Продукція > IDD

товар відсутній

IDD-05-G

Conn IDC Connector SKT 10 POS Solder RA Thru-Hole

товар відсутній

IDD-06-G

CABLE ASSEMBLIES

товар відсутній

IDD-07-G

CONNECTORS Board to board connectors

товар відсутній

IDD-07-T

Samtec Inc.

Description: FEMALE CABLE BASE ASSEMBLY

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IDD-11-G

IDD-11-G^SAMTEC

товар відсутній

IDD-12250A-R11

Isolated DC/DC Converters - Chassis Mount 50W+60W DC/DC 12V input 12V/5V/5VSB output

товар відсутній

IDD-13-G

Slim Body Flat Ribbon IDC Cable

товар відсутній

IDD-241100-R10

Isolated DC/DC Converters 100 W DC/DC 24 V input; 12 V output with 100W total power.

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD-2412

TAMURA

02+ WCA4-2

на замовлення 193 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDD-25-G

Ribbon Cables / IDC Cables

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD-25-G

Samtec Inc.

Description: FEMALE CABLE BASE ASSEMBLY

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IDD-930160-KIT-R20

Isolated DC/DC Converters POWER(DC->DC),9-30V INPUT,60W,O/P 12V 5A(MAX),,,RoHS

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD-936160-R10

IDD-936160-R10

товар відсутній

IDD-936160-R20

Isolated DC/DC Converters - Chassis Mount 60W DC/DC 9 36V input 12V output

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	6062.72 грн
5+	5928.11 грн
10+	5113.8 грн
25+	4783.83 грн
50+	4618.85 грн
100+	4398.87 грн
250+	4178.9 грн

IDD-936160-R20

Module DC-DC 1-OUT 12V 5A 60W

товар відсутній

IDD-936260A-R10

COMPACT SIZE 60W DC/DC CONVERTER MODULE

товар відсутній

IDD-936260A-R11

Isolated DC/DC Converters 60W DC/DC 9 36V input 12V/5V/5VSB output

товар відсутній

IDD-9364120A-R11

Isolated DC/DC Converters 120W DC/DC 9 36V input 12V/5V/3.3V/-12V/5VSB output,RoHS

товар відсутній

IDD03E60

Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 3A

на замовлення 379 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD03E60

infineon

03+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDD03E60#

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDD03E60BUMA1

Description: DIODE GEN PURP 600V 7.3A TO252-3

товар відсутній

IDD03SG60C

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 3A; PG-TO252-3; 38W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Power dissipation: 38W
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 9.7A
Max. off-state voltage: 600V
Leakage current: 0.23µA
Case: PG-TO252-3
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode

товар відсутній

IDD03SG60C

товар відсутній

IDD03SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 3400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD03SG60CXTMA1

Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 1 PHA

на замовлення 88718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IDD03SG60CXTMA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD03SG60CXTMA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 11703 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.5 грн
10+	99.82 грн
100+	72.88 грн
500+	63.48 грн
1000+	56.65 грн
2500+	54.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDD03SG60CXTMA2

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDD03SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD03SG60CXTMA2

Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 2291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	150.14 грн
10+	112.24 грн
100+	88.45 грн
500+	69.71 грн
1000+	54.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

IDD03SG60CXTMA2

Rectifier Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	55.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IDD03SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V

на замовлення 1796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.84 грн
10+	97.87 грн
100+	77.85 грн
500+	61.82 грн
1000+	52.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDD03SG60CXTMA2

на замовлення 2291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.45 грн
500+	69.71 грн
1000+	54.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

IDD04S60C
Код товару: 51664

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

IDD04S60C

Rectifier Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IDD04S60C

Schottky Diodes & Rectifiers 2ND GEN THINQ 600V SiC Schottky Diode

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD04S60C

TO252 06+

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDD04S60C

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3

товар відсутній

IDD04S60CBUMA1

Description: DIODE SIC 600V 5.6A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5.6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD04S60CBUMA1

Description: DIODE SIC 600V 5.6A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5.6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD04S60CBUMA1

Diode Schottky 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IDD04SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD04SG60C

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 4A; PG-TO252-3; 43W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.1V
Case: PG-TO252-3
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.3µA
Max. forward impulse current: 13.5A
Power dissipation: 43W
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IDD04SG60C

товар відсутній

IDD04SG60CHUMA1

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-3

товар відсутній

IDD04SG60CXTMA1

Diode Schottky 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

IDD04SG60CXTMA1

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3

товар відсутній

IDD04SG60CXTMA1

Diode Schottky 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

IDD04SG60CXTMA2

Description: INFINEON - IDD04SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	214.06 грн
10+	157.58 грн
100+	125.61 грн
500+	98.7 грн
1000+	77.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

IDD04SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V

на замовлення 11854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.55 грн
10+	128.58 грн
100+	102.38 грн
500+	81.3 грн
1000+	68.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDD04SG60CXTMA2

Rectifier Diode Schottky 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IDD04SG60CXTMA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 1186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	171.61 грн
10+	143.25 грн
100+	101.37 грн
500+	88.12 грн
1000+	76.86 грн
2500+	72.88 грн
5000+	71.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDD04SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	72.