Продукція > IPD

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IPD 2131

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 8DIGIT 280LED Yellow Automotive 24-Pin CDIP

товар відсутній

IPD 2132

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 8DIGIT 280LED Hi-Eff. Red Automotive 24-Pin CDIP

товар відсутній

IPD 2133

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 8DIGIT 280LED Hi-Eff. Green Automotive 24-Pin CDIP

товар відсутній

IPD 2545 A

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 4DIGIT 140LED Hi-Eff. Red Automotive 20-Pin CDIP

товар відсутній

IPD 2547 A

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 4DIGIT 140LED Green Automotive 20-Pin CDIP

товар відсутній

IPD 2548 A

OSRAM Opto Semiconductors

Alphanumeric Displays Panel 4DIGIT 140LED Yellow Automotive 20-Pin CDIP

товар відсутній

IPD CLICK - TPD2015

Category: Add-on boards
Description: Click board; load driver; GPIO; TPD2015FN; prototype board
Type of accessories for development kits: Click board
Components: TPD2015FN
Kind of connector: mikroBUS connector; screw terminal
Interface: GPIO
Kit contents: prototype board
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
development kits accessories features: ClickID
Kind of module: load driver
Size: L

товар відсутній

IPD CLICK - TPD2015

Category: Add-on boards
Description: Click board; load driver; GPIO; TPD2015FN; prototype board
Type of accessories for development kits: Click board
Components: TPD2015FN
Kind of connector: mikroBUS connector; screw terminal
Interface: GPIO
Kit contents: prototype board
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
development kits accessories features: ClickID
Kind of module: load driver
Size: L
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPD CLICK - TPD2017

Category: Add-on boards
Description: Click board; load driver; GPIO; TPD2017FN; prototype board
Type of accessories for development kits: Click board
Components: TPD2017FN
Kind of connector: mikroBUS connector; screw terminal
Interface: GPIO
Kit contents: prototype board
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
development kits accessories features: ClickID
Kind of module: load driver
Size: L
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPD CLICK - TPD2017

Category: Add-on boards
Description: Click board; load driver; GPIO; TPD2017FN; prototype board
Type of accessories for development kits: Click board
Components: TPD2017FN
Kind of connector: mikroBUS connector; screw terminal
Interface: GPIO
Kit contents: prototype board
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
development kits accessories features: ClickID
Kind of module: load driver
Size: L

товар відсутній

IPD WD 3P2,5 M20 BK

Phoenix Contact

Panel feed-through, Push-in connection, number of positions: 2+PE, 0.5 mm² . 2.5 mm², 690 V, 20 A, black, cable diameter range: 6 mm . 9 mm and 8 mm . 13 mm, Push-in connection

товар відсутній

IPD WD 3P2.5 M20 GY

Phoenix Contact

Panel feed-through, Push-in connection, number of positions: 2+PE, 0.5 mm² . 2.5 mm², 690 V, 20 A, light gray, cable diameter range: 6 mm . 9 mm and 8 mm . 13 mm, Push-in connection

товар відсутній

IPD WD 5P2,5 M25 GY

Phoenix Contact

1047344

товар відсутній

IPD023N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD023N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.29 грн
10+	66.81 грн
100+	51.97 грн
500+	41.34 грн
1000+	33.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD023N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD023N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.53 грн
10+	75.82 грн
100+	50.89 грн
500+	43.13 грн
1000+	36.84 грн
2000+	31.27 грн
10000+	31.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD024N06N

Infineon Technologies

MOSFET 60V TO-252

товар відсутній

IPD024N06NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD025N06N

Infineon technologies

на замовлення 2479 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD025N06N

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2

на замовлення 14213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.75 грн
10+	150.87 грн
100+	104.69 грн
250+	96.74 грн
500+	88.12 грн
1000+	79.51 грн
2500+	68.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD025N06NATMA1
Код товару: 169019

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2

на замовлення 9637 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.98 грн
10+	142.49 грн
100+	104.03 грн
250+	96.07 грн
500+	87.46 грн
1000+	74.87 грн
2500+	68.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 8102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

82+	143.23 грн
101+	115.16 грн
108+	108.39 грн
200+	103.58 грн
500+	85.89 грн
1000+	76.9 грн
2000+	74.91 грн
2500+	74.74 грн
5000+	72 грн

Мінімальне замовлення: 82

IPD025N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	156.83 грн
50+	140.48 грн
100+	122.64 грн
500+	103.53 грн
1000+	84.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	77.59 грн
5000+	71.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD025N06NATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.58 грн
5+	129.76 грн
8+	111.81 грн
20+	105.6 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD025N06NATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	189.09 грн
5+	161.7 грн
8+	134.17 грн
20+	126.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V

на замовлення 10331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.02 грн
10+	137.62 грн
100+	109.54 грн
500+	86.99 грн
1000+	73.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD025N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	122.64 грн
500+	103.53 грн
1000+	84.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	81.87 грн
10+	72.36 грн
25+	70.35 грн
100+	59.48 грн
250+	51.95 грн
500+	46.38 грн
1000+	37.33 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	77.93 грн
154+	75.76 грн
175+	66.43 грн
250+	60.42 грн
500+	52.03 грн
1000+	40.2 грн

Мінімальне замовлення: 150

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.98 грн
10+	102.98 грн
100+	82.79 грн
500+	63.84 грн
1000+	52.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	45.2 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2073 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.77 грн
10+	89.91 грн
100+	62.22 грн
250+	57.38 грн
500+	52.08 грн
1000+	47.18 грн
2000+	41.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

SP005588978

товар відсутній

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	44.92 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 139A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD028N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	53.17 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IPD029N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.83 грн
500+	38.79 грн
1000+	31.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD029N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD029N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.75 грн
10+	60.27 грн
100+	40.75 грн
500+	34.59 грн
1000+	29.48 грн
2000+	25.05 грн
10000+	24.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD029N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD029N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD029N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	83.25 грн
12+	62.73 грн
100+	48.83 грн
500+	38.79 грн
1000+	31.22 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD029N04NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.81 грн
10+	54.18 грн
100+	42.12 грн
500+	33.51 грн
1000+	27.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD031N03L G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	75.71 грн
161+	72.26 грн
181+	64.46 грн
200+	59.78 грн

Мінімальне замовлення: 154

IPD031N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 217-226 дні (днів)

3+	105.9 грн
10+	86.1 грн
100+	57.78 грн
500+	52.81 грн
1000+	45.92 грн
2500+	39.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD031N03L G E8177

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD031N03LG

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD031N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 2645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.9 грн
7+	56.6 грн
19+	42.81 грн
52+	40.48 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.85 грн
5000+	45.41 грн
10000+	43.97 грн
12500+	41.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1196 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.01 грн
10+	52.12 грн
100+	40.09 грн
500+	38.5 грн
1000+	37.9 грн
2500+	37.5 грн
5000+	36.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 215000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.9 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	40.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

257+	45.32 грн
258+	45.07 грн
274+	42.48 грн
277+	40.55 грн
500+	36.86 грн
1000+	34.99 грн

Мінімальне замовлення: 257

IPD031N03LGATMA1
Код товару: 149574

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD031N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD031N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.3 грн
13+	59.91 грн
100+	48.24 грн
500+	42.45 грн
1000+	38.93 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.51 грн
5000+	42.17 грн
10000+	40.83 грн
12500+	38.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2645 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	80.27 грн
5+	70.53 грн
19+	51.37 грн
52+	48.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

122+	95.35 грн
134+	86.87 грн
165+	70.68 грн
200+	63.77 грн
1000+	52.27 грн
2000+	46.88 грн
5000+	45.6 грн
10000+	43.82 грн

Мінімальне замовлення: 122

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

на замовлення 4271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.92 грн
10+	48.04 грн
100+	42.11 грн
500+	37.11 грн
1000+	36.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	45.48 грн
14+	42.08 грн
25+	41.85 грн
100+	38.04 грн
250+	34.87 грн
500+	32.86 грн
1000+	32.49 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD031N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD031N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD031N03LGBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2

товар відсутній

IPD031N03M G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

товар відсутній

IPD031N03M G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

товар відсутній

IPD031N06L3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 624 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.21 грн
10+	164.59 грн
100+	113.96 грн
250+	105.35 грн
500+	95.41 грн
1000+	81.5 грн
2500+	77.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD031N06L3G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	207.81 грн
59+	199.9 грн
100+	193.11 грн
250+	180.57 грн
500+	162.64 грн
1000+	152.32 грн
2500+	148.96 грн

