Продукція > MJE

Description: TRANS NPN 400V 0.2A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 20mA, 20V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W

товар відсутній

MJE13001-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13001-BP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13001-TP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13001S6D

на замовлення 500000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13001S8D

на замовлення 500000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13002

на замовлення 9800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13002 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 2694

товар відсутній

MJE13002-126

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13002-92

на замовлення 2310 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13002-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13002-BP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13002-BP

Description: TRANS NPN 400V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 40mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W

товар відсутній

MJE13002-TP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13002A

на замовлення 9800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13002B-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13002B-AP

Description: TRANS NPN 400V 0.8A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 900 mW

товар відсутній

MJE13002B-BP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13002B-TP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co.,LTD.

Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 400V

товар відсутній

MJE13003

OTOMO

Transistor NPN; 30; 2W; 400V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K; MJE13003 OTOMO TMJE13003 OTO
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	5.09 грн

Мінімальне замовлення: 200

MJE13003

Infineon Technologies

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003

Транзистор биполярный, NPN, 400В, 1,5А, 40Вт, TO-126

на замовлення 25 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

MJE13003

Transistor NPN; 30; 2W; 400V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K; MJE13003 JSMICRO TMJE13003 JSM
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJE13003

Bipolar Transistors - BJT NPN 400 Volt

товар відсутній

MJE13003

0419

на замовлення 45 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH

Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.4 W

товар відсутній

MJE13003

NPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003 TMJE13003
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	5.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJE13003 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 18858

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 1,5 A

товар відсутній

MJE13003(ST13003)

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003-1

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003-12

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003-126

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003-2

FSC

на замовлення 126000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003-AP

Micro Commercial Components

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003-BP

Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk

товар відсутній

MJE13003-BP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003-BP

Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE13003-BP TO-220
Код товару: 115272

товар відсутній

MJE13003-C

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003-TP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE1300320-25AB

на замовлення 30200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003; биполярный; NPN; 300V; 1.5A; 40W; Корпус: TO-126; Fairchild

на замовлення 22 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

22+	30.42 грн

Мінімальне замовлення: 22

MJE13003A-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003A-BP

Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W

товар відсутній

MJE13003A-BP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003A-TP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003B-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003B-AP

Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W

товар відсутній

MJE13003B-BP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003B-TP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003D-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003D-BP

Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W

товар відсутній

MJE13003D-BP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003D-TP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13003G

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003G

товар відсутній

MJE13003G

Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 1400mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE13003G

Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 400V

товар відсутній

MJE13003G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 34621

товар відсутній

MJE13003H2

2005

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003H2

2005

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003L

UTC

NPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003L-C UTC TMJE13003 utc
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	11.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJE13003L-C

UTC

NPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003L-C UTC TMJE13003 utc
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 220 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	11.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJE13003T

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003T2

на замовлення 95 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13003TO-126

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13004

Description: TRANS NPN 300V 4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 75 W

на замовлення 6325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

592+	33.75 грн

Мінімальне замовлення: 592

MJE13004

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13004 LEDFREE

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13004 TIN/LEAD

Bipolar Transistors - BJT NPN Fast SW

товар відсутній

MJE13004G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13005
Код товару: 15180

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 4 А

товар відсутній

MJE13005

Bipolar Transistors - BJT 4A 400V 75W NPN

товар відсутній

MJE13005

ON SEMICONDUCTOR

npn 400/700V 3A 60W TO-220

на замовлення 163 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

5+	48.6 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE13005

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13005

OTOMO

Transistor NPN; 30; 2W; 400V; 4A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13005G; MJE13005-BP; ST13005; PHE13005,127; TS13005CZ; MJE13005L-B-TA3-T; MJE13005 OTOMO TMJE13005 OTO
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 178 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	12.76 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE13005

Multicomp

Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 107 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE13005

NTE Electronics

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220
Current gain: 8...60
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 75W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO220
Collector-emitter voltage: 400V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJE13005

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13005

Description: MULTICOMP PRO - MJE13005 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 10483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	180.62 грн
10+	128.59 грн
100+	100.34 грн
500+	69.71 грн
1000+	48.36 грн
5000+	43 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE13005

Transistor NPN; 30; 2W; 400V; 4A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13005G; MJE13005-BP; ST13005; PHE13005,127; TS13005CZ; MJE13005L-B-TA3-T; MJE13005 JSMICRO TMJE13005 JSM
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	12.76 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE13005

NTE Electronics

товар відсутній

MJE13005

Description: TRANS NPN 400V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE13005 LEDFREE

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13005 PBFREE

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 2W; TO220
Kind of package: bulk
Current gain: 10...60
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO220
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 400V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJE13005 PBFREE

товар відсутній

MJE13005 PBFREE

Description: TRANS NPN 400V 4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.35 грн
50+	142.54 грн
100+	122.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE13005 PBFREE

Bipolar Transistors - BJT NPN Fast SW

на замовлення 387 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.21 грн
10+	179.82 грн
50+	134.5 грн
100+	116.61 грн
250+	111.98 грн
500+	109.33 грн
1000+	100.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE13005 SL PBFREE

Description: TRANS NPN 400V 4A TO220-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE13005 SL PBFREE

Bipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 75W

на замовлення 138 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.21 грн
10+	173.73 грн
50+	127.88 грн
100+	116.61 грн
250+	109.99 грн
500+	103.36 грн
1000+	88.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE13005 SL TIN/LEAD

Bipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 2.0W

товар відсутній

MJE13005 TIN/LEAD

NPN Silicon Power Transistor

товар відсутній

MJE13005 TIN/LEAD

Bipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 2.0W

товар відсутній

MJE13005(ST13005)

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13005-1

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13005-2

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13005-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13005-BP

Description: TRANS NPN 400V 4A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE13005; биполярный; NPN; 400V; 4A; 75W; TO-220AB

на замовлення 5 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

5+	132.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE13005A

на замовлення 78500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13005B

на замовлення 9800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13005F-BP

Description: TRANS NPN 420V 4A ITO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE13005F1

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13005F2

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13005G

Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE13005G

Bipolar Transistors - BJT 4A 400V 75W NPN

товар відсутній

MJE13005G

товар відсутній

MJE13006

на замовлення 9800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13006

NTE Electronics, Inc

Description: TRANS NPN 300V 8A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W

на замовлення 529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.68 грн
10+	104.91 грн
20+	99.39 грн
50+	88.09 грн
100+	86.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE13006G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13007

Description: TRANS NPN 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W

товар відсутній

MJE13007

Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN

товар відсутній

MJE13007

Transistor NPN; 35; 80W; 400V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 JSMICRO TMJE13007 JSM
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	19.57 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE13007

Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar

товар відсутній

MJE13007

On Semiconductor

NPN, Uкэ=400V, Iк=8A (16 имп.), h21=5...40, 4МГц (тип. 14МГц), 80Вт, TO-220AB

на замовлення 2 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

MJE13007

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13007

NTE Electronics, Inc.

Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	206.32 грн

Мінімальне замовлення: 57

MJE13007 (MJE13007G) (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 38055

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 14 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 8 А
h21: 40

товар відсутній

MJE13007 SL

Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W

товар відсутній

MJE13007(PHE13007)

на замовлення 220000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13007-1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13007-2

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13007-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13007-BP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13007-BP

Description: TRANS NPN 400V 8A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE13007-BP

Bipolar Transistors - BJT Regulator

товар відсутній

MJE13007-H4

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13007A
Код товару: 123836

товар відсутній

MJE13007A

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13007A

Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw

товар відсутній

MJE13007F

на замовлення 38000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13007F-AP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13007F-BP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13007F-BP

Description: TRANS NPN 400V 8A ITO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE13007F-TP

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13007F2

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13007F2 транзистор
Код товару: 58559

товар відсутній

MJE13007G

Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	83.99 грн
10+	68.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE13007G

Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE13007G

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube

товар відсутній

MJE13007G

товар відсутній

MJE13007G

Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE13007G

Description: TRANS NPN 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W

на замовлення 3932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.01 грн
50+	66.64 грн
100+	52.81 грн
500+	42.01 грн
1000+	34.22 грн
2000+	32.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE13007G

Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.55 грн
10+	87.71 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE13007G

Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE13007G

Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN

на замовлення 5585 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.44 грн
10+	72.31 грн
100+	50.36 грн
500+	42.67 грн
1000+	33.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE13007R

на замовлення 115 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13008G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13009

Description: TRANS NPN 400V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE13009

Bipolar Transistors - BJT TO-220 NPN FASTSW PW

товар відсутній

MJE13009

Bipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN

товар відсутній

MJE13009

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE13009 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30312

Fairchild

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
h21: 40

товар відсутній

MJE13009-1

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13009-2

на замовлення 37 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; NXP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

20+	33.18 грн

Мінімальне замовлення: 20

MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; 4Mhz; -65°+150°C; ON Semi.(FAIRCHILD)

на замовлення 46 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

25+	27.1 грн

Мінімальне замовлення: 25

MJE13009A

на замовлення 539 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13009AR

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13009F

на замовлення 814 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13009F (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 104845

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220ISO
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A

у наявності 10 шт:

10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	30 грн

MJE13009G

Bipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN

товар відсутній

MJE13009G

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13009G

товар відсутній

MJE13009G

Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE13009G

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 12A; 100W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 12A
Power: 0.1kW
Case: TO220
Mounting: THT

