Продукція > IKB

IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A

товар відсутній

IKB03N120H2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKB03N120H2

INF

TO-263

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKB03N120H2ATMA1

Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W

товар відсутній

IKB03N120H2ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB06N60T

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKB06N60T

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.59 грн
10+	99.06 грн
100+	68.91 грн
250+	63.48 грн
500+	57.38 грн
1000+	49.1 грн
2000+	46.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKB06N60T

infineon

07+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKB06N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W

товар відсутній

IKB06N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB06N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKB06N60TATMA1

товар відсутній

IKB06N60TATMA1

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A

на замовлення 945 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.59 грн
10+	96.01 грн
100+	68.91 грн
250+	63.48 грн
500+	57.38 грн
1000+	49.1 грн
2000+	46.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKB06N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	49.78 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB06N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	126.36 грн
10+	105.55 грн
100+	85.48 грн
500+	70.4 грн

Мінімальне замовлення: 6

IKB06N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W

на замовлення 767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.53 грн
10+	90.14 грн
100+	71.77 грн
500+	56.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKB06N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB06N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.48 грн
500+	70.4 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKB10N60T

Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товар відсутній

IKB10N60T

INF

TO-263

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKB10N60T

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.87 грн
10+	106.68 грн
100+	74.21 грн
250+	68.25 грн
500+	61.62 грн
1000+	52.74 грн
2000+	50.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	53.42 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	97.33 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB10N60TATMA1

Description: IGBT 600V 20A 110W TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W

товар відсутній

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB10N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 780 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	139.14 грн
5+	121.27 грн
11+	94.42 грн
28+	89.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB10N60TATMA1

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A

на замовлення 859 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.64 грн
10+	100.58 грн
100+	74.21 грн
250+	71.56 грн
500+	62.22 грн
1000+	52.74 грн
2000+	50.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB10N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	171.7 грн
10+	136.02 грн
25+	122.64 грн
100+	94.56 грн
500+	77.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKB10N60TATMA1

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.95 грн
5+	97.32 грн
11+	78.68 грн
28+	74.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKB10N60TATMA1

Description: IGBT 600V 20A 110W TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W

товар відсутній

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	78.12 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB15N60T

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A

на замовлення 1458 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	168.52 грн
10+	132.58 грн
100+	95.41 грн
250+	88.12 грн
500+	80.17 грн
1000+	67.58 грн
2000+	64.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB15N60T

Description: IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 220µJ (on), 350µj (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

товар відсутній

IKB15N60T

INF

TO-263

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKB15N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

на замовлення 1852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	156.96 грн
10+	125.41 грн
100+	99.81 грн
500+	79.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB15N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 848 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.28 грн
5+	158.74 грн
7+	124.23 грн
18+	117.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB15N60TATMA1

на замовлення 848 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	228.34 грн
5+	197.82 грн
7+	149.08 грн
18+	140.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB15N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	74.41 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB15N60TATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB15N65EH5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	126.54 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB15N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 18A
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 172ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKB15N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W

товар відсутній

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

товар відсутній

IKB15N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A

на замовлення 915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	120.41 грн
500+	105.6 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

товар відсутній

IKB15N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W

на замовлення 916 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.39 грн
10+	157.43 грн
100+	125.32 грн
500+	99.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB15N65EH5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 241 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.26 грн
10+	172.97 грн
100+	119.26 грн
250+	109.99 грн
500+	100.71 грн
1000+	85.47 грн
2000+	81.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

товар відсутній

IKB15N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A

на замовлення 915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	211.09 грн
10+	148.66 грн
100+	120.41 грн
500+	105.6 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKB15N65EH5ATMA1

товар відсутній

IKB20N60H3

IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT

на замовлення 1460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.91 грн
10+	106.68 грн
100+	80.17 грн
250+	79.51 грн
500+	72.88 грн
1000+	65.33 грн
5000+	63.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKB20N60H3ATMA1

Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 170W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	132.52 грн
500+	100.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB20N60H3ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	75.24 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB20N60H3ATMA1

Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	222.24 грн
10+	176.9 грн
25+	159.81 грн
100+	132.52 грн
500+	100.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKB20N60H3ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	51.49 грн

Мінімальне замовлення: 12

IKB20N60H3ATMA1

товар відсутній

IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB20N60H3ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

на замовлення 2272 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	158.4 грн
10+	126.79 грн
100+	100.91 грн
500+	80.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB20N60T

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A

на замовлення 843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	166.97 грн
10+	142.49 грн
100+	104.03 грн
250+	100.71 грн
500+	90.77 грн
1000+	83.49 грн
2000+	81.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB20N60T

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKB20N60TA

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKB20N60TAATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKB20N60TAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB20N60TAATMA1

Description: IGBT 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W

товар відсутній

IKB20N60TAATMA1372

Description: IKB20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	108.85 грн
111+	104.9 грн
112+	100.11 грн
250+	91.8 грн
500+	87.2 грн
1000+	86.27 грн

Мінімальне замовлення: 107

IKB20N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	378.07 грн
75+	154.97 грн
79+	147.08 грн
100+	138.01 грн
500+	126.91 грн

Мінімальне замовлення: 31

IKB20N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

на замовлення 8533 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.39 грн
10+	157.22 грн
100+	125.16 грн
500+	99.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	121.36 грн
101+	115.93 грн

Мінімальне замовлення: 96

IKB20N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB20N60TATMA1 - IGBT, 20 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	170.95 грн
10+	153.12 грн
100+	126.36 грн
500+	101.46 грн
1000+	91.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKB20N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	93.32 грн
2000+	85.37 грн
5000+	82.16 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB20N60TATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	101.08 грн
10+	97.63 грн
25+	97.41 грн
100+	92.96 грн
250+	85.24 грн
500+	80.97 грн
1000+	80.11 грн

