Продукція > NDD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NDDNEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: DUMMY PLUG DIN
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+371.64 грн
NDDNeutrikXLR Connectors DUMMYPLUG DIN - RUBBER
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.48 грн
10+ 60.58 грн
20+ 52.34 грн
50+ 51.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
NDDNEUTRIKCategory: Other Neutrik Connectors
Description: DUMMY PLUG DIN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+267.58 грн
5+ 54.19 грн
20+ 46.38 грн
23+ 42.82 грн
62+ 40.5 грн
NDD-15P0PY18K-A174ITT Cannon, LLCDescription: NANO MALE 15POS 18" YEL
товар відсутній
NDD-15P0PY18SITT Cannon, LLCDescription: CABLE ASSY D-NANO-D 15P 457.2MM
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Color: Yellow, Individual
Length: 1.50' (457.20mm)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 15
Type: D-Type, Nano-D
1st Connector: Plug, Male Pins
2nd Connector: Individual Wire Leads
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30527.85 грн
10+ 27241.11 грн
NDD-15PBRT-T-A174ITT CannonD-Sub Micro-D Connectors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+30687.75 грн
10+ 29717.5 грн
NDD-15PBRTTITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE PLUG 15POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 15
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28094.53 грн
NDD-15PBRTT-A174ITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE PLUG 15POS R/A SLDR
товар відсутній
NDD-15S0PY18TITT Cannon, LLCDescription: NANO FMALE 15POS 18" YEL
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Color: Yellow, Individual
Length: 1.50' (457.20mm)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 15
Type: D-Type, Nano-D
1st Connector: Receptacle, Female Sockets
2nd Connector: Individual Wire Leads
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22706.13 грн
NDD-15S0PY18T-A174ITT Cannon, LLCDescription: NANO FMALE 15POS 18" YEL
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25786.65 грн
10+ 23010.8 грн
25+ 22183.06 грн
NDD-15SBRT-T-A174ITT CannonD-Sub Micro-D Connectors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+27502.95 грн
10+ 25120.55 грн
25+ 21060.13 грн
50+ 20955.44 грн
100+ 20719.56 грн
250+ 20376.34 грн
500+ 20375.68 грн
NDD-15SBRTTITT CannonD-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Board Mount Conn
товар відсутній
NDD-15SBRTTITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE RCPT 15POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 15
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium
Part Status: Active
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27959.07 грн
10+ 24949.41 грн
NDD-15SBRTT-A174ITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE RCPT 15POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 15
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33066.52 грн
10+ 29506.37 грн
NDD-21P0PY18K-A174ITT Cannon, LLCDescription: NANO MALE 21POS 18" YEL
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35187.33 грн
10+ 31399.21 грн
NDD-21P0PY18SITT Cannon, LLCDescription: CABLE ASSY D-NANO-D 21P 457.2MM
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Color: Yellow, Individual
Length: 1.50' (457.20mm)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 21
Type: D-Type, Nano-D
1st Connector: Plug, Male Pins
2nd Connector: Individual Wire Leads
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27627.94 грн
NDD-21PBRT-T-A174ITT CannonD-Sub Micro-D Connectors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+38443.37 грн
10+ 35112.24 грн
25+ 29960.57 грн
50+ 29849.92 грн
100+ 29520.62 грн
250+ 29040.91 грн
500+ 29040.25 грн
NDD-21PBRTTITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE PLUG 21POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 21
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31580.73 грн
10+ 28181.35 грн
NDD-21PBRTT-A174ITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE PLUG 21POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 21
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+38329.5 грн
10+ 34202.9 грн
NDD-21S0PY18TITT Cannon, LLCDescription: CABLE ASSY D-NANO-D 21P 457.2MM
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Color: Yellow, Individual
Length: 1.50' (457.20mm)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 21
Type: D-Type, Nano-D
1st Connector: Receptacle, Female Sockets
2nd Connector: Individual Wire Leads
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
товар відсутній
NDD-21S0PY18T-A174ITT CannonD-Sub Cables
товар відсутній
NDD-21S0PY18T-A174ITT Cannon, LLCDescription: NANO FMALE 21POS 18" YEL
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32306.06 грн
10+ 28827.78 грн
NDD-21SBRT-T-A174ITT CannonD-Sub Micro-D Connectors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+34826.45 грн
10+ 31808.34 грн
25+ 27139.97 грн
50+ 27039.25 грн
100+ 26740.43 грн
250+ 26306.44 грн
1000+ 26305.11 грн
NDD-21SBRTTITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE RCPT 21POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 21
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium
товар відсутній
NDD-21SBRTT-A174ITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE RCPT 21POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 21
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+34353.77 грн
10+ 30655.67 грн
NDD-25P0PY18K-A174ITT Cannon, LLCDescription: NANO MALE 25POS 18" YEL
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+34622.55 грн
NDD-25P0PY18SITT Cannon, LLCDescription: CABLE ASSY D-NANO-D 25P 457.2MM
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Color: Yellow, Individual
Length: 1.50' (457.20mm)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 25
Type: D-Type, Nano-D
1st Connector: Plug, Male Pins
2nd Connector: Individual Wire Leads
