Продукція > NSB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSB-5120Quest Technology International Inc.Description: CAT5E SURFACE MOUNT BOX RJ45 8P8
Packaging: Bulk
Connector Type: Jack
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Orientation: Straight
Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet)
Termination: IDC, Color Coded Block
LED Color: Does Not Contain LED
Ratings: Cat5e
Tab Direction: Up
Part Status: Active
Number of Ports: 1
Number of Rows: 1
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
NSB-5130Quest Technology International Inc.Description: CAT5E SURFACE MOUNT BOX RJ45 8P8
Packaging: Bulk
Connector Type: Jack
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Orientation: Straight
Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet)
Termination: IDC, Color Coded Block
LED Color: Does Not Contain LED
Ratings: Cat5e
Tab Direction: Up
Contact Material: Phosphor Bronze
Part Status: Active
Number of Ports: 2
Number of Rows: 1
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.52 грн
NSB-5210Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSB-5220Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSB-5240Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
Packaging: Bulk
Color: White
For Use With/Related Products: Keystone Jacks
Material: Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS)
Style: Surface Mount
Type: Mounting Box
Number of Ports: 4
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Port Direction: Straight
Part Status: Active
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+144.06 грн
Мінімальне замовлення: 25
NSB-5260Quest Technology International Inc.Description: UNLOADED KEYSTONE SURFACE MOUNT
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSB1-D3FP4G-178
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB1010XV5T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 7212
NSB1010XV5T5
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB1011XV6T5
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB1011XV6T5Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSB12ANT3GON SemiconductorDescription: TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSB12ANT3GLittelfuseESD Suppressors / TVS Diodes SMB TVS 600W 12V
товар відсутній
NSB12ANT3G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB13211DW6T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB13211DW6T1GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
на замовлення 383930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 15000
NSB13211DW6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 230mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NSB13211DW6T1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
товар відсутній
NSB13ANT3G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB13ANT3GRochester Electronics, LLCDescription: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSB16GLF2-513BOURNS0611PB
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB16GLF2-513BOURNS
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB1706DMW5T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
товар відсутній
NSB1706DMW5T1
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
на замовлення 10035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.8 грн
6000+ 3.39 грн
9000+ 2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSB1706DMW5T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 44880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.43 грн
19+ 16.61 грн
100+ 5.9 грн
1000+ 4.11 грн
3000+ 3.25 грн
9000+ 2.72 грн
45000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSB1706DMW5T1GON06+
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB1706DMW5T1GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
на замовлення 10035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.22 грн
19+ 14.91 грн
100+ 7.28 грн
500+ 5.7 грн
1000+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSB1706DMW5T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 5-Pin SC-88A T/R
товар відсутній
NSB1A-8/4REANDescription: REAN - NSB1A-8/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 8 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4337.78 грн
NSB1A-8/4REANXLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товар відсутній
NSB1B-8/0REAN / NeutrikXLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSB1B-8/0REANDescription: REAN - NSB1B-8/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 8 I/P, 0 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3536.52 грн
5+ 3456.25 грн
NSB1C-8/0REAN / NeutrikXLR Connectors STAGE BX 8 IN F/SND
товар відсутній
NSB1C-8/0REANDescription: REAN - NSB1C-8/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 8 I/P, 0 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3737.21 грн
NSB2A-12/4REANXLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товар відсутній
NSB2A-12/4REANDescription: REAN - NSB2A-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 12 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5632.57 грн
NSB2A-20/4REANXLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товар відсутній
NSB2A-20/4REANDescription: REAN - NSB2A-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 20 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8017.01 грн
NSB2B-12/4REANDescription: REAN - NSB2B-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 12 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7090.89 грн
NSB2B-12/4REANXLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товар відсутній
NSB2B-16/0REAN / NeutrikXLR Connectors STAGE BOX 16 INCH FEMALE SEND
товар відсутній
NSB2B-16/0REANDescription: REAN - NSB2B-16/0 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 16 I/P, 0 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6581 грн
NSB2C-12/4REANXLR Connectors STAGE BX 12 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товар відсутній
NSB2C-12/4REANDescription: REAN - NSB2C-12/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 12 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6486.6 грн
NSB3030Q0R9A3H5C-LUnspecifiedPRESIDIO COMPONENTS INC. PRESIDIO
товар відсутній
NSB3030Q1R0A3H5C-LUnspecifiedPRESIDIO COMPONENTS INC. PRESIDIO
товар відсутній
NSB3A-32/4REANXLR Connectors STAGE BX 32 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товар відсутній
NSB3A-32/4REANDescription: REAN - NSB3A-32/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 32 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9755.54 грн
NSB3B-20/4REANXLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товар відсутній
NSB3B-20/4REANDescription: REAN - NSB3B-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP B, 20 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7212.04 грн
NSB3C-20/4REANXLR Connectors STAGE BX 20 IN F/SND 4 OUT MALE/RETURN
товар відсутній
NSB3C-20/4REANDescription: REAN - NSB3C-20/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP C, 20 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8415.41 грн
NSB4904DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
товар відсутній
NSB4904DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NSB4904DW1T1GON Semiconductor
на замовлення 5974 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB4904DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NSB4904DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR
на замовлення 17693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.59 грн
18+ 17.83 грн
100+ 9.87 грн
1000+ 4.44 грн
3000+ 3.18 грн
9000+ 2.92 грн
24000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSB4904DW1T1GMOTSOT26/
на замовлення 981 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB4904DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
на замовлення 756000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7493+2.7 грн
Мінімальне замовлення: 7493
NSB4904DW1T2G
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB4904DW1T2GonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 5770
NSB4A-40/4REANXLR Connectors STAGE BOX 40 IN FEM 4 OUT MALE
товар відсутній
NSB4A-40/4REANDescription: REAN - NSB4A-40/4 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 40 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85369095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13996.7 грн
NSB4A-40/8REANDescription: REAN - NSB4A-40/8 - STAGE- & PATCHBOX, TYP A, 40 I/P, 4 O/P
tariffCode: 85369095
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14508.07 грн
NSB4A-40/8REANPatch Panels STAGE BOX 40 IN FEM 8 OUT MALE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13359.17 грн
10+ 12644.85 грн
25+ 10757.66 грн
50+ 10709.29 грн
100+ 10566.17 грн
250+ 10357.46 грн
2500+ 10356.8 грн
NSB4A-40/8REAN / NeutrikXLR Connectors STAGE BOX 40 IN FEM 8 OUT MALE
товар відсутній
NSB503 STARTERInterlightDescription: Replacement for Lucas NSB503 Sta
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17242.47 грн
NSB857J
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB8AT-E3/45VishayRectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8AT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товар відсутній
NSB8AT-E3/45VishayRectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8AT-E3/45
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB8AT-E3/45VishayRectifier Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8AT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товар відсутній
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+26.18 грн
1600+ 25.92 грн
2400+ 25.9 грн
Мінімальне замовлення: 800
NSB8AT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товар відсутній
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8AT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товар відсутній
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8AT-E3/81VishayDiode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+24.31 грн
1600+ 24.07 грн
2400+ 24.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
NSB8AT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товар відсутній
NSB8AT/31Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8AT-E3/81
товар відсутній
NSB8ATHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товар відсутній
NSB8ATHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товар відсутній
NSB8ATHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
товар відсутній
NSB8ATHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 50V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSB8ATHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
товар відсутній
NSB8ATHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 50V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSB8ATHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товар відсутній
