 грн
10+	923.5 грн
25+	781.18 грн
50+	737.45 грн
100+	694.38 грн
250+	673.18 грн
500+	629.45 грн

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1249.19 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG080N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm

на замовлення 1758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1892.39 грн
10+	1519.26 грн
100+	1372.84 грн
500+	1171.94 грн
800+	1079.24 грн
1600+	1078.6 грн

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG080N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V

на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1275.07 грн
10+	1128.46 грн
100+	953.07 грн

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG080N120SC1

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBG089N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 970µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3598 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	388.74 грн
1600+	336.91 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG089N65S3F

MOSFET SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L

товар відсутній

NVBG095N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,70mohm,650V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG095N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,70mohm,650V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	410.69 грн
10+	339.3 грн
100+	282.71 грн

NVBG095N65S3F

MOSFET Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 36 A, 95 mohm, D2PAK 7 lead SuperFET III 650V 95mohm D2PAK 7 Lead

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	439.84 грн
10+	371.08 грн
25+	293.52 грн
100+	269.01 грн
250+	253.11 грн
500+	237.87 грн
800+	214.01 грн

NVBG095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	259.05 грн
1600+	224.51 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG1000N170M1

SIC 1700V MOS 1O IN TO263

товар відсутній

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	849.52 грн
10+	841.04 грн
25+	833.35 грн

NVBG160N120SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

на замовлення 1270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1304.84 грн
10+	1146 грн
25+	987.25 грн
100+	900.45 грн
250+	884.55 грн
500+	815.64 грн
800+	748.05 грн

NVBG160N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 13600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	876.2 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	905.74 грн
25+	897.45 грн

Мінімальне замовлення: 13

NVBG160N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 19.5A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 19.5
hazardous: false
usEccn: Unknown
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
euEccn: Unknown
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товар відсутній

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	820.16 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG160N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1324.52 грн
10+	1071.81 грн

NVBG160N120SC1

на замовлення 630 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	853.1 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG160N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1268.62 грн
10+	1076.49 грн
100+	931.04 грн

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	862.17 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG160N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1071.81 грн

Мінімальне замовлення: 10

NVBGS1D2N08H

Description: T8-80V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 290A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10830 pF @ 40 V

товар відсутній

NVBGS1D2N08H

MOSFET Power MOSFET, 80 V, 1.2 mohm, 353 A, Single N-Channel D2PAK-7L (Pb-Free)

товар відсутній

NVBGS1D2N08H

Power MOSFET Single N-Channel

товар відсутній

NVBGS4D1N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1094.38 грн
10+	986.83 грн
25+	973.68 грн
50+	876.86 грн
100+	748.43 грн
250+	703.58 грн
500+	655.64 грн

NVBGS4D1N15MC

на замовлення 740 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBGS4D1N15MC

MOSFET MOSFET - Single N-Channel 150 V, 4.1 mohm, 185 A D2PAK7 (Pb-Free)

на замовлення 1328 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1040.47 грн
10+	941.03 грн
25+	801.06 грн
50+	774.56 грн
100+	736.79 грн
800+	656.62 грн

NVBGS4D1N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1136.02 грн
10+	1005.67 грн
25+	963.94 грн
100+	757.93 грн
250+	709.03 грн

NVBGS4D1N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBGS4D1N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1178.56 грн
11+	1062.74 грн
25+	1048.58 грн
50+	944.31 грн
100+	806 грн
250+	757.7 грн
500+	706.07 грн

Мінімальне замовлення: 10

NVBGS4D1N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVBGS6D5N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 15/121A D2PAK-7

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

NVBGS6D5N15MC

MOSFET Power, Single N Channel, D2PAK7 150 V, 7 m, 121 A

товар відсутній

NVBGS6D5N15MC

NVBGS6D5N15MC

товар відсутній

NVBGS6D5N15MC

MOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUTOMOTIVE

товар відсутній

NVBL099N65S3

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

NVBLS001N06C

Description: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 750 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm

на замовлення 481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	512.12 грн
10+	377.59 грн
100+	326.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVBLS001N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	408.15 грн

Мінімальне замовлення: 2000

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	832.27 грн
10+	708.26 грн
25+	449.53 грн

NVBLS001N06C

MOSFET NFET TOLL 60V 1.0MO

на замовлення 4531 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	788.47 грн
10+	673.58 грн
25+	489.65 грн
100+	444.59 грн
250+	443.27 грн
500+	417.43 грн
1000+	396.89 грн

NVBLS001N06C

на замовлення 481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	377.59 грн
100+	326.3 грн

Мінімальне замовлення: 10

NVBLS001N06C

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	896.29 грн
16+	762.74 грн
25+	484.11 грн

Мінімальне замовлення: 13

NVBLS001N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	767.62 грн
10+	633.8 грн
100+	528.18 грн
500+	437.36 грн
1000+	393.63 грн

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS0D5N04CTXG

Description: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVBLS0D5N04CTXG

MOSFET T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX

на замовлення 3996 шт:

термін постачання 466-475 дні (днів)