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Part Status: Active
товар відсутній
NDD-25PBRT-T-A174ITT CannonD-Sub Micro-D Connectors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+43423.11 грн
10+ 39660.42 грн
25+ 33845.94 грн
50+ 33720.72 грн
100+ 33348.35 грн
250+ 32806.36 грн
500+ 32805.69 грн
NDD-25PBRTTITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE PLUG 25POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35673.28 грн
NDD-25PBRTT-A174ITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE PLUG 25POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43295.74 грн
10+ 38634.46 грн
NDD-25S0PY18TITT Cannon, LLCDescription: NANO FMALE 25POS 18" YEL
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32112.55 грн
NDD-25S0PY18T-A174ITT CannonD-Sub Cables
товар відсутній
NDD-25S0PY18T-A174ITT Cannon, LLCDescription: NANO FMALE 25POS 18" YEL
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+36491.07 грн
10+ 32562.87 грн
NDD-25SBRT-T-A174ITT CannonD-Sub Micro-D Connectors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+38919.55 грн
10+ 35548.08 грн
25+ 30332.94 грн
50+ 30220.97 грн
100+ 29887.03 грн
250+ 29401.35 грн
1000+ 29400.69 грн
NDD-25SBRTTITT CannonD-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Board Mount Conn
товар відсутній
NDD-25SBRTTITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE RCPT 25POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium
Part Status: Active
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32321.83 грн
10+ 28842.41 грн
NDD-25SBRTT-A174ITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE RCPT 25POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 25
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+36729.03 грн
10+ 32775.03 грн
NDD-31P0PY18K-A174ITT Cannon, LLCDescription: CABLE ASSY D-NANO-D 31P 457.2MM
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Color: Yellow, Individual
Length: 1.50' (457.20mm)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 31
Type: D-Type, Nano-D
1st Connector: Plug, Male Pins
2nd Connector: Individual Wire Leads
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40113.44 грн
NDD-31P0PY18SITT Cannon, LLCDescription: NANO MALE 31POS 18" YEL JACKSCRE
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Color: Yellow, Individual
Length: 1.50' (457.20mm)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 31
Type: D-Type, Nano-D
1st Connector: Plug, Male Pins
2nd Connector: Individual Wire Leads
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+38719.4 грн
NDD-31PBRT-T-A174ITT CannonD-Sub Micro-D Connectors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+50986.24 грн
10+ 46567.66 грн
25+ 39744.24 грн
50+ 39597.14 грн
100+ 39160.5 грн
250+ 38524.43 грн
500+ 38523.76 грн
NDD-31PBRTTITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE PLUG 31POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 31
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40452.46 грн
NDD-31PBRTT-A174ITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE PLUG 31POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 31
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+50294.65 грн
NDD-31S0PY18TITT CannonD-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Stranded Wire Conn
товар відсутній
NDD-31S0PY18TITT Cannon, LLCDescription: NANO FMALE 31POS 18" YEL
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+37303.85 грн
10+ 33287.91 грн
NDD-31S0PY18T-A174ITT Cannon, LLCDescription: NANO FMALE 31POS 18" YEL
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+42390.51 грн
10+ 37826.8 грн
NDD-31S0PY18T-A174ITT CannonD-Sub Cables
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+40516.59 грн
10+ 37004.96 грн
25+ 31538.84 грн
50+ 31408.97 грн
100+ 31023.35 грн
250+ 30461.48 грн
500+ 30460.82 грн
NDD-31SBRT-T-A174ITT CannonD-Sub Micro-D Connectors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+51763.12 грн
10+ 47277.05 грн
25+ 39635.57 грн
50+ 39338.08 грн
100+ 38449.55 грн
250+ 38073.87 грн
NDD-31SBRTTITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE RCPT 31POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 31
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium
Part Status: Active
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+36629.4 грн
10+ 32686.42 грн
NDD-31SBRTTITT CannonD-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Board Mount Conn
товар відсутній
NDD-31SBRTT-A174ITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE RCPT 31POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 31
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless
Part Status: Active
товар відсутній
NDD-37P0PY18K-A174ITT Cannon, LLCDescription: NANO MALE 37POS 18" YEL
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43380.32 грн
10+ 38710.38 грн
NDD-37P0PY18SITT Cannon, LLCDescription: NANO MALE 37POS 18" YEL JACKSCRE
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+43823.26 грн
NDD-37PBRT-T-A174ITT CannonD-Sub Micro-D Connectors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+54407.59 грн
10+ 49692.49 грн
25+ 42414.44 грн
50+ 42257.41 грн
100+ 41790.95 грн
250+ 41113.13 грн
500+ 41111.8 грн
NDD-37PBRTTITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE PLUG 37POS R/A SLDR
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+46293.12 грн
10+ 41309.28 грн
NDD-37PBRTT-A174ITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE PLUG 37POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 37
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+54247.44 грн
NDD-37S0PY18TITT Cannon, LLCDescription: NANO FMALE 37POS 18" YEL
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40236.01 грн
10+ 35904.14 грн
NDD-37S0PY18T-A174ITT Cannon, LLCDescription: NANO FMALE 37POS 18" YEL
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+45721.89 грн
10+ 40799.71 грн
NDD-37S0PY18T-A174ITT CannonD-Sub Cables