NSB8ATHE3_B/IVishayRectifier Diode 50V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NSB8ATHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 50V 125A AEC-Q101
товар відсутній
NSB8ATHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товар відсутній
NSB8ATHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 50V 125A AEC-Q101
товар відсутній
NSB8BT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товар відсутній
NSB8BT-E3/45VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8BT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товар відсутній
NSB8BT-E3/45VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8BT-E3/81VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8BT-E3/81VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8BT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товар відсутній
NSB8BT-E3/81VishayRectifier Diode 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8BT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товар відсутній
NSB8BTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товар відсутній
NSB8BTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товар відсутній
NSB8BTHE3/81VishayDiode 100V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8BTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSB8BTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
товар відсутній
NSB8BTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
товар відсутній
NSB8BTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 100V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSB8BTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 100V 125A AEC-Q101
товар відсутній
NSB8BTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товар відсутній
NSB8BTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 100V 125A AEC-Q101
товар відсутній
NSB8BTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товар відсутній
NSB8DT-E3/45VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8DT-E3/45VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8DT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товар відсутній
NSB8DT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
NSB8DT-E3/45VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8DT-E3/81VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8DT-E3/81VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8DT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товар відсутній
NSB8DT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
NSB8DT-E3/81VishayRectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8DTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
NSB8DTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
NSB8DTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
товар відсутній
NSB8DTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSB8DTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 200V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSB8DTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
товар відсутній
NSB8DTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 200V 125A AEC-Q101
товар відсутній
NSB8DTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
NSB8DTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 200V 125A AEC-Q101
товар відсутній
NSB8DTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
NSB8GT-E3/45VishayDiode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8GT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товар відсутній
NSB8GT-E3/81VishayRectifier Diode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8GT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
NSB8GT-E3/81VishayRectifier Diode 400V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8GTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
NSB8GTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
NSB8GTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
товар відсутній
NSB8GTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSB8GTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 400V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSB8GTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
товар відсутній
NSB8GTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 400V 125A AEC-Q101
товар відсутній
NSB8GTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
NSB8GTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
NSB8GTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 400V 125A AEC-Q101
товар відсутній
NSB8JTVishay SemiconductorsRectifiers 8A,600V,GPP,PLASTIC RECT
товар відсутній
NSB8JT-E3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB8JT-E3/45VishayDiode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8JT-E3/45VishayDiode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8JT-E3/45VishayDiode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8JT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
NSB8JT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.05 грн
10+ 59.28 грн
100+ 40.09 грн
500+ 33.99 грн
1000+ 26.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSB8JT-E3/81VishayRectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8JT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
NSB8JT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.36 грн
10+ 61.72 грн
100+ 41.81 грн
500+ 34.98 грн
800+ 26.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSB8JT-E3/81
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB8JT-E3/81VishayRectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8JT-E3/81VishayRectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8JT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.52 грн
10+ 54.59 грн
100+ 42.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSB8JT-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSB8JTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
NSB8JTHE3/81VishayDiode 600V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8JTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
NSB8JTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSB8JTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
товар відсутній
NSB8JTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSB8JTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
товар відсутній
NSB8JTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 600V 125A AEC-Q101
товар відсутній
NSB8JTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSB8JTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSB8JTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 600V 125A AEC-Q101
товар відсутній
NSB8JTHM3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSB8KT-E3/45VishayRectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8KT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
NSB8KT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.05 грн
10+ 59.28 грн
100+ 40.09 грн
500+ 33.99 грн
1000+ 27.63 грн
2000+ 26.83 грн
5000+ 25.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSB8KT-E3/45VishayRectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8KT-E3/45VishayRectifier Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8KT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.05 грн
10+ 59.28 грн
100+ 40.09 грн
500+ 34.72 грн
800+ 26.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSB8KT-E3/81VishayDiode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8KT-E3/81VishayDiode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8KT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
NSB8KT-HE3/45VishayDiode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8KT-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSB8KT-M3/IVishayVishay 8A,800V,GPP,PLASTIC RECT
товар відсутній
NSB8KTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
NSB8KTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSB8KTHE3/81VishayDiode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8KTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSB8KTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
товар відсутній
NSB8KTHE3_A/IVishayRectifier Diode 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8KTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSB8KTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
товар відсутній
NSB8KTHE3_B/IVishayRectifier Diode 800V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NSB8KTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 800V 125A AEC-Q101
товар відсутній
NSB8KTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSB8KTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSB8KTHE3_B/PVishayRectifier Diode 800V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
NSB8KTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 800V 125A AEC-Q101
товар відсутній
NSB8KTHM3/IVishayVishay 8A,800V,GPP,PLASTIC RECT,TO263
товар відсутній
NSB8KTHM3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSB8MTVishay SemiconductorsRectifiers 8A,1000V,GPP,PLASTIC RECT
товар відсутній
NSB8MT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
NSB8MT-E3/45VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8MT-E3/45VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8MT-E3/45Vishay General SemiconductorRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товар відсутній
NSB8MT-E3/81VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8MT-E3/81Vishay General SemiconductorRectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.22 грн
10+ 55.24 грн
100+ 39.95 грн
500+ 35.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
NSB8MT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.54 грн
10+ 64.33 грн
100+ 50.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
NSB8MT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
NSB8MT-E3/81VishayRectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8MTHE3/45VishayDiode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
NSB8MTHE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
NSB8MTHE3/81VishayDiode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8MTHE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
NSB8MTHE3_A/IVishayRectifier Diode 1KV 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
товар відсутній
NSB8MTHE3_A/IVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
товар відсутній
NSB8MTHE3_A/IVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
NSB8MTHE3_A/PVishay SemiconductorsRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSB8MTHE3_A/PVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
товар відсутній
NSB8MTHE3_B/IVishay General SemiconductorRectifiers 1000V 125A AEC-Q101
товар відсутній
NSB8MTHE3_B/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
NSB8MTHE3_B/PVishayRectifier Diode 1KV 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
NSB8MTHE3_B/PVishay General SemiconductorRectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.81 грн
10+ 91.44 грн
100+ 61.42 грн