товар відсутній

MJE13009G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 1141

товар відсутній

MJE13009H3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13009H3(25-32)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13009L

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE1302

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13070

Description: TRANS NPN 6V 5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6 V
Power - Max: 80 W

товар відсутній

MJE13070

на замовлення 7253 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE13071

на замовлення 967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

325+	60.89 грн

Мінімальне замовлення: 325

MJE13071

на замовлення 7253 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE1320

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15003

ON/MOT

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15004

ON/MOT

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15028

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE15028

на замовлення 7253 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15028

Description: TRANS NPN 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W

товар відсутній

MJE15028

Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN

товар відсутній

MJE15028

ONS

Транзистор біполярний TO220-3 NPN 8A 120V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

6+	54.19 грн
10+	46.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE15028 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 126210

товар відсутній

MJE15028G

Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	44.64 грн

Мінімальне замовлення: 500

MJE15028G

Description: TRANS NPN 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W

на замовлення 255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	96.76 грн
50+	74.82 грн
100+	59.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15028G

Description: ONSEMI - MJE15028G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	112.98 грн
10+	84.73 грн
100+	63.4 грн
500+	53.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15028G

Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	101.23 грн
10+	81.9 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE15028G

Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE15028G

Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE15028G

Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

243+	47.85 грн

Мінімальне замовлення: 243

MJE15028G

Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	103.58 грн
10+	82.29 грн
100+	56.52 грн
500+	39.89 грн
1100+	38.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15029

Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP

товар відсутній

MJE15029

на замовлення 68 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15029

Multicomp

Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	120.3 грн
102+	114.91 грн

Мінімальне замовлення: 97

MJE15029

Description: TRANS PNP 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W

товар відсутній

MJE15029 (транзистори біполярніе PNP)
Код товару: 126212

товар відсутній

MJE15029G

Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP

на замовлення 4871 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.46 грн
10+	110.49 грн
100+	83.49 грн
500+	70.23 грн
700+	58.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15029G

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 85 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	147.17 грн
3+	129.01 грн
10+	109.33 грн
11+	94.42 грн
28+	89.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE15029G

Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	138.99 грн
10+	112.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE15029G

Description: TRANS PNP 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W

товар відсутній

MJE15029G

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.53 грн
10+	91.1 грн
11+	78.68 грн
28+	74.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE15029G

ONS

Транзистор біполярний TO220-3 PNP 8A 120V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

4+	81.84 грн
10+	69.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE15029G

Description: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	150.14 грн
10+	93.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE15029G

Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE15029G

Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15030

import

NPN 8A 150V 50W 30MHz MJE15030 TMJE15030
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 46 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	30.11 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE15030

Description: MULTICOMP PRO - MJE15030 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1626 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	198.46 грн
10+	141.97 грн
100+	110.75 грн
500+	76.61 грн
1000+	53.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE15030

Multicomp

Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

126+	92.67 грн
145+	80.13 грн

Мінімальне замовлення: 126

MJE15030
Код товару: 196969

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 8 А
h21: 30
Монтаж: THT

у наявності 100 шт:

100 шт - склад

1+	28 грн
10+	25.2 грн
100+	22.5 грн

MJE15030

Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN

товар відсутній

MJE15030

Description: TRANS NPN 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W

товар відсутній

MJE15030

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz

товар відсутній

MJE15030 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 36906

Iscsemi

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 8 А
h21: 30
Монтаж: THT

товар відсутній

MJE15030G

Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	91.19 грн
10+	80.14 грн
100+	58.61 грн
500+	47.67 грн
700+	36.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15030G

Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

135+	86.3 грн
184+	63.12 грн
500+	53.24 грн
700+	42.54 грн

Мінімальне замовлення: 135

MJE15030G
Код товару: 154352

товар відсутній

MJE15030G

Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN

на замовлення 4948 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	103.58 грн
10+	86.1 грн
100+	56.78 грн
500+	50.02 грн
700+	40.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15030G

Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	111.19 грн
10+	93.43 грн
100+	71.19 грн
500+	60.46 грн
700+	44.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE15030G

Description: TRANS NPN 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W

на замовлення 1742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	101.78 грн
50+	78.87 грн
100+	62.5 грн
500+	49.72 грн
1000+	40.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15030G

Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.36 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE15030G

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.11 грн
5+	82.13 грн
10+	72.47 грн
13+	62.81 грн
35+	59.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE15030G

Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	76.99 грн
10+	69.58 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE15030G
Код товару: 180441

товар відсутній

MJE15030G

Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	82.73 грн

Мінімальне замовлення: 141

MJE15030G

на замовлення 253 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	102.35 грн
10+	86.96 грн
13+	75.37 грн
35+	71.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15030G

Description: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	116.69 грн
10+	89.19 грн
100+	63.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15030MJE15031

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15031

Description: TRANS PNP 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W

товар відсутній

MJE15031

CDIL

Tranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	50.88 грн

Мінімальне замовлення: 20

MJE15031

Description: MULTICOMP PRO - MJE15031 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	202.17 грн
10+	144.94 грн
100+	112.24 грн
500+	77.99 грн
1000+	54.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE15031

SPTECH

Tranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 49 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	50.88 грн

Мінімальне замовлення: 20

MJE15031

Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP

товар відсутній

MJE15031 PBFREE

Bipolar Transistors - BJT PNP 120Vcbo 120Vceo 5.0Vebo 8.0A 2.0W

товар відсутній

MJE15031G

Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP

на замовлення 34768 шт:

термін постачання 119-128 дні (днів)

3+	104.36 грн
10+	92.2 грн
100+	62.88 грн
500+	51.81 грн
700+	40.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15031G

Trans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15031G

Description: ONSEMI - MJE15031G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	115.21 грн
10+	89.94 грн
100+	67.56 грн
500+	42.93 грн
1000+	38.86 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15031G

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 70MHz

на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.61 грн
10+	68.33 грн
13+	61.43 грн
36+	57.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE15031G

на замовлення 231 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	95.47 грн
10+	81.99 грн
13+	73.71 грн
36+	69.57 грн
250+	68.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15031G
Код товару: 180445

товар відсутній

MJE15031G

Description: TRANS PNP 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W

товар відсутній

MJE15031G
Код товару: 45656

товар відсутній

MJE15031G

Bipolar Transistor PNP 150V 8A 50W MJE15031G TO220 ONS TMJE15031 ons
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 34 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	68.91 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJE15031G

Trans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15032

Description: TRANS NPN 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W

товар відсутній

MJE15032

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE15032

Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN

товар відсутній

MJE15032

Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15032 MJE15033

TO220 10+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15032G

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	96.33 грн
10+	82.82 грн
13+	74.54 грн
36+	70.4 грн
250+	67.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15032G

Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15032G

Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15032G

Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	77.63 грн
11+	56.17 грн
100+	55.61 грн
250+	53.08 грн
500+	47 грн
700+	38.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE15032G

Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15032G

Description: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.92 грн
10+	90.68 грн
100+	64 грн
500+	46.79 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15032G

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15032G

Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

140+	83.22 грн
193+	60.21 грн
195+	59.61 грн
250+	56.9 грн
500+	50.39 грн
700+	41.15 грн

Мінімальне замовлення: 140

MJE15032G

Description: TRANS NPN 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W

на замовлення 3491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.34 грн
50+	77.34 грн
100+	63.64 грн
500+	50.53 грн
1000+	42.88 грн
2000+	40.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15032G

Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN

на замовлення 8813 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.45 грн
10+	85.34 грн
100+	60.63 грн
250+	59.76 грн
500+	51.35 грн
700+	44.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15032G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 28060

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250 V
Ucbo,V: 250 V
Ic,A: 8 А
h21: 70
Монтаж: THT

у наявності 99 шт:

80 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	26.5 грн
10+	23 грн

MJE15032GMJE15033G

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15032MJE15033

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15033

Description: TRANS PNP 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W

товар відсутній

MJE15033

Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP

товар відсутній

MJE15033

Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15033G

Description: TRANS PNP 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W

на замовлення 618 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.93 грн
50+	80.45 грн
100+	66.18 грн
500+	52.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15033G

Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP

на замовлення 10909 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	106.68 грн
10+	86.86 грн
100+	62.22 грн
500+	54.46 грн
700+	47.11 грн
5600+	45.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15033G

Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 3194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	56.49 грн
100+	55.92 грн
500+	53.39 грн
700+	41.64 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJE15033G

Description: ONSEMI - MJE15033G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	127.1 грн
10+	102.57 грн
100+	76.56 грн
500+	48.66 грн
1000+	44.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE15033G

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.57 грн
5+	85.58 грн
10+	75.92 грн
12+	68.33 грн
33+	64.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE15033G

Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB MJE15033G ONS TMJE15033 ons
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 96 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	62.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJE15033G

Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 3194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15033G

Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15033G
Код товару: 27993

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uке, В: 250 V
Uкб, В: 250 V
Iк, А: 8 А
h21,max: 70

у наявності 52 шт:

34 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків

1+	30 грн
10+	27 грн

MJE15033G

на замовлення 143 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	106.65 грн
10+	91.1 грн
12+	81.99 грн
33+	77.02 грн
250+	74.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15033G

Trans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15034

на замовлення 1179 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15034

Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15034

Description: TRANS NPN 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE15034

Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN

товар відсутній

MJE15034(транзистор)
Код товару: 67257

товар відсутній

MJE15034G

Description: TRANS NPN 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W

на замовлення 954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	98.19 грн
50+	75.92 грн
100+	60.16 грн
500+	47.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15034G

Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN

на замовлення 16986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	104.36 грн
10+	84.58 грн
100+	57.31 грн
500+	48.57 грн
800+	39.56 грн
2400+	38.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15034G

Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

MJE15034G

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 117 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	86.01 грн
10+	72.06 грн
16+	62.95 грн
43+	58.8 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15034G

Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.81 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE15034G

Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

MJE15034G

Description: ONSEMI - MJE15034G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	115.21 грн
10+	87.71 грн
100+	64.29 грн
500+	41.2 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15034G

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.02 грн
10+	60.05 грн
16+	52.45 грн
43+	49 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE15034G

Trans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

на замовлення 1014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	104.82 грн
10+	85.46 грн
100+	67.91 грн
500+	54.11 грн
800+	39.8 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE15034G(транзистор)
Код товару: 61129

товар відсутній

MJE15034MJE15035

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15035

Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE15035
Код товару: 67258

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uке, В: 350 V
Uкб, В: 350 V
Iк, А: 4 A

товар відсутній

MJE15035

Description: TRANS PNP 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE15035

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE15035

Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP

товар відсутній

MJE15035G

Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

MJE15035G

Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	93.5 грн
159+	73.46 грн
500+	62.69 грн
800+	47.03 грн

Мінімальне замовлення: 125

MJE15035G

Description: TRANS PNP 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.49 грн
50+	79.32 грн
100+	62.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15035G

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 186 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	115.25 грн
10+	96.9 грн
12+	84.48 грн
32+	79.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15035G

Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP

на замовлення 3286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.77 грн
10+	86.86 грн
100+	59.9 грн
500+	51.81 грн
800+	41.35 грн
2400+	40.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE15035G

Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 482 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	122.64 грн
10+	90.68 грн
100+	68.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15035G

на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.49 грн
10+	80.75 грн
12+	70.4 грн
32+	66.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE15035G

Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	107.54 грн
10+	86.82 грн
100+	68.21 грн
500+	56.14 грн
800+	40.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE15035G

Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	89.7 грн
10+	76.12 грн
100+	62.83 грн
500+	53.29 грн
800+	39.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE15035G

Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.59 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE15035G

Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

143+	81.59 грн
173+	67.36 грн
500+	59.24 грн
800+	46.23 грн

Мінімальне замовлення: 143

MJE15035G(транзистор)
Код товару: 61130

товар відсутній

MJE16002

Description: TRANS NPN 6V 5A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6 V
Power - Max: 80 W

на замовлення 9472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

314+	68.81 грн

Мінімальне замовлення: 314

MJE16002

на замовлення 7253 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE16004

Description: ONSEMI - MJE16004 - 5-A SWITCH MAX II POWER TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 103800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

642+	37.54 грн

Мінімальне замовлення: 642

MJE16004

Description: MAX II POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 103800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

533+	36.97 грн

Мінімальне замовлення: 533

MJE170

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP

товар відсутній

MJE170

Description: TRANS PNP 40V 3A TO225AA

товар відсутній

MJE170

09+

на замовлення 20148 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE170G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE170G

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE170G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE170G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE170G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	33.08 грн
19+	31.42 грн
100+	27.76 грн

Мінімальне замовлення: 18

MJE170G
Код товару: 161611

товар відсутній

MJE170G

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP

на замовлення 958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.51 грн
10+	48.92 грн
100+	31.61 грн
500+	26.5 грн
1000+	20.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE170G

Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	63.18 грн
15+	52.18 грн
100+	35.45 грн
500+	27.61 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE170G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	25.39 грн
24+	24.37 грн
100+	22.11 грн
500+	19.29 грн

Мінімальне замовлення: 23

MJE170G

Description: TRANS PNP 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 2492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.36 грн
10+	52.73 грн
100+	40.45 грн
500+	30.01 грн
1000+	24.01 грн
2000+	21.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE170G

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

344+	33.83 грн

Мінімальне замовлення: 344

MJE170S

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE170STU

Trans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE170STU

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE170STU

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR

товар відсутній

MJE171

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE171

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE171

Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP

товар відсутній

MJE171

Description: TRANS PNP 60V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 12.5 W

товар відсутній

MJE171G

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE171G

Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP

на замовлення 1295 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.35 грн
10+	47.47 грн
100+	30.28 грн
500+	25.18 грн
1000+	19.08 грн
6000+	19.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE171G

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 2013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

365+	31.82 грн
430+	27.03 грн
500+	24.8 грн
1000+	18.76 грн

Мінімальне замовлення: 365

MJE171G

Description: ONSEMI - MJE171G - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, TO-225
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: -3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	59.39 грн
15+	49.8 грн
100+	38.28 грн
500+	25.4 грн
1000+	18.35 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJE171G

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE171G

на замовлення 4609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.76 грн
10+	45.14 грн
100+	31.25 грн
500+	24.51 грн
1000+	20.86 грн
2000+	18.58 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE171G

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE171G

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 2013 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	31.15 грн
20+	29.55 грн
100+	25.1 грн
500+	22.2 грн
1000+	16.13 грн

Мінімальне замовлення: 19

MJE171STU

Description: TRANS PNP 60V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE172

Trans GP BJT PNP 80V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

товар відсутній

MJE172

Description: TRANS PNP 80V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE172

Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP

товар відсутній

MJE172

Description: TRANS PNP 80V 3A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W

товар відсутній

MJE172/80Vdc3A/TO-220

09+

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE172G

Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

241+	48.28 грн
318+	36.6 грн
500+	26.97 грн
1000+	19.8 грн

Мінімальне замовлення: 241

MJE172G

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; TO225
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO225
Mounting: THT
Power dissipation: 15W
Frequency: 50MHz
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Type of transistor: PNP

товар відсутній

MJE172G
Код товару: 86262

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

MJE172G

Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP

на замовлення 728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.18 грн
10+	45.11 грн
100+	28.82 грн
500+	23.19 грн
1000+	18.68 грн
3000+	18.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE172G

Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 3929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	48.3 грн
14+	42.24 грн
100+	32.78 грн
500+	23.76 грн
1000+	18.15 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE172G

товар відсутній

MJE172G

Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 3929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

256+	45.48 грн
329+	35.3 грн
500+	26.53 грн
1000+	21.1 грн

Мінімальне замовлення: 256

MJE172G

Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE172G

Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	52.06 грн
13+	44.83 грн
100+	33.98 грн
500+	24.15 грн
1000+	17.02 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE172G

Description: ONSEMI - MJE172G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	62.06 грн
15+	52.33 грн
100+	38.8 грн
500+	25.68 грн
1000+	18.35 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE172G

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE172G

Description: TRANS PNP 80V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 1104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.04 грн
10+	44.03 грн
100+	30.5 грн
500+	23.92 грн
1000+	20.36 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE172MJE182

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE172STU

Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE172STU

Trans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE172STU

Description: ONSEMI - MJE172STU - TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -80V, TO126-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE172STU

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

на замовлення 4338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE172STU

Description: TRANS PNP 80V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE172STU

на замовлення 19200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE180

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN

товар відсутній

MJE180

MICROSS/On Semiconductor

Description: DIE TRANS NPN 40V SMALL SIGNAL

товар відсутній

MJE180

0305

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE180

NTE Electronics, Inc

Description: TRANS NPN 40V 3A TO225AA

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE180 PBFREE

Description: TRANS NPN 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.01 грн
10+	103.18 грн
100+	82.08 грн
500+	65.18 грн
1000+	55.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE180 PBFREE

Bipolar Transistors - BJT NPN Power

на замовлення 711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.82 грн
10+	112.01 грн
100+	77.52 грн
250+	71.56 грн
500+	65.33 грн
1000+	55.59 грн
2000+	52.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE180 PBFREE

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126

товар відсутній

MJE180 TIN/LEAD

Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 7.0Vebo 3.0A 1.5W

товар відсутній

MJE18002

Description: ONSEMI - MJE18002 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1250+	26.91 грн

Мінімальне замовлення: 1250

MJE18002

Description: TRANS NPN 450V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W

на замовлення 5437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1025+	19.67 грн

Мінімальне замовлення: 1025

MJE18002

Bipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN

товар відсутній

MJE18002

товар відсутній

MJE18002

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE18002D2

Motorola

Description: TRANS NPN 450V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 400mA, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W

на замовлення 13900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	30.87 грн

Мінімальне замовлення: 650

MJE18002D2

NXP

Description: NXP - MJE18002D2 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 13900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

781+	46.08 грн

Мінімальне замовлення: 781

MJE18002G

Description: ONSEMI - MJE18002G - MJE18002G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 69091 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

650+	53.81 грн

Мінімальне замовлення: 650

MJE18002G

на замовлення 65841 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

513+	40.03 грн

Мінімальне замовлення: 513

MJE18002G

Bipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN

товар відсутній

MJE18002G

товар відсутній

MJE18002G

Trans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE18004

Bipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN

товар відсутній

MJE18004

Description: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W

товар відсутній

MJE18004D2

Description: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W

товар відсутній

MJE18004D2G

Description: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W

товар відсутній

MJE18004G

Trans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE18004G

NPN 5A 1000V 75W MJE18004G TMJE18004
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	32.33 грн

