Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXF1002ECLEVELONEBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF1002ECLEVEL ONE09+ .
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF1002EDRochester Electronics, LLCDescription: IXF1002ED
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11086.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXF1002ED-GRochester Electronics, LLCDescription: IXF1002ED-G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10943.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXF1024ECINTEL
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF1024ECA2INTERSIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF102AIconDescription: HEADLIGHT LED 5/50LM AA(1)
товар відсутній
IXF1104CEINTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF1104CEMOTBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF1104CEINTELTO92
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF1104CE.BOINTELBGA 0612+
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF150N10IXYSMODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF18203EC B1INTELBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF30003INTEL02+ BGA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF3208BE COINTELBGA
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF6012EE B1LEVELONEBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF6012EE B1INTER09+ BGA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF6012EEB1INTEL04+ BGA
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF611P1IXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP
товар відсутній
IXF611S1IXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC
товар відсутній
IXF611S1T/RIXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC
товар відсутній
IXF6151BE A2INTEL01+
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF6401BEC-7LEVELONEBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF6401BEC7A1835148IntelDescription: IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXF6402BEC B4LEVELONEBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF6402BEC B4INTER09+ BGA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFA102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK
товар відсутній
IXFA10N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA10N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA10N60PIXYSMOSFET 600V 10A
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.61 грн
10+ 270.5 грн
50+ 202.09 грн
100+ 172.93 грн
250+ 168.3 грн
500+ 146.43 грн
1000+ 133.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA10N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
товар відсутній
IXFA10N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.79 грн
50+ 209.32 грн
100+ 179.42 грн
500+ 149.67 грн
1000+ 128.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA10N60P-TRLIXYSMOSFET 600V 10A
товар відсутній
IXFA10N60P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.79 грн
10+ 221.76 грн
100+ 179.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA10N60P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
IXFA10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA10N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFA10N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA10N80PIXYSMOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 10121 шт:
термін постачання 685-694 дні (днів)
1+323.89 грн
50+ 252.97 грн
IXFA10N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA10N80P-TRLIXYSMOSFET IXFA10N80P TRL
товар відсутній
IXFA10N80P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA10N80PTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA110N15T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 85ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+427.24 грн
3+ 370.69 грн
4+ 283.25 грн
10+ 268.35 грн
IXFA110N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA110N15T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+356.03 грн
3+ 297.47 грн
4+ 236.04 грн
10+ 223.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA110N15T2IXYSMOSFET 110Amps 150V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.08 грн
10+ 391.65 грн
50+ 288.89 грн
100+ 272.98 грн
250+ 259.73 грн
500+ 250.46 грн
IXFA110N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA110N15T2-TRLIXYSMOSFET IXFA110N15T2 TRL
товар відсутній
IXFA110N15T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA12N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA12N50PIXYSMOSFET 500V 12A
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.61 грн
10+ 246.88 грн
50+ 176.25 грн
100+ 154.38 грн
250+ 151.73 грн
500+ 144.44 грн
1000+ 133.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA12N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA12N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.05 грн
3+ 202.92 грн
5+ 161.5 грн
14+ 152.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA12N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 277 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+291.66 грн
3+ 252.86 грн
5+ 193.8 грн
14+ 183.04 грн
IXFA12N50P TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA12N50P-TRLIXYSMOSFET IXFA12N50P TRL
товар відсутній
IXFA12N50P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA12N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 155ns
товар відсутній
IXFA12N65X2IXYSMOSFET 650V/12A TO-263
товар відсутній
IXFA12N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 25 V
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.11 грн
50+ 216.33 грн
100+ 185.42 грн
500+ 154.68 грн
1000+ 132.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA12N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 155ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA12N65X2-TRLIXYSMOSFET IXFA12N65X2 TRL
товар відсутній
IXFA12N65X2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IXFA130N10TIXYSMOSFET 130 Amps 100V
товар відсутній
IXFA130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFA130N10T2IXYSMOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.51 грн
10+ 320.03 грн
50+ 232.57 грн
IXFA130N10T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.22 грн
50+ 271.71 грн
100+ 232.9 грн
IXFA130N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 10.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+274.72 грн
3+ 237.38 грн
10+ 213.68 грн
50+ 208.71 грн
IXFA130N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 10.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.93 грн
3+ 190.49 грн
10+ 178.07 грн
50+ 173.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA130N10T2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA130N10T2-TRLIXYSMOSFET IXFA130N10T2 TRL
товар відсутній
IXFA130N10T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
товар відсутній
IXFA130N15X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+716.58 грн
10+ 638.53 грн
50+ 543.32 грн
100+ 491.63 грн
IXFA130N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+621.41 грн
50+ 478.05 грн
100+ 427.74 грн
500+ 354.19 грн
1000+ 318.77 грн
IXFA130N15X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 80ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.4 грн
IXFA130N15X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 80ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+610.08 грн
3+ 468.74 грн
6+ 426.54 грн
50+ 419.08 грн
IXFA130N15X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA130N15X3TRLIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товар відсутній
IXFA130N15X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA14N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA14N60PIXYSMOSFET 600V 14A
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+361 грн
10+ 298.69 грн
50+ 180.22 грн
100+ 161.01 грн
IXFA14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.86 грн
50+ 257.14 грн
100+ 220.4 грн
IXFA14N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFA14N60P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA14N60P-TRLIXYSMOSFET IXFA14N60P TRL
товар відсутній
IXFA14N60P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXFA14N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 327W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA14N85XHVIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
товар відсутній
IXFA14N85XHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+280.82 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXFA14N85XHVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 460W; TO263HV; 116ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 14A
Power dissipation: 460W
Case: TO263HV
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 116ns
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.51 грн
3+ 251.92 грн
9+ 238.81 грн
10+ 234.66 грн
50+ 229.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA14N85XHVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 460W; TO263HV; 116ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 14A
Power dissipation: 460W
Case: TO263HV
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 116ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+363.02 грн
3+ 313.93 грн
9+ 286.57 грн
10+ 281.6 грн
50+ 275.8 грн
IXFA14N85XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXFA16N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFA16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA16N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA16N50PIXYSMOSFET 500V 16A
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+361 грн
10+ 308.6 грн
50+ 227.27 грн
100+ 210.04 грн
250+ 202.75 грн
500+ 182.87 грн
1000+ 173.6 грн
IXFA16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
товар відсутній
IXFA16N50P-TRLIXYSMOSFET IXFA16N50P TRL
товар відсутній
IXFA16N50P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA16N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+339.83 грн
3+ 295.01 грн
5+ 226.11 грн
12+ 213.68 грн
IXFA16N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.19 грн
3+ 236.73 грн
5+ 188.42 грн
12+ 178.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA16N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товар відсутній
IXFA16N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA
товар відсутній
IXFA16N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.32 грн
3+ 307.82 грн
8+ 291.26 грн
IXFA16N60P3IXYSMOSFET 600V 16A
товар відсутній
IXFA16N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA16N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+554.78 грн
3+ 383.6 грн
8+ 349.51 грн
IXFA180N10T2IXYSMOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 443-452 дні (днів)
1+463.81 грн
10+ 456.42 грн
50+ 317.38 грн
IXFA180N10T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA180N10T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.46 грн
IXFA180N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA180N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
товар відсутній
IXFA180N10T2-TRLIXYSMOSFET IXFA180N10T2 TRL
товар відсутній
IXFA180N10T2-TRLLittelfuseN-Channel Power MOSFET
товар відсутній
IXFA180N10T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA18N60XIXYSMOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
товар відсутній
IXFA18N60XLittelfuseX-CLASS HIPER FET POWER MOSFET
товар відсутній
IXFA18N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO263AA
товар відсутній
IXFA18N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+430.36 грн
3+ 359.59 грн
7+ 340.26 грн
10+ 334.74 грн
50+ 327.84 грн
IXFA18N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+516.43 грн
3+ 448.1 грн
7+ 408.32 грн
10+ 401.69 грн
50+ 393.41 грн
IXFA18N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA18N65X2IXYSMOSFET 650V/18A TO-263
товар відсутній
IXFA18N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA18N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 135ns
товар відсутній
IXFA18N65X3LittelfuseLittelfuse 18A 650V X3 TO263
товар відсутній
IXFA18N65X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 18A 650V X3 TO26
Packaging: Tube
товар відсутній
IXFA20N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товар відсутній