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+43699.84 грн
10+ 39915.68 грн
25+ 34018.22 грн
50+ 33877.75 грн
100+ 33461.65 грн
250+ 32856.05 грн
500+ 32855.39 грн
NDD-37SBRT-T-A174ITT CannonD-Sub Micro-D Connectors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+48765.38 грн
10+ 44539.3 грн
25+ 38012.91 грн
50+ 37872.45 грн
100+ 37453.7 грн
250+ 36845.45 грн
1000+ 36844.12 грн
NDD-37SBRTTITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE RCPT 37POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 37
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium
Part Status: Active
товар відсутній
NDD-37SBRTT-A174ITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE RCPT 37POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 37
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+48621.08 грн
10+ 43386.82 грн
NDD-51P0PY18K-A174ITT Cannon, LLCDescription: NANO MALE 51POS 18" YEL
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+61289.35 грн
10+ 54270.74 грн
NDD-51P0PY18SITT Cannon, LLCDescription: CABLE ASSY D-NANO-D 51P 457.2MM
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Color: Yellow, Individual
Length: 1.50' (457.20mm)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 51
Type: D-Type, Nano-D
1st Connector: Plug, Male Pins
2nd Connector: Individual Wire Leads
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+50430.83 грн
10+ 45001.51 грн
NDD-51PBRT-T-A174ITT CannonD-Sub Micro-D Connectors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+67677.09 грн
10+ 61189.82 грн
25+ 52884.54 грн
50+ 52585.05 грн
250+ 52584.39 грн
1000+ 52583.73 грн
2500+ 52583.06 грн
NDD-51PBRTTITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE PLUG 51POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 51
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+58047.56 грн
NDD-51PBRTT-A174ITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE PLUG 51POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 51
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+66762.33 грн
NDD-51S0PY18TITT CannonD-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Stranded Wire Conn
товар відсутній
NDD-51S0PY18TITT Cannon, LLCDescription: NANO FMALE 51POS 18" YEL
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+51224.97 грн
10+ 45710.2 грн
NDD-51S0PY18T-A174ITT CannonD-Sub Cables
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+53784.54 грн
10+ 48628.02 грн
50+ 42283.25 грн
100+ 41753.18 грн
250+ 40982.6 грн
500+ 40981.94 грн
1000+ 40980.61 грн
NDD-51S0PY18T-A174ITT Cannon, LLCDescription: NANO FMALE 51POS 18" YEL
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Color: Yellow, Individual
Length: 1.50' (457.20mm)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 51
Type: D-Type, Nano-D
1st Connector: Receptacle, Female Sockets
2nd Connector: Individual Wire Leads
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+53622.45 грн
NDD-51SBRT-T-A174ITT CannonD-Sub Micro-D Connectors
товар відсутній
NDD-51SBRTTITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE RCPT 51POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 51
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+52657 грн
NDD-51SBRTTITT CannonD-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Board Mount Conn
товар відсутній
NDD-51SBRTT-A174ITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE RCPT 51POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 51
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless
Part Status: Active
товар відсутній
NDD-9P0PY18K-A174ITT Cannon, LLCDescription: NANO MALE 9POS 18" YEL
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18784.88 грн
10+ 16762.88 грн
25+ 16159.87 грн
NDD-9P0PY18SITT Cannon, LLCDescription: NANO MALE 9POS 18" YEL JACKSCREW
товар відсутній
NDD-9PBRT-T-A174ITT CannonD-Sub Micro-D Connectors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+19325.27 грн
10+ 17651.74 грн
25+ 15096.24 грн
NDD-9PBRTTITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE PLUG 9POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 9
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium
Part Status: Active
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18006.51 грн
10+ 16068.2 грн
NDD-9PBRTT-A174ITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE PLUG 9POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 9
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless
Part Status: Active
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19267.24 грн
10+ 17193.14 грн
25+ 16574.68 грн
NDD-9S0PY18TITT CannonD-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Stranded Wire Conn
товар відсутній
NDD-9S0PY18TITT Cannon, LLCDescription: NANO FMALE 9POS 18" YEL
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15936.58 грн
NDD-9S0PY18T-A174ITT Cannon, LLCDescription: NANO FMALE 9POS 18" YEL
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17246.77 грн
10+ 15390.09 грн
NDD-9SBRT-T-A174ITT CannonD-Sub Micro-D Connectors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+29718.4 грн
5+ 28784.86 грн
10+ 24623.48 грн
25+ 23775.38 грн
NDD-9SBRTTITT CannonD-Sub Micro-D Connectors Nano Micromini Board Mount Conn
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+20954 грн
5+ 20295.01 грн
10+ 17360.94 грн
25+ 16763.29 грн
NDD-9SBRTTITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE RCPT 9POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 9
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Yellow Chromate Plated Cadmium
Part Status: Active
товар відсутній
NDD-9SBRTT-A174ITT Cannon, LLCDescription: CONN D-TYPE RCPT 9POS R/A SLDR
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Number of Positions: 9
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (0-80)
Termination: Solder
Connector Style: D-Type, Nano-D
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Shell Material, Finish: Aluminum, Nickel Plated, Electroless