Мінімальне замовлення: 20

MJE18004G

Trans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	86.89 грн
10+	75.1 грн
100+	62.01 грн
500+	52.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE18004G

Trans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE18004G

Bipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN

на замовлення 1767 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	108.22 грн
10+	87.63 грн
100+	59.5 грн
500+	50.49 грн
1000+	41.08 грн
2500+	40.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE18004G

Description: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	99.63 грн
50+	76.94 грн
100+	60.97 грн
500+	48.5 грн
1000+	39.51 грн
2000+	37.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE18004G

Description: ONSEMI - MJE18004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 32hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.18 грн
10+	89.94 грн
100+	66.75 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE18004G

Trans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE18006

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE18006

Bipolar Transistors - BJT 6A 450V 100W NPN

товар відсутній

MJE18006

Description: TRANS NPN 450V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W

товар відсутній

MJE18006
Код товару: 77960

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
Uceo,V: 450 V
Ic,A: 6 А
Монтаж: THT

у наявності 4 шт:

4 шт - РАДІОМАГ-Львів

1+	16 грн

MJE18006

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE18006G

Trans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE18006G

Description: ONSEMI - MJE18006G - MJE18006G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

400+	89.19 грн

Мінімальне замовлення: 400

MJE18006G

Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 450V

товар відсутній

MJE18006G

на замовлення 12824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	65.8 грн

Мінімальне замовлення: 310

MJE18006G

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE18006G

товар відсутній

MJE18008

Description: TRANS NPN 450V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 125 W

товар відсутній

MJE18008
Код товару: 77961

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 13 MHz
Uceo,V: 450 V
Ic,A: 8 А
Монтаж: THT

у наявності 3 шт:

3 шт - РАДІОМАГ-Київ

1+	16.5 грн

MJE18008

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE18008

Bipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN

товар відсутній

MJE18008G

Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE18008G

Bipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN

на замовлення 4543 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	166.97 грн
10+	136.39 грн
100+	94.75 грн
250+	87.46 грн
500+	79.51 грн
800+	68.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE18008G

Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE18008G

NPN 8A 450V MJE18008G MJE18008 TO220AB TMJE18008
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	77.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJE18008G

Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	39.61 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJE18008G

Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	94.2 грн
10+	88.36 грн
100+	79.55 грн
250+	73.7 грн
500+	64.94 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE18008G

на замовлення 3442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	152.66 грн
50+	118.27 грн
100+	97.3 грн
500+	77.27 грн
1000+	65.56 грн
2000+	62.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE18008G

Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE18008G

Trans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE18008G

Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	151.5 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE18008G

Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE18008G

Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.1 грн
10+	130.07 грн
100+	101.83 грн
500+	71.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE1800B

на замовлення 502 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE180G

на замовлення 139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.09 грн
10+	53.42 грн
100+	41.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE180G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE180G

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE180G

On Semiconductor

NPN 40V 3A TO-225AA (TO-126-3)

на замовлення 3560 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

MJE180G

Description: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	62.44 грн
16+	48.98 грн
100+	35.23 грн
500+	30.23 грн
1000+	20.32 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE180G

Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN

на замовлення 338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.19 грн
10+	57.99 грн
100+	39.22 грн
500+	36.24 грн
1000+	26.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE180G
Код товару: 161612

товар відсутній

MJE180PWD

Description: TRANS NPN 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE180STU

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

на замовлення 1278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	37.57 грн
17+	33.86 грн
100+	26.46 грн
500+	22.06 грн
1000+	17 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJE180STU

Description: ONSEMI - MJE180STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 22165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1920+	18.73 грн

Мінімальне замовлення: 1920

MJE180STU

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

на замовлення 1278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

319+	36.46 грн
408+	28.5 грн
500+	24.64 грн
1000+	19.77 грн

Мінімальне замовлення: 319

MJE180STU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

на замовлення 1484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.46 грн
10+	40.84 грн
100+	26.64 грн
500+	21.93 грн
1000+	18.02 грн
1920+	16.7 грн
5760+	16.3 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE180STU

Description: TRANS NPN 40V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 1497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.74 грн
10+	40.79 грн
100+	28.22 грн
500+	22.13 грн
1000+	18.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE180STU

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE180STU

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE180STU

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE180STU

Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE180STU

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 3840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1093+	18.32 грн

Мінімальне замовлення: 1093

MJE181

на замовлення 1865 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE181

Description: TRANS NPN 60V 3A TO225AA

товар відсутній

MJE181

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE181G

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

174+	66.8 грн
217+	53.66 грн
500+	42.47 грн
1000+	31.62 грн

Мінімальне замовлення: 174

MJE181G

Description: TRANS NPN 60V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 11316 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.89 грн
10+	42.31 грн
100+	29.27 грн
500+	22.95 грн
1000+	19.53 грн
2000+	17.4 грн
5000+	16.21 грн
10000+	15.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE181G

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE181G

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE181G

Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN

на замовлення 4464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.02 грн
10+	44.35 грн
100+	29.22 грн
500+	18.02 грн
1000+	16.83 грн
3000+	16.23 грн
6000+	16.17 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE181G

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 15W; TO225
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 60V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 12...250
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJE181G

товар відсутній

MJE181G

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	69.9 грн
10+	62.03 грн
100+	49.83 грн
500+	38.03 грн
1000+	27.19 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJE181STU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE181STU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

товар відсутній

MJE181STU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE181STU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 7687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.42 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE181STU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE181STU

Description: ONSEMI - MJE181STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1920+	17.1 грн

Мінімальне замовлення: 1920

MJE181STU

на замовлення 7680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1920+	16.79 грн

Мінімальне замовлення: 1920

MJE181STU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE181STU

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3A, 60
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 6097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1360+	14.96 грн

Мінімальне замовлення: 1360

MJE182

Description: TRANS PWR NPN 3A 80V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W

на замовлення 7552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1158+	17.21 грн

Мінімальне замовлення: 1158

MJE182

MOT

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE182

Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN

товар відсутній

MJE182

Description: ONSEMI - MJE182 - MJE182, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 7552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	17.69 грн

Мінімальне замовлення: 1500

MJE182

Description: TRANS NPN 80V 3A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W

товар відсутній

MJE182

Trans GP BJT NPN 80V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

товар відсутній

MJE182

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Power Sw

товар відсутній

MJE182

09+

на замовлення 20148 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE18204

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.25V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 35 W

на замовлення 40373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

567+	35.08 грн

Мінімальне замовлення: 567

MJE18204

Description: ONSEMI - MJE18204 - TRANSISTOR, NPN TO-220
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 40373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

682+	35.97 грн

Мінімальне замовлення: 682

MJE18206

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W

на замовлення 11725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1110+	17.87 грн

Мінімальне замовлення: 1110

MJE18206

Description: ONSEMI - MJE18206 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 11725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1336+	18.36 грн

Мінімальне замовлення: 1336

MJE182G

Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	25.25 грн
1000+	21.34 грн
3000+	20.37 грн

Мінімальне замовлення: 500

MJE182G

NPN 3A 80V 12.5W 50MHz MJE182 TO126 TMJE182
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 270 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	11.5 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE182G

Description: ONSEMI - MJE182G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 14044 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	66.52 грн
14+	55 грн
100+	35.16 грн
500+	27.33 грн
1000+	19.11 грн
5000+	18.73 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE182G

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 12...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.66 грн
14+	26.16 грн
25+	23.6 грн
47+	17.19 грн
129+	16.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE182G

Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE182G

Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE182G

на замовлення 148 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	75.19 грн
8+	32.6 грн
25+	28.33 грн
47+	20.62 грн
129+	19.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE182G
Код товару: 62118

товар відсутній

MJE182G

Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN

на замовлення 8294 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.21 грн
10+	49.6 грн
100+	30.15 грн
500+	25.24 грн
1000+	19.21 грн
3000+	19.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE182G

Description: TRANS NPN 80V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.47 грн
10+	45.35 грн
100+	31.42 грн
500+	24.64 грн
1000+	20.97 грн
2000+	18.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE182STU

Description: TRANS NPN 80V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE182STU

Description: TRANS NPN 80V 3A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 319942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1480+	13.24 грн

Мінімальне замовлення: 1480

MJE182STU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

на замовлення 6816 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE182STU

Description: ONSEMI - MJE182STU - TRANSISTOR, NPN, 80V, 50MHZ, TO-126
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 319942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1920+	21.93 грн

Мінімальне замовлення: 1920

MJE182STU

Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE20

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE200

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN

товар відсутній

MJE200

на замовлення 554 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE200

Description: TRANS NPN 40V 5A TO225AA

товар відсутній

MJE200-T

на замовлення 1905 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE200G

Description: TRANS NPN 40V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 7356 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.77 грн
10+	49.35 грн
100+	34.14 грн
500+	26.77 грн
1000+	22.79 грн
2000+	20.29 грн
5000+	18.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE200G

Description: ONSEMI - MJE200G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

товар відсутній

MJE200G

08+ DIP-8

на замовлення 734 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE200G

Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE200G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN

на замовлення 3185 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.18 грн
10+	45.41 грн
100+	30.88 грн
500+	25.05 грн
1000+	22.59 грн
6000+	20.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE200N

LIGHTNING

08+ TO126

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE200STU

Description: TRANS NPN 25V 5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJE200STU

Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE200STU

Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE200STU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

на замовлення 3723 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE200STU

Description: TRANS NPN 25V 5A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJE200STU

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE200STU

на замовлення 99932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1664+	12.9 грн

Мінімальне замовлення: 1664

MJE200STU

Description: ONSEMI - MJE200STU - MJE200STU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 99932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3840+	12.26 грн

Мінімальне замовлення: 3840

MJE200TS

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE200TSTU

товар відсутній

MJE200TSTU

Trans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail

товар відсутній

MJE210

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE210

Description: TRANS PNP 25V 5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE210

Trans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

товар відсутній

MJE210

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP

товар відсутній

MJE210

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE210

05+06+

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE210

Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplifier

товар відсутній

MJE210-STU

на замовлення 176 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE210G

Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP

на замовлення 1442 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.51 грн
10+	48.84 грн
100+	33.06 грн
500+	25.97 грн
1000+	20.81 грн
3000+	20.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE210G

Description: ONSEMI - MJE210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1618 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	63.18 грн
15+	52.1 грн
100+	37.09 грн
500+	27.06 грн
1000+	19.5 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	33.89 грн
19+	31.82 грн

Мінімальне замовлення: 17

MJE210G

Description: TRANS PNP 40V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 4339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.77 грн
10+	49.35 грн
100+	34.14 грн
500+	26.77 грн
1000+	22.79 грн
2000+	20.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE210G

Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE210N

LIGHTNING

TO126 08+

на замовлення 70000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE210STU

Description: TRANS PNP 25V 5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 59826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	65.22 грн

Мінімальне замовлення: 300

MJE210STU

Description: ONSEMI - MJE210STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 58948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1920+	15.31 грн

Мінімальне замовлення: 1920

MJE210STU

товар відсутній

MJE210STU

Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE210STU

на замовлення 5250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE210STU

на замовлення 59826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

550+	65.22 грн

Мінімальне замовлення: 550

MJE210STU

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

на замовлення 4256 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE210STU-FS

Description: TRANS PNP 25V 5A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJE210T

Description: TRANS PNP 40V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJE210TG

Description: TRANS PNP 40V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 10150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1158+	18.64 грн

Мінімальне замовлення: 1158

MJE210TG

Trans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE210TG

Description: TRANS PNP 40V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJE210TG

Description: ONSEMI - MJE210TG - MJE210TG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 10150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1400+	23.78 грн

Мінімальне замовлення: 1400

MJE2360T

на замовлення 261 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE243

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE243
Код товару: 41963

товар відсутній

MJE243

Description: ONSEMI - MJE243 - TRANS NPN 100V 4A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE243

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN

товар відсутній

MJE243

Description: TRANS NPN 100V 4A TO225AA

товар відсутній

MJE243

Trans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE243G

Description: TRANS NPN 100V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 5034 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.04 грн
10+	44.03 грн
100+	30.5 грн
500+	23.92 грн
1000+	20.36 грн
2000+	18.13 грн
5000+	16.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	19.09 грн

Мінімальне замовлення: 17

MJE243G

NPN 4A 100V 15W MJE243G TMJE243
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 980 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	15.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJE243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE243G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN

на замовлення 1941 шт:

термін постачання 126-135 дні (днів)

6+	55.35 грн
10+	43.2 грн
100+	27.89 грн
500+	22.99 грн
1000+	18.68 грн
2500+	18.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE243G

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 15...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 44 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	72.69 грн
9+	29.41 грн
25+	25.51 грн
52+	18.8 грн
141+	17.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	43.6 грн
15+	39.47 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJE243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE243G

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	60.58 грн
15+	23.6 грн
25+	21.26 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE243G

Description: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

товар відсутній

MJE243G

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE243MJE253

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE253

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP

товар відсутній

MJE253

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE253
Код товару: 41964

товар відсутній

MJE253

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE253G

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 15...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 472 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	106.14 грн
7+	38.7 грн
25+	32.88 грн
34+	28.41 грн
93+	26.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE253G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	24.96 грн
1000+	18.61 грн

Мінімальне замовлення: 500

MJE253G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE253G

Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP

на замовлення 16455 шт:

термін постачання 162-171 дні (днів)

7+	47.46 грн
10+	40.46 грн
100+	27.36 грн
500+	22.73 грн
1000+	18.55 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE253G

на замовлення 472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	88.45 грн
12+	31.06 грн
25+	27.4 грн
34+	23.67 грн
93+	22.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE253G

Description: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE253G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	27.14 грн
1000+	20.24 грн

Мінімальне замовлення: 500

MJE253G

Description: TRANS PNP 100V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE253G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	19.09 грн

Мінімальне замовлення: 500

MJE253G

Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE270

Bipolar Transistors - BJT 2A 100V Bipolar

товар відсутній

MJE270

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE270

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE270

на замовлення 2664 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE270G

Description: ONSEMI - MJE270G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 2 A, 15 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 6MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Verlustleistung, NPN: 15W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 111 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	64 грн
14+	53.89 грн
100+	34.04 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE270G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN

на замовлення 5036 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.96 грн
10+	50.59 грн
100+	30.35 грн
500+	25.97 грн
1000+	22.13 грн
5000+	19.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE270G

MJE270G NPN THT Darlington transistors

на замовлення 183 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

7+	41.92 грн
39+	25.1 грн
106+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE270G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	36.36 грн
18+	32.94 грн
100+	26.29 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJE270G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE270G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE270G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE270G

Trans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE270G

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.47 грн
10+	45.48 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE270TG

2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor

товар відсутній

MJE270TG

Description: TRANS NPN DARL 100V 2A TO126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

на замовлення 791 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.62 грн
50+	45.4 грн
100+	32.95 грн
500+	25.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE270TG

Darlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor

товар відсутній

MJE271

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

товар відсутній

MJE271

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE271

на замовлення 14408 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE271

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE271G

Trans Darlington PNP 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE271G

на замовлення 9677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	28.46 грн

Мінімальне замовлення: 701

MJE271G

на замовлення 7478 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE271G

Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP

товар відсутній

MJE271G

Description: ONSEMI - MJE271G - MJE271G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	41.48 грн

Мінімальне замовлення: 1000

MJE271G

товар відсутній

MJE2801T PBFREE

Bipolar Transistors - BJT LEADED POWER TRANSIS GEN PUR T0-220

на замовлення 212 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.01 грн
10+	238.5 грн
25+	196.12 грн
100+	170.28 грн
500+	144.44 грн
1000+	119.26 грн
2500+	114.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE2801T TIN/LEAD

MJE2801T TIN/LEAD

товар відсутній

MJE2801T TIN/LEAD

Bipolar Transistors - BJT NPN 10A 75W 60Vcbo 60Vceo 3.0A

товар відсутній

MJE2955

FSC

09+ TSSOP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE2955
Код товару: 24030

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 2 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 70 V
Iк, А: 10 А
h21,max: 100

товар відсутній

MJE2955

MOT

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE2955-BP

Description: TRANS PNP 60V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE2955/3055

08+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE2955ET4

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE2955T

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 90W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	61.69 грн
10+	36.17 грн
25+	30.16 грн
32+	25.65 грн
86+	24.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE2955T

Биполярный транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А

на замовлення 1 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	276.5 грн
10+	63.66 грн

MJE2955T

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 14218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	53.13 грн
13+	46.52 грн
100+	39.12 грн
500+	33.55 грн
1000+	26.09 грн
2000+	24.62 грн
5000+	23.68 грн
10000+	22.81 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJE2955T

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE2955T

Description: STMICROELECTRONICS - MJE2955T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	84.73 грн
12+	66.08 грн
100+	47.72 грн
500+	37.55 грн
1000+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJE2955T

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE2955T

Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch

на замовлення 718 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.07 грн
10+	61.8 грн
100+	42.6 грн
500+	35.58 грн
1000+	29.42 грн
2000+	27.7 грн
5000+	26.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE2955T

на замовлення 435 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	74.03 грн
6+	45.07 грн
25+	36.19 грн
32+	30.79 грн
86+	29.1 грн
500+	28.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE2955T

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 14218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

233+	49.87 грн
277+	41.94 грн
500+	37.29 грн
1000+	30.21 грн
2000+	27.48 грн
5000+	25.38 грн
10000+	24.45 грн

Мінімальне замовлення: 233

MJE2955T

Description: TRANS PNP 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W

на замовлення 2908 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	73.11 грн
50+	56.35 грн
100+	44.66 грн
500+	35.52 грн
1000+	28.94 грн
2000+	27.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE2955T

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 14218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	18.55 грн

Мінімальне замовлення: 17

MJE2955T

PNP 10A 60V 75W MJE2955T TMJE2955t
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 40 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	22.97 грн

Мінімальне замовлення: 30

MJE2955T

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

177+	65.89 грн
226+	51.59 грн
500+	44.11 грн
1000+	33.91 грн

Мінімальне замовлення: 177

MJE2955T

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	74.51 грн
10+	61.19 грн
100+	47.91 грн
500+	39.49 грн
1000+	29.15 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE2955T
Код товару: 57977

