Продукція > NTJ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTJ04-040LYageoInrush Current Limiter Thermistors
товар відсутній
NTJ06-010MYAGEODescription: YAGEO - NTJ06-010M - Thermistor, ICL, NTC, 10 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 6A
tariffCode: 85334010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 10ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 15mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.71 грн
100+ 38.95 грн
500+ 34.27 грн
1000+ 28.71 грн
2500+ 23.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
NTJ06-013LYAGEODescription: NTC 15MM 13OHM 6A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.591" (15.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 6 A
R @ 25°C: 13 Ohms
R @ Current: 152 mOhms
товар відсутній
NTJ06-013LFYAGEODescription: NTC 15MM 1OHM 9A 15% BOX
Tolerance: ±15%
Packaging: Box
Diameter: 0.709" (18.00mm)
Lead Spacing: 0.295" (7.50mm)
Approval Agency: TUV, UL
Current - Steady State Max: 6 A
R @ 25°C: 13 Ohms
R @ Current: 152 mOhms
товар відсутній
NTJ06-015MYAGEONTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC,15mm, 15ohm 6A +/-20% box
товар відсутній
NTJ06-015MYAGEODescription: YAGEO - NTJ06-015M - Thermistor, ICL, NTC, 15 Ohm, Produktreihe NT, 15mm, 6A
tariffCode: 85334010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Zulassungen: TÜV, UL
Maximaler eingeschwungener Strom bei 25°C: 6A
euEccn: NLR
Maximale Nennenergie bei 25°C: -
hazardous: false
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 15ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Scheibengröße: 15mm
usEccn: EAR99
Produktpalette: NT Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTJ25-6Knowles VoltronicsTrimmer/Variable Capacitors
товар відсутній
NTJD1155Lonsemionsemi NFET SC88 8V 1.3A 175MOHM
товар відсутній
NTJD1155LT1onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
NTJD1155LT1GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJD1155LT1GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.41 грн
6000+ 10.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD1155LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22 грн
500+ 16.08 грн
1000+ 11.47 грн
3000+ 10.38 грн
6000+ 9.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTJD1155LT1GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD1155LT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.73 грн
6000+ 9.8 грн
9000+ 9.1 грн
30000+ 8.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD1155LT1GONSEMICategory: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+21.26 грн
25+ 17.05 грн
65+ 12.35 грн
178+ 11.66 грн
Мінімальне замовлення: 18
NTJD1155LT1GON-SemicoductorTransistor N/P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTJD1155LT1G NTJD1155L TNTJD1155l
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 50
NTJD1155LT1GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD1155LT1GonsemiMOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift
на замовлення 149534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.78 грн
13+ 24.23 грн
100+ 17.36 грн
500+ 13.58 грн
1000+ 11 грн
3000+ 9.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTJD1155LT1GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
382+30.4 грн
498+ 23.33 грн
522+ 22.28 грн
642+ 17.47 грн
Мінімальне замовлення: 382
NTJD1155LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD1155LT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.13ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.24 грн
25+ 30.92 грн
100+ 19.47 грн
500+ 14.15 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTJD1155LT1GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD1155LT1GONSEMICategory: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+25.51 грн
25+ 21.24 грн
65+ 14.83 грн
178+ 14 грн
3000+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTJD1155LT1GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD1155LT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 104045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.54 грн
11+ 26.16 грн
100+ 18.21 грн
500+ 13.34 грн
1000+ 10.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTJD1155LT1GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+33.18 грн
20+ 28.81 грн
25+ 28.23 грн
100+ 20.89 грн
250+ 18.47 грн
500+ 14.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
NTJD1155LT1G ON09+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD1155LT2GonsemiMOSFET NFET SC88 8V 1.3A 175mOhm
на замовлення 121850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.94 грн
11+ 28.19 грн
100+ 13.65 грн
1000+ 8.81 грн
3000+ 8.15 грн
9000+ 7.49 грн
24000+ 7.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTJD1155LT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.4 грн
11+ 25.74 грн
100+ 15.44 грн
500+ 13.41 грн
1000+ 9.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTJD1155LT2GON SemiconductorPower Switch Hi Side 1-OUT 1A 0.26Ohm 6-Pin SC-88 Reel
товар відсутній
NTJD1155LT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 8V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD1155LT2GON Semiconductor1.3A High Side Load Switch
товар відсутній
NTJD2152P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD2152PLT1
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD2152PT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD2152PT1onsemiDescription: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 14760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTJD2152PT1
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD2152PT1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
товар відсутній
NTJD2152PT1GON07+;
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD2152PT1GonsemiDescription: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 541167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTJD2152PT1GONSOT-363
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD2152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
товар відсутній
NTJD2152PT1GON09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD2152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
товар відсутній
NTJD2152PT2onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
товар відсутній