Мінімальне замовлення: 6

IKB20N60TATMA1

товар відсутній

IKB20N65EH5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.58 грн
10+	176.78 грн
25+	145.11 грн
100+	124.57 грн
250+	117.94 грн
500+	109.99 грн
1000+	94.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB20N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 957 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	282.74 грн
5+	245.98 грн
6+	181.38 грн
15+	171.44 грн

IKB20N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.67 грн
10+	158.61 грн
100+	128.33 грн
500+	107.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB20N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

товар відсутній

IKB20N65EH5ATMA1

на замовлення 957 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	235.62 грн
5+	197.39 грн
6+	151.15 грн
15+	142.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB20N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	166.83 грн
10+	148.62 грн
25+	144.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKB20N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W

товар відсутній

IKB30N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 184ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKB30N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	129.18 грн
2000+	117.13 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB30N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

товар відсутній

IKB30N65EH5ATMA1

товар відсутній

IKB30N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	250.14 грн
10+	202.02 грн
100+	163.44 грн
500+	136.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB30N65EH5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 233 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	248.91 грн
10+	208.02 грн
25+	175.58 грн
100+	148.42 грн
250+	144.44 грн
500+	132.52 грн
1000+	116.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB30N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	129.18 грн
2000+	117.13 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB30N65ES5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	272.1 грн
10+	224.78 грн
25+	189.5 грн
100+	158.36 грн
250+	153.72 грн
500+	140.47 грн
1000+	119.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB30N65ES5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKB30N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB30N65ES5ATMA1

товар відсутній

IKB30N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W

на замовлення 3848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	250.14 грн
10+	202.02 грн
100+	163.44 грн
500+	136.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB40N65EF5

Infineon INDUSTRY 14

товар відсутній

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	340.34 грн
41+	287.31 грн
43+	271.51 грн
100+	224.71 грн
250+	148.07 грн

Мінімальне замовлення: 35

IKB40N65EF5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 1734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	290.99 грн
10+	235.29 грн
100+	190.33 грн
500+	158.77 грн

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	434.33 грн
32+	366.21 грн
50+	346.47 грн
100+	286.51 грн
200+	249.42 грн
500+	200.52 грн

Мінімальне замовлення: 27

IKB40N65EF5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 212ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKB40N65EF5ATMA1

Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	343.4 грн
10+	244.54 грн
100+	197.71 грн
500+	172.55 грн
1000+	136.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	316.03 грн
10+	266.78 грн
25+	252.12 грн
100+	208.66 грн
250+	137.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB40N65EF5ATMA1

товар відсутній

IKB40N65EF5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	150.44 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB40N65EF5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 2195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	312.3 грн
10+	258.31 грн
25+	222.63 грн
100+	181.55 грн
250+	153.72 грн
500+	144.44 грн
1000+	133.18 грн

IKB40N65EF5ATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	244.54 грн
100+	197.71 грн
500+	172.55 грн
1000+	136.98 грн

Мінімальне замовлення: 10

IKB40N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	197.71 грн
500+	172.55 грн
1000+	139.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKB40N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKB40N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 1362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	290.99 грн
10+	235.29 грн
100+	190.33 грн
500+	158.77 грн

IKB40N65EH5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	312.3 грн
10+	258.31 грн
25+	217.33 грн
100+	181.55 грн
250+	176.25 грн
500+	161.67 грн
1000+	137.82 грн

IKB40N65EH5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	454.07 грн
31+	383.98 грн
50+	351.41 грн
100+	336.96 грн
200+	294.37 грн
500+	249.59 грн
1000+	236.91 грн

Мінімальне замовлення: 26

IKB40N65EH5ATMA1

на замовлення 1067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	343.4 грн
10+	244.54 грн
100+	197.71 грн
500+	172.55 грн
1000+	139.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKB40N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

товар відсутній

IKB40N65EH5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	208.17 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB40N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKB40N65EH5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB40N65ES5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB40N65ES5ATMA1

Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A

на замовлення 623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	344.14 грн
10+	254.2 грн
100+	205.15 грн
500+	173.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	430.38 грн
31+	383 грн
50+	350.43 грн
100+	306.5 грн
200+	282.03 грн
500+	242.83 грн

Мінімальне замовлення: 27

IKB40N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W

на замовлення 9192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	290.99 грн
10+	235.29 грн
100+	190.33 грн
500+	158.77 грн

IKB40N65ES5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKB40N65ES5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 7688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	312.3 грн
10+	258.31 грн
25+	217.33 грн
100+	181.55 грн
250+	176.25 грн
500+	161.67 грн
1000+	136.49 грн

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	208.17 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB40N65ES5ATMA1

на замовлення 623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	205.15 грн
500+	173.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKB40N65ES5ATMA1

товар відсутній

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	316.75 грн
10+	267 грн
25+	261.9 грн
100+	203.18 грн
250+	186.27 грн
500+	165.51 грн
1000+	131.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB40N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	150.44 грн
2000+	136.41 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	341.11 грн
41+	287.54 грн
42+	282.04 грн
100+	218.81 грн
250+	200.6 грн
500+	178.24 грн
1000+	142.14 грн

Мінімальне замовлення: 35

IKBBF

IKBBF RJ45 Cables

на замовлення 23 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	434.37 грн
3+	330.46 грн
9+	312.24 грн
25+	311.35 грн

IKBBG

IKBBG RJ45 Cables

на замовлення 29 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	485.21 грн
3+	372.7 грн
8+	352 грн
25+	351.77 грн

IKBBH

IKBBH RJ45 Cables

на замовлення 34 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	491.46 грн
3+	341.23 грн
8+	323.01 грн
25+	322.53 грн

IKBBI