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 2 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 70 V
Iк, А: 10 А

у наявності 55 шт:

31 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса

1+	27.5 грн
10+	24.8 грн

MJE2955T

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP

товар відсутній

MJE2955TG

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	54.72 грн
13+	44.28 грн
100+	38.41 грн
500+	32.69 грн
1000+	26.97 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJE2955TG

Description: TRANS PNP 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W

на замовлення 624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.52 грн
50+	54.14 грн
100+	42.9 грн
500+	34.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE2955TG

на замовлення 725 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE2955TG

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	54.58 грн
14+	44.18 грн
100+	38.34 грн
500+	32.63 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJE2955TG

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

244+	47.68 грн
281+	41.37 грн
500+	36.5 грн
1000+	31.36 грн

Мінімальне замовлення: 244

MJE2955TG

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP

на замовлення 7954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.65 грн
10+	44.35 грн
100+	33.06 грн
500+	29.15 грн
1000+	25.05 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE2955TG

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE2955TG

Description: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

товар відсутній

MJE2955TG

Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	47.58 грн
282+	41.29 грн
500+	36.44 грн

Мінімальне замовлення: 245

MJE2955TMJE3055T

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE2955TTU

Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon

товар відсутній

MJE2955TTU

Trans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

MJE2955TTU

Fairchild

PNP 60V 10A 0.6W 2MHz MJE2955TTU Fairchild TMJE2955t FAI
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	25.36 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE2955TTU

Trans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

MJE2955TTU

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE2955TTU

Description: TRANS PNP 60V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W

товар відсутній

MJE2955TTU-ON

Description: TRANS PNP 60V 10A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW

товар відсутній

MJE2955TTU_Q

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE3055

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE3055-BP

Description: TRANS NPN 60V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE3055/2955T

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE3055T

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	18.55 грн

Мінімальне замовлення: 17

MJE3055T

NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 150 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	21.95 грн

Мінімальне замовлення: 30

MJE3055T

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	53.39 грн
13+	46.17 грн
100+	37.4 грн
500+	33.6 грн
1000+	25.45 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJE3055T

Description: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 4723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.19 грн
11+	67.64 грн
100+	50.54 грн
500+	41.89 грн
1000+	31.85 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJE3055T

Description: TRANS NPN 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W

товар відсутній

MJE3055T

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 327 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	74.92 грн
6+	43.26 грн
10+	35.12 грн
30+	31.9 грн
50+	31.47 грн
83+	30.16 грн
250+	29.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE3055T

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	78.2 грн
10+	62.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE3055T

NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	21.95 грн

Мінімальне замовлення: 30

MJE3055T

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE3055T

Description: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 2MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 10A

на замовлення 3221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	147.17 грн
10+	117.44 грн
100+	83.99 грн
500+	54.59 грн
1000+	36 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE3055T

Description: TRANS NPN 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W

товар відсутній

MJE3055T
Код товару: 190953

JSMICRO

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 A
h21: 100
Монтаж: THT

у наявності 161 шт:

161 шт - склад

1+	22 грн
10+	19.8 грн
100+	17.9 грн

MJE3055T

на замовлення 327 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.44 грн
10+	34.72 грн
12+	29.26 грн
30+	26.59 грн
50+	26.23 грн
83+	25.14 грн
250+	24.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE3055T

Биполярный транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А

на замовлення 1 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	276.5 грн
10+	63.66 грн

MJE3055T

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 2226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

233+	49.85 грн
288+	40.38 грн
500+	37.62 грн
1000+	29.68 грн

Мінімальне замовлення: 233

MJE3055T

Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch

на замовлення 7129 шт:

термін постачання 133-142 дні (днів)

4+	78.07 грн
10+	61.8 грн
100+	42.6 грн
500+	36.57 грн
1000+	31.87 грн
2000+	30.68 грн
5000+	29.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE3055T (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 26410

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 А
h21: 100
Монтаж: THT

товар відсутній

MJE3055TG

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	53.68 грн
13+	47.22 грн
100+	35.89 грн
500+	28.12 грн
1000+	21.57 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJE3055TG

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

229+	50.85 грн
301+	38.66 грн
500+	31.4 грн
1000+	25.08 грн

Мінімальне замовлення: 229

MJE3055TG

Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN

на замовлення 17425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.18 грн
10+	45.03 грн
100+	30.48 грн
500+	22.79 грн
1000+	21.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE3055TG

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1450+	24.43 грн

Мінімальне замовлення: 1450

MJE3055TG

на замовлення 1050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE3055TG

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE3055TG

Description: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	61.32 грн
15+	51.73 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJE3055TG

Description: TRANS NPN 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W

на замовлення 5901 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.21 грн
50+	46.52 грн
100+	36.86 грн
500+	29.32 грн
1000+	23.88 грн
2000+	22.48 грн
5000+	21.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE3055TG

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

400+	29.07 грн

Мінімальне замовлення: 400

MJE3055TG

Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1450+	26.93 грн

Мінімальне замовлення: 1450

MJE3055TL

на замовлення 1898 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE3055TTU

Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor

на замовлення 2024 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE3055TTU

Trans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

MJE3055TTU

Description: TRANS NPN 60V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W

товар відсутній

MJE3055TTU

Trans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	55.07 грн
13+	46.15 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 10410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	51.09 грн
14+	42.46 грн
100+	29.45 грн
500+	24.01 грн
1000+	17.1 грн
2500+	16.22 грн
10000+	13.87 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	50.22 грн
14+	41.7 грн
100+	28.87 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE340

Description: STMICROELECTRONICS - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 15172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	59.24 грн
16+	47.12 грн
100+	31.14 грн
500+	24.16 грн
1000+	15.99 грн
5000+	15.67 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJE340

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20.8W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20.8W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube

на замовлення 1570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.48 грн
10+	39.34 грн
25+	34.72 грн
45+	18.01 грн
123+	17.05 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE340
Код товару: 174065

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT

у наявності 261 шт:

204 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	9 грн
10+	8 грн
100+	7.2 грн

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

товар відсутній

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

товар відсутній

MJE340

Транзистор NPN; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; hFE = 240 @ Ic = 50 mA, Vce = 10 V; Icutoff-max = 100 мкА; Р, Вт = 20 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3

на замовлення 15 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

15+	41.61 грн
100+	13.29 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	44.9 грн
374+	31.09 грн

Мінімальне замовлення: 259

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE340

Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	51.79 грн
10+	42.21 грн
100+	26.7 грн
500+	22.33 грн
1000+	18.95 грн
2000+	16.83 грн
4000+	15.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

товар відсутній

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 10410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	13.6 грн

Мінімальне замовлення: 23

MJE340

на замовлення 1570 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	54.19 грн
10+	47.21 грн
25+	41.66 грн
45+	21.62 грн
123+	20.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE340

Description: MULTICOMP PRO - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: -
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4094 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	72.54 грн
13+	58.05 грн
100+	41.48 грн
500+	26.92 грн
1000+	17.78 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJE340

Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W

на замовлення 1689 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.3 грн
50+	37.97 грн
100+	27.57 грн
500+	21.61 грн
1000+	18.39 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 10388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

254+	45.8 грн
366+	31.77 грн
500+	26.86 грн
1000+	19.92 грн
2500+	18.22 грн
10000+	14.96 грн

Мінімальне замовлення: 254

MJE340

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE340

HOTTECH

NPN 500mA 300V 21W MJE340 CDIL TMJE340
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 174 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJE340 (Hottech)
Код товару: 189369

Hottech

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT

товар відсутній

MJE340 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 128645

CDIL

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT

товар відсутній

MJE340 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 29960

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A

товар відсутній

MJE340 PBFREE

Bipolar Transistors - BJT . .

товар відсутній

MJE340 TIN/LEAD

Bipolar Transistors - BJT 300Vcbo 300Vceo 3.0Vebo 500mA 20.8W

товар відсутній

MJE340/350

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE340F

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 29535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	14.22 грн

Мінімальне замовлення: 22

MJE340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE340G

Transistor NPN; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE340; MJE340STU; KSE340; KSE340STU; MJE340G JSMICRO TMJE340 JSM
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	11.06 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE340G

Description: ONSEMI - MJE340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 23681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	49.13 грн
19+	40.29 грн
100+	30.7 грн
500+	19.6 грн
1000+	13.32 грн
5000+	13.06 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJE340G

Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W NPN

на замовлення 38033 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.13 грн
10+	36.57 грн
100+	22 грн
500+	18.35 грн
1000+	13.91 грн
3000+	13.85 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE340G

Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 7823 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.14 грн
10+	33.34 грн
100+	23.07 грн
500+	18.09 грн
1000+	15.4 грн
2000+	13.71 грн
5000+	12.78 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 14535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	33.76 грн
20+	30.23 грн
500+	19.07 грн
1000+	16.09 грн
3000+	12.63 грн

Мінімальне замовлення: 18

MJE340G
Код товару: 112487

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT

товар відсутній

MJE340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE340G

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 505 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

8+	33.63 грн
10+	29.33 грн
25+	24.93 грн
43+	22.5 грн
100+	22.28 грн
117+	21.27 грн
500+	20.95 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE340G

на замовлення 505 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	28.02 грн
15+	23.54 грн
25+	20.77 грн
43+	18.75 грн
100+	18.57 грн
117+	17.72 грн
500+	17.46 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJE340G