Part Status: Active
товар відсутній
NDD01N60-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 10766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+13.9 грн
Мінімальне замовлення: 1402
NDD01N60-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD01N60-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
NDD01N60-1GonsemiMOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O
товар відсутній
NDD01N60-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD01N60-1G - NDD01N60-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1725+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 1725
NDD01N60T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NDD01N60T4GonsemiMOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.5O
товар відсутній
NDD01N60T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD02N40-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 121 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD02N40T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 121 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD02N40T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 121 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD02N60Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD02N60Z-1GON SemiconductorMOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDD02N60Z-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD02N60Z-1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 369185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1240+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 1240
NDD02N60Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 25 V
на замовлення 369185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 1025
NDD02N60Z-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
NDD02N60ZT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD02N60ZT4G - MOSFET,N CH,W DIODE,600V,2.2A,DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 53629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NDD02N60ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD02N60ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 53629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 1025
NDD02N60ZT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NDD02N60ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD03N40Z-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK
на замовлення 10125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDD03N40Z-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
NDD03N40Z-1GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 400V 2.4A 3.4OH
товар відсутній
NDD03N40Z-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD03N40Z-1G - NDD03N40Z-1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1350+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 1350
NDD03N40ZT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 60V 2.4A 3.4OHM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDD03N40ZT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD03N40ZT4G - NDD03N40ZT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NDD03N40ZT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 2.1A DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDD03N40ZT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NDD03N50Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
на замовлення 4156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDD03N50Z-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD03N50Z-1G - NDD03N50Z-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1275+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 1275
NDD03N50ZT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD03N50ZT4G - MOSFET,N CH,W DIODE,500V,2.6A,DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NDD03N50ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
на замовлення 76261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDD03N60Z-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD03N60Z-1G - NDD03N60Z-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 43072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 1800
NDD03N60Z-1GON Semiconductor
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDD03N60Z-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
NDD03N60Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 43072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 1480
NDD03N60Z-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 39
NDD03N60Z-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+16.3 грн
Мінімальне замовлення: 713
NDD03N60Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD03N60ZG
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDD03N60ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD03N60ZT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD03N60ZT4G - MOSFET,N CH,W DIODE,600V,2.6A,DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDD03N60ZT4GonsemiMOSFET NFET DPAK 2.6A 3.6R
товар відсутній
NDD03N60ZT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NDD03N80Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD03N80Z-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD03N80Z-1G - NDD03N80Z-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 141954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+36.5 грн
Мінімальне замовлення: 900
NDD03N80Z-1GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 800V 2.9A 4.5OH
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDD03N80Z-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
NDD03N80Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 141954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 701
NDD03N80ZT4GonsemiMOSFET Power MOSFET 800V 2.9A 4.5 Ohm Single N-Channel DPAK
товар відсутній
NDD03N80ZT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NDD03N80ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD03N80ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 701