500+ 50.95 грн
1000+ 41.28 грн
2000+ 40.09 грн
5000+ 36.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
NSB8MTHE3_B/PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.36 грн
10+ 90.62 грн
100+ 70.68 грн
500+ 54.79 грн
1000+ 44.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
NSB9435MOTOROLA00+ SOT-223
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB9435T1ON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB9435T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 61339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSB9435T1ON
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB9435T1/9435RON
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSB9435T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 30V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSB9435T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 30V 3MA SOT223
товар відсутній
NSB9435T1GonsemiDigital Transistors SS SOT233 BR XSTR PNP
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.85 грн
10+ 40.77 грн
100+ 26.44 грн
500+ 20.81 грн
1000+ 16.1 грн
2000+ 13.38 грн
10000+ 12.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSB9435T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 30V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSB9703DescoDescription: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'
товар відсутній
NSBA113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 11539
NSBA113EDXV6T1
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA113EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBA113EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній
NSBA113EDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
товар відсутній
NSBA113EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP
товар відсутній
NSBA113EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
товар відсутній
NSBA113EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBA114EDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 15990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA114EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL PBRT
на замовлення 9949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.9 грн
15+ 20.65 грн
100+ 10.27 грн
1000+ 6.36 грн
2500+ 6.29 грн
8000+ 5.7 грн
24000+ 5.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній
NSBA114EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній
NSBA114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 338mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3275+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3275
NSBA114EDXV6T1onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 4438
NSBA114EDXV6T1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.01 грн
8000+ 4.61 грн
12000+ 3.99 грн
28000+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSBA114EDXV6T1G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.45 грн
14+ 22.1 грн
100+ 10.93 грн
1000+ 5.5 грн
4000+ 4.84 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBA114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.95 грн
15+ 18.7 грн
100+ 9.46 грн
500+ 7.25 грн
1000+ 5.38 грн
2000+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBA114EDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBA114EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA114EDXV6T5
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA114EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBA114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBA114EDXV6T5G
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA114EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBA114EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товар відсутній
NSBA114EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 7277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.25 грн
12+ 26.14 грн
100+ 14.18 грн
1000+ 7.49 грн
2500+ 6.69 грн
8000+ 5.57 грн
24000+ 5.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBA114TDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBA114TDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
на замовлення 9879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.6 грн
14+ 22.33 грн
100+ 13.19 грн
500+ 9.87 грн
1000+ 7.49 грн
2500+ 6.43 грн
8000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBA114TDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBA114TDXV6T1
на замовлення 10252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBA114TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 7212
NSBA114TDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.83 грн
16+ 20.27 грн
100+ 10 грн
1000+ 5.1 грн
4000+ 4.37 грн
8000+ 3.51 грн
24000+ 3.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBA114TDXV6T1G
на замовлення 10252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA114TDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBA114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBA114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 15999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 7212
NSBA114TDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBA114TF3T5GRochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBA114TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBA114TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBA114TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBA114YDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA114YDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBA114YDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 DUAL PBRT
товар відсутній
NSBA114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBA114YDXV6T1
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 7212
NSBA114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.55 грн
11+ 26.71 грн
100+ 16.63 грн
500+ 10.67 грн
1000+ 8.21 грн
2000+ 7.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSBA114YDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA114YDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.03 грн
11+ 27.74 грн
100+ 15.04 грн
500+ 10.27 грн
1000+ 7.88 грн
4000+ 6.69 грн
8000+ 6.1 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBA114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.18 грн
8000+ 7.44 грн
12000+ 6.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSBA114YF3onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
товар відсутній
NSBA114YF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 6099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
17+ 18.21 грн
100+ 10.07 грн
1000+ 4.51 грн
2500+ 3.91 грн
8000+ 2.78 грн
24000+ 2.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBA114YF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBA114YF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBA114YF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA114YF3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 0.21 Verhältnis
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SOT-1123
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.21
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSBA115EDXV6T1onsemiDescription: TRANS BRT DUAL PNP 50V SOT-563
на замовлення 15975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBA115EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.92 грн
14+ 22.17 грн
100+ 9.01 грн
1000+ 5.57 грн
4000+ 4.9 грн
8000+ 3.78 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSBA115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3571+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3571
NSBA115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
товар відсутній
NSBA115TDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
товар відсутній
NSBA115TDP6T5GON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6086+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 6086
NSBA115TDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
товар відсутній
NSBA115TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товар відсутній
NSBA115TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBA115TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товар відсутній
NSBA123EDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBA123EDXV6T1GonsemiDescription: NSBA123 - 50V DUAL PNP BIPOLAR D
товар відсутній
NSBA123EDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.03 грн
11+ 27.74 грн
100+ 15.04 грн
500+ 10.27 грн
1000+ 8.08 грн
4000+ 6.82 грн
8000+ 6.1 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBA123EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBA123EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP
товар відсутній
NSBA123EF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
товар відсутній
NSBA123EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBA123EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBA123JDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
товар відсутній
NSBA123JDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBA123JDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
товар відсутній
NSBA123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6086+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 6086
NSBA123JDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
товар відсутній
NSBA123JDXV6onsemiDescription: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
товар відсутній
NSBA123JDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBA123JDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBA123JDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 164737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 7212
NSBA123JDXV6T1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA123JDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBA123JDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBA123JDXV6T1G
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA123JDXV6T5ONSC70-6
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA123JDXV6T5ONSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA123JDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBA123JDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBA123JDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBA123JF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товар відсутній
NSBA123JF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товар відсутній
NSBA123JF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBA123JF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
на замовлення 472000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7592+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 7592
NSBA123TDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
товар відсутній
NSBA123TDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
товар відсутній
NSBA123TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBA123TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