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 14526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

357+	32.6 грн
565+	20.56 грн
1000+	17.99 грн
3000+	14.71 грн

Мінімальне замовлення: 357

MJE340G

NPN 500mA 300V 20W MJE340G ONS TMJE340 ONS
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 440 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	16.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

MJE340G/MJE350G

TO-225 10+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE340MJE350

FSCST

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE340STU

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE340STU

Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJE340STU

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE340STU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

товар відсутній

MJE340STU

Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE3439

Description: ONSEMI - MJE3439 - TRANS NPN 350V 0.3A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

MJE3439

Description: TRANS PWR NPN .3A 350V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2219+	9.27 грн

Мінімальне замовлення: 2219

MJE3439

на замовлення 1705 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE3439G

Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE3439G

Bipolar Transistors - BJT 0.3A 350V 15W NPN

на замовлення 1634 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE3439G

Description: TRANS NPN 350V 0.3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W

товар відсутній

MJE3439G

Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	38.07 грн
17+	34.16 грн
100+	25.91 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJE3439G

на замовлення 213 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE3439G

Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	14.6 грн

Мінімальне замовлення: 40

MJE3439G

Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE3439G

Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE344

Bipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN

товар відсутній

MJE344

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE344

Description: TRANS NPN 200V 500MA TO225AA

товар відсутній

MJE344

TO-126

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE3440

Bipolar Transistors - BJT NPN Fast Switching

товар відсутній

MJE3440

TO-126

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE3440

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE344G

Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	41.76 грн
16+	36.07 грн
100+	28.32 грн

Мінімальне замовлення: 14

MJE344G

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE344G

Bipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN

на замовлення 1494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE344G

Description: TRANS NPN 200V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJE344G

Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 2794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	36.23 грн
18+	32.03 грн
100+	25.99 грн
500+	21.05 грн
1000+	15.79 грн
2500+	12.23 грн

Мінімальне замовлення: 16

MJE344G

Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE344G

Trans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE344G

на замовлення 175 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE350

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 24531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	44.1 грн
367+	31.65 грн
500+	27.13 грн
1000+	22.47 грн
2000+	15.71 грн
4000+	14.93 грн
10000+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 264

MJE350

Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W

на замовлення 3839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.59 грн
50+	36.81 грн
100+	26.72 грн
500+	20.95 грн
1000+	17.83 грн
2000+	15.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE350

PNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	16.88 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE350

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 24567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	18.4 грн

Мінімальне замовлення: 17

MJE350

Description: STMICROELECTRONICS - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

на замовлення 5313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	59.24 грн
16+	46.75 грн
100+	30.77 грн
500+	23.88 грн
1000+	16.25 грн
5000+	15.93 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJE350

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 4362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	49.17 грн
15+	40.8 грн
100+	29.1 грн
500+	24.01 грн
1000+	19.06 грн
2000+	15.18 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE350

STMicroelectronics NV

PNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20.8Вт, SOT-32 (компл. MJE340)

на замовлення 3724 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

MJE350
Код товару: 34450

Fairchild

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Uке, В: 300 V
Uкб, В: 300 V
Iк, А: 0,5 A

товар відсутній

MJE350

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 24567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	49.05 грн
15+	40.88 грн
100+	29.34 грн
500+	24.25 грн
1000+	19.29 грн
2000+	13.99 грн
4000+	13.84 грн
10000+	13.7 грн

Мінімальне замовлення: 12

MJE350

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube

на замовлення 2170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.37 грн
10+	37.06 грн
11+	33.96 грн
25+	31.06 грн
55+	14.63 грн
151+	13.8 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJE350

PNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 90 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	16.88 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE350

Description: MULTICOMP PRO - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	75.81 грн
13+	60.8 грн
100+	43.41 грн
500+	28.23 грн
1000+	18.6 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJE350

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

товар відсутній

MJE350

Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power

на замовлення 4106 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.85 грн
10+	39.77 грн
100+	25.44 грн
500+	21.53 грн
1000+	18.82 грн
2000+	16.1 грн
4000+	15.97 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE350

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

на замовлення 4362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

265+	43.94 грн
371+	31.34 грн
500+	26.81 грн
1000+	22.17 грн
2000+	17.03 грн

Мінімальне замовлення: 265

MJE350

на замовлення 2170 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	46.19 грн
10+	40.75 грн
25+	37.27 грн
55+	17.56 грн
151+	16.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE350 = KSE350STU
Код товару: 30696

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-127
Uке, В: 300 V
Uкб, В: 300 V
Iк, А: 0,5 A

товар відсутній

MJE350G

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk

товар відсутній

MJE350G

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

281+	41.34 грн
402+	28.95 грн
500+	24.14 грн
1000+	17.87 грн

Мінімальне замовлення: 281

MJE350G

Транзистор PNP; Ptot, Вт = 20; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 30 (при 50 мА, 10 В); Тексп, °С = -65...+150; TO-225AA

на замовлення 60 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

46+	13.57 грн
50+	12.67 грн
100+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 46

MJE350G

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	17.7 грн

Мінімальне замовлення: 18

MJE350G

Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP

на замовлення 25052 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	38.81 грн
10+	34.29 грн
100+	22.73 грн
500+	19.61 грн
1000+	16.17 грн
3000+	15.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE350G

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	21.27 грн

Мінімальне замовлення: 30

MJE350G
Код товару: 112488

товар відсутній

MJE350G

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE350G

Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W

на замовлення 1356 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.74 грн
10+	40.72 грн
100+	28.2 грн
500+	22.11 грн
1000+	18.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE350G

товар відсутній

MJE350G

Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 20W
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 500mA

на замовлення 5481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.36 грн
22+	34.86 грн
100+	29.14 грн
500+	20.36 грн
1000+	17.01 грн
5000+	15.23 грн

Мінімальне замовлення: 19

MJE350G

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	40.34 грн
16+	38.33 грн
100+	26.84 грн
500+	21.58 грн
1000+	15.34 грн

Мінімальне замовлення: 15

MJE350G

Transistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	11.06 грн

Мінімальне замовлення: 50

MJE350MJE340

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE350STU

Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

товар відсутній

MJE350STU

Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJE350STU

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE350STU

Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

товар відсутній

MJE350STU-FS

Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W

товар відсутній

MJE350 /MJE340

09+

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE371

09+

на замовлення 20148 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE371

Description: ONSEMI - MJE371 - TRANS PNP 40V 4A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE371

Description: TRANS PNP 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE371 PBFREE

Bipolar Transistors - BJT PNP GP

на замовлення 512 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.19 грн
10+	131.82 грн
25+	108.66 грн
100+	92.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE371 TIN/LEAD

Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W

товар відсутній

MJE371(транзистор)
Код товару: 92550

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

MJE371G

Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE371G

Description: TRANS PNP 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W

на замовлення 581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.37 грн
10+	53.35 грн
500+	35.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE371G

Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1129 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	62.96 грн
238+	48.81 грн
500+	41.09 грн
1000+	31.47 грн

Мінімальне замовлення: 185

MJE371G

Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE371G

Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1129 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	71.7 грн
10+	58.46 грн
100+	50.04 грн
500+	36.79 грн
1000+	28.17 грн

Мінімальне замовлення: 9

MJE371G
Код товару: 131917

товар відсутній

MJE371G

Trans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	38.62 грн

Мінімальне замовлення: 500

MJE371G

Bipolar Transistors - BJT 4A 40V 40W PNP

на замовлення 3205 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.36 грн
10+	59.2 грн
100+	46.31 грн
500+	33.92 грн
1000+	28.29 грн
5000+	27.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE3O55T

на замовлення 8658 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE4343

Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN

товар відсутній

MJE4343

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE4343

Description: TRANS NPN 160V 16A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W

товар відсутній

MJE4343

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE4343G

Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

MJE4343G

Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

MJE4343G

Description: TRANS NPN 160V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.83 грн
30+	249.59 грн

MJE4343G

Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

MJE4343G

Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

MJE4343G

Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	354.81 грн
10+	294.12 грн
30+	241.84 грн
120+	206.73 грн
300+	183.53 грн
600+	162.99 грн

MJE4343G

Trans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

MJE4353

Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP

товар відсутній

MJE4353

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

MJE4353

Description: TRANS PNP 160V 16A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W

товар відсутній

MJE4353

Description: ONSEMI - MJE4353 - TRANSISTOR, PNP TO-218
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE4353G
Код товару: 106227

товар відсутній

MJE4353G

Bipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP

товар відсутній

MJE4353G

Description: TRANS PNP 160V 16A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W

товар відсутній

MJE4353G

Trans GP BJT PNP 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

MJE5050

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE520

на замовлення 1402 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE520

Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126

товар відсутній

MJE520 PBFREE

Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126
Packaging: Tube
Part Status: Last Time Buy

товар відсутній

MJE520 PBFREE

Trans GP BJT NPN 30V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126

товар відсутній

MJE520 PBFREE

Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W

на замовлення 2811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.57 грн
10+	61.64 грн
25+	50.89 грн
100+	41.81 грн
500+	34.52 грн
1000+	27.17 грн
2000+	24.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE520 TIN/LEAD

Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W

товар відсутній

MJE521

Description: TRANS NPN 40V 4A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE521

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE521

Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

товар відсутній

MJE521 PBFREE

Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W

товар відсутній

MJE521 PBFREE

Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126

товар відсутній

MJE521 TIN/LEAD

Bipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W

товар відсутній

MJE521(транзистор)
Код товару: 92551

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

MJE521G

Description: ONSEMI - MJE521G - MJE521G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE521G

Description: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE5730

Bipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP

товар відсутній

MJE5730

Description: TRANS PNP 300V 1A TO220AB

товар відсутній

MJE5730

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE5730G

Description: ONSEMI - MJE5730G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	95.14 грн
11+	72.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE5730G

05+06+

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE5730G
Код товару: 171586

товар відсутній

MJE5730G

Trans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5730G

Bipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP

на замовлення 4313 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.4 грн
10+	78.48 грн
100+	53.01 грн
500+	44.92 грн
1000+	36.57 грн
3000+	35.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE5730G

Trans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5730G

Description: TRANS PNP 300V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 40 W

на замовлення 4352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.31 грн
50+	69.94 грн
100+	55.43 грн
500+	44.09 грн
1000+	35.92 грн
2000+	33.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE5731

Bipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP

товар відсутній

MJE5731

Description: TRANS PNP 350V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE5731

на замовлення 1556 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE5731A
Код товару: 151453

товар відсутній

MJE5731A

Bipolar Transistors - BJT 1A 375V 40W PNP

товар відсутній

MJE5731A

Description: TRANS PNP 375V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE5731AG

Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5731AG

Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	79.04 грн
10+	68.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE5731AG

Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5731AG

Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE5731AG

Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 375V

на замовлення 1765 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE5731AG

Description: TRANS PNP 375V 1A TO220AB

товар відсутній

MJE5731AG

Description: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	94.4 грн
11+	72.77 грн
100+	52.92 грн

Мінімальне замовлення: 8

MJE5731AG

Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5731G

Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	107.69 грн
10+	91.27 грн
100+	70.35 грн
500+	60.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE5731G

Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJE5731G

Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	72.36 грн
196+	59.37 грн

Мінімальне замовлення: 161

MJE5731G

Bipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP

на замовлення 2229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.03 грн
10+	58.98 грн
100+	41.94 грн
500+	36.57 грн
1000+	31.14 грн
3000+	30.68 грн
5000+	29.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

MJE5731G

Description: TRANS PNP 350V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE5731G

Description: ONSEMI - MJE5731G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	67.94 грн
14+	55.6 грн
100+	43.48 грн
500+	31.96 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJE5731G

Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	83.72 грн
10+	74.05 грн
100+	60.75 грн

Мінімальне замовлення: 7

MJE5731G

Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

119+	98.29 грн
154+	75.76 грн
500+	67.04 грн

Мінімальне замовлення: 119

MJE5740

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE5740

Darlington Transistors 8A 300V Bipolar

товар відсутній

MJE5740G

Darlington Transistors 8A 300V Bipolar Power NPN

товар відсутній

MJE5740G

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN

товар відсутній

MJE5741

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE5742

Darlington Transistors 8A 400V Bipolar

товар відсутній

MJE5742

Description: TRANS NPN DARL 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W

товар відсутній

MJE5742

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE5742G

Trans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5742G

Description: TRANS NPN DARL 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.38 грн
50+	85.35 грн
100+	70.23 грн
500+	55.77 грн
1000+	47.32 грн
2000+	44.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE5742G

NPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	67.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJE5742G

Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 400V; 8A; 2W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJE5742G

Trans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5742G

NPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 4 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	67.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJE5742G

товар відсутній

MJE5742G

Trans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE5742G

Trans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE5742G

Darlington Transistors 8A 400V Bipolar Power NPN

на замовлення 10279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.63 грн
10+	80.77 грн
100+	61.22 грн
250+	55.72 грн
500+	51.35 грн
700+	44.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

MJE5742G

NPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 42 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	67.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJE5742G

Description: ONSEMI - MJE5742G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 400 V, 100 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	130.82 грн
10+	96.63 грн
100+	75.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

MJE5742G

NPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 150 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	67.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

MJE5850

Bipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP

товар відсутній

MJE5850

Description: TRANS PNP 300V 8A TO220AB

на замовлення 486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

301+	66.86 грн

Мінімальне замовлення: 301

MJE5850

04+

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE5850

Description: ONSEMI - MJE5850 - MJE5850, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE5850

Description: TRANS PNP 300V 8A TO220AB

товар відсутній

MJE5850G

Trans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5850G

Trans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5850G

Trans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5850G

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 30

товар відсутній

MJE5850G

Trans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5850G

Bipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE5850G

Description: TRANS PNP 300V 8A TO220AB

товар відсутній

MJE5851

Description: TRANS PNP 350V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W

товар відсутній

MJE5851

Bipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP

товар відсутній

MJE5851G

Trans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	215.02 грн
10+	180.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE5851G

Bipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP

на замовлення 1051 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	289.88 грн
10+	256.78 грн
50+	210.7 грн
100+	182.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE5851G

Trans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5851G

товар відсутній

MJE5851G
Код товару: 180290

товар відсутній

MJE5851G

Trans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

MJE5852

Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP

товар відсутній

MJE5852

Description: TRANS PNP 400V 8A TO220

товар відсутній

MJE5852
Код товару: 103964

товар відсутній

MJE5852

09+

на замовлення 12018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE5852

Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage

товар відсутній

MJE5852

Description: TRANS PNP 400V 8A TO220

товар відсутній

MJE5852

08+ TSSOP

на замовлення 736 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE5852G

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

MJE5852G

Description: ONSEMI - MJE5852G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	256.43 грн
10+	180.62 грн
100+	159.81 грн
500+	128.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE5852G

Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

MJE5852G

товар відсутній

MJE5852G

Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	199.92 грн
10+	191.64 грн
50+	112.64 грн
100+	107.54 грн
250+	98.59 грн
400+	93.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE5852G

Description: TRANS PNP 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W

на замовлення 411 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	218.6 грн
50+	166.54 грн
100+	142.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE5852G

Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

MJE5852G

Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

товар відсутній

MJE5852G

Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP

на замовлення 1348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	231.13 грн
10+	217.16 грн
50+	157.03 грн
100+	135.83 грн
250+	135.17 грн
400+	103.36 грн
1200+	101.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

MJE5852G
Код товару: 115058

товар відсутній

MJE5852G

Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

450+	116.03 грн

Мінімальне замовлення: 450

MJE6040

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE6043

на замовлення 297 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE6044

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE6353

INTEL

QFP

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE700

Description: TRANS PNP 60V 4A TO225AA

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

MJE700

MOT

2002 TO-126

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE700

Darlington Transistors 4A 60V Bipolar

товар відсутній

MJE700-STU

на замовлення 37200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE700G

Darlington Transistors 4A 60V Bipolar Power PNP

на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE700G

Trans Darlington PNP 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk

товар відсутній

MJE700G

Trans Darlington PNP 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk

товар відсутній

MJE700G

Description: TRANS PNP DARL 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE700GMJE702G

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE700STU

Description: TRANS PNP DARL 60V 4A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE701-Y

на замовлення 1914 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE701STU

Description: TRANS PNP DARL 60V 4A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE702

Description: TRANS PNP 80V 4A TO225AA

товар відсутній

MJE702

Darlington Transistors 4A 80V Bipolar

товар відсутній

MJE702G

Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE702G

Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

199+	58.44 грн

Мінімальне замовлення: 199

MJE702G

Darlington Transistors 4A 80V Bipolar Power PNP

товар відсутній

MJE702G

Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

товар відсутній

MJE702G

Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	54.26 грн

Мінімальне замовлення: 11

MJE702STU

Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE702STU

Darlington Transistors PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor

товар відсутній

MJE703

Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE703

Darlington Transistors 4A 80V Bipolar

товар відсутній

MJE703

09+

на замовлення 68 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE703G

Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk

товар відсутній

MJE703G

Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk

товар відсутній

MJE703G

Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W

на замовлення 9939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

788+	24.83 грн

Мінімальне замовлення: 788

MJE703G

Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk

товар відсутній

MJE703G

Description: ONSEMI - MJE703G - TRANS, PNP, 80V, 4A, 150DEG C, 40W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	36.94 грн

Мінімальне замовлення: 1000

MJE703G

Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE703G

Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk

товар відсутній

MJE703G

Darlington Transistors 4A 80V Bipolar Power PNP

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

MJE703STU

Darlington Transistors PNP Si Transistor Epitaxial Darlington

товар відсутній

MJE703STU

Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE720

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE7542

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE800

Darlington Transistors 4A 60V Bipolar

товар відсутній

MJE800

Транзистор складений Дарлінгтона; Тип стр. = NPN; Uceo, В = 60; Ic = 4; hFE = 750 @ 2 A, 3 V; Icutoff-max = 100; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,8 @ 2 A, 40 mA; Р, Вт = 40 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3

на замовлення 45 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

45+	13.87 грн
100+	9.42 грн

Мінімальне замовлення: 45

MJE800

Description: TRANS NPN 60V 4A TO225AA

товар відсутній

MJE800-STU

на замовлення 16200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

MJE800G

Trans Darlington NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	47.27 грн
16+	38.33 грн

Мінімальне замовлення: 13

MJE800G

Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W

товар відсутній

MJE800G