Мінімальне замовлення: 56

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	78.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	48.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	160.55 грн
50+	139.74 грн
100+	118.18 грн
500+	99.39 грн
1000+	78.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 65000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	84.8 грн
5000+	78.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N06L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1477 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	158.76 грн
5+	137.61 грн
9+	108.5 грн
25+	102.7 грн
500+	98.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	128.04 грн
101+	115.91 грн
102+	114.18 грн
112+	100.73 грн
250+	91.15 грн
500+	80.3 грн
1000+	68.44 грн

Мінімальне замовлення: 91

IPD031N06L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1477 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.3 грн
5+	110.43 грн
9+	90.41 грн
25+	85.58 грн
500+	82.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	84.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	118.89 грн
10+	107.63 грн
25+	106.02 грн
100+	93.54 грн
250+	84.64 грн
500+	74.57 грн
1000+	63.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD031N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD031N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	118.18 грн
500+	99.39 грн
1000+	78.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	180.97 грн
77+	151.94 грн
100+	143.23 грн
200+	137.18 грн
500+	115.78 грн
1000+	104.52 грн
2000+	102.03 грн
2500+	101.2 грн
5000+	98.71 грн

Мінімальне замовлення: 65

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 70631 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.78 грн
10+	150.46 грн
100+	119.73 грн
500+	95.07 грн
1000+	80.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD031N06L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 5689 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.93 грн
10+	150.11 грн
100+	111.31 грн
250+	108.66 грн
500+	94.09 грн
1000+	78.18 грн
2500+	76.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD033N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

на замовлення 2175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.91 грн
10+	113.88 грн
100+	90.64 грн
500+	71.97 грн
1000+	61.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD033N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD033N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD033N06NATMA1

Infineon Technologies

Power Management Specialised - PMIC TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPD033N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD034N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.77 грн
10+	104.39 грн
100+	72.22 грн
250+	70.23 грн
500+	60.23 грн
1000+	51.55 грн
2500+	48.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD034N06N3 G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	109.19 грн
112+	104.3 грн
250+	100.12 грн
500+	93.06 грн
1000+	83.35 грн

Мінімальне замовлення: 107

IPD034N06N3G

Infineon technologies

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD034N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

на замовлення 5320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.02 грн
500+	63.36 грн
1000+	53.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD034N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.65 грн
5+	76.61 грн
12+	66.95 грн
33+	63.5 грн
500+	61.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 10904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.26 грн
10+	94.69 грн
100+	75.34 грн
500+	59.83 грн
1000+	50.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	100 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD034N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

на замовлення 5320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	138.25 грн
10+	104.8 грн
100+	81.02 грн
500+	63.36 грн
1000+	53.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD034N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1884 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	112.38 грн
5+	95.47 грн
12+	80.34 грн
33+	76.2 грн
500+	73.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	53.37 грн
5000+	49.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPD034N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	57.1 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD035N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD035N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD036N04L G
Код товару: 166396

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD036N04L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

на замовлення 41783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.18 грн
10+	73.37 грн
100+	57.06 грн
500+	45.39 грн
1000+	36.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	92.1 грн
139+	83.9 грн
171+	68.31 грн
200+	61.58 грн
1000+	50.5 грн
2000+	45.26 грн

Мінімальне замовлення: 127

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

на замовлення 37500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.51 грн
5000+	35.32 грн
12500+	33.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.74 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 7162 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.26 грн
10+	82.29 грн
100+	55.19 грн
500+	46.78 грн
1000+	38.16 грн
2500+	35.78 грн
5000+	34.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD036N04LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD036N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD038N04N G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2

товар відсутній

IPD038N04N G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IPD038N04NGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD038N04NGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD038N04NGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD038N04NGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD038N04NGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD038N06N3

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD038N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 17489 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.37 грн
10+	112.77 грн
100+	78.18 грн
250+	72.22 грн
500+	65.33 грн
1000+	56.25 грн
2500+	51.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD038N06N3G

Infineon Technologies

Description: IPD038N06N3G

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD038N06N3G

09+ QFP-64

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	115.51 грн
10+	103.03 грн
25+	97.78 грн
100+	70.72 грн
500+	55.5 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD038N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO252-3
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD038N06N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO252-3
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPD038N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD038N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.03 грн
10+	55.93 грн
100+	37.83 грн
500+	32.07 грн
1000+	27.36 грн
2000+	23.26 грн
10000+	23.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD038N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

на замовлення 1233 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.07 грн
10+	49.62 грн
100+	38.6 грн
500+	30.7 грн
1000+	25.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD038N06NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD03N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LA

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

на замовлення 1037 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.79 грн
10+	88.69 грн
100+	80.59 грн
500+	72.37 грн
1000+	71.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD03N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD03N03LAG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LAP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LB

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LB

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD03N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD03NLBG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD03NLBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD040N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.26 грн
10+	68.35 грн
100+	46.25 грн
500+	39.16 грн
1000+	33.46 грн
2500+	28.42 грн
10000+	28.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD040N03L G E8177

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD040N03LG

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD040N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	83.84 грн
5+	61.75 грн
21+	45.55 грн
58+	43.07 грн
500+	42.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD040N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.87 грн
7+	49.56 грн
21+	37.96 грн
58+	35.89 грн
500+	35.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.12 грн
10+	61.5 грн
100+	47.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	98.35 грн
10+	97.41 грн
25+	96.47 грн
100+	92.12 грн
250+	84.45 грн
500+	80.26 грн
1000+	79.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	20.18 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	104.9 грн
112+	103.89 грн
113+	102.88 грн
250+	98.22 грн
500+	90.04 грн
1000+	85.55 грн

Мінімальне замовлення: 111

IPD040N03LGATMA1
Код товару: 128410

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD040N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD040N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD040N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD040N03LGBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2

товар відсутній

IPD040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.69 грн
10+	115.82 грн
100+	80.17 грн
250+	74.21 грн
500+	66.92 грн
1000+	60.56 грн
2000+	52.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	58.47 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IPD040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 3562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.73 грн
10+	103.67 грн
100+	82.55 грн
500+	65.56 грн
1000+	55.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	44.29 грн

Мінімальне замовлення: 2000

IPD042P03L3 G

Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3

товар відсутній

IPD042P03L3G

Infineon technologies

на замовлення 178 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD042P03L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; Idm: -280A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -70A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPD042P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 18039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	92.17 грн
500+	72.47 грн
1000+	56.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.72 грн
5000+	51.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 13864 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.37 грн
10+	114.3 грн
100+	78.85 грн
500+	66.92 грн
1000+	56.58 грн
2500+	53.67 грн
5000+	52.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS P3 Power-Transistor

товар відсутній

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

на замовлення 8577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.58 грн
10+	102.35 грн
100+	81.46 грн
500+	64.69 грн
1000+	54.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	159.91 грн
78+	149.05 грн
100+	127.33 грн
200+	117.07 грн
500+	99.59 грн
1000+	81.05 грн
2000+	78.69 грн
2500+	77.75 грн

Мінімальне замовлення: 73

IPD042P03L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; Idm: -280A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -70A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

IPD042P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD042P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 18039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.18 грн
50+	105.55 грн
100+	92.17 грн
500+	72.47 грн
1000+	56.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	57.7 грн
5000+	53.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD042P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	56.78 грн
5000+	55.8 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD042P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3

товар відсутній

IPD042P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD042P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD046N08N5

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 2499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	180.11 грн
10+	147.06 грн
100+	102.04 грн
250+	98.06 грн
500+	85.47 грн
1000+	73.55 грн
2500+	68.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

товар відсутній

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD046N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 2170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.28 грн
10+	132.65 грн
100+	105.54 грн
500+	83.81 грн
1000+	71.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD048N06L3 G

на замовлення 42500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD048N06L3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD048N06L3G

Infineon technologies

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

на замовлення 6374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.44 грн
10+	68.6 грн
100+	53.37 грн
500+	42.46 грн
1000+	34.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

N-channel MOSFET

товар відсутній

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.53 грн
10+	75.82 грн
100+	50.89 грн
500+	43.13 грн
1000+	35.18 грн
2500+	33.06 грн
5000+	31.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.03 грн
5000+	33.04 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD048N06L3GATMA1