на замовлення 133500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6086+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 6086
NSBA123TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7592+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 7592
NSBA123TF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товар відсутній
NSBA123TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBA123TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
товар відсутній
NSBA124EDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
товар відсутній
NSBA124EDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
товар відсутній
NSBA124EDXV6T1Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBA124EDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.22 грн
15+ 21.34 грн
100+ 10.47 грн
500+ 9.34 грн
4000+ 7.95 грн
8000+ 4.24 грн
24000+ 3.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBA124EDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA124EDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBA124EDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBA124EDXV6T5Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBA124EDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBA124EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBA124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товар відсутній
NSBA124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товар відсутній
NSBA124EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBA124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 293500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3523+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 3523
NSBA124XDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBA124XDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 DUALL 22/47
на замовлення 7986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.76 грн
15+ 20.95 грн
100+ 10.34 грн
1000+ 5.3 грн
4000+ 4.51 грн
8000+ 3.64 грн
24000+ 3.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBA124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBA124XDXV6T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 DUALL 22/47
товар відсутній
NSBA124XF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
товар відсутній
NSBA124XF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBA124XF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBA143EDP6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
товар відсутній
NSBA143EDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній
NSBA143EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBA143EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA143EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBA143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 53500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5362+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 5362
NSBA143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA143EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 7846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.45 грн
15+ 21.18 грн
100+ 7.69 грн
1000+ 4.9 грн
4000+ 4.64 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBA143EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBA143EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товар відсутній
NSBA143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 304000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5912+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 5912
NSBA143EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBA143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
NSBA143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBA143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA143TDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143TDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8020+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 8020
NSBA143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA143TDXV6T1
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5362+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 5362
NSBA143TDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.92 грн
14+ 22.1 грн
100+ 9.01 грн
1000+ 5.5 грн
4000+ 4.84 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSBA143TDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBA143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA143TDXV6T1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
368+6.39 грн
3600+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 368
NSBA143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA143TDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBA143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA143TDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBA143TDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBA143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5413+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 5413
NSBA143TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
на замовлення 304000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBA143TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBA143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSBA143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.09 грн
17+ 16.63 грн
100+ 8.1 грн
500+ 6.34 грн
1000+ 4.4 грн
2000+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBA143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5900+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 5900
NSBA143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній
NSBA143ZDP6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBA143ZDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBA143ZDXV6Rochester Electronics, LLCDescription: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBA143ZDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 43990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBA143ZDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товар відсутній
NSBA143ZDXV6T1GonsemiDigital Transistors Dual PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 3841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.94 грн
100+ 24.46 грн
1000+ 7.69 грн
4000+ 7.62 грн
8000+ 6.43 грн
24000+ 6.16 грн
48000+ 6.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBA143ZDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товар відсутній
NSBA143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 162500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3472+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 3472
NSBA143ZDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBA143ZF3onsemionsemi SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товар відсутній
NSBA143ZF3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBA143ZF3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 0.1 Verhältnis
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SOT-1123
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSBA143ZF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBA143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7359+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 7359
NSBA143ZF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
на замовлення 7876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
17+ 18.21 грн
100+ 10.07 грн
1000+ 4.51 грн
2500+ 3.91 грн
8000+ 2.78 грн
24000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBA143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
NSBA144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
товар відсутній
NSBA144EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL PBRT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.57 грн
18+ 17.6 грн
100+ 10.6 грн
1000+ 7.22 грн
8000+ 6.16 грн
24000+ 6.1 грн
48000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
NSBA144EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBA144EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBA144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 5720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.67 грн
13+ 21.67 грн
100+ 13.01 грн
500+ 11.3 грн
1000+ 7.68 грн
2000+ 7.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSBA144EDXV6T1onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBA144EDXV6T1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBA144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBA144EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA144EDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
товар відсутній
NSBA144EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA144EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBA144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP DL 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3602+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3602
NSBA144EDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
на замовлення 6964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.33 грн
12+ 27.13 грн
100+ 14.71 грн
500+ 10.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBA144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP DL 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NSBA144EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBA144EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBA144EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBA144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 867833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3602+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3602
NSBA144EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBA144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
NSBA144EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBA144TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBA144TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
товар відсутній
NSBA144TF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
товар відсутній
NSBA144TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5912+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 5912
NSBA144WDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
товар відсутній
NSBA144WDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній
NSBA144WDP6T5GonsemiDescription: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5900+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 5900
NSBA144WDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBA144WDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBA144WDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA144WDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistor
на замовлення 7979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.92 грн
14+ 22.1 грн
100+ 9.01 грн
1000+ 5.5 грн