IXFA20N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IXFA20N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.4 грн
3+ 170.48 грн
10+ 158.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA20N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+245.28 грн
3+ 212.44 грн
10+ 190.49 грн
50+ 186.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA20N85XHVIXYSIXFA20N85XHV SMD N channel transistors
товар відсутній
IXFA20N85XHVIXYSMOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+660.15 грн
10+ 587.48 грн
50+ 487 грн
100+ 422.73 грн
500+ 368.39 грн
1000+ 313.4 грн
2500+ 308.1 грн
IXFA20N85XHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 20A TO263
товар відсутній
IXFA20N85XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXFA20N85XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXFA20N85XHV-TRLIXYSMOSFET IXFA20N85XHV TRL
товар відсутній
IXFA20N85XHV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 20A TO263HV
товар відсутній
IXFA20N85XHV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товар відсутній
IXFA220N06T3
Код товару: 147921		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFA220N06T3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 38ns
товар відсутній
IXFA220N06T3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA220N06T3IXYSMOSFET 60V/220A TrenchT3
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.99 грн
10+ 293.36 грн
50+ 247.14 грн
100+ 206.73 грн
250+ 193.47 грн
500+ 175.58 грн
1000+ 147.76 грн
IXFA220N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.08 грн
10+ 255.85 грн
100+ 207.02 грн
IXFA22N60P3IXYSMOSFET MOSFET DISCRETE
товар відсутній
IXFA22N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+257.18 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXFA22N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+326.3 грн
3+ 272.62 грн
4+ 223.62 грн
10+ 211.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA22N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+391.56 грн
3+ 339.73 грн
4+ 268.35 грн
10+ 253.44 грн
IXFA22N65X2IXYSMOSFET MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.6 грн
10+ 336.79 грн
50+ 259.07 грн
100+ 228.59 грн
500+ 210.04 грн
1000+ 181.55 грн
IXFA22N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.87 грн
50+ 289.78 грн
100+ 248.38 грн
500+ 207.2 грн
1000+ 177.41 грн
IXFA22N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA22N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 145ns
товар відсутній
IXFA22N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA22N65X2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.87 грн
10+ 307 грн
100+ 248.38 грн
IXFA22N65X2-TRLIXYSMOSFET IXFA22N65X2 TRL
товар відсутній
IXFA22N65X2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+229.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXFA22N65X2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA230N075T2IXYSMOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
товар відсутній
IXFA230N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 230A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA230N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 230A TO-263AA
товар відсутній
IXFA230N075T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.83 грн
3+ 338.88 грн
4+ 256.75 грн
9+ 242.26 грн
IXFA230N075T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+487 грн
3+ 422.3 грн
4+ 308.1 грн
9+ 290.71 грн
IXFA230N075T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 230A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.07 грн
10+ 362.9 грн
IXFA230N075T2-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+335.22 грн
3+ 266.41 грн
9+ 251.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA230N075T2-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+402.26 грн
3+ 331.99 грн
9+ 302.3 грн
IXFA230N075T2-7IXYSMOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
товар відсутній
IXFA24N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA24N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+366.44 грн
3+ 306.44 грн
4+ 243.64 грн
10+ 230.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA24N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+439.72 грн
3+ 381.88 грн
4+ 292.36 грн
10+ 276.63 грн
IXFA24N60XIXYSMOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
товар відсутній
IXFA26N30X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378 грн
10+ 334.5 грн
50+ 274.97 грн
100+ 238.53 грн
500+ 202.75 грн
1000+ 171.61 грн
2500+ 161.01 грн
IXFA26N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 26A TO263AA
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.15 грн
IXFA26N30X3IXYSIXFA26N30X3 SMD N channel transistors
товар відсутній
IXFA26N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA26N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA26N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+410.29 грн
3+ 350.05 грн
4+ 303.13 грн
9+ 286.57 грн
50+ 281.6 грн
IXFA26N50P3IXYSMOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
товар відсутній
IXFA26N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.91 грн
3+ 280.91 грн
4+ 252.61 грн
9+ 238.81 грн
50+ 234.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA26N65X3LittelfuseLittelfuse MOSFET 26A 650V X3 TO263
товар відсутній
IXFA26N65X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 26A 650V X3 TO26
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA270N06T3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 47ns
товар відсутній
IXFA270N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 270A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA270N06T3LittelfusePower MOSFET
товар відсутній
IXFA270N06T3IXYSMOSFET 60V/270A TrenchT3
товар відсутній
IXFA270N06T3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 47ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA28N60X3LittelfuseLittelfuse MOSFET 28A 600V X3 TO263
товар відсутній
IXFA30N25X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.43 грн
10+ 483.85 грн
50+ 400.86 грн
100+ 347.85 грн
500+ 303.46 грн
1000+ 257.74 грн
2500+ 249.13 грн
IXFA30N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+511.75 грн
10+ 445.45 грн
100+ 368.76 грн
500+ 301.35 грн
IXFA30N25X3LittelfusePower MOSFET
товар відсутній
IXFA30N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO263; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 82ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA30N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO263; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 82ns
товар відсутній
IXFA30N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA30N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 145ns
товар відсутній
IXFA30N60XIXYSMOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
товар відсутній
IXFA30N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO-263
товар відсутній
IXFA34N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
товар відсутній
IXFA34N65X2IXYSMOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
товар відсутній
IXFA34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA34N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA34N65X2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA34N65X2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA34N65X2-TRLIXYSMOSFET IXFA34N65X2 TRL
товар відсутній
IXFA34N65X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA34N65X3IXYSMOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+601.4 грн
50+ 473.18 грн
100+ 368.39 грн
500+ 361.77 грн
IXFA34N65X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
товар відсутній
IXFA34N65X3IXYSDescription: MOSFET 34A 650V X3 TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA34N65X3LittelfuseDiscrete MOSFET 34A 650V X3 TO263
товар відсутній
IXFA36N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.28 грн
10+ 288.29 грн
100+ 236.18 грн
500+ 188.68 грн
1000+ 159.13 грн
IXFA36N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA36N20X3IXYSIXFA36N20X3 SMD N channel transistors
товар відсутній
IXFA36N20X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378 грн
10+ 334.5 грн
50+ 274.97 грн
100+ 238.53 грн
500+ 202.75 грн
1000+ 171.61 грн
2500+ 161.01 грн
IXFA36N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 36A TO263AA
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.1 грн
10+ 314.59 грн
100+ 257.74 грн
500+ 205.92 грн
IXFA36N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товар відсутній
IXFA36N30P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 36A; 347W; TO263; 125ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 125ns
товар відсутній
IXFA36N30P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 36A; 347W; TO263; 125ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA36N30P3IXYSMOSFET MSFT N-CH HIPERFET-POLAR3
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.28 грн
10+ 342.89 грн
50+ 281.6 грн
100+ 243.83 грн
IXFA36N55X2IXYSMOSFET MOSFET DISCRETE
товар відсутній
IXFA36N55X2IXYSDescription: IXFA36N55X2
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+596.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
IXFA36N60X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA36N60X3IXYSDescription: MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.81 грн
IXFA36N60X3LittelfuseN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
товар відсутній
IXFA36N60X3IXYSMOSFET DISCRETE MOSFET 36A 600V X3 TO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 760-769 дні (днів)
1+488.54 грн
10+ 443.47 грн
50+ 334.6 грн
IXFA36N60X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 180ns
товар відсутній
IXFA38N30X3LittelfusePower MOSFET
товар відсутній
IXFA38N30X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.48 грн
10+ 399.27 грн
50+ 308.1 грн
100+ 268.35 грн
IXFA38N30X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 240W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 90ns
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.5 грн
3+ 231.21 грн
4+ 219.48 грн
10+ 207.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA38N30X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 240W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+331.8 грн
3+ 288.13 грн
4+ 263.38 грн
10+ 249.3 грн
IXFA38N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 38A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.95 грн
50+ 308.79 грн
100+ 264.69 грн
500+ 220.79 грн
1000+ 189.06 грн
2000+ 178.02 грн
IXFA3N120IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+817.48 грн
5+ 809.29 грн
10+ 774.82 грн
25+ 745.23 грн
IXFA3N120IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA3N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA3N120
Код товару: 83348		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+834.42 грн
25+ 802.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA3N120IXYSMOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
на замовлення 550 шт:
термін постачання 478-487 дні (днів)
1+686.43 грн
10+ 580.62 грн
50+ 457.18 грн
100+ 420.08 грн
250+ 395.56 грн
IXFA3N120-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA3N120-TRLIXYSMOSFET IXFA3N120 TRL
товар відсутній
IXFA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA3N120-TRRIXYSMOSFET IXFA3N120 TRR
товар відсутній
IXFA3N120-TRRIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA3N120-TRRLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA3N120TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA3N80IXYSMOSFET 3.6 Amps 800V 3.6 Rds
товар відсутній
IXFA3N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
товар відсутній
IXFA44N25X3IXYSMOSFET MOSFET DISC X3
товар відсутній
IXFA44N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+262.26 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXFA44N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: SMD
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO263
Reverse recovery time: 87ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
IXFA44N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: SMD
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO263