Infineon Technologies

IPD048N06L3 G

товар відсутній

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD048N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	71.85 грн
10+	61.84 грн
25+	60.15 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD04N03L

03+

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03L

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03L

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LA

0522+

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LA G

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD04N03LA G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD04N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5199 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD04N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LAG

0522+

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD04N03LB G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD04N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V

на замовлення 1119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.86 грн
10+	66.26 грн
100+	58 грн
500+	51.13 грн
1000+	50.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD04N03LBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD04N03LBG

Rochester Electronics, LLC

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD050N03L G

на замовлення 129200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD050N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81.94 грн
10+	66.29 грн
100+	44.92 грн
500+	38.1 грн
1000+	31.01 грн
2500+	29.15 грн
5000+	27.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD050N03L G

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

на замовлення 13512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	76.69 грн
10+	60.46 грн
100+	47.05 грн
500+	37.43 грн
1000+	30.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.91 грн
5000+	29.05 грн
10000+	28.55 грн
12500+	26.85 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD050N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2375 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	66.9 грн
6+	49.02 грн
25+	41.66 грн
27+	36.03 грн
73+	34.04 грн
500+	33.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

225+	51.65 грн
228+	51.14 грн
257+	45.19 грн
260+	43.14 грн
500+	35.96 грн
1000+	28.42 грн

Мінімальне замовлення: 225

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 4366 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.54 грн
10+	52.19 грн
100+	38.1 грн
500+	34.32 грн
1000+	27.7 грн
2500+	27.5 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD050N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 8150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.61 грн
500+	37.96 грн
1000+	27.78 грн
2500+	25.48 грн
5000+	24.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.76 грн
5000+	29.13 грн
12500+	27.78 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.26 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	53.03 грн
12+	47.97 грн
25+	47.48 грн
100+	40.46 грн
250+	37.09 грн
500+	32.05 грн
1000+	26.39 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD050N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2375 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.75 грн
9+	39.34 грн
25+	34.72 грн
27+	30.02 грн
73+	28.37 грн
500+	28.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3316 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

293+	39.69 грн
305+	38.11 грн
500+	36.73 грн
1000+	34.26 грн
2500+	30.79 грн

Мінімальне замовлення: 293

IPD050N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 8150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.24 грн
13+	61.47 грн
100+	48.61 грн
500+	37.96 грн
1000+	27.78 грн
2500+	25.48 грн
5000+	24.97 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD050N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.72 грн
5000+	28.86 грн
10000+	28.37 грн
12500+	26.68 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD050N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD050N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD050N03LGBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	83.92 грн
5000+	77.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	329.69 грн
56+	210.25 грн
69+	169.78 грн
100+	153.25 грн
200+	141.02 грн
500+	120.99 грн
1000+	112.53 грн
2000+	109.99 грн
2500+	109.14 грн

Мінімальне замовлення: 36

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 12699 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.44 грн
10+	155.44 грн
100+	113.3 грн
250+	110.65 грн
500+	96.07 грн
1000+	81.5 грн
2500+	74.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD050N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	121.15 грн
500+	98.7 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

145+	80.16 грн

Мінімальне замовлення: 145

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V

на замовлення 5073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	185.63 грн
10+	148.87 грн
100+	118.48 грн
500+	94.08 грн
1000+	79.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD050N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	216.29 грн
10+	159.06 грн
100+	121.15 грн
500+	98.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD050N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Infineon

товар відсутній

IPD050N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

товар відсутній

IPD052N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD052N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 105-114 дні (днів)

3+	138.37 грн
10+	113.53 грн
100+	78.18 грн
250+	72.88 грн
500+	65.93 грн
1000+	59.37 грн
2000+	51.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD052N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

товар відсутній

IPD053N06N

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2

на замовлення 3338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	108.99 грн
10+	88.39 грн
100+	59.83 грн
500+	50.69 грн
1000+	43.33 грн
2500+	36.77 грн
10000+	36.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD053N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 200V 90A DPAK-2

товар відсутній

IPD053N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD053N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD053N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N06N3GXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 26532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	63.48 грн
14+	54.33 грн
100+	40.14 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

174+	67.04 грн
175+	66.56 грн
207+	56.18 грн
250+	52.72 грн
500+	43.58 грн
1000+	37.92 грн
3000+	37.06 грн
6000+	35.69 грн

Мінімальне замовлення: 174

IPD053N06NATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	64.15 грн
10+	62.25 грн
25+	61.8 грн
100+	50.31 грн
250+	45.33 грн
500+	38.85 грн
1000+	35.22 грн
3000+	34.41 грн
6000+	33.14 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2

на замовлення 17943 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.75 грн
10+	63.62 грн
100+	45.72 грн
500+	40.62 грн
1000+	36.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

118+	98.71 грн
129+	90.02 грн
159+	73.24 грн
200+	66.06 грн
500+	60.99 грн
1000+	52.03 грн
2000+	48.57 грн
2500+	48.4 грн

Мінімальне замовлення: 118

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 6835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.49 грн
10+	80.68 грн
100+	62.74 грн
500+	49.9 грн
1000+	40.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD053N06NATMA1

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 26532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD053N06NATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.78 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N06NATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

IPD053N08N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD053N08N3 G

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD053N08N3 G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

88+	132.32 грн
92+	127.28 грн
100+	122.96 грн
250+	114.97 грн
500+	103.56 грн
1000+	96.99 грн
2500+	94.84 грн

Мінімальне замовлення: 88

IPD053N08N3GATMA1

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 387500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	89.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	102.58 грн
128+	91.36 грн
133+	87.87 грн
200+	84.55 грн
500+	72.93 грн
1000+	67.02 грн
2000+	65.86 грн
2500+	65.78 грн

Мінімальне замовлення: 114

IPD053N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm

на замовлення 21764 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	151.63 грн
10+	118.18 грн
100+	98.11 грн
500+	81.44 грн
1000+	66.9 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 15322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.58 грн
10+	136.31 грн
100+	108.48 грн
500+	86.15 грн
1000+	73.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	69.88 грн
5000+	68.55 грн
10000+	51.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	96.27 грн
10+	89.71 грн
25+	88.82 грн
100+	77.56 грн
250+	71.09 грн
500+	64.58 грн
1000+	58.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 64402 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.37 грн
10+	117.34 грн
100+	86.14 грн
250+	85.47 грн
500+	76.86 грн
1000+	69.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1759 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	103.67 грн
121+	96.61 грн
122+	95.65 грн
135+	83.52 грн
250+	76.56 грн
500+	69.55 грн
1000+	62.88 грн

Мінімальне замовлення: 113

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	76.84 грн
5000+	71.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	64.72 грн
5000+	63.48 грн
10000+	47.36 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

товар відсутній

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

товар відсутній

IPD053N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

на замовлення 1815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.53 грн
10+	90.21 грн
100+	71.79 грн
500+	57 грн
1000+	48.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD055N08NF2SATMA1
Код товару: 199783

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD055N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	71.88 грн
500+	60.6 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1662 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.91 грн
10+	100.58 грн
100+	69.57 грн
250+	64.07 грн
500+	58.17 грн
1000+	52.68 грн
2000+	45.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

товар відсутній

IPD055N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	134.53 грн
10+	101.09 грн
100+	71.88 грн
500+	60.6 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD055N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD05N03

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LA

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LA G

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

товар відсутній

IPD05N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LAG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LB

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LB

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD05N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

товар відсутній

IPD05N03LBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD060N03L G

Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товар відсутній

IPD060N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD060N03L G E8177

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD060N03LG

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD060N03LG (Транзистори польові N-канал) (IPD060N03LGATMA1)
Код товару: 45565

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

151+	76.98 грн
154+	75.55 грн
192+	60.53 грн
250+	56.13 грн
500+	42.73 грн
1000+	37.91 грн

Мінімальне замовлення: 151

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.78 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

на замовлення 4159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	51.79 грн
10+	42.97 грн
100+	30.74 грн
500+	26.83 грн
1000+	23.32 грн
2500+	23.12 грн
10000+	22.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.83 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD060N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.04 грн
12+	66 грн
100+	47.72 грн
500+	36.51 грн
1000+	26.63 грн
2500+	24.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD060N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 132 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.9 грн
10+	37.06 грн
11+	32.92 грн
28+	28.57 грн
77+	26.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 1332 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.79 грн
10+	50.38 грн
100+	39.22 грн
500+	31.2 грн
1000+	25.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD060N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	79.39 грн
10+	71.48 грн
25+	70.16 грн
100+	54.2 грн
250+	48.26 грн
500+	38.09 грн
1000+	35.2 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPD060N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 132 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	80.27 грн
6+	46.19 грн
10+	39.51 грн
28+	34.29 грн
77+	32.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD060N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD060N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD060N03LGINCT