4000+ 4.84 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSBA144WDXV6T1GonsemiDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBA144WF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
товар відсутній
NSBA144WF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5912+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 5912
NSBA144WF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBA144WF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товар відсутній
NSBC113EDXV6T1
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBC113EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC113EDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC113EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC113EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.48 грн
12+ 25.83 грн
100+ 13.98 грн
1000+ 7.42 грн
4000+ 6.36 грн
8000+ 5.7 грн
24000+ 5.3 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBC113EDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBC113EDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBC113EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW Automotive 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBC113EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL NPN
товар відсутній
NSBC113EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
товар відсутній
NSBC113EPDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товар відсутній
NSBC113EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 50V Dual Bipolar Digital Transistor
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.45 грн
14+ 22.1 грн
100+ 10.93 грн
1000+ 5.5 грн
4000+ 4.84 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC113EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC114BDXV6T1
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC114EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBC114EDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL NBRT
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.1 грн
20+ 15.54 грн
100+ 8.55 грн
1000+ 6.43 грн
2500+ 5.1 грн
Мінімальне замовлення: 16
NSBC114EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній
NSBC114EDXV6onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBC114EDXV6ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EDXV6 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 12000
NSBC114EDXV6T1ON07+;
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC114EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBC114EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.08 грн
8000+ 4.67 грн
12000+ 4.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSBC114EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 119800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.22 грн
15+ 20.8 грн
100+ 7.49 грн
1000+ 4.7 грн
4000+ 3.98 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC114EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 19895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.95 грн
15+ 18.98 грн
100+ 9.59 грн
500+ 7.35 грн
1000+ 5.45 грн
2000+ 4.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC114EDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC114EDXV6T5Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 896000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC114EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC114EDXV6T5GON Semiconductor
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC114EDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 13871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.69 грн
13+ 23.7 грн
100+ 11.66 грн
500+ 7.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSBC114EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 53044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.09 грн
17+ 16.63 грн
100+ 8.1 грн
500+ 6.34 грн
1000+ 4.4 грн
2000+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC114EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 9306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.59 грн
17+ 18.21 грн
100+ 6.49 грн
1000+ 3.91 грн
2500+ 3.58 грн
8000+ 2.92 грн
24000+ 2.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC114EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.92 грн
16000+ 3.13 грн
24000+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSBC114EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBC114EPDP6T1GRochester Electronics, LLCDescription: COMPLEMENTARY BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC114EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.8 грн
16+ 17.32 грн
100+ 8.73 грн
500+ 6.68 грн
1000+ 4.96 грн
2000+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC114EPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.26 грн
20+ 15.24 грн
100+ 5.9 грн
1000+ 4.11 грн
2500+ 3.98 грн
8000+ 3.25 грн
24000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSBC114EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSBC114EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
товар відсутній
NSBC114EPDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC114EPDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 121799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC114EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.08 грн
8000+ 4.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSBC114EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 51382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.24 грн
25+ 12.5 грн
100+ 5.9 грн
1000+ 4.51 грн
4000+ 4.04 грн
8000+ 3.51 грн
24000+ 3.31 грн
Мінімальне замовлення: 18
NSBC114EPDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC114EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 9680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.95 грн
15+ 18.98 грн
100+ 9.59 грн
500+ 7.35 грн
1000+ 5.45 грн
2000+ 4.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC114EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC114EPDXV6T5
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC114EPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 242000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 4438
NSBC114EPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 13390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBC114EPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC114EPDXVT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114EPDXVT1G - SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6411+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 6411
NSBC114EPDXVT1GonsemiDescription: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 5323
NSBC114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.35 грн
16000+ 3.72 грн
24000+ 3.49 грн
56000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSBC114TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
17+ 18.97 грн
100+ 6.69 грн
1000+ 4.24 грн
2500+ 3.98 грн
8000+ 3.25 грн
48000+ 2.85 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC114TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.8 грн
15+ 18.57 грн
100+ 10.55 грн
500+ 6.55 грн
1000+ 5.02 грн
2000+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC114TDP6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
товар відсутній
NSBC114TDXV6onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBC114TDXV6ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114TDXV6 - NSBC114 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 12000
NSBC114TDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC114TDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC114TDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.22 грн
15+ 20.8 грн
100+ 7.49 грн
1000+ 4.7 грн
4000+ 4.64 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
товар відсутній
NSBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
товар відсутній
NSBC114TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
на замовлення 11865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3579+5.4 грн
Мінімальне замовлення: 3579
NSBC114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 107600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 7212
NSBC114TDXV6T5
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC114TDXV6T5onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBC114TDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBC114TDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 50 V Dual NPN BiPolar DRT
на замовлення 5598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBC114TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC114TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 7934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.48 грн
12+ 25.83 грн
100+ 13.98 грн
1000+ 7.35 грн
2500+ 6.63 грн
8000+ 5.5 грн
24000+ 5.3 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBC114TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBC114TPDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 83930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC114TPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.92 грн
14+ 22.17 грн
100+ 9.01 грн
1000+ 5.57 грн
4000+ 4.84 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSBC114XDXV6T1ON
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC114YDCV6T5
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC114YDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 7690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC114YDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній
NSBC114YDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 DUAL NBRT
на замовлення 43997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
17+ 18.97 грн
100+ 6.63 грн
1000+ 4.24 грн
2500+ 3.91 грн
8000+ 3.45 грн
24000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC114YDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 4685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.8 грн
16+ 17.32 грн
100+ 8.73 грн
500+ 6.68 грн
1000+ 4.96 грн
2000+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBC114YDXV6T1OnsemiSOT363
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBC114YDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
на замовлення 23960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4808+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 4808
NSBC114YDXV6T1Onsemi09+
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC114YDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.76 грн
17+ 18.44 грн
100+ 7.09 грн
1000+ 4.64 грн
4000+ 4.57 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC114YDXV6T1G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSBC114YDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 7507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.95 грн
15+ 18.98 грн
100+ 9.59 грн
500+ 7.35 грн
1000+ 5.45 грн
2000+ 4.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC114YDXV6T5