NTJD2152PT2GonsemiDescription: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
NTJD2152PT2GON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD2152PT4ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
товар відсутній
NTJD2152PT4GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
товар відсутній
NTJD3158CT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD3158CT2GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V SC88-6
товар відсутній
NTJD4001Nonsemionsemi NFET SC88 30V 250MA 1.5R
товар відсутній
NTJD4001N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD4001NT1onsemiMOSFET 30V 250mA Dual
товар відсутній
NTJD4001NT1
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD4001NT1onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.07 грн
9000+ 5.47 грн
24000+ 5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.272W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.52 грн
25+ 11.18 грн
100+ 9.61 грн
115+ 8.28 грн
320+ 7.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.47 грн
6000+ 5.97 грн
9000+ 5.38 грн
30000+ 4.97 грн
75000+ 4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.8 грн
9000+ 6.87 грн
24000+ 6.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4001NT1G
Код товару: 192092		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NTJD4001NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.57 грн
500+ 10.15 грн
1000+ 7.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.57 грн
9000+ 5.91 грн
24000+ 5.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+24.19 грн
29+ 19.91 грн
30+ 19.76 грн
100+ 11.53 грн
250+ 10.57 грн
500+ 9.49 грн
1000+ 6.34 грн
3000+ 5.53 грн
6000+ 5.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
NTJD4001NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4001NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 250 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 272mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.32 грн
35+ 21.33 грн
100+ 11.15 грн
500+ 10.15 грн
Мінімальне замовлення: 27
NTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 98667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.37 грн
16+ 17.88 грн
100+ 10.75 грн
500+ 9.34 грн
1000+ 6.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTJD4001NT1GonsemiMOSFET 30V 250mA Dual N-Channel
на замовлення 89100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.2 грн
16+ 19.66 грн
100+ 9.47 грн
1000+ 6.49 грн
3000+ 5.7 грн
9000+ 5.5 грн
24000+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
546+21.28 грн
902+ 12.87 грн
912+ 12.74 грн
975+ 11.5 грн
1458+ 7.11 грн
3000+ 5.95 грн
6000+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 546
NTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.272W
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+12.93 грн
40+ 8.97 грн
100+ 8.01 грн
115+ 6.9 грн
320+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTJD4001NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTJD4105C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD4105CT1ON
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD4105CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJD4105CT1GonsemiMOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
на замовлення 44611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.39 грн
13+ 24.69 грн
100+ 11.86 грн
1000+ 8.15 грн
3000+ 6.96 грн
9000+ 6.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTJD4105CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-8V
Drain current: 0.63/-0.755A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8V; ±12V
On-state resistance: 445/900mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3/4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
NTJD4105CT1GON-SemicoductorTransistor N/P-Channel MOSFET; 20V/8V; 12V/8V; 445mOhm/900mOhm; 910mA/1,1A; 550mW; -55°C ~ 150°C; NTJD4105CT1G TNTJD4105c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTJD4105CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 22515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.1 грн
13+ 22.5 грн
100+ 13.48 грн
500+ 11.71 грн
1000+ 7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTJD4105CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJD4105CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4105CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-8V
Drain current: 0.63/-0.755A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8V; ±12V
On-state resistance: 445/900mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3/4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTJD4105CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4105CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.68 грн
28+ 27.06 грн
100+ 13.38 грн
500+ 12.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
NTJD4105CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.11 грн
6000+ 7.49 грн
9000+ 6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4105CT2ON2005
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD4105CT2ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
товар відсутній
NTJD4105CT2GonsemiMOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary
на замовлення 8510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.92 грн
13+ 23.62 грн
100+ 12.06 грн
1000+ 8.02 грн
3000+ 6.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTJD4105CT2GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-8V
Drain current: 0.46/-0.558A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8V; ±12V
On-state resistance: 375/300mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTJD4105CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.54 грн
12+ 24.64 грн
100+ 16.78 грн
500+ 11.81 грн
1000+ 8.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJD4105CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 270mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.79 грн
30+ 25.2 грн
100+ 15.83 грн
500+ 11.6 грн
1000+ 8.03 грн
3000+ 7.14 грн
6000+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 22
NTJD4105CT2GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-8V
Drain current: 0.46/-0.558A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8V; ±12V