NDD03N80ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD04N50Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V
на замовлення 28275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
761+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 761
NDD04N50Z-1GON SemiconductorMOSFET 600V 3A HV MOSFET IPAK
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDD04N50Z-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
NDD04N50Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD04N50Z-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD04N50Z-1G - NDD04N50Z-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 28275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
975+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 975
NDD04N50ZT4GON SemiconductorMOSFET 500V 3A HV MOSFET DPAK
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDD04N50ZT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NDD04N50ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V
на замовлення 155796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
761+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 761
NDD04N50ZT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD04N50ZT4G - MOSFET,N CH,W DIODE,500V,3A,DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 155796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NDD04N50ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD04N50ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 308 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD04N60Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD04N60Z-1GON SemiconductorMOSFET NFET IPAK 600V 4A 1.8R
товар відсутній
NDD04N60Z-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
NDD04N60ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD04N60ZT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 600V 4A 1.8R
товар відсутній
NDD04N60ZT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NDD04N60ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товар відсутній
NDD05N50Z-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD05N50Z-1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.7 A, 1.25 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 650325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1050+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 1050
NDD05N50Z-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
NDD05N50Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4.7A IPAK
товар відсутній
NDD05N50Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4.7A IPAK
на замовлення 650325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
902+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 902
NDD05N50Z-1G9onsemiDescription: RF MOSFET 500V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
951+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 951
NDD05N50Z-1G9ONSEMIDescription: ONSEMI - NDD05N50Z-1G9 - NFET DPAK 500V 4.7A 1.5OH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 1145
NDD05N50ZT4GON SemiconductorMOSFET NFET IPAK 500V 5A 1.2OHM
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDD05N50ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4.7A DPAK
товар відсутній
NDD05N50ZT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NDD05N50ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4.7A DPAK
товар відсутній
NDD36PT6-2AITInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDD36PT6-2AITInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
товар відсутній
NDD36PT6-2AIT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
NDD36PT6-2AIT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
NDD5060
на замовлення 13086 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDD506AFAIRCHIL09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDD506AFAIRCHILTO-263
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDD506AL
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDD56PT6-2AIT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
NDD56PT6-2AIT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
NDD60N360U1-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 37650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+79.37 грн
Мінімальне замовлення: 257
NDD60N360U1-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD60N360U1-1G - NDD60N360U1-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 37650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 375
NDD60N360U1-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
товар відсутній
NDD60N360U1-1GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 600V 114A 360MO
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDD60N360U1-35GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 600V 114A 360MO
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDD60N360U1-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
NDD60N360U1-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
товар відсутній
NDD60N360U1-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD60N360U1-35G - NDD60N360U1-35G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+80.27 грн
Мінімальне замовлення: 375
NDD60N360U1T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 114A DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDD60N360U1T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD60N360U1T4G - NDD60N360U1T4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 37626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NDD60N360U1T4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 600V 114A 360MO
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDD60N550U1-1GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 600V 8.2A 550MO
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDD60N550U1-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 20475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+58.34 грн
Мінімальне замовлення: 351