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC114YDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBC114YDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBC114YF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC114YF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBC114YF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 9485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.43 грн
19+ 16.69 грн
100+ 5.76 грн
1000+ 3.78 грн
2500+ 3.51 грн
8000+ 2.85 грн
24000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSBC114YF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
на замовлення 175947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC114YPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSBC114YPDP6T5GonsemiDigital Transistors COMP NBRT/PBRT TR SOT-963
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
17+ 18.97 грн
100+ 6.69 грн
1000+ 4.24 грн
2500+ 3.98 грн
8000+ 3.25 грн
24000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC114YPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 15541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.8 грн
16+ 17.32 грн
100+ 8.73 грн
500+ 6.68 грн
1000+ 4.96 грн
2000+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC114YPDXV6T1
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC114YPDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 379710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.8 грн
8000+ 4.42 грн
12000+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSBC114YPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 16243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.76 грн
16+ 19.51 грн
100+ 6.96 грн
1000+ 4.37 грн
4000+ 4.31 грн
8000+ 3.91 грн
24000+ 3.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC114YPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC114YPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.52 грн
16+ 17.94 грн
100+ 9.08 грн
500+ 6.95 грн
1000+ 5.16 грн
2000+ 4.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC114YPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSBC114YPDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC114YPDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 176000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSBC114YPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 176000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 4438
NSBC114YPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC114YPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 7460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBC115EDXV6T1onsemiDescription: TRANS BRT DUAL NPN 50V SOT-563
товар відсутній
NSBC115EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.24 грн
15+ 18.57 грн
100+ 9.37 грн
500+ 7.17 грн
1000+ 5.32 грн
2000+ 4.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC115EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.22 грн
15+ 20.8 грн
100+ 7.49 грн
1000+ 4.7 грн
4000+ 4.64 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC115EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.95 грн
8000+ 4.56 грн
12000+ 3.95 грн
28000+ 3.63 грн
100000+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSBC115EPDXV6T1GonsemiDescription: SS SOT563 RSTR XSTR TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC115EPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased RSTR XSTR
товар відсутній
NSBC115TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 292000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3549+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 3549
NSBC115TDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній
NSBC115TDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.48 грн
12+ 25.6 грн
100+ 13.85 грн
1000+ 7.35 грн
2500+ 5.96 грн
8000+ 5.37 грн
24000+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBC115TDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBC115TF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
17+ 18.21 грн
100+ 10.07 грн
1000+ 4.51 грн
2500+ 3.91 грн
8000+ 2.85 грн
24000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC115TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBC115TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7359+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 7359
NSBC115TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товар відсутній
NSBC115TPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBC115TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній
NSBC115TPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 706141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5900+3.3 грн
Мінімальне замовлення: 5900
NSBC115TPDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP BRT
товар відсутній
NSBC123EDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC123EDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.22 грн
15+ 21.34 грн
100+ 10.47 грн
500+ 9.34 грн
4000+ 7.95 грн
8000+ 4.24 грн
24000+ 3.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC123EDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBC123EF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
товар відсутній
NSBC123EF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL NPN
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC123EPDXV6T1ON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC123EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+55.91 грн
Мінімальне замовлення: 642
NSBC123EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC123EPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SSP SOT563 DUAL 2.2/2.2K
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.03 грн
11+ 27.74 грн
100+ 15.04 грн
500+ 10.34 грн
1000+ 7.88 грн
4000+ 6.69 грн
8000+ 6.1 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBC123JDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.79 грн
12+ 25.91 грн
100+ 14.05 грн
500+ 9.67 грн
1000+ 7.42 грн
2500+ 6.69 грн
8000+ 5.7 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBC123JDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC123JDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBC123JDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBC123JDXV6T1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC123JDXV6T1GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBC123JDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.79 грн
12+ 26.14 грн
100+ 14.18 грн
500+ 9.74 грн
1000+ 6.76 грн
4000+ 6.69 грн
8000+ 5.7 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBC123JDXV6T5ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBC123JDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBC123JF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBC123JF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 4789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.79 грн
12+ 26.14 грн
100+ 14.18 грн
500+ 9.74 грн
1000+ 7.49 грн
2500+ 5.9 грн
8000+ 5.7 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBC123JF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBC123JF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
товар відсутній
NSBC123JPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.8 грн
16+ 17.53 грн
100+ 8.84 грн
500+ 6.77 грн
1000+ 5.02 грн
2000+ 4.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC123JPDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased BRT COMPLEMENTARY
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
17+ 18.97 грн
100+ 6.82 грн
1000+ 4.24 грн
2500+ 4.04 грн
8000+ 3.25 грн
48000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC123JPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSBC123JPDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товар відсутній
NSBC123JPDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товар відсутній
NSBC123JPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
NSBC123JPDXV6T1G
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC123JPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 75468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.4 грн
11+ 25.19 грн
100+ 15.69 грн
500+ 10.07 грн
1000+ 7.75 грн
2000+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBC123JPDXV6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC123JPDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.75 грн
42+ 17.84 грн
106+ 7.06 грн
Мінімальне замовлення: 31
NSBC123JPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.72 грн
8000+ 7.02 грн
12000+ 6.4 грн
28000+ 5.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSBC123JPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.9 грн
16+ 19.73 грн
100+ 9.54 грн
1000+ 5.96 грн
4000+ 5.9 грн
8000+ 5.1 грн
24000+ 5.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC123JPDXV6T5GON Semiconductor
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC123JPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
товар відсутній
NSBC123JPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
товар відсутній
NSBC123TDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
товар відсутній
NSBC123TDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
товар відсутній
NSBC123TF3T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC123TF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBC123TPDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP NBRT
товар відсутній
NSBC123TPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBC123TPDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC124EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5900+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 5900
NSBC124EDP6T5GonsemiDigital Transistors DUAL NBRT
товар відсутній
NSBC124EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBC124EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній
NSBC124EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBC124EDXV6T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
товар відсутній
NSBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.95 грн
15+ 18.7 грн
100+ 9.46 грн
500+ 7.25 грн
1000+ 5.38 грн
2000+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC124EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.22 грн
15+ 20.8 грн
100+ 7.49 грн
1000+ 4.7 грн
4000+ 4.64 грн
8000+ 3.78 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC124EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC124EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC124EDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 4438
NSBC124EDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
товар відсутній
NSBC124EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC124EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC124EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5413+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 5413
NSBC124EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBC124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 44316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.65 грн