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPD068N10N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD068N10N3 G

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

на замовлення 11252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.6 грн
10+	140.11 грн
100+	111.5 грн
500+	88.54 грн
1000+	75.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	193.89 грн
10+	173.56 грн
25+	171.86 грн
100+	132.78 грн
250+	121.71 грн
500+	95.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD068N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2823 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	181.36 грн
10+	162.78 грн
100+	130.82 грн
500+	100.08 грн
1000+	76.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	208.81 грн
63+	185.08 грн
100+	142.99 грн
250+	131.07 грн
500+	102.93 грн

Мінімальне замовлення: 56

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	78.97 грн
5000+	73.19 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.41 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 40470 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	180.88 грн
10+	142.49 грн
100+	106.01 грн
250+	105.35 грн
500+	90.11 грн
1000+	74.87 грн
2500+	70.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD068N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

товар відсутній

IPD068P03L3 G

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

на замовлення 6607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD068P03L3 G

на замовлення 157500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD068P03L3 G

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

на замовлення 6607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD068P03L3 G

Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -30V -70A DPAK-2 OptiMOS P3

товар відсутній

IPD068P03L3G

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 9866 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.44 грн
10+	73.68 грн
100+	49.63 грн
500+	42.07 грн
1000+	34.26 грн
2500+	32.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	50.42 грн
13+	46.38 грн
25+	46.17 грн
100+	39.24 грн
250+	36.14 грн
500+	31.6 грн
1000+	26.3 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

на замовлення 6755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.14 грн
10+	65.98 грн
100+	51.29 грн
500+	40.81 грн
1000+	33.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

233+	49.94 грн
234+	49.72 грн
266+	43.82 грн
267+	42.03 грн
500+	35.45 грн
1000+	28.32 грн

Мінімальне замовлення: 233

IPD068P03L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 100W
Drain current: -70A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Single P-Channel Power Transistor

товар відсутній

IPD068P03L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 100W
Drain current: -70A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPD068P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm

на замовлення 2918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.67 грн
500+	43.83 грн
1000+	32.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	34.63 грн
5000+	31.76 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IPD068P03L3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 3562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	89.71 грн
143+	81.48 грн
170+	68.32 грн
200+	62.34 грн
500+	51.93 грн
1000+	41.89 грн
2500+	38.82 грн

Мінімальне замовлення: 130

IPD068P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm

на замовлення 2918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	76.56 грн
50+	66.15 грн
100+	55.67 грн
500+	43.83 грн
1000+	32.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD068P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD068P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD068P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 30V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD06N03L

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03L

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03L

03+

на замовлення 4077 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03L

07+;

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA

TO252

на замовлення 240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA

0426+

на замовлення 5579 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA

Infineon Technologies

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPD06N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA

07+;

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD06N03LA G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD06N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD06N03LA G

TO-252

на замовлення 1207 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LAG

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

на замовлення 25570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

611+	32.1 грн

Мінімальне замовлення: 611

IPD06N03LAG

TO-252 10+

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LAGBUMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD06N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD06N03LB G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD06N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD06N03LBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06N03LBG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD06P002NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD06P002NSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD06P003NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD06P003NSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3

товар відсутній

IPD06P004NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD06P004NSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD06P005LATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD06P005LSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD06P005NATMA1

Infineon Technologies

Description: TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPD06P005NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD06P005NSAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3

товар відсутній

IPD06P007NATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD075N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD075N03L G

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD075N03LG

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.93 грн
5000+	22.8 грн
12500+	21.95 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

на замовлення 8500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.99 грн
10+	35.13 грн
100+	25.11 грн
500+	23.65 грн
1000+	21.07 грн
2500+	20.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD075N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2491 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	84.73 грн
6+	49.28 грн
10+	38.1 грн
30+	33.05 грн
80+	31.22 грн
1000+	30.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD075N03LGATMA1
Код товару: 172911

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD075N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 18379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.87 грн
10+	34.1 грн
100+	28.28 грн
500+	24.3 грн
1000+	23.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD075N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 2491 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	70.61 грн
9+	39.55 грн
11+	31.75 грн
30+	27.54 грн
80+	26.02 грн
1000+	25.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD075N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD075N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD079N06L3 G

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD079N06L3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD079N06L3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.22 грн
10+	61.26 грн
100+	41.54 грн
500+	35.18 грн
1000+	28.62 грн
2500+	26.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD079N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

на замовлення 7950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.24 грн
10+	55.15 грн
100+	42.89 грн
500+	34.12 грн
1000+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD079N06L3GATMA1

Infineon Technologies

SP005559925

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD079N06L3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.95 грн
5000+	26.55 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD079N06L3GBTMA1

Description: INFINEON - IPD079N06L3GBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	87.71 грн
11+	74.1 грн
100+	53.59 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD079N06L3GBTMA1

Description: INFINEON - IPD079N06L3GBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD079N06L3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD07N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD07N03L

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD07N03L

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD07N03LA

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD07N03LAG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD082N10N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD082N10N3G(Power-Transistor)
Код товару: 82995

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 702 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.91 грн
10+	110.49 грн
100+	80.83 грн
250+	78.18 грн
500+	68.91 грн
1000+	58.37 грн
2500+	56.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	146.42 грн
10+	133.42 грн
25+	131.3 грн
100+	106.32 грн
250+	96.16 грн
500+	75.74 грн
1000+	59.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD082N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	186.56 грн
10+	148.66 грн
100+	119.67 грн
500+	91.8 грн
1000+	70.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	61.12 грн
5000+	56.64 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD082N10N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPD082N10N3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPD082N10N3GATMA1
Код товару: 143398

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	157.68 грн
81+	143.68 грн
83+	141.4 грн
100+	114.5 грн
250+	103.56 грн
500+	81.56 грн
1000+	63.81 грн

Мінімальне замовлення: 74

IPD082N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 125
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	119.67 грн
500+	91.8 грн
1000+	70.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

на замовлення 28636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.46 грн
10+	108.43 грн
100+	86.29 грн
500+	68.52 грн
1000+	58.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD082N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD082N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V

товар відсутній

IPD082N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD082N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD088N04L G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IPD088N04L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD088N04LG

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD088N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD088N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N04LGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N04LGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N06N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 22160 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD088N06N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD088N06N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD088N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPD090N03L G

Description: INFINEON - IPD090N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товар відсутній

IPD090N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD090N03L G E8177

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD090N03LG

N-MOSFET 30V 40A 42W 9mΩ IPD090N03LG Infineon TIPD090n03lg
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 75 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	12.1 грн

Мінімальне замовлення: 50

IPD090N03LG (Транзистори польові N-канал)
Код товару: 45566

Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 40 A
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: /15

товар відсутній

IPD090N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	58.5 грн
16+	49.28 грн
100+	31.29 грн
500+	24.64 грн
1000+	17.14 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD090N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.04 грн
12+	31.06 грн
25+	27.54 грн
34+	23.74 грн
93+	22.43 грн
500+	22.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	45.74 грн
15+	40.2 грн
25+	34.1 грн
100+	29.25 грн
250+	25.7 грн
500+	15.24 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPD090N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	93.65 грн
7+	38.7 грн
25+	33.05 грн
34+	28.49 грн
93+	26.92 грн
500+	26.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

317+	36.72 грн
356+	32.67 грн
375+	31 грн
607+	18.47 грн

Мінімальне замовлення: 317

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 92324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.17 грн
10+	42.24 грн
100+	29.24 грн
500+	22.93 грн
1000+	19.51 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD090N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.29 грн
500+	24.64 грн
1000+	17.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 91305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.23 грн
5000+	17.54 грн
12500+	16.24 грн
25000+	15.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD090N03LGATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2

на замовлення 34314 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.16 грн
10+	41.45 грн
100+	25.97 грн
500+	21.34 грн
1000+	20.14 грн
2500+	17.56 грн
5000+	16.7 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD090N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD090N03LGBTMA1
Код товару: 163865

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPD090N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD090N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD096N08N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 80V 73A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD096N08N3G