1+	612.22 грн
10+	517.38 грн
25+	408.15 грн
100+	374.36 грн
250+	353.16 грн
500+	330.63 грн
1000+	297.5 грн

NVBLS0D5N04CTXG

Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 300
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 198.4
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198.4
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	704.63 грн
10+	571.58 грн
100+	496.51 грн
500+	387.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVBLS0D5N04CTXG

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBLS0D5N04CTXG

Trans MOSFET N-CH 40V 65A T/R

товар відсутній

NVBLS0D5N04CTXG

Description: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	572.67 грн
10+	472.3 грн
100+	393.61 грн
500+	325.93 грн
1000+	293.34 грн

NVBLS0D5N04CTXG

Trans MOSFET N-CH 40V 65A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R

товар відсутній

NVBLS0D5N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF

на замовлення 2089 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

NVBLS0D5N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

NVBLS0D5N04M8TXG

MOSFET NMOS TOLL 40V 0.65

на замовлення 419 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVBLS0D5N04M8TXG

Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04M8TXG - MOSFET, N-CH, 40V, 300A, 175DEG C, 429W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	283.19 грн

Мінімальне замовлення: 130

NVBLS0D5N04M8TXG

Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS0D7N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF

товар відсутній

NVBLS0D7N04M8TXG

MOSFET NMOS TOLL 40V 1.2

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVBLS0D7N04M8TXG

Description: NMOS TOLL 40V 1.2 MOHM

товар відсутній

NVBLS0D7N04M8TXG

Trans MOSFET N-CH 40V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS0D7N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	155.75 грн

Мінімальне замовлення: 128

NVBLS0D7N04M8TXG

Description: NMOS TOLL 40V 1.2 MOHM

товар відсутній

NVBLS0D7N04M8TXG

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBLS0D7N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS0D7N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS0D7N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF

товар відсутній

NVBLS0D7N06C

Description: ONSEMI - NVBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 470
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 314
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 314
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 560
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

NVBLS0D7N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF

товар відсутній

NVBLS0D7N06C

MOSFET NFET TOLL 60V 0.75MO

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	919.11 грн
10+	816.83 грн
100+	602.29 грн
500+	551.27 грн
1000+	513.5 грн
2000+	474.41 грн

NVBLS1D1N08H

Description: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

NVBLS1D1N08H

Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVBLS1D1N08H

MOSFET T8-80V IN TOLL

на замовлення 3246 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	531.83 грн
10+	450.32 грн
100+	325.99 грн
500+	286.9 грн
1000+	259.07 грн
2000+	246.48 грн

NVBLS1D1N08H

на замовлення 438 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBLS1D1N08H

Single N-Channel Power MOSFET

товар відсутній

NVBLS1D1N08H

Single N-Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBLS1D1N08H

Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	496.7 грн
10+	409.9 грн
100+	341.57 грн
500+	282.84 грн
1000+	254.55 грн

NVBLS1D5N10MCTXG

MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	447.57 грн
10+	378.7 грн
25+	298.16 грн
100+	274.31 грн
250+	258.41 грн
500+	241.84 грн
1000+	217.33 грн

NVBLS1D5N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	408.54 грн
10+	337.09 грн
100+	280.95 грн
500+	232.65 грн
1000+	209.38 грн

NVBLS1D5N10MCTXG

N-Channel Power Trench MOSFET

товар відсутній

NVBLS1D5N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	217.11 грн

Мінімальне замовлення: 2000

NVBLS1D7N08H

Trans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R

товар відсутній

NVBLS1D7N08H

Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	313.93 грн
10+	253.71 грн
100+	205.28 грн
500+	171.24 грн
1000+	146.62 грн

NVBLS1D7N08H

MOSFET MOSFET - Power, Single N-Channel, TOLL 80 V, 1.7 mohm, 241 A

на замовлення 4923 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	340.9 грн
10+	282.69 грн
100+	198.77 грн
500+	176.91 грн
1000+	151.73 грн
2000+	151.07 грн

NVBLS1D7N08H

Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	152.77 грн

Мінімальне замовлення: 2000

NVBLS1D7N08H

Trans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R

товар відсутній

NVBLS1D7N10MCTXG

MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm

на замовлення 1790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	453.76 грн
10+	375.65 грн
25+	308.1 грн
100+	263.71 грн
250+	249.13 грн
500+	234.55 грн
1000+	200.76 грн

NVBLS4D0N15MC

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBLS4D0N15MC

Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 316W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	495.77 грн
500+	388.58 грн

Мінімальне замовлення: 150

NVBLS4D0N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS4D0N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS4D0N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	380.61 грн

Мінімальне замовлення: 2000

NVBLS4D0N15MC

Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	783.42 грн
10+	573.07 грн
100+	495.77 грн
500+	388.58 грн

NVBLS4D0N15MC

MOSFET Single N-Channel, 150 V, 4.4 mohm, 187 A Single N-Channel, 150 V, 4.4 mohm, 187 A

на замовлення 1141 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	766.83 грн
10+	647.67 грн
25+	555.24 грн
100+	469.77 грн
250+	465.13 грн
500+	414.11 грн
1000+	369.72 грн

NVBLS4D0N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS4D0N15MC