16+ 17.74 грн
100+ 10.62 грн
500+ 9.23 грн
1000+ 6.27 грн
2000+ 5.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSBC124EF3T5GonsemiDigital Transistors SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 7718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+25.9 грн
16+ 19.73 грн
100+ 9.54 грн
1000+ 5.96 грн
8000+ 5.1 грн
24000+ 5.04 грн
48000+ 4.9 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC124EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBC124EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.13 грн
16000+ 5.31 грн
24000+ 5.23 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSBC124EPDP6T5GonsemiDigital Transistors SOT-963 COMP NBRT
на замовлення 7783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
15+ 21.41 грн
100+ 11.93 грн
1000+ 7.09 грн
2500+ 6.56 грн
8000+ 5.37 грн
24000+ 5.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC124EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBC124EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній
NSBC124EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBC124EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній
NSBC124EPDX
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC124EPDXV6T1ON
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 211695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBC124EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC124EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 3566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.95 грн
15+ 18.7 грн
100+ 9.46 грн
500+ 7.25 грн
1000+ 5.38 грн
2000+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC124EPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.22 грн
15+ 20.8 грн
100+ 7.49 грн
1000+ 4.7 грн
4000+ 4.64 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC124EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товар відсутній
NSBC124EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC124EPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 256mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 4438
NSBC124EPDXV6T5
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC124EPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC124EPDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
товар відсутній
NSBC124EPDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC124EPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5413+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 5413
NSBC124EPDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC124EPDXVT5
на замовлення 13642 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC124XDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC124XDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 91950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBC124XDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 5781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.45 грн
15+ 20.73 грн
100+ 8.81 грн
1000+ 5.57 грн
4000+ 4.9 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 5136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+13.67 грн
57+ 10.13 грн
58+ 10.04 грн
100+ 5.57 грн
250+ 5.14 грн
500+ 4.93 грн
1000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 43
NSBC124XDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.1 грн
14+ 20.36 грн
100+ 10.27 грн
500+ 8.54 грн
1000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSBC124XDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC124XF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3297+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3297
NSBC124XF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
товар відсутній
NSBC124XF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBC124XF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
NSBC124XPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC124XPDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.92 грн
14+ 22.17 грн
100+ 9.01 грн
1000+ 5.57 грн
4000+ 4.64 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSBC124XPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC124XPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC124XPDXV6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
товар відсутній
NSBC143EDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній
NSBC143EDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
на замовлення 4255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.48 грн
12+ 25.6 грн
100+ 13.85 грн
1000+ 7.35 грн
2500+ 6.63 грн
8000+ 5.37 грн
24000+ 5.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBC143EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBC143EDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC143EDXV6T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 29944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.22 грн
15+ 20.8 грн
100+ 7.49 грн
1000+ 4.7 грн
4000+ 4.64 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC143EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.95 грн
15+ 18.7 грн
100+ 9.46 грн
500+ 7.25 грн
1000+ 5.38 грн
2000+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC143EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.01 грн
8000+ 4.61 грн
12000+ 3.99 грн
28000+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSBC143EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBC143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній
NSBC143EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 317830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3463+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 3463
NSBC143EF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.2 грн
16+ 20.19 грн
100+ 11.93 грн
1000+ 6.76 грн
2500+ 5.63 грн
8000+ 4.9 грн
48000+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSBC143EPDP6T5GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT963
товар відсутній
NSBC143EPDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP NBRT
товар відсутній
NSBC143EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBC143EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC143EPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143EPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 631985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 12000
NSBC143EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 631985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBC143EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC143EPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.39 грн
13+ 24.08 грн
100+ 13.05 грн
1000+ 6.63 грн
4000+ 5.96 грн
8000+ 5.3 грн
24000+ 4.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSBC143EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC143EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3771+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3771
NSBC143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 27986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBC143TDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5679+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 5679
NSBC143TDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC143TDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 7859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.06 грн
15+ 20.88 грн
100+ 10.27 грн
1000+ 5.23 грн
4000+ 4.51 грн
8000+ 3.64 грн
24000+ 3.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC143TDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC143TDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBC143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC143TDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.91 грн
14+ 22.71 грн
100+ 13.45 грн
500+ 10.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC143TDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC143TDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 221000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3597+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3597
NSBC143TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBC143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3527+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 3527
NSBC143TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товар відсутній
NSBC143TF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 7799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.48 грн
12+ 25.83 грн
100+ 13.98 грн
1000+ 7.35 грн
2500+ 6.63 грн
8000+ 5.5 грн
24000+ 5.3 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBC143TPDXVONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TPDXV - TRANS PREBIAS NPN-PNP SOT563
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSBC143TPDXVonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 5323
NSBC143TPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5350+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 5350
NSBC143TPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 4438
NSBC143TPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
товар відсутній
NSBC143TPDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.24 грн
16+ 18.15 грн
100+ 9.18 грн
500+ 7.03 грн
1000+ 5.21 грн
2000+ 4.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC143TPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSBC143TPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 6509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.76 грн
16+ 19.73 грн
100+ 6.96 грн
1000+ 4.44 грн
4000+ 4.37 грн
8000+ 3.64 грн
24000+ 3.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC143TPDXV6T1G
на замовлення 716 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC143TPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC143TPDXV6T5ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143TPDXV6T5 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 16000
NSBC143TPDXV6T5onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBC143TPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC143ZDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.59 грн
15+ 20.57 грн
100+ 10 грн
1000+ 6.23 грн
8000+ 5.37 грн
24000+ 5.23 грн
48000+ 5.1 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC143ZDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC143ZDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBC143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 9106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.09 грн
15+ 18.91 грн
100+ 11.37 грн
500+ 9.88 грн
1000+ 6.72 грн
2000+ 6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC143ZDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSBC143ZDXV6T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC143ZDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSBC143ZDXV6T1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 9999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.95 грн