On-state resistance: 375/300mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTJD4105CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4105CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJD4105CT4ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
товар відсутній
NTJD4105CT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
товар відсутній
NTJD4152P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD4152PT1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
товар відсутній
NTJD4152PT1
на замовлення 14484 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD4152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJD4152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 880 mA, 0.215 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 880
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 272
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.215
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.62 грн
23+ 32.7 грн
100+ 19.99 грн
500+ 10.42 грн
3000+ 9.43 грн
Мінімальне замовлення: 18
NTJD4152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 90905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.97 грн
12+ 24.71 грн
100+ 14.82 грн
500+ 12.88 грн
1000+ 8.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTJD4152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJD4152PT1GonsemiMOSFET 20V 0.88mA P-Channel ESD Protection
на замовлення 272101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.25 грн
13+ 24.92 грн
100+ 12.39 грн
1000+ 8.15 грн
3000+ 7.42 грн
9000+ 6.96 грн
24000+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTJD4152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.92 грн
6000+ 8.23 грн
9000+ 7.41 грн
30000+ 6.85 грн
75000+ 6.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4152PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJD4152PT2GonsemiMOSFET PFET SC88 20V 88MA 2
на замовлення 12132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.76 грн
14+ 22.86 грн
100+ 10.34 грн
1000+ 7.75 грн
3000+ 7.09 грн
9000+ 6.29 грн
24000+ 6.1 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTJD4152PT2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.82 грн
12+ 23.81 грн
100+ 16.23 грн
500+ 11.42 грн
1000+ 8.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTJD4152PT2GON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD4152PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJD4152PT2GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4158CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4158CT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+7.8 грн
Мінімальне замовлення: 74
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJD4158CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.67 грн
13+ 21.6 грн
100+ 12.95 грн
500+ 11.25 грн
1000+ 7.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTJD4158CT1GonsemiMOSFET PFET 20V .88A 1OHM
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTJD4158CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJD4158CT2GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88-6
товар відсутній
NTJD4158CT2G
на замовлення 10270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD4401ON-Semicoductor2xN-MOSFET 20V 0.63A 0.55W NTJD4401NT1G TNTJD4401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
90+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 90
NTJD4401Nonsemionsemi NFET SC88 20V 630MA 375MO
товар відсутній
NTJD4401N
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD4401NT1
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD4401NT1onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
товар відсутній
NTJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 46402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.39 грн
14+ 20.29 грн
100+ 10.24 грн
500+ 8.52 грн
1000+ 6.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTJD4401NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 445mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+23.01 грн
25+ 11.96 грн
100+ 9.28 грн
117+ 8.2 грн
322+ 7.79 грн
3000+ 7.7 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.56 грн
6000+ 6.18 грн
9000+ 5.47 грн
30000+ 5.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4401NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 445mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+19.18 грн
36+ 9.59 грн
100+ 7.73 грн
117+ 6.83 грн
322+ 6.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTJD4401NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 270mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.86 грн
31+ 24.38 грн
100+ 10.11 грн
500+ 7.73 грн
1000+ 5.61 грн
5000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 22
NTJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.18 грн
6000+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4401NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD4401NT1GonsemiMOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection
на замовлення 20392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.92 грн
13+ 23.62 грн
100+ 12.79 грн
1000+ 6.69 грн
3000+ 6.03 грн
9000+ 5.17 грн
24000+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTJD4401NT2onsemiDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTJD4401NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
товар відсутній
NTJD4401NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJD4401NT4onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
товар відсутній
NTJD4401NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.91A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJD4401NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
товар відсутній
NTJD440NT1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD4538NT1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJD5121Nonsemionsemi NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
товар відсутній
NTJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.03 грн
6000+ 3.6 грн
9000+ 2.99 грн
30000+ 2.75 грн
75000+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.46 грн
9000+ 2.76 грн
24000+ 2.35 грн
45000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 22534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+21.59 грн
30+ 19.6 грн
33+ 17.6 грн
100+ 15.05 грн
250+ 12.16 грн
500+ 9.96 грн
1000+ 8.25 грн
3000+ 6.54 грн