Infineon technologies

на замовлення 748 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1833 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.63 грн
10+	76.2 грн
100+	51.75 грн
500+	44.72 грн
1000+	36.44 грн
2500+	34.32 грн
5000+	32.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.59 грн
10+	70.26 грн
100+	54.62 грн
500+	43.45 грн
1000+	35.4 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD096N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	107.03 грн
10+	80.27 грн
100+	59.31 грн
500+	46.66 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	28.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD096N08N3GATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD096N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD096N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 73 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.31 грн
500+	46.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD096N08N3GBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V

товар відсутній

IPD09N032AL-AP

09+

на замовлення 5018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03L

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LA

Infineon Technologies

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPD09N03LA

0424+

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LA

TO252

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LA G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

товар відсутній

IPD09N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD09N03LA G

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LA G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD09N03LAG

0825+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LAGBUMA1

Infineon Technologies

MOSFET

товар відсутній

IPD09N03LAP

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LB G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD09N03LBG

to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LBG

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LBG

Infineon Technologies

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товар відсутній

IPD09N03LBG

07+ to-252/d-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD09N03LBG

0521+

на замовлення 4304 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD1-02-D

Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.56 грн
10+	64.88 грн
25+	62.25 грн
50+	57.18 грн
100+	54.69 грн
250+	49.72 грн
500+	44.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-02-D-GP-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-02-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-02-D-K - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 4 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

товар відсутній

IPD1-02-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 24138 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.39 грн
10+	69.42 грн
100+	52.01 грн
500+	42.54 грн
1000+	37.9 грн
2500+	34.26 грн
5000+	33.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-02-D-K

Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 3777 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.37 грн
10+	54.73 грн
25+	52.54 грн
50+	48.24 грн
100+	46.14 грн
250+	41.94 грн
500+	37.13 грн
1000+	33 грн
2500+	29.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-02-D-K

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.03 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD1-02-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 1884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.12 грн
100+	144.77 грн
500+	106.68 грн
1000+	90.77 грн
2500+	83.49 грн
5000+	81.5 грн
10000+	79.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-02-D-K-M

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 1776 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-02-D-K-M

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	104.1 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD1-02-D-K-M

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-02-D-M

Conn Housing RCP 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-02-D-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-02-D-P-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-02-D-P-M

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S

Description: SAMTEC - IPD1-02-S - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 2 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 2-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihen CC79L & CC79R von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	55.82 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPD1-02-S

Conn Housing F 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

товар відсутній

IPD1-02-S

Conn Housing F 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	38.53 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPD1-02-S

Description: CONN RCPT HSG 2POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 2
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

на замовлення 1181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	73.11 грн
10+	59.91 грн
100+	53.81 грн
1000+	36.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-02-S-K

Conn Housing F 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 11358 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.07 грн
10+	67.21 грн
100+	50.36 грн
500+	41.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

на замовлення 37751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

158+	73.55 грн

Мінімальне замовлення: 158

IPD1-02-S-K

Description: CONN RCPT HSG 2POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 2
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

на замовлення 11651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.37 грн
10+	54.73 грн
25+	52.54 грн
50+	48.24 грн
100+	46.14 грн
250+	41.94 грн
500+	37.13 грн
1000+	33 грн
2500+	29.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-02-S-K

Description: SAMTEC - IPD1-02-S-K - Steckverbindergehäuse, eine Reihe, IPD1, Buchse, 2 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 2Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: 0
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 7765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	49.06 грн
50+	43.04 грн
100+	36.94 грн
250+	32.09 грн
500+	27.52 грн
1500+	24.34 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

на замовлення 37751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	68.3 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD1-02-S-K

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Bulk

на замовлення 7368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	75.44 грн

Мінімальне замовлення: 154

IPD1-02-S-K-M

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 367 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-02-S-K-M

Conn Housing RCP 2 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Bulk

на замовлення 669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	272.75 грн

Мінімальне замовлення: 43

IPD1-02-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-02-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 2POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 2
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-02-S-K..

Description: SAMTEC - IPD1-02-S-K.. - Steckverbindergehäuse, Single Row, Buchse, 2 -polig, 2.54 mm, CC79 Series Socket Crimp Contacts
Rastermaß: 2.54
Ausführung: Buchse
Zur Verwendung mit: CC79 Series Socket Crimp Contacts
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товар відсутній

IPD1-02-S-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.8 грн
10+	73.83 грн
100+	55.33 грн
500+	45.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-03-D

Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-D

Description: CONN RCPT HSG 6POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.66 грн
10+	53.97 грн
25+	51.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-03-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.39 грн
10+	69.42 грн
100+	52.01 грн
500+	42.54 грн
1000+	37.9 грн
2500+	34.26 грн
5000+	33.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-03-D-GP

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-GP

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-GP-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-GP-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-GP-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 65554 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.65 грн
10+	47.17 грн
100+	36.44 грн
500+	29.42 грн
1000+	27.1 грн
2500+	26.83 грн
10000+	25.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD1-03-D-K

Description: CONN RCPT HSG 6POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 13933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.37 грн
10+	54.73 грн
25+	52.54 грн
50+	48.24 грн
100+	46.14 грн
250+	41.94 грн
500+	37.13 грн
1000+	33 грн
2500+	29.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-03-D-K

Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-03-D-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 6 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 6-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	49.06 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPD1-03-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 271 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	391.14 грн
10+	368.79 грн
100+	267.68 грн
500+	227.27 грн
1000+	193.47 грн
2500+	177.57 грн
5000+	174.26 грн

IPD1-03-D-K-M

Description: CONN RECEPT .100" 6POS

на замовлення 927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-03-D-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-03-D-K-M - Steckverbindergehäuse, Buchse, 6 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 6-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	309.95 грн
10+	296.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-03-D-K-M

Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-D-K-M
Код товару: 130196

Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Інші

товар відсутній

IPD1-03-D-K-R

IPD1-03-D-K-R

товар відсутній

IPD1-03-D-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-K-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-M

Conn Housing RCP 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-03-D-P

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-P

Conn Housing 6 POS 2.54mm Crimp ST Loose

товар відсутній

IPD1-03-D-P

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-P-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-D-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-D-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-03-S

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-S

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

товар відсутній

IPD1-03-S

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-03-S-K

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 4892 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.39 грн
10+	69.42 грн
100+	52.01 грн
500+	42.54 грн
1000+	37.9 грн
2500+	34.26 грн
5000+	33.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-03-S-K

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-S-K

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6

на замовлення 2787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	75.26 грн
10+	61.43 грн
25+	58.91 грн
50+	54.12 грн
100+	51.77 грн
250+	47.06 грн
500+	41.66 грн
1000+	37.03 грн
2500+	33.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-03-S-K

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-03-S-K .

Description: SAMTEC - IPD1-03-S-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 3 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 3-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.58 грн
50+	64.59 грн
100+	57.6 грн
250+	48.59 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD1-03-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	368.4 грн
10+	321.97 грн
25+	305.01 грн
50+	279.57 грн
100+	266.25 грн
250+	232.97 грн
500+	222.61 грн

IPD1-03-S-K-M

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 643 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	391.14 грн
10+	368.79 грн
100+	267.68 грн
500+	227.27 грн
1000+	193.47 грн
2500+	177.57 грн
5000+	174.26 грн

IPD1-03-S-K-M

Conn Housing F 3 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-03-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-03-S-P

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-03-S-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-03-S-R

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 3
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Part Status: Active
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-04-D

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-04-D

Conn Housing F 8 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-04-D

Description: SAMTEC - IPD1-04-D - Steckverbindergehäuse, Buchse, 8 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 8-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-04-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 11409 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.07 грн
10+	67.21 грн
100+	50.36 грн
500+	41.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-04-D-K

Description: CONN RCPT HSG 8POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 8
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 2589 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.37 грн
10+	54.73 грн
25+	52.54 грн
50+	48.24 грн
100+	46.14 грн
250+	41.94 грн
500+	37.13 грн
1000+	33 грн
2500+	29.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-04-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-04-D-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 8 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 8-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	74.33 грн
50+	67.27 грн
100+	60.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD1-04-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-04-D-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-04-D-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-04-D-P-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-04-S

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-04-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 5455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.07 грн
10+	67.21 грн
100+	50.36 грн
500+	41.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-04-S-K

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 1813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-04-S-K .