15+ 18.7 грн
100+ 9.46 грн
500+ 7.25 грн
1000+ 5.38 грн
2000+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC143ZDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.01 грн
8000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSBC143ZDXV6T1GonsemiDigital Transistors SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 38900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.76 грн
15+ 20.8 грн
100+ 7.49 грн
1000+ 4.7 грн
4000+ 4.64 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC143ZDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC143ZDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.15 грн
13+ 24.38 грн
100+ 14.51 грн
500+ 10.8 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC143ZDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC143ZDXV6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
NSBC143ZF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBC143ZF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
14+ 22.17 грн
100+ 13.12 грн
1000+ 7.42 грн
2500+ 6.76 грн
8000+ 5.9 грн
24000+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC143ZF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBC143ZF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.52 грн
15+ 19.67 грн
100+ 11.79 грн
500+ 10.25 грн
1000+ 6.97 грн
2000+ 6.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC143ZPDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
товар відсутній
NSBC143ZPDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased BRT COMPLEMENTARY
на замовлення 6969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
17+ 18.97 грн
100+ 6.82 грн
1000+ 4.24 грн
2500+ 4.04 грн
8000+ 3.31 грн
24000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC143ZPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBC143ZPDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
товар відсутній
NSBC143ZPDXV6TonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 5323
NSBC143ZPDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC143ZPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 4438
NSBC143ZPDXV6T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NSBC143ZPDXV6T1 - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSBC143ZPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 3669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.22 грн
15+ 20.8 грн
100+ 7.49 грн
1000+ 4.7 грн
4000+ 4.64 грн
8000+ 3.84 грн
24000+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC143ZPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.56 грн
8000+ 6.06 грн
12000+ 5.45 грн
28000+ 5.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSBC143ZPDXV6T1GON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC143ZPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.37 грн
16+ 18.15 грн
100+ 10.9 грн
500+ 9.47 грн
1000+ 6.44 грн
2000+ 5.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC143ZPDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 7950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7950+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 7950
NSBC143ZPDXV6T5
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC143ZPDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC143ZPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBC143ZPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 38788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.09 грн
17+ 16.91 грн
100+ 8.52 грн
500+ 6.53 грн
1000+ 4.84 грн
2000+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC144EDP6T5GON Semiconductor
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC144EDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBC144EDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.31 грн
16000+ 3.59 грн
24000+ 3.52 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSBC144EDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 DUAL NBRT
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.29 грн
16+ 20.12 грн
100+ 6.63 грн
1000+ 4.44 грн
2500+ 3.98 грн
8000+ 3.25 грн
24000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
NSBC144EDXV6T1
на замовлення 6905 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC144EDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 15243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.43 грн
18+ 17.3 грн
100+ 6.49 грн
1000+ 4.31 грн
4000+ 3.64 грн
8000+ 3.38 грн
24000+ 3.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
NSBC144EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.24 грн
15+ 18.57 грн
100+ 9.37 грн
500+ 7.17 грн
1000+ 5.32 грн
2000+ 4.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC144EDXV6T1GON09+
на замовлення 16018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC144EDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.95 грн
8000+ 4.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSBC144EDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC144EDXV6T1GONSOT-363
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC144EDXV6T5onsemiDescription: TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
Packaging: Bulk
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7995+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 7995
NSBC144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 50332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3597+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 3597
NSBC144EDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC144EDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC144EDXV6T5G
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC144EDXV6T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 6540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBC144EF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBC144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.54 грн
13+ 21.6 грн
100+ 10.88 грн
500+ 9.05 грн
1000+ 7.04 грн
2000+ 6.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSBC144EF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRNSTR
на замовлення 4926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.48 грн
12+ 25.75 грн
100+ 9.54 грн
1000+ 6.63 грн
2500+ 6.29 грн
8000+ 5.3 грн
48000+ 4.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBC144EF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSBC144EPDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP BRT
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.48 грн
12+ 25.6 грн
100+ 13.85 грн
1000+ 7.82 грн
2500+ 6.63 грн
8000+ 5.37 грн
24000+ 4.9 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBC144EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 872000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3549+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 3549
NSBC144EPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBC144EPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній
NSBC144EPDXV6T1onsemiDescription: TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
товар відсутній
NSBC144EPDXV6T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.24 грн
15+ 18.57 грн
100+ 9.37 грн
500+ 7.17 грн
1000+ 5.32 грн
2000+ 4.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC144EPDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC144EPDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSBC144EPDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
товар відсутній
NSBC144EPDXV6T1G
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBC144EPDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 256000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 6662
NSBC144EPDXV6T5onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC144EPDXV6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC144EPDXV6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
на замовлення 7399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBC144EPDXV6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC144TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7359+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 7359
NSBC144TF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBC144TF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
товар відсутній
NSBC144TF3T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
товар відсутній
NSBC144WDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBC144WDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NBRT
товар відсутній
NSBC144WDP6T5GonsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній
NSBC144WDXV6T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.76 грн
15+ 20.95 грн
100+ 10.34 грн
1000+ 5.3 грн
4000+ 4.51 грн
8000+ 3.64 грн
24000+ 3.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC144WDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NSBC144WDXV6T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBC144WDXV6T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5679+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 5679
NSBC144WF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3297+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3297
NSBC144WF3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBC144WF3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товар відсутній
NSBC144WF3T5GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
товар відсутній
NSBC144WPDP6T5GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SOT-963 COMP NBRT
товар відсутній
NSBC144WPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5900+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 5900
NSBC144WPDP6T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 339mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній
NSBC144WPDP6T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBMC096VF-25
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBMC096VF-25Texas InstrumentsDescription: IC CONTROLLER BURST MEM 132-PQFP
товар відсутній
NSBMC096VF-33NS9048 DIP;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBMC096VF-33CNS
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBMC096VF-33C??
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBP-108+
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBP-108+Mini-CircuitsSignal Conditioning Lumped LC Band Stop Filter, 89 - 105 MHz
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13885.59 грн
NSBV-M207-10ABB7630030260230
товар відсутній
NSBV-M253-11ABBSB 90 degree Curved Elbow, Metric, Metal, Swivel M25x1.5 Thread
товар відсутній
NSBV-M508-14ABB Power Electronics Inc.Description: PA NSBVM50814 SWVL FTNG 90D M50N
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16571.6 грн
NSBV-P488-10ABB Power Electronics Inc.Description: ABB Power Electronics Inc. NSBV-
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19774.69 грн
NSBVC096VF-25
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBW1-L9FP7DA-018
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)