6000+ 4.83 грн
Мінімальне замовлення: 27
NTJD5121NT1GonsemiMOSFET NFET SC88D 60V 295mA
на замовлення 321539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.43 грн
21+ 14.71 грн
100+ 6.16 грн
1000+ 4.24 грн
2500+ 2.92 грн
10000+ 2.52 грн
30000+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTJD5121NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+9.51 грн
80+ 4.58 грн
230+ 3.51 грн
630+ 3.32 грн
Мінімальне замовлення: 40
NTJD5121NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD5121NT1G - DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SC-88
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.53 грн
61+ 12.19 грн
78+ 9.59 грн
109+ 6.35 грн
250+ 5.48 грн
500+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 31
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.89 грн
9000+ 3.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD5121NT1GON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SOT-363 NTJD5121NT1G TNTJD5121n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 22534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
691+16.81 грн
792+ 14.66 грн
929+ 12.51 грн
1121+ 10 грн
3000+ 7.34 грн
6000+ 5.2 грн
15000+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 691
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.61 грн
9000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 80770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.37 грн
18+ 15.81 грн
100+ 7.72 грн
500+ 6.05 грн
1000+ 4.2 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 50513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2187+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 2187
NTJD5121NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+11.42 грн
50+ 5.71 грн
230+ 4.21 грн
630+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 25
NTJD5121NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 304 mA, 304 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 304mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 304mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 266mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 266mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.05 грн
61+ 12.34 грн
115+ 6.47 грн
500+ 4.77 грн
1000+ 3.25 грн
5000+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3125+3.72 грн
9000+ 2.97 грн
24000+ 2.53 грн
45000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 3125
NTJD5121NT1G
Код товару: 185670		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NTJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD5121NT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD5121NT2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 295
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTJD5121NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товар відсутній
NTJD5121NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJD5121NT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJD5121NT2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 295
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTJD5121NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJD5121NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.07 грн
6000+ 5.7 грн
9000+ 4.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJD5121NT2GonsemiMOSFET NFET SC88D 60V 295mA
на замовлення 19317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.59 грн
17+ 18.52 грн
100+ 7.22 грн
1000+ 5.57 грн
3000+ 5.17 грн
9000+ 4.64 грн
24000+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTJD5121NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.37 грн
17+ 16.63 грн
100+ 8.4 грн
500+ 6.99 грн
1000+ 5.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTJD5121NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJS3151P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJS3151PT1
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.27 грн
10+ 29.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTJS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJS3151PT1GONSEMINTJS3151PT1G SMD P channel transistors
товар відсутній
NTJS3151PT1GonsemiMOSFET 12V 3.3A P-Channel
на замовлення 23174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.8 грн
11+ 30.25 грн
100+ 17.96 грн
500+ 13.45 грн
1000+ 10.07 грн
3000+ 9.28 грн
6000+ 8.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTJS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
товар відсутній
NTJS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.045 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.03 грн
23+ 32.48 грн
100+ 19.85 грн
500+ 14.08 грн
1000+ 9.75 грн
3000+ 9.05 грн
6000+ 7.96 грн
Мінімальне замовлення: 19
NTJS3151PT2onsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
товар відсутній
NTJS3151PT2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.14 грн
6000+ 9.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJS3151PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJS3151PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJS3151PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJS3151PT2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+35.84 грн
10+ 27.81 грн
100+ 18.94 грн
500+ 13.33 грн
1000+ 10 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTJS3151PT2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.7A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJS3151PT2GonsemiMOSFET 12V 3.3A P-Channel
товар відсутній
NTJS3157Nonsemionsemi NFET SC88 20V 4A 60MO
товар відсутній
NTJS3157NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJS3157NT1GonsemiMOSFET 20V 4A N-Channel
на замовлення 156664 шт:
термін постачання 469-478 дні (днів)
10+33.39 грн
12+ 26.9 грн
100+ 15.9 грн
500+ 11.93 грн
1000+ 8.94 грн
3000+ 8.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTJS3157NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJS3157NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.79 грн
6000+ 7.19 грн
9000+ 6.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJS3157NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJS3157NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTJS3157NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
NTJS3157NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