NDD60N550U1-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
товар відсутній
NDD60N550U1-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 8.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
NDD60N550U1-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD60N550U1-1G - NDD60N550U1-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+63.1 грн
Мінімальне замовлення: 450
NDD60N550U1-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
NDD60N550U1-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD60N550U1-35G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+63.1 грн
Мінімальне замовлення: 450
NDD60N550U1-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 20625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+56.62 грн
Мінімальне замовлення: 380
NDD60N550U1-35GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 600V 8.2A 550MO
товар відсутній
NDD60N550U1-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
товар відсутній
NDD60N550U1T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NDD60N550U1T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
товар відсутній
NDD60N745U1-1GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 600V 6.8A
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDD60N745U1-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
товар відсутній
NDD60N745U1-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD60N745U1-35G - NDD60N745U1-35G, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
525+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 525
NDD60N745U1-35GON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 600V 6.8A 745 m_ Single
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDD60N745U1-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
товар відсутній
NDD60N745U1-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
NDD60N745U1-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
на замовлення 22175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 398
NDD60N745U1T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
на замовлення 12133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 398
NDD60N745U1T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
товар відсутній
NDD60N745U1T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD60N745U1T4G - NDD60N745U1T4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NDD60N900U1-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
NDD60N900U1-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD60N900U1-1G - NDD60N900U1-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
570+47.35 грн
Мінімальне замовлення: 570
NDD60N900U1-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 50 V
товар відсутній
NDD60N900U1-1GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 600V 5.9A
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDD60N900U1-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK
товар відсутній
NDD60N900U1-35GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 600V 5.9A
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDD60N900U1-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
NDD60N900U1T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+24.22 грн
25+ 23.49 грн
50+ 22.29 грн
100+ 20.31 грн
250+ 19.19 грн
500+ 18.87 грн
1000+ 18.55 грн
Мінімальне замовлення: 24
NDD60N900U1T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NDD60N900U1T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAK
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+38.65 грн
Мінімальне замовлення: 507
NDD60N900U1T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAK
товар відсутній
NDD60N900U1T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD60N900U1T4G - NDD60N900U1T4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1922+47.35 грн
Мінімальне замовлення: 1922
NDD60N900U1T4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 600V 5.9A
товар відсутній
NDDL01N60Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 25 V
товар відсутній
NDDL01N60Z-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDDL01N60Z-1G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2025+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 2025
NDDL01N60Z-1GonsemiMOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.50H
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDDL01N60Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 25 V
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 1665
NDDL01N60Z-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
NDDL01N60ZT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NDDL01N60ZT4G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NDDL01N60ZT4GonsemiMOSFET NFET DPAK 600V 0.4A 15OHM
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDDL01N60ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 800MA DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 25 V
товар відсутній
NDDL01N60ZT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NDDL01N60ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 800MA DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 25 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 1665
NDDP010N25AZ-1HON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDDP010N25AZ-1HON SemiconductorMOSFET NCH 10A 250V TP(IPAK
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDDP010N25AZT4HON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 10A TP-FA
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDDP010N25AZT4HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NDDP010N25AZT4HON SemiconductorMOSFET NCH 10A 250V TP-FA(DPAK)
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NDDP010N25AZT4HON Semiconductor
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NDDP010N25AZT4HON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 10A TP-FA
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NDDP010N25AZT4HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)