Description: SAMTEC - IPD1-04-S-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 4 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 4-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.58 грн
50+	64.59 грн
100+	57.6 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD1-04-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM

на замовлення 229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	366.97 грн
10+	320.59 грн
25+	303.66 грн
50+	278.32 грн
100+	265.07 грн

IPD1-04-S-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-04-S-K-M - Steckverbindergehäuse, Buchse, 4 -polig, 2.54 mm, Samtech Mini Mate IPD1 Series Socket Contacts
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	286.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-04-S-K-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-04-S-K-M

Conn Housing F 4 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	269.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-04-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-04-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 4POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-05-D

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-05-D

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 10
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 55103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	74.54 грн
10+	60.74 грн
25+	58.28 грн
50+	53.54 грн
100+	51.21 грн
250+	46.55 грн
500+	41.21 грн
1000+	36.63 грн
2500+	33.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-05-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 6506 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.07 грн
10+	67.21 грн
100+	50.36 грн
500+	41.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-05-D

Description: SAMTEC - IPD1-05-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 10Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	61.25 грн
50+	55.6 грн
100+	49.87 грн
250+	42.1 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPD1-05-D-K

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 10
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 12122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	57.34 грн
10+	46.66 грн
25+	44.81 грн
50+	41.14 грн
100+	39.36 грн
250+	35.78 грн
500+	31.68 грн
1000+	28.16 грн
2500+	25.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-05-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 26341 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.07 грн
10+	67.21 грн
100+	50.36 грн
500+	41.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-05-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-05-D-K - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 10Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 12255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	48.83 грн
50+	43.26 грн
100+	37.68 грн
250+	33.47 грн
500+	29.43 грн
1500+	25.55 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPD1-05-D-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

на замовлення 1417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.03 грн
1000+	26.99 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD1-05-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-05-D-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-05-D-K-M - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 10Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe CC69 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	217.04 грн
10+	162.03 грн
100+	132.3 грн
250+	101.46 грн
500+	73.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-05-D-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-05-D-M

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 10
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 1127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	245.84 грн
50+	192.47 грн
100+	171.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-05-D-M

Conn Housing RCP 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

товар відсутній

IPD1-05-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	266.69 грн
50+	214.11 грн
100+	172.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-05-D-P

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-05-D-P-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-05-S

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 1271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-05-S-K

Description: CONN RCPT HSG 5POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 5
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

на замовлення 33488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	73.11 грн
10+	59.36 грн
100+	53.32 грн
1000+	36.39 грн
5000+	31.84 грн
10000+	30.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-05-S-K-M

Conn Housing F 5 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-05-S-K-M

Conn Housing F 5 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	150.75 грн
10+	131.49 грн
25+	123.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-05-S-K-M

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-05-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" MINI MATE DISCRETE WIRE SOCKET HOUSING

на замовлення 232 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-05-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 5POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 5
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-06-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.22 грн
10+	66.44 грн
100+	49.83 грн
500+	40.75 грн
1000+	36.24 грн
2500+	32.8 грн
5000+	31.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-06-D

Description: CONN RECEPT .100" 12POS

на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-06-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 8975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.22 грн
10+	66.44 грн
100+	49.83 грн
500+	40.75 грн
1000+	36.24 грн
2500+	32.8 грн
5000+	31.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-06-D-K

Description: CONN RECEPT .100" 12POS

на замовлення 2588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-06-D-K

Conn Housing F 12 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Bulk

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-06-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-06-D-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 12 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 12-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	74.18 грн
50+	66.9 грн
100+	59.54 грн
250+	50.25 грн
500+	41.73 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD1-06-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 12POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 1525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	359.08 грн
10+	314.1 грн
25+	297.55 грн
50+	272.74 грн
100+	259.75 грн
250+	227.29 грн
500+	217.17 грн
1000+	185.24 грн

IPD1-06-D-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-06-D-K-M - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 12 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 12-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-06-D-K-M

Conn Housing F 12 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

товар відсутній

IPD1-06-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 481 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	316.16 грн
10+	269.74 грн
100+	206.73 грн
250+	198.11 грн
500+	192.81 грн
1000+	169.62 грн
5000+	166.97 грн

IPD1-06-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-06-D-M

Description: CONN RCPT HSG 12POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	369.12 грн

IPD1-06-S-K

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 361 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-06-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 3696 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.73 грн
10+	56.69 грн
100+	44.19 грн
500+	39.49 грн
1000+	32 грн
2500+	30.81 грн
10000+	30.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-06-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-06-S-K-M

Conn Housing F 6 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Bulk

на замовлення 208 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	150.25 грн
5+	139.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-06-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-06-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-06-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 6POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 6
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-07-D

Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 14
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 1075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.34 грн
10+	83.86 грн
100+	74.93 грн
1000+	50.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-07-D

Supercapacitors / Ultracapacitors 100F 2.7V +30% / -10% tol

товар відсутній

IPD1-07-D

Description: SAMTEC - IPD1-07-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 14 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 14-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	101.09 грн
10+	81.02 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPD1-07-D-K

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-07-D-K

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-07-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 2309 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.72 грн
10+	104.39 грн
100+	77.52 грн
500+	64.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-07-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-07-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 14 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 14
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihen CC79L & CC79R von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.55 грн
10+	98.86 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPD1-07-D-K

Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 14
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 1198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.72 грн
10+	70.26 грн
100+	63.08 грн
1000+	43.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-07-D-K

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-07-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 14
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	384.89 грн
10+	337.02 грн
25+	319.17 грн
50+	292.57 грн
100+	278.63 грн
250+	243.81 грн

IPD1-07-D-K-M

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-07-D-K-M

Conn Housing F 14 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-07-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 1165 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	294.52 грн
112+	214.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-07-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-07-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 7POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 7
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-08-D

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-08-D

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-08-D-GP

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-GP

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-D-GP-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-GP-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-K

Conn Housing F 16 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-08-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-08-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 16 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 16-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	46.6 грн
50+	41.1 грн
100+	35.53 грн

Мінімальне замовлення: 16

IPD1-08-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 12514 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.29 грн
10+	47.32 грн
100+	35.78 грн
500+	32.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD1-08-D-K

Conn Housing F 16 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-08-D-K

Description: CONN RCPT HSG 16POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 16
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 3337 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	74.54 грн
10+	60.74 грн
25+	58.25 грн
50+	53.5 грн
100+	51.18 грн
250+	46.52 грн
500+	41.18 грн
1000+	36.61 грн
2500+	33.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-08-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 16POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 16
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 4207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	356.22 грн
10+	311.62 грн
25+	295.15 грн
50+	270.54 грн
100+	257.65 грн
250+	225.45 грн
500+	215.42 грн
1000+	183.74 грн
2500+	171.07 грн

IPD1-08-D-K-M

Description: SAMTEC - IPD1-08-D-K-M - Steckverbindergehäuse, Buchse, 16 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 16-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	411.03 грн
10+	357.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-08-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-08-D-K-R

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-D-K-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-P

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-P

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-D-P-M

Conn Housing F 16 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-08-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-D-P-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-D-P-R

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-D-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-S

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 362 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81.94 грн
10+	70.48 грн
100+	52.81 грн
500+	43.2 грн
1000+	38.43 грн
2500+	34.79 грн
5000+	33.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-08-S

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 2642 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.75 грн
10+	54.25 грн
100+	41.08 грн
500+	39.56 грн
1000+	38.43 грн
2500+	34.79 грн
5000+	24.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-08-S-K

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-08-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	388.05 грн
10+	368.03 грн
100+	261.72 грн
500+	223.95 грн
1000+	192.81 грн
2500+	176.91 грн
5000+	172.93 грн

IPD1-08-S-K-M

Conn Housing F 8 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-08-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-08-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 8POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 8
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-08-S-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-08-S-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-09-D-K

Description: CONN RCPT HSG 18POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 18
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6

на замовлення 2331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.66 грн
10+	91.73 грн
25+	87.85 грн
50+	80.6 грн
100+	76.94 грн
250+	69.61 грн
500+	63.06 грн
1000+	54.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-09-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-09-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 9POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 9
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-10-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-10-D

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 3885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	74.54 грн
10+	60.74 грн
25+	58.25 грн
50+	53.5 грн
100+	51.18 грн
250+	46.52 грн
500+	41.18 грн
1000+	36.61 грн
2500+	33.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-10-D

Description: SAMTEC - IPD1-10-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 20 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 20-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Baureihe CC79 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.43 грн
50+	65.63 грн
100+	59.83 грн
250+	50.52 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD1-10-D