на замовлення 13730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.67 грн
13+ 21.6 грн
100+ 12.94 грн
500+ 11.24 грн
1000+ 7.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTJS3157NT2onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товар відсутній
NTJS3157NT2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товар відсутній
NTJS3157NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJS3157NT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товар відсутній
NTJS3157NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
товар відсутній
NTJS4151P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJS4151PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTJS4151PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTJS4151PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.7 грн
25+ 10.49 грн
100+ 8.94 грн
120+ 8.17 грн
325+ 7.73 грн
3000+ 7.45 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+25.7 грн
655+ 17.75 грн
661+ 17.57 грн
874+ 12.82 грн
1244+ 8.34 грн
3000+ 7.84 грн
Мінімальне замовлення: 452
NTJS4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.98 грн
6000+ 6.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJS4151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.41 грн
29+ 25.72 грн
100+ 15.61 грн
500+ 10.9 грн
1000+ 7.52 грн
3000+ 6.04 грн
6000+ 5.92 грн
12000+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 23
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJS4151PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.08 грн
45+ 8.42 грн
100+ 7.45 грн
120+ 6.81 грн
325+ 6.44 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJS4151PT1GonsemiMOSFET -20V -4.2A P-Channel
на замовлення 64933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
15+ 21.26 грн
100+ 10.27 грн
1000+ 7.49 грн
3000+ 6.43 грн
9000+ 5.96 грн
24000+ 5.9 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTJS4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
на замовлення 6715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.8 грн
15+ 19.33 грн
100+ 11.6 грн
500+ 10.07 грн
1000+ 6.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTJS4151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.36 грн
24+ 24.1 грн
25+ 23.87 грн
100+ 15.9 грн
250+ 14.57 грн
500+ 10.58 грн
1000+ 7.43 грн
3000+ 7.28 грн
Мінімальне замовлення: 21
NTJS4151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.61 грн
500+ 10.9 грн
1000+ 7.52 грн
3000+ 6.04 грн
6000+ 5.92 грн
12000+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTJS4160NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJS4160NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
товар відсутній
NTJS4160NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4160NT1G - NTJS4160NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 637216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4580+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 4580
NTJS4160NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 637216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4121+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 4121
NTJS4160NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
товар відсутній
NTJS4405NT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товар відсутній
NTJS4405NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 630mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 630mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.249ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.47 грн
25+ 30.4 грн
100+ 18.66 грн
500+ 13.32 грн
1000+ 9.24 грн
Мінімальне замовлення: 19
NTJS4405NT1GON Semiconductor
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJS4405NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+29.35 грн
25+ 23.6 грн
26+ 22.68 грн
100+ 16.58 грн
250+ 14.63 грн
500+ 11.54 грн
1000+ 8.98 грн
3000+ 8.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTJS4405NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товар відсутній
NTJS4405NT1GonsemiMOSFET 25V 1.2A N-Channel
на замовлення 8163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.94 грн
12+ 26.82 грн
100+ 15.11 грн
1000+ 9.67 грн
3000+ 8.35 грн
9000+ 7.49 грн
24000+ 7.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTJS4405NT1GON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJS4405NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NTJS4405NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 630mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.66 грн
500+ 13.32 грн
1000+ 9.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTJS4405NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товар відсутній
NTJS4405NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTJS4405NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+24.43 грн
628+ 18.51 грн
658+ 17.65 грн
802+ 13.98 грн
1030+ 10.07 грн
3000+ 8.95 грн
Мінімальне замовлення: 476
NTJS4405NT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товар відсутній
NTJS4405NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 845843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2404+8.6 грн
Мінімальне замовлення: 2404
NTJS4405NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTJS4405NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.2 A, 0.249 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890mW
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 845819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000
NTJS4405NT4GON09+
на замовлення 98018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJS4405NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товар відсутній
NTJS4405NT4GON0601NO
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJTA-3-SP-G
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJTA-3D-SP-G
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJTA-4D-SP-G
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJTA-5-SP-G
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJTA-5D-SP-G
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJTD-2-SP-G
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJTD-3-SP-G
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJTD-3D-SP-G
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTJTD-4-SP-G
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)