Reverse recovery time: 87ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA4N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFA4N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA4N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA4N100PIXYSMOSFET 4 Amps 1000V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
2+292.97 грн
10+ 265.93 грн
50+ 198.77 грн
100+ 170.95 грн
250+ 161.01 грн
500+ 151.73 грн
1000+ 131.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA4N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA4N100P-TRLIXYSMOSFET IXFA4N100P TRL
товар відсутній
IXFA4N100QIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 150W; TO263AA
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO263AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA4N100QIXYSMOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds
товар відсутній
IXFA4N100QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA4N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA4N100QIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 150W; TO263AA
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO263AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
товар відсутній
IXFA4N100Q-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA4N100Q-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA4N100Q-TRLIXYSMOSFET
товар відсутній
IXFA4N100Q-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA4N100QTRLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA4N60P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товар відсутній
IXFA4N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO263
товар відсутній
IXFA4N85XIXYSIXFA4N85X SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+231.01 грн
6+ 183.87 грн
15+ 173.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA4N85XIXYSMOSFET 850V/3.5A Ultra Junction X-Class HiPerFET Power MOSFET, TO-263
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXFA4N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+307.48 грн
10+ 266.21 грн
IXFA50N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA50N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
товар відсутній
IXFA50N20X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товар відсутній
IXFA50N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA56N30X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO263
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 115ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 56A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+460.09 грн
3+ 340.26 грн
IXFA56N30X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.22 грн
10+ 536.43 грн
50+ 408.15 грн
100+ 374.36 грн
250+ 364.42 грн
IXFA56N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 56A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+577.69 грн
10+ 476.92 грн
100+ 397.47 грн
IXFA56N30X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO263
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 115ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 56A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+552.11 грн
3+ 424.02 грн
7+ 385.95 грн
50+ 380.16 грн
IXFA5N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA5N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA5N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFA5N100PIXYSMOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.08 грн
10+ 303.26 грн
50+ 223.95 грн
100+ 216.66 грн
250+ 208.05 грн
500+ 204.07 грн
1000+ 200.1 грн
IXFA5N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFA5N100P-TRLIXYSMOSFET IXFA5N100P TRL
товар відсутній
IXFA5N100P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFA5N100PTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA5N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товар відсутній
IXFA5N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO263
товар відсутній
IXFA60N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO263; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+491.46 грн
3+ 405.96 грн
7+ 369.39 грн
IXFA60N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO263; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.55 грн
3+ 325.77 грн
7+ 307.82 грн
IXFA60N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA60N25X3IXYSMOSFET 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+586.72 грн
10+ 496.04 грн
50+ 390.92 грн
100+ 358.46 грн
250+ 327.98 грн
500+ 321.35 грн
IXFA60N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.75 грн
10+ 457.87 грн
IXFA6N120PIXYSMOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+728.18 грн
10+ 661.39 грн
50+ 490.31 грн
100+ 445.92 грн
250+ 430.68 грн
500+ 393.57 грн
1000+ 378.33 грн
IXFA6N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+679.46 грн
50+ 522.54 грн
100+ 467.53 грн
500+ 387.15 грн
1000+ 348.43 грн
IXFA6N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA6N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
товар відсутній
IXFA6N120P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA6N120P-TRLIXYSMOSFET IXFA6N120P TRL
товар відсутній
IXFA6N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+422.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXFA72N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO263
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+513.75 грн
3+ 424.02 грн
7+ 385.95 грн
IXFA72N20X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+674.07 грн
10+ 599.67 грн
50+ 497.6 грн
100+ 431.34 грн
500+ 376.35 грн
1000+ 319.36 грн
2500+ 308.76 грн
IXFA72N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.17 грн
10+ 516.47 грн
100+ 427.59 грн
IXFA72N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO263
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.13 грн
3+ 340.26 грн
7+ 321.63 грн
IXFA72N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA72N30X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 100ns
Kind of package: tube
Drain current: 72A
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
товар відсутній
IXFA72N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA72N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 72 A, 0.019 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 72
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 390
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+712.06 грн
5+ 677.87 грн
10+ 642.94 грн
50+ 545.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA72N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA72N30X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 100ns
Kind of package: tube
Drain current: 72A
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA72N30X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+693.39 грн
10+ 605 грн
50+ 522.78 грн
100+ 442.6 грн
500+ 430.01 грн
1000+ 412.13 грн
2500+ 362.43 грн
IXFA72N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+660.11 грн
50+ 507.77 грн
100+ 454.32 грн
500+ 376.2 грн
IXFA72N30X3-TRLIXYSMOSFET IXFA72N30X3 TRL
товар відсутній
IXFA76N15T2IXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
товар відсутній
IXFA76N15T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO263; 69ns
Reverse recovery time: 69ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+320.2 грн
3+ 277.81 грн
4+ 255.09 грн
10+ 249.3 грн
11+ 241.01 грн
50+ 240.19 грн
IXFA76N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TO263
товар відсутній
IXFA76N15T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO263; 69ns
Reverse recovery time: 69ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.84 грн
3+ 222.93 грн
4+ 212.58 грн
10+ 207.75 грн
11+ 200.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA76N15T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TO263
товар відсутній
IXFA7N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA7N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO263; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+370.9 грн
3+ 309.89 грн
4+ 247.09 грн
9+ 233.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA7N100PIXYSMOSFET 7 Amps 1000V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 412-421 дні (днів)
1+446.03 грн
10+ 376.41 грн
50+ 296.84 грн
IXFA7N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.97 грн
50+ 315.04 грн
100+ 281.87 грн
IXFA7N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA7N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 7 A, 1.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.9ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+440.76 грн
10+ 398.4 грн
50+ 364.21 грн
100+ 306.44 грн
250+ 277.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA7N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO263; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+445.08 грн
3+ 386.18 грн
4+ 296.5 грн
9+ 279.94 грн
IXFA7N100P-TRLIXYSMOSFET IXFA7N100P TRL
товар відсутній
IXFA7N100P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA7N100P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA7N60P3IXYSMOSFET 600V 7A
товар відсутній
IXFA7N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO263
товар відсутній
IXFA7N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA7N80PIXYSMOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds
товар відсутній
IXFA7N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.87 грн
50+ 195.31 грн
100+ 167.41 грн
500+ 139.66 грн
1000+ 119.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA7N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+221.2 грн
3+ 187.5 грн
6+ 163.16 грн
17+ 154.05 грн
50+ 151.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA7N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.46 грн
6+ 135.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFA7N80P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA7N80P-TRLIXYSMOSFET IXFA7N80P TRL
товар відсутній
IXFA80N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+642.19 грн
3+ 468.74 грн
6+ 426.54 грн
IXFA80N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+535.16 грн
3+ 376.15 грн
6+ 355.45 грн
IXFA80N25X3IXYSMOSFET 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXFA80N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+619.26 грн
10+ 511.57 грн
100+ 426.29 грн
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA80N25X3-TRLIXYSMOSFET MOSFET DISC X4
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+750.59 грн
10+ 668.25 грн
25+ 554.58 грн
100+ 481.03 грн
500+ 419.41 грн
800+ 356.47 грн
2400+ 343.88 грн
IXFA80N25X3-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+395.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXFA80N25X3-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+348.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXFA80N25X3-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+627.14 грн
10+ 518.12 грн
100+ 431.76 грн
IXFA80N25X3.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA80N25X3. - MOSFET, N-CH, 250V, 80A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPERFET X3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+712.06 грн
25+ 610.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA80N25X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A X3CLASS TO-
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFA80N25X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A X3CLASS TO-
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFA8N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA
товар відсутній
IXFA8N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товар відсутній
IXFA8N65X2IXYSMOSFET 650V/8A TO-263
товар відсутній
IXFA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 444 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+179.28 грн
3+ 156.53 грн
10+ 140.8 грн
50+ 136.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.61 грн
10+ 117.33 грн
50+ 113.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFA8N85XHVIXYSIXFA8N85XHV SMD N channel transistors
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+470.94 грн
3+ 374.36 грн
8+ 354.48 грн
IXFA8N85XHVIXYSMOSFET 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXFA90N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA90N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+651.51 грн
50+ 500.79 грн
100+ 448.06 грн
500+ 371.02 грн
IXFA90N20X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товар відсутній
IXFA90N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.04 грн
2+ 401.69 грн
3+ 388.58 грн
6+ 379.6 грн
10+ 365.11 грн
IXFA90N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 85ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+559.24 грн
2+ 500.57 грн
3+ 466.29 грн
6+ 455.52 грн
10+ 438.13 грн
IXFA90N20X3-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA90N20X3-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA90N20X3-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA90N20X3TRLIXYSMOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
товар відсутній
IXFA90N20X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
товар відсутній
IXFB100N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 100A; 1890W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
товар відсутній
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
товар відсутній
IXFB100N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 100A; 1890W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB100N50PIXYSMOSFET 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2178.34 грн
10+ 1946.07 грн
25+ 1645.85 грн
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
товар відсутній
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
товар відсутній
IXFB100N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2005.42 грн
25+ 1600.93 грн
100+ 1500.86 грн
IXFB100N50P                                       497         
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFB100N50Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/100A
товар відсутній
IXFB100N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2836.12 грн
10+ 2548.31 грн
IXFB100N50Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 1560W; PLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 1.56kW
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB100N50Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 1560W; PLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 1.56kW
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
IXFB100N50 IXYS08+
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFB110N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB110N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB110N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
товар відсутній
IXFB110N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB110N60P3IXYSMOSFET 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1762.46 грн
25+ 1440.88 грн
50+ 1188.67 грн
100+ 1150.24 грн
250+ 1091.27 грн
500+ 1060.13 грн
IXFB110N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB120N50P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB120N50P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
товар відсутній
IXFB120N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB132N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB132N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 132 A, 0.039 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 132
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.89
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFB132N50P3IXYSMOSFET 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1727.68 грн
10+ 1513.27 грн
25+ 1227.1 грн
50+ 1188.67 грн
100+ 1150.24 грн
250+ 1101.87 грн
IXFB132N50P3
Код товару: 94706		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IXFB132N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB132N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 132A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 267nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB132N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 132A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB132N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 132A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 267nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
товар відсутній
IXFB150N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 355nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2164.73 грн
2+ 1973.89 грн
5+ 1899.95 грн
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB150N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 355nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1803.94 грн
2+ 1583.98 грн
5+ 1583.29 грн
IXFB150N65X2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2439.44 грн
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2551.76 грн
10+ 2338.86 грн
25+ 2042.56 грн
100+ 1798.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
IXFB150N65X2IXYSMOSFET MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2270.33 грн
10+ 2161.7 грн
25+ 1594.17 грн
50+ 1581.58 грн
100+ 1512.01 грн
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2439.95 грн
5+ 2369.49 грн
10+ 2171.8 грн
25+ 1896.66 грн
100+ 1670.16 грн
IXFB150N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400 pF @ 25 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2267.03 грн
25+ 1809.45 грн
IXFB170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1464.72 грн
10+ 1387.2 грн
25+ 1338.21 грн
IXFB170N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 170A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 258nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1807.66 грн
2+ 1587.43 грн
IXFB170N30PIXYSMOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2468.22 грн
10+ 2161.7 грн
25+ 1753.19 грн
50+ 1722.71 грн
100+ 1692.89 грн
250+ 1517.97 грн
500+ 1478.88 грн
IXFB170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB170N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB170N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 170A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 258nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2169.19 грн
2+ 1978.19 грн
IXFB170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB210N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2303.58 грн
IXFB210N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 210A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 210A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB210N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 210A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 210A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFB210N20PIXYSMOSFET 210 Amps 200V 0.0105 Rds
товар відсутній
IXFB210N30P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2196.39 грн
10+ 2026.18 грн
25+ 1879.01 грн
100+ 1606.76 грн
IXFB210N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB210N30P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 210A; 1890W; 250ns
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 268nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
товар відсутній
IXFB210N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB210N30P3IXYSMOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2196.12 грн
10+ 1923.97 грн
25+ 1561.04 грн
50+ 1512.01 грн
100+ 1463.64 грн
250+ 1402.68 грн
IXFB210N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB210N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2073.51 грн
10+ 1774.06 грн
IXFB210N30P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 210A; 1890W; 250ns
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 268nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB300N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB300N10PIXYSMOSFET POLAR PWR MOSFET 100V, 300A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2482.91 грн
10+ 2257.71 грн
100+ 1830.05 грн
IXFB300N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB300N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 279nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2169.19 грн
2+ 1978.19 грн
IXFB300N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB300N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 279nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1807.66 грн
IXFB30N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 30A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB30N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 30A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
товар відсутній
IXFB30N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB30N120PIXYSMOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3359.5 грн
10+ 2970.91 грн
25+ 2327.65 грн
50+ 2290.54 грн
100+ 2239.52 грн
IXFB30N120PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB30N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 30 A, 0.35 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
IXFB30N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22500 pF @ 25 V
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3114.21 грн
25+ 2512.89 грн
100+ 2345.39 грн
IXFB30N120Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 30A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товар відсутній
IXFB38N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
товар відсутній
IXFB38N100Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 38A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB38N100Q2IXYSMOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
товар відсутній
IXFB38N100Q2IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFB40N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3279.77 грн
25+ 2646.71 грн
100+ 2470.26 грн
IXFB40N110PIXYSMOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
товар відсутній
IXFB40N110PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.1KV 40A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB40N110Q3IXYSIXFB40N110Q3 THT N channel transistors
товар відсутній
IXFB40N110Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3714.83 грн
10+ 3337.4 грн
IXFB40N110Q3IXYSMOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q3 3&44
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3690.35 грн
10+ 3395.33 грн
25+ 2827.89 грн
IXFB40N110Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.1KV 40A
товар відсутній
IXFB44N100PIXYSMOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds
на замовлення 839 шт:
термін постачання 842-851 дні (днів)
1+2280.38 грн
10+ 1997.88 грн
IXFB44N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB44N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB44N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
товар відсутній
IXFB44N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB44N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
IXFB44N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB44N100P
Код товару: 199488		Транзистори > Польові N-канальні
очікується 10 шт:
10 шт - очікується 16.05.2024
IXFB44N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB44N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB44N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB44N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 44A; 1560W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 264nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB44N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB44N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB44N100Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3276.02 грн
25+ 2706.51 грн
100+ 2196.45 грн
250+ 2125.56 грн
IXFB44N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1640.53 грн
25+ 1528.38 грн
50+ 1521.91 грн
IXFB44N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 44A; 1560W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 264nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFB44N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1766.72 грн
25+ 1645.95 грн
50+ 1638.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
IXFB50N80Q2IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFB50N80Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB50N80Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 50A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB50N80Q2IXYSMOSFET 50 Amps 800V
товар відсутній
IXFB50N80Q2IXYS07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFB52N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 308nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 52A
On-state resistance: 0.16Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB52N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 308nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 52A
On-state resistance: 0.16Ω
товар відсутній
IXFB52N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 52A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB52N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB52N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 52A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB52N90PIXYSMOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
товар відсутній
IXFB52N90PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB52N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 52 A, 0.16 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 52
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFB60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB60N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1878.56 грн
25+ 1499.7 грн
100+ 1405.98 грн
IXFB60N80P
Код товару: 154209		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFB60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB60N80PIXYSMOSFET 60 Amps 800V 0.14 Rds
на замовлення 75 шт:
термін постачання 764-773 дні (днів)
1+2039.2 грн
10+ 1786.81 грн
25+ 1449.06 грн
50+ 1404.01 грн
100+ 1358.95 грн
250+ 1268.18 грн
500+ 1253.6 грн
IXFB60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB60N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 60A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB60N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 60A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
товар відсутній
IXFB62N80Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 62A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB62N80Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3065.76 грн
10+ 2640.22 грн
25+ 2128.21 грн
IXFB62N80Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 62A
Drain-source voltage: 800V
Power dissipation: 1.56kW
Reverse recovery time: 300ns
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.27µC
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2685.62 грн
IXFB62N80Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 62A
Drain-source voltage: 800V
Power dissipation: 1.56kW
Reverse recovery time: 300ns
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.27µC
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2238.01 грн
IXFB62N80Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB70N100XLittelfuseX-Class Hiperfet Power MOSFET
товар відсутній
IXFB70N100XIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 1785W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3425.99 грн
25+ 2764.98 грн
100+ 2580.63 грн
IXFB70N100XIXYSMOSFET 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3796.26 грн
10+ 3668.87 грн
IXFB70N60Q2IXYS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFB70N60Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2307.88 грн
10+ 2049.38 грн
IXFB70N60Q2IXYSMOSFET 70 Amps 600V
товар відсутній
IXFB70N60QZIXYS09+
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFB72N55Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264
товар відсутній
IXFB72N55Q2IXYSMOSFET 72 Amps 550V 0.07 Rds
товар відсутній
IXFB80N50Q2IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFB80N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
товар відсутній
IXFB80N50Q2IXYSMOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds
товар відсутній
IXFB80N50Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB80N50Q2
Код товару: 22118		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFB82N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
IXFB82N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB82N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB82N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2005.42 грн
25+ 1600.93 грн
100+ 1500.86 грн
IXFB82N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB82N60PIXYSMOSFET 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds
товар відсутній
IXFB82N60Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.56kW
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 275nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2695.43 грн
IXFB82N60Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2767.31 грн
IXFB82N60Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A
товар відсутній
IXFB82N60Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.56kW
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 275nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2246.19 грн
IXFB82N60Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB90N85XIXYSMOSFET 850V/90A Ultra Junction X-Class
товар відсутній
IXFB90N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 90A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB90N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 90A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3286.27 грн
10+ 3040.73 грн
IXFB90N85XIXYSIXFB90N85X THT N channel transistors
товар відсутній
IXFB90N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 90A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1785W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2908.51 грн
10+ 2612.85 грн
IXFC10N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товар відсутній
IXFC110N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
Packaging: Box
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC12N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC13N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IXFC14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC14N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC15N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220
товар відсутній
IXFC16N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220
товар відсутній
IXFC20N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC22N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC24N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC24N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC26N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC26N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC30N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
товар відсутній
IXFC30N60PIXYSMOSFET 600V 30A
товар відсутній
IXFC30N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 220
товар відсутній
IXFC36N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220
товар відсутній
IXFC36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 19A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 220
товар відсутній
IXFC40N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товар відсутній
IXFC52N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 24A ISOPLUS220
Packaging: Box
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC60N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC74N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
товар відсутній
IXFC80N08IXYSDescription: MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC80N085IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC80N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220
товар відсутній
IXFC80N10IXYSMOSFET 100 Amps 100V 0.0125 Rds
товар відсутній
IXFC96N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 42A ISOPLUS220
товар відсутній
IXFC96N15PIXYSMOSFET 42 Amps 150V 0.024 Rds
товар відсутній
IXFD15N100-8XIXYSDescription: MOSFET N-CH
товар відсутній
IXFD23N60Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V DIE
товар відсутній
IXFD24N50Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IXFD26N50Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
товар відсутній
IXFD26N60Q-8XQIXYSDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IXFD40N30Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 300V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товар відсутній
IXFE180N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 176A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE180N20IXYSDiscrete Semiconductor Modules 180 Amps 200V 0.01 Rds
товар відсутній
IXFE180N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 158A SOT227B
товар відсутній
IXFE23N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE24N100IXYSDiscrete Semiconductor Modules 22 Amps 1000V 0.39 Rds
товар відсутній
IXFE24N100IXYSMODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFE24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227
товар відсутній
IXFE34N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
товар відсутній
IXFE36N100IXYSDiscrete Semiconductor Modules 33 Amps 1000V 0.24 Rds
товар відсутній
IXFE36N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 33A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE39N90IXYSDiscrete Semiconductor Modules 34 Amps 900V 0.22 Rds
товар відсутній
IXFE39N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 34A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE44N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE44N50QIXYSDiscrete Semiconductor Modules 44 Amps 500V 0.12 Rds
товар відсутній
IXFE44N50QD2IXYSDiscrete Semiconductor Modules 44 Amps 500V 0.12 Rds
товар відсутній
IXFE44N50QD2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE44N50QD3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE44N60IXYSDiscrete Semiconductor Modules 41 Amps 600V 0.13 Rds
товар відсутній
IXFE44N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B
товар відсутній
IXFE48N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE48N50QIXYSDiscrete Semiconductor Modules 41 Amps 500V 0.11 Rds
товар відсутній
IXFE48N50QD2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE48N50QD2IXYSDiscrete Semiconductor Modules 41 Amps 500V 0.11 Rds
товар відсутній
IXFE48N50QD3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE50N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 47A SOT227B
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE55N50IXYSDiscrete Semiconductor Modules 52 Amps 500V 0.08 Rds
товар відсутній
IXFE73N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
товар відсутній
IXFE73N30QIXYSDiscrete Semiconductor Modules 66 Amps 300V 0.046 Rds
товар відсутній
IXFE80N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
товар відсутній
IXFE80N50IXYSDiscrete Semiconductor Modules 72 Amps 500V 0.055 Rds
товар відсутній
IXFF24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC
товар відсутній
IXFG55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A ISO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISO264™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFG55N50IXYSMOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds
товар відсутній
IXFH100N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH100N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+982.91 грн
2+ 688.06 грн
4+ 626.14 грн
IXFH100N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+819.09 грн
IXFH100N25PIXYSMOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds
товар відсутній
IXFH100N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 100A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+812.06 грн
30+ 632.74 грн
120+ 595.52 грн
510+ 506.48 грн
IXFH100N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH100N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+873.7 грн
IXFH100N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH100N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
Power dissipation: 48W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH100N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
Power dissipation: 48W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 130ns
товар відсутній
IXFH100N30X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+949.26 грн
10+ 854.17 грн
30+ 658.61 грн
60+ 649.99 грн
120+ 612.89 грн
270+ 573.13 грн
510+ 545.97 грн
IXFH102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH102N15TIXYSMOSFET 102 Amps 0V
товар відсутній
IXFH10N100IXYSMOSFET 1KV 10A
товар відсутній
IXFH10N100IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 300W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
товар відсутній
IXFH10N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH10N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH10N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
товар відсутній
IXFH10N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH10N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH10N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH10N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH10N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
IXFH10N100PIXYSMOSFET 10 Amps 1000V
на замовлення 576 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+565.07 грн
10+ 551.66 грн
30+ 382.97 грн
IXFH10N100QIXYSMOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
товар відсутній
IXFH10N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH10N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 1.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+391.71 грн
10+ 310.69 грн
100+ 266.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH10N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.75 грн
30+ 295.91 грн
IXFH10N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+339.68 грн
3+ 283.67 грн
4+ 226.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH10N80PIXYSMOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+415.88 грн
10+ 355.08 грн
30+ 299.49 грн
120+ 267.68 грн
270+ 252.44 грн
510+ 220.64 грн
1020+ 190.16 грн
IXFH10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH10N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+407.61 грн
3+ 353.49 грн
4+ 271.66 грн
10+ 256.75 грн
IXFH10N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH10N90IXYSMOSFET 10 Amps 900V
товар відсутній
IXFH110N10PIXYSMOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+551.93 грн
10+ 527.28 грн
30+ 377.67 грн
IXFH110N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.45 грн
3+ 298.16 грн
8+ 281.6 грн
IXFH110N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH110N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH110N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+536.95 грн
3+ 371.55 грн
8+ 337.92 грн
IXFH110N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH110N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH110N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH110N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH110N15T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 85ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH110N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+522.57 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFH110N15T2IXYSMOSFET 110 Amps 150V
товар відсутній
IXFH110N15T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 85ns
товар відсутній
IXFH110N25TIXYSMOSFET 110 Amps 0V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXFH110N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.28 грн
2+ 413.42 грн
3+ 412.73 грн
6+ 391.34 грн
10+ 385.12 грн
30+ 376.15 грн
IXFH110N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+593.14 грн
2+ 515.19 грн
3+ 495.28 грн
6+ 469.6 грн
10+ 462.15 грн
30+ 451.38 грн
IXFH110N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 110A TO247AD
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+684.48 грн
10+ 595.22 грн
100+ 492.75 грн
IXFH11N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH11N80IXYSMOSFET 11 Amps 800V
товар відсутній
IXFH120N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.37 грн
3+ 380.98 грн
6+ 369.25 грн
10+ 355.45 грн
IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+373.16 грн
Мінімальне замовлення: 60
IXFH120N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+547.65 грн
3+ 474.76 грн
6+ 443.1 грн
10+ 426.54 грн
IXFH120N15PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH120N15PIXYSMOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+691.84 грн
10+ 615.67 грн
30+ 461.16 грн
120+ 423.39 грн
270+ 398.87 грн
510+ 349.84 грн
1020+ 344.54 грн
IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+400.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH120N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+646.49 грн
30+ 496.68 грн
120+ 444.4 грн
IXFH120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH120N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+812.06 грн
30+ 632.74 грн
IXFH120N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+819.09 грн
2+ 546.63 грн
3+ 545.94 грн
5+ 516.26 грн
IXFH120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH120N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+982.91 грн
2+ 681.18 грн
3+ 655.13 грн
5+ 619.51 грн
IXFH120N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+822.07 грн
5+ 744.02 грн
10+ 665.24 грн
50+ 599.77 грн
100+ 536.44 грн
IXFH120N20PIXYSMOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds
товар відсутній
IXFH120N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+928.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFH120N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 108ns
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+762.6 грн
2+ 651.54 грн
3+ 634.97 грн
4+ 616.34 грн
IXFH120N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 108ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+915.13 грн
2+ 811.92 грн
3+ 761.97 грн
4+ 739.61 грн
10+ 710.62 грн
IXFH120N25TIXYSMOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs
товар відсутній
IXFH120N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH120N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+965.97 грн
2+ 762.03 грн
4+ 694.05 грн
30+ 667.55 грн
IXFH120N25X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+949.26 грн
10+ 824.45 грн
30+ 658.61 грн
60+ 657.94 грн
120+ 619.51 грн
270+ 570.48 грн
510+ 538.02 грн
IXFH120N25X3LittelfusePower MOSFET
товар відсутній
IXFH120N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7870 pF @ 25 V
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+885.88 грн
30+ 690.56 грн
120+ 649.94 грн
510+ 552.76 грн
IXFH120N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+804.97 грн
2+ 611.51 грн
4+ 578.38 грн
IXFH120N25X3LittelfusePower MOSFET
товар відсутній
IXFH120N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH120N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1376 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH120N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 145ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1115.66 грн
2+ 750.23 грн
3+ 709.51 грн
IXFH120N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH120N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH120N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1107.49 грн
5+ 1041.33 грн
10+ 975.18 грн
50+ 844.79 грн
IXFH120N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1338.8 грн
2+ 934.91 грн
3+ 851.42 грн
IXFH120N30X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 10 шт:
термін постачання 673-682 дні (днів)
1+1263.1 грн
10+ 1143.71 грн
30+ 953.45 грн
120+ 840.15 грн
IXFH12N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N100IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH12N100IXYSMOSFET 1KV 12A
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1075.26 грн
10+ 934.17 грн
30+ 789.8 грн
60+ 746.07 грн
120+ 702.34 грн
270+ 680.47 грн
510+ 636.74 грн
IXFH12N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH12N100FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N100FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N100FIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.76 грн
30+ 596.16 грн
120+ 561.11 грн
IXFH12N100FIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N100FIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH12N100FIXYSMOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
товар відсутній
IXFH12N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH12N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH12N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 436
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+402.11 грн
5+ 393.94 грн
10+ 385.76 грн
50+ 351.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH12N100PIXYSMOSFET 12 Amps 1000V
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 743-752 дні (днів)
1+662.47 грн
10+ 652.24 грн
30+ 453.21 грн
IXFH12N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
товар відсутній
IXFH12N100QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH12N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N120IXYSMOSFET 12 Amps 1200V 1.3 Rds
товар відсутній
IXFH12N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+916.08 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH12N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+854.58 грн
Мінімальне замовлення: 240
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH12N120PIXYSMOSFET 12 Amps 1200V 1.15 Rds
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 708-717 дні (днів)
1+1208.22 грн
10+ 1094.19 грн
IXFH12N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH12N120PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 1.35 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 543
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.35
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1170.67 грн
5+ 1123.1 грн
10+ 1075.53 грн
IXFH12N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH12N50FIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+695.11 грн
10+ 674.69 грн
IXFH12N50FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N50FIXYSMOSFET IXFH12N50F 500V 12A HIPERFET
товар відсутній
IXFH12N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH12N65X2IXYSMOSFET 650V/12A TO-247
товар відсутній
IXFH12N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH12N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFH12N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH12N80PIXYSMOSFET DIODE Id12 BVdass800
товар відсутній
IXFH12N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH12N90IXYSMOSFET 900V 12A
товар відсутній
IXFH12N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH12N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 12A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH12N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+655.81 грн
30+ 504.07 грн
120+ 451.02 грн
510+ 373.47 грн
1020+ 336.12 грн
IXFH12N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N90PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 12 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 380
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH12N90PIXYSMOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+702.67 грн
10+ 593.57 грн
30+ 468.44 грн
120+ 429.35 грн
270+ 409.47 грн
IXFH12N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 12A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFH12N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N90QIXYSMOSFET
товар відсутній
IXFH130N15X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 80ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+613.95 грн
IXFH130N15X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 130A
товар відсутній
IXFH130N15X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 80ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+736.74 грн
2+ 565.93 грн
5+ 515.16 грн
30+ 506.87 грн
IXFH130N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+750.42 грн
30+ 577.27 грн
120+ 516.51 грн
510+ 427.7 грн
1020+ 384.93 грн
IXFH130N15X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+905.97 грн
10+ 806.92 грн
30+ 669.21 грн
120+ 580.42 грн
510+ 505.55 грн
1020+ 430.01 грн
2520+ 424.05 грн
IXFH13N100IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFH13N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH13N100IXYSMOSFET 13 Amps 1000V 0.9 Rds
товар відсутній
IXFH13N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IXFH13N50 транзистор
Код товару: 79556		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFH13N80Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH13N80IXYSMOSFET 800V 13A
товар відсутній
IXFH13N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH13N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH13N80QIXYSMOSFET 13 Amps 800V 0.8 Rds
товар відсутній
IXFH13N80QIXYS09+ SOT23
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFH13N90IXYSMOSFET 13 Amps 900V 0.8 Rds
товар відсутній
IXFH13N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH140N10PIXYSMOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+548.06 грн
10+ 502.14 грн
30+ 375.68 грн
120+ 352.49 грн
270+ 344.54 грн
IXFH140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.78 грн
10+ 280.08 грн
25+ 263.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH140N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+688.57 грн
3+ 476.48 грн
6+ 433.16 грн
IXFH140N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 140A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+646.49 грн
IXFH140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH140N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+573.81 грн
3+ 382.36 грн
6+ 360.97 грн
IXFH140N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+965.97 грн
2+ 739.67 грн
4+ 673.35 грн
30+ 661.75 грн
IXFH140N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 140A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+873.7 грн
IXFH140N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH140N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 90ns
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+804.97 грн
2+ 593.56 грн
4+ 561.12 грн
30+ 551.46 грн
IXFH140N20X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+949.26 грн
10+ 895.31 грн
30+ 671.86 грн
120+ 632.1 грн
270+ 556.57 грн
510+ 536.03 грн
IXFH140N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH140N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH14N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
товар відсутній
IXFH14N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH14N100Q2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH14N100Q2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH14N100Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 14 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH14N100Q2IXYSMOSFET 14 Amps 1000V 0.90 Rds
товар відсутній
IXFH14N100Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH14N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH14N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFH14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.49 грн
IXFH14N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH14N60PIXYSMOSFET 600V 14A
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.29 грн
10+ 359.65 грн
30+ 303.46 грн
120+ 249.13 грн
270+ 241.84 грн
510+ 217.33 грн
1020+ 188.84 грн
IXFH14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH14N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 327W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH14N60P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs Power MOSFETs
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXFH14N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH14N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH14N80IXYSMOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds
товар відсутній
IXFH14N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH14N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+516.77 грн
30+ 396.97 грн
120+ 355.19 грн
IXFH14N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+551.22 грн
3+ 381.02 грн
8+ 347.03 грн
IXFH14N80PIXYSMOSFET DIODE Id14 BVdass800
на замовлення 300 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+553.48 грн
10+ 467.85 грн
30+ 369.06 грн
120+ 338.58 грн
270+ 331.29 грн
IXFH14N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH14N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.35 грн
3+ 305.75 грн
8+ 289.19 грн
IXFH14N85XIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
товар відсутній
IXFH14N85XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 460W; TO247-3; 116ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 14A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 116ns
товар відсутній
IXFH14N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH14N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+564.07 грн
30+ 433.92 грн
IXFH14N85XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 460W; TO247-3; 116ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 14A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 116ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+626.81 грн
10+ 607.95 грн
IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH150N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A TO247AD
Packaging: Box
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+842.88 грн
10+ 746.02 грн
100+ 630.11 грн
IXFH150N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH150N15PIXYSMOSFET 170 Amps 150V 0.013 Rds
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+956.99 грн
10+ 866.36 грн
30+ 722.21 грн
120+ 636.74 грн
510+ 565.84 грн
1020+ 529.4 грн
IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH150N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFH150N17TIXYSMOSFET 150 Amps 175V
товар відсутній
IXFH150N17TIXYSDescription: MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 175 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH150N17T(транзистор)
Код товару: 48320		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
IXFH150N17T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 175 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+657.24 грн
IXFH150N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 175V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+439.86 грн
10+ 424.68 грн
25+ 397.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH150N17T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH150N17T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 175 V, 150 A, 0.012 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 175V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 880W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+661.52 грн
5+ 594.62 грн
10+ 527.73 грн
50+ 464.5 грн
100+ 404.56 грн
250+ 396.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH150N17T2
Код товару: 177347		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
IXFH150N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 175V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH150N17T2IXYSMOSFET 175V 150A
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+728.18 грн
10+ 649.2 грн
120+ 475.07 грн
IXFH150N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 175V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH150N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1094.4 грн
3+ 997.69 грн
30+ 944.18 грн
IXFH150N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 25 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1247.83 грн
IXFH150N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH150N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+912 грн
3+ 800.62 грн
IXFH150N20TIXYSMOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1355.09 грн
10+ 1178.76 грн
IXFH150N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1016.81 грн
2+ 750.23 грн
3+ 709.51 грн
IXFH150N25X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товар відсутній
IXFH150N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1220.17 грн
2+ 934.91 грн
3+ 851.42 грн
30+ 834.02 грн
IXFH150N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1118.82 грн
30+ 872.28 грн
120+ 820.96 грн
510+ 698.21 грн
IXFH150N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH150N25X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH
товар відсутній
IXFH150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH150N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 167ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH150N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 167ns
товар відсутній
IXFH150N30X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товар відсутній
IXFH150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH150N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1292.27 грн
30+ 1032.02 грн
120+ 967.51 грн
IXFH15N100IXYSMOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds
товар відсутній
IXFH15N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH15N100IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFH15N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH15N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH15N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFH15N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH15N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH15N100PIXYSMOSFET 15 Amps 1000V 0.76 Rds
товар відсутній
IXFH15N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH15N100Q3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 15 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 690
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Q3-Class HiperFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
IXFH15N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH15N100Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 586-595 дні (днів)
1+1216.72 грн
10+ 1056.85 грн
30+ 893.82 грн
60+ 844.13 грн
120+ 794.43 грн
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+1495.35 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH15N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1143.91 грн
2+ 767.49 грн
3+ 725.39 грн
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1000.65 грн
60+ 932.38 грн
120+ 880.66 грн
180+ 810.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFH15N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1372.69 грн
2+ 956.41 грн
3+ 870.47 грн
IXFH15N60IXYSMOSFET 15 Amps 600V
товар відсутній
IXFH15N60LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH15N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH15N80LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH15N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH15N80IXYSMOSFET 800V 15A
товар відсутній
IXFH15N80LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH15N80IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH15N80LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH15N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH15N80QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1042.4 грн
10+ 995.68 грн
25+ 904.38 грн
IXFH15N80QIXYSMOSFET 800V 15A
товар відсутній
IXFH15N80Q
Код товару: 104305		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFH15N80QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1072.27 грн
25+ 973.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
IXFH15N80QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH15N80QIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH1606
Код товару: 128639		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXFH160N15TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH160N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
товар відсутній
IXFH160N15TIXYSMOSFET 160 Amps 150V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+829.44 грн
10+ 701.77 грн
30+ 469.11 грн
IXFH160N15T2IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 160 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 15000 @ 25; Qg, нКл = 253 @ 10 В; Rds = 9 мОм @ 80 A, 10 В; Ugs(th) = 4,5 В @ 1000 мкА; Р, Вт = 880 Вт; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = вивідний; TO-247-3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+161.24 грн
10+ 150.49 грн
100+ 139.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
IXFH160N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+645.06 грн
10+ 561.4 грн
IXFH160N15T2IXYSMOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+635.41 грн
10+ 566.14 грн
120+ 365.08 грн
270+ 338.58 грн
IXFH160N15T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 253nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+518.81 грн
IXFH160N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH160N15T2
Код товару: 126302		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFH160N15T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 253nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+622.57 грн
3+ 430.9 грн
7+ 392.58 грн
IXFH16N120PIXYSMOSFET 1
на замовлення 300 шт:
термін постачання 392-401 дні (днів)
1+1471.04 грн
10+ 1354.02 грн
30+ 1021.04 грн
60+ 1020.37 грн
120+ 960.08 грн
510+ 939.54 грн
IXFH16N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFH16N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH16N120PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH16N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 16A, TO-247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.95
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
IXFH16N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH16N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH16N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1353.91 грн
30+ 1055.76 грн
120+ 993.66 грн
510+ 845.09 грн
IXFH16N120PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH16N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.49 грн
30+ 300 грн
IXFH16N50PIXYSMOSFET 500V 16A
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+421.29 грн
10+ 389.37 грн
30+ 278.95 грн
120+ 244.49 грн
270+ 218.65 грн
510+ 198.11 грн
1020+ 188.84 грн
IXFH16N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
товар відсутній
IXFH16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+488.51 грн
10+ 440.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH16N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.71 грн
30+ 319.42 грн
120+ 285.81 грн
IXFH16N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товар відсутній
IXFH16N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
товар відсутній
IXFH16N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH16N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH16N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO247-3
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH16N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH16N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO247-3
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFH16N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH16N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH16N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH16N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.29 грн
30+ 450.6 грн
120+ 403.17 грн
IXFH16N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH16N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
товар відсутній
IXFH16N80PIXYSMOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+642.37 грн
10+ 577.57 грн
30+ 440.62 грн
120+ 398.21 грн
270+ 394.24 грн
IXFH16N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+234.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFH16N90Q
Код товару: 157422		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFH16N90QIXYSMOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds
товар відсутній
IXFH16N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH170N10PIXYSMOSFET 170 Amps 100V 0.009 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+868.86 грн
10+ 754.35 грн
30+ 638.07 грн
60+ 602.95 грн
120+ 567.83 грн
270+ 549.94 грн
IXFH170N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
товар відсутній
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+543.84 грн
Мінімальне замовлення: 270
IXFH170N10PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH170N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+800.59 грн
30+ 624.02 грн
120+ 587.32 грн
510+ 499.5 грн
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+582.97 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH170N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+805.72 грн
5+ 729.16 грн
10+ 651.86 грн
50+ 587.35 грн
100+ 525.6 грн
250+ 515.41 грн
IXFH170N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH170N10PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH170N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 170A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7620 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH170N15X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 170A; Idm: 340A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH170N15X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товар відсутній
IXFH170N15X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 170A; Idm: 340A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 90ns
товар відсутній
IXFH170N25X3IXYSMOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
на замовлення 300 шт:
термін постачання 350-359 дні (днів)
1+1459.44 грн
10+ 1267.15 грн
30+ 1072.06 грн
60+ 1012.42 грн
120+ 952.79 грн
IXFH170N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+983.36 грн
3+ 862.74 грн
IXFH170N25X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH170N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 170 A, 0.0061 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 890
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 890
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1551.22 грн
5+ 1488.05 грн
10+ 1424.87 грн
IXFH170N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH170N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 170A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH170N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1180.03 грн
3+ 1075.1 грн
30+ 1022.86 грн
IXFH1799IXYSMOSFET
товар відсутній
IXFH17N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH17N80QIXYSMOSFET 17 Amps 800V 0.60 Rds
товар відсутній
IXFH180N20X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1198.17 грн
10+ 1041.61 грн
30+ 832.2 грн
60+ 831.54 грн
120+ 782.51 грн
270+ 769.26 грн
510+ 708.3 грн
IXFH180N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH180N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH180N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH180N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 94ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1084.59 грн
2+ 934.91 грн
3+ 851.42 грн
10+ 834.02 грн
30+ 818.29 грн
IXFH180N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 180A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+786.26 грн
30+ 635.02 грн
IXFH180N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 94ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+903.83 грн
2+ 750.23 грн
3+ 709.51 грн
10+ 695.02 грн
IXFH180N20X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH180N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 180 A, 0.0063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1107.49 грн
5+ 1041.33 грн
10+ 975.18 грн
50+ 844.79 грн
100+ 723.1 грн
250+ 708.45 грн
IXFH18N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH18N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4890 pF @ 25 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1373.26 грн
30+ 1070.5 грн
120+ 1007.55 грн
IXFH18N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFH18N100Q3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1416.69 грн
5+ 1282.16 грн
10+ 1146.88 грн
50+ 1033.9 грн
100+ 925.7 грн
250+ 907.23 грн
IXFH18N100Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1470.27 грн
10+ 1277.06 грн
30+ 1080.01 грн
60+ 1068.74 грн
IXFH18N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH18N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH18N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+370.9 грн
3+ 309.89 грн
4+ 247.09 грн
9+ 233.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH18N60PIXYSMOSFET 600V 18A
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.62 грн
10+ 371.84 грн
30+ 241.18 грн
510+ 235.88 грн
1020+ 231.24 грн
IXFH18N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH18N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH18N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH18N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+445.08 грн
3+ 386.18 грн
4+ 296.5 грн
9+ 279.94 грн
IXFH18N60XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+664.49 грн
2+ 510.89 грн
3+ 491.14 грн
6+ 464.63 грн
30+ 457.18 грн
IXFH18N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH18N60XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+553.74 грн
2+ 409.97 грн
3+ 409.28 грн
6+ 387.2 грн
IXFH18N60XIXYSMOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
товар відсутній
IXFH18N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+280.26 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXFH18N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 135ns
товар відсутній
IXFH18N65X2IXYSMOSFET 650V/18A TO-247
товар відсутній
IXFH18N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 135ns
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXFH18N65X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 18A 650V X3 TO24
Packaging: Tube
товар відсутній
IXFH18N65X3LittelfuseLittelfuse MOSFET 18A 650V X3 TO247
товар відсутній
IXFH18N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+831.41 грн
10+ 735.88 грн
100+ 621.5 грн
500+ 518.84 грн
1000+ 475.91 грн
IXFH18N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 540W
Gate charge: 97nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.6Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH18N90PIXYSMOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+851.08 грн
10+ 739.87 грн
30+ 625.48 грн
60+ 590.36 грн
120+ 555.91 грн
270+ 538.02 грн
510+ 527.41 грн
IXFH18N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 540W
Gate charge: 97nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.6Ω
товар відсутній
IXFH18N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH20N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH20N100PIXYSMOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+919.11 грн
10+ 797.78 грн
30+ 675.17 грн
60+ 638.07 грн
120+ 600.3 грн
270+ 581.08 грн
510+ 543.98 грн
IXFH20N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
товар відсутній
IXFH20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH20N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH20N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+421.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH20N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH20N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.39 грн
30+ 310.22 грн
IXFH20N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+391.56 грн
3+ 339.73 грн
4+ 260.89 грн
11+ 246.81 грн
IXFH20N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товар відсутній
IXFH20N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+326.3 грн
3+ 272.62 грн
4+ 217.41 грн
11+ 205.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH20N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH20N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH20N60IXYSMOSFET 600V 20A
товар відсутній
IXFH20N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH20N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+767.96 грн
2+ 504.87 грн
3+ 485.34 грн
6+ 458.84 грн
IXFH20N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH20N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+639.96 грн
2+ 405.14 грн
3+ 404.45 грн
6+ 382.36 грн
IXFH20N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH20N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH20N80PIXYSMOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+730.5 грн
10+ 617.96 грн
30+ 487.66 грн
120+ 446.58 грн
270+ 417.43 грн
510+ 407.49 грн
IXFH20N80P (TO-247-3)
Код товару: 107942		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFH20N80Q
Код товару: 129296		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
IXFH20N80QIXYSMOSFET 800V 20A
товар відсутній
IXFH20N80QIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N80Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH20N80QIXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFH20N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH20N85XIXYSMOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
товар відсутній
IXFH20N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH20N85XIXYSIXFH20N85X THT N channel transistors
товар відсутній