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

товар відсутній

IPD1-10-D

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

на замовлення 1637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	84.85 грн

Мінімальне замовлення: 137

IPD1-10-D

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

товар відсутній

IPD1-10-D

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-10-D-GP

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-GP-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-GP-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-K

Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-10-D-K

Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Tube

на замовлення 4450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	89.7 грн

Мінімальне замовлення: 130

IPD1-10-D-K

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 1927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.21 грн
10+	48.87 грн
100+	43.9 грн
1000+	29.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-10-D-K

Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate® Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-10-D-K - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 20 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 20Ways
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.94 грн
11+	70.17 грн
100+	56.71 грн
500+	46.17 грн
1000+	36.19 грн
2500+	29.12 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD1-10-D-K

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.19 грн
50+	51.25 грн
100+	41.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-10-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

на замовлення 626 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	331.85 грн
10+	289.95 грн
25+	274.67 грн
50+	251.77 грн
100+	239.77 грн
250+	209.8 грн
500+	200.46 грн

IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	329.11 грн

Мінімальне замовлення: 36

IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-K-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	367.18 грн
10+	346.7 грн
100+	251.78 грн
500+	213.35 грн

IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-K-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-K-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-K..

Description: SAMTEC - IPD1-10-D-K.. - Steckverbindergehäuse, Dual Row, Buchse, 20 -polig, 2.54 mm
Ausführung: Buchse
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79

товар відсутній

IPD1-10-D-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	417.43 грн
10+	395.46 грн
100+	286.23 грн
500+	243.17 грн

IPD1-10-D-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-M

Conn Housing RCP 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-P

Description: SAMTEC - IPD1-10-D-P - CONNECTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

IPD1-10-D-P

Conn Housing 20 POS 2.54mm Crimp ST Loose

товар відсутній

IPD1-10-D-P

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	301.74 грн
10+	264 грн
25+	250.1 грн

IPD1-10-D-P

Conn Housing 20 POS 2.54mm Crimp ST Loose

товар відсутній

IPD1-10-D-P-M

Conn Housing F 20 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-D-P-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-10-D-P-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-D-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-S

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

товар відсутній

IPD1-10-S

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-S

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

товар відсутній

IPD1-10-S-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 2193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.12 грн
10+	75.82 грн
100+	56.78 грн
500+	46.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-10-S-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	84.85 грн

Мінімальне замовлення: 137

IPD1-10-S-K

Description: SAMTEC - IPD1-10-S-K - Steckverbindergehäuse, eine Reihe, IPD1, Buchse, 10 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 10-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.94 грн
11+	73.29 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD1-10-S-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-S-K

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.84 грн
10+	64.26 грн
25+	61.62 грн
50+	56.6 грн
100+	54.14 грн
250+	49.22 грн
500+	43.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-10-S-K

Conn Housing F 10 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-10-S-K-M

Headers & Wire Housings

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	228.04 грн
10+	216.4 грн
100+	156.37 грн
500+	132.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-10-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 10
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-10-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-10-S-P

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-10-S-R

Description: CONN RCPT HSG 10POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-103-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 3POS 2.54MM

товар відсутній

IPD1-11-D-K

Conn Housing F 22 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-11-D-K

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-11-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-11-D-K-M

Conn Housing F 22 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-11-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-11-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-11-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 11POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 11
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-12-D-K

Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-12-D-K

Description: CONN RCPT HSG 24POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 24
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 1258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.19 грн
10+	44.66 грн
25+	42.82 грн
50+	39.34 грн
100+	37.64 грн
250+	34.22 грн
500+	30.29 грн
1000+	26.92 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPD1-12-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 3939 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.71 грн
10+	71.24 грн
100+	53.4 грн
500+	43.66 грн
1000+	38.89 грн
2500+	35.18 грн
5000+	33.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-12-D-K

Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-12-D-K

Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-12-D-K-M

Conn Housing F 24 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-12-D-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-12-D-K-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 961 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-12-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-12-D-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	417.43 грн
10+	395.46 грн
102+	286.23 грн
510+	243.17 грн

IPD1-12-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-12-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-12-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 12POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-13-D

Conn Housing F 26 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-13-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.54 грн
10+	102.1 грн
100+	73.55 грн
500+	61.42 грн
1000+	52.61 грн
2500+	48.7 грн
5000+	46.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-13-D-K

Description: CONN RCPT HSG 26POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 26
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.36 грн
10+	88.41 грн
25+	84.62 грн
50+	77.65 грн
100+	74.12 грн
250+	67.06 грн
500+	60.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-13-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.54 грн
10+	89.15 грн
100+	66.92 грн
500+	61.42 грн
1000+	50.09 грн
2500+	47.64 грн
5000+	46.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-13-D-K

Conn Housing F 26 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-13-D-K-M

Conn Housing F 26 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-13-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	420.52 грн
10+	398.51 грн
105+	265.03 грн
255+	258.41 грн
510+	238.53 грн
1005+	208.71 грн
2505+	191.49 грн

IPD1-13-D-K-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-13-D-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-13-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-13-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 13POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 13
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-14-D-K

Description: CONN RCPT HSG 28POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 28
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.21 грн
10+	86.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPD1-14-D-K

Conn Housing F 28 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-14-D-K-M

Conn Housing F 28 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-14-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-14-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-14-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 14POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 14
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-15-D

Description: SAMTEC - IPD1-15-D - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 30 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85389099
Anzahl der Positionen: 30-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.19 грн
15+	50.54 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPD1-15-D

Description: CONN RCPT 30POS .100" DUAL

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-15-D-K

Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-15-D-K

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 1563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.01 грн
10+	69.64 грн
25+	66.81 грн
50+	61.34 грн
100+	58.68 грн
250+	53.34 грн
500+	47.22 грн
1000+	41.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-15-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-15-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 30 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85472000
Anzahl der Positionen: 30-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe CC69 von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	68.98 грн
50+	60.35 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPD1-15-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 30POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 30
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 3023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	359.08 грн
10+	313.83 грн
25+	297.25 грн
50+	272.48 грн
100+	259.5 грн
250+	227.07 грн
500+	216.96 грн
1000+	185.05 грн
2500+	172.29 грн

IPD1-15-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPD1-15-D-K-M

Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	271.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-15-D-K-M

Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	135.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-15-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-15-D-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-15-D-P-M

Conn Housing F 30 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-15-S-K

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-15-S-K .

Description: SAMTEC - IPD1-15-S-K . - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 15 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 15-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	75.07 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD1-15-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-15-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-15-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 15POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 15
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-16-D

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	196.34 грн
100+	136.39 грн
500+	98.72 грн
1000+	84.15 грн
2500+	78.18 грн
5000+	74.87 грн
10000+	73.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-16-D-GP

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-16-D-GP

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Guide Post
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-GP-M

Headers & Wire Housings

товар відсутній

IPD1-16-D-GP-M

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Guide Post
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-GP-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-16-D-GP-R

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Guide Post
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-K

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 5844 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	180.11 грн
10+	144.77 грн
100+	108.66 грн
500+	100.05 грн
1000+	83.49 грн
2500+	79.51 грн
5000+	76.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-16-D-K

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.13 грн
10+	137.42 грн
25+	131.55 грн
50+	120.71 грн
100+	115.23 грн
250+	104.26 грн
500+	94.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-16-D-K

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	204.31 грн

Мінімальне замовлення: 57

IPD1-16-D-K

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-16-D-K . - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 32 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 32-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-16-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Tube
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	425.74 грн
10+	370.98 грн
25+	350.48 грн
50+	320.88 грн

IPD1-16-D-K-M

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D-K-M

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D-K-M

Conn Housing F 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-16-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	464.58 грн
12+	438.89 грн
108+	314.73 грн
252+	294.85 грн
504+	265.03 грн
1008+	231.9 грн
2508+	219.98 грн

IPD1-16-D-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.26 грн
10+	72.31 грн
100+	54.13 грн
500+	44.33 грн
1000+	39.42 грн
2500+	35.65 грн
5000+	34.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD1-16-D-K-R

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-M

Conn Housing RCP 32 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate®

товар відсутній

IPD1-16-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	464.58 грн
12+	438.89 грн
108+	287.56 грн
252+	280.27 грн
504+	263.71 грн
1008+	231.9 грн
2508+	219.98 грн

IPD1-16-D-M

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	425.74 грн
10+	370.98 грн
25+	350.48 грн

IPD1-16-D-P

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-16-D-P

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-16-D-P-M

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-D-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-16-D-R

Description: CONN RCPT HSG 32POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 32
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-16-S-K

Description: MINI-POWER CONNECTOR

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-16-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-16-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-16-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 16POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 16
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-17-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-17-S-K

Conn Housing F 17 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-17-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-17-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 17POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 17
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-18-D-K

Description: CONN RCPT HSG 36POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 36
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.05 грн
10+	152.32 грн
25+	145.88 грн
50+	133.84 грн
100+	127.76 грн
250+	115.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-18-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.21 грн
100+	139.44 грн
500+	100.71 грн
1000+	86.8 грн
2500+	80.17 грн
5000+	76.86 грн
10000+	75.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-18-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-18-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-18-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-18-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 18POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 18
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-19-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-19-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 19POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 19
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-20-D

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.3 грн
100+	140.96 грн
500+	102.04 грн
1000+	87.46 грн
2500+	80.83 грн
5000+	78.18 грн
10000+	76.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-20-D

Description: CONN RECEPT .100" 40POS

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-20-D-GP

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-GP-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-GP-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	166.97 грн
10+	137.15 грн
100+	98.72 грн
500+	90.11 грн
1000+	73.55 грн
2500+	71.56 грн
10000+	68.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-20-D-K

Conn Housing F 40 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Mini Mate® Tube

товар відсутній

IPD1-20-D-K

Description: SAMTEC - IPD1-20-D-K - Steckverbindergehäuse, IPD1, Buchse, 40 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 40-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Baureihe CC79 von SAMTEC
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	78.04 грн
12+	62.21 грн
100+	60.95 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD1-20-D-K

Description: MINI-POWER CONN

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-20-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 40POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 40
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

на замовлення 523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	394.2 грн
10+	344.96 грн
25+	326.74 грн
50+	299.49 грн
100+	285.23 грн
250+	249.57 грн
500+	238.47 грн

IPD1-20-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 77 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	395.78 грн
10+	374.89 грн
100+	271.66 грн
500+	230.58 грн
1000+	196.79 грн
2500+	180.22 грн
5000+	176.91 грн

IPD1-20-D-K-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-M

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	502.46 грн
10+	474.71 грн
100+	340.57 грн
500+	286.9 грн

IPD1-20-D-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-P

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-P

Headers & Wire Housings Samtec

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	719.67 грн
10+	678.15 грн
100+	496.27 грн
250+	419.41 грн

IPD1-20-D-P-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-D-R

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-20-S-K

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-20-S-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-20-S-K-M

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Tube
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	358.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPD1-20-S-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-20-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-20-S-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-20-S-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-20-S-R

Description: CONN RCPT HSG 20POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 20
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-21-D

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-21-D-GP

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-21-D-GP-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-21-D-K

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-21-D-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-21-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 21POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 21
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-22-D

Conn Housing F 44 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-22-D-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-22-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 22POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 22
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-23-D

Conn Housing F 46 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-23-S-K-M

Headers & Wire Housings

товар відсутній

IPD1-23-S-K-M

Description: MINI-POWER CONNECTOR

товар відсутній

IPD1-23-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 23POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 23
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-24-D-P-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-24-D-R

Description: CONN RCPT HSG 48POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 48
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-24-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 24POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 24
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD1-25-D

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

на замовлення 353 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-25-D

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	95.19 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPD1-25-D

Description: CONN HOUSING 50 POS 2.54MM ST

товар відсутній

IPD1-25-D-GP-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-25-D-K

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	160.79 грн
10+	153.92 грн
500+	106.68 грн
1000+	90.77 грн
2500+	82.16 грн
5000+	78.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-25-D-K

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPD1-25-D-K

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	194.25 грн

Мінімальне замовлення: 60

IPD1-25-D-K

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.33 грн
10+	151.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD1-25-D-K

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-25-D-K

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-25-D-K .

Description: SAMTEC - IPD1-25-D-K . - Steckverbindergehäuse, zwei Reihen, IPD1, Buchse, 50 -polig, 2.54 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 50-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 2.54mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC79
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPD1
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	174.67 грн
10+	150.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD1-25-D-K-M

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Tube
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

на замовлення 580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	450.11 грн
10+	392.3 грн
25+	370.6 грн
50+	339.31 грн
100+	322.35 грн
250+	288.42 грн
500+	267 грн

IPD1-25-D-K-M

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-25-D-K-M

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-25-D-K-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	473.08 грн
8+	409.94 грн
104+	289.55 грн
256+	272.32 грн
504+	250.46 грн
1000+	219.98 грн

IPD1-25-D-K-M

Conn Housing F 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount Tube

товар відсутній

IPD1-25-D-K-R

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-25-D-K-R

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Part Status: Active
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-25-D-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-25-D-P

Conn Housing 50 POS 2.54mm Crimp ST Loose

товар відсутній

IPD1-25-D-P

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-25-D-P

Headers & Wire Housings .100 Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-25-D-P-M

Headers & Wire Housings .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-25-D-P-M

Conn Housing RCP 50 POS 2.54mm Crimp ST Cable Mount White Mini Mate®

товар відсутній

IPD1-25-D-P-M

Description: CONN RCPT HSG 50POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.100" (2.54mm)
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 2

товар відсутній

IPD1-25-S-K-M

Heavy Duty Power Connectors .100" Mini Mate Discrete Wire Socket Housing

товар відсутній

IPD1-25-S-K-R

Description: CONN RCPT HSG 25POS 2.54MM
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Color: White
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 25
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Number of Rows: 1

товар відсутній

IPD100N04S4-02

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2

на замовлення 11790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	163.11 грн
10+	125.72 грн
100+	92.76 грн
250+	85.47 грн
500+	77.52 грн
1000+	66.26 грн
2500+	62.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD100N04S4-02

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

95+	122.52 грн
99+	117.85 грн
102+	113.85 грн
250+	106.46 грн
500+	95.89 грн
1000+	89.8 грн
2500+	87.82 грн

Мінімальне замовлення: 95

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	85.94 грн
32500+	78.53 грн
65000+	73.06 грн
97500+	66.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	68.01 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	61.84 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 130000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	69.12 грн
5000+	67.12 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD100N04S402ATMA1

Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 26294 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	98.86 грн
500+	82.82 грн
1000+	65.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	174.71 грн
73+	160.9 грн
100+	134.25 грн
200+	122.79 грн
500+	104 грн
1000+	96.45 грн
2000+	93.07 грн
2500+	84.61 грн
5000+	80.72 грн

Мінімальне замовлення: 67

IPD100N04S402ATMA1

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

106+	109.71 грн
111+	104.8 грн

Мінімальне замовлення: 106

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V

на замовлення 4318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	151.23 грн
10+	120.64 грн
100+	96.03 грн
500+	76.25 грн
1000+	64.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IPD100N04S402ATMA1

Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 26294 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.1 грн
10+	134.53 грн
100+	98.86 грн
500+	82.82 грн
1000+	65.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N04S4L-02

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.75 грн
10+	151.63 грн
100+	104.69 грн
250+	96.74 грн
500+	87.46 грн
1000+	74.87 грн
2500+	71.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N04S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.58 грн
10+	136.52 грн
100+	108.64 грн
500+	86.27 грн
1000+	73.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD100N06S4-03

TO252 09+

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD100N06S403ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N06S403ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V

товар відсутній

IPD100N06S403ATMA2

Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

на замовлення 4440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	152.37 грн
10+	112.24 грн
100+	82.5 грн
500+	69.71 грн
1000+	54.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	143.35 грн
10+	114.92 грн
100+	91.46 грн
500+	72.62 грн
1000+	61.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD100N06S403ATMA2

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	183.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET

на замовлення 4739 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	155.38 грн
10+	121.15 грн
100+	88.12 грн
250+	81.5 грн
500+	74.21 грн
1000+	63.48 грн
2500+	60.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	64.78 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD100N06S403ATMA2

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD100N06S403ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD105N03L G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 35A DPAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPD105N03LGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

товар відсутній

IPD105N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD105N03LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD105N03LGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD105N04L G

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

IPD105N04LG

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD105N04LG

SOT-252 09+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPD105N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V

товар відсутній

IPD105N04LGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IPD105N04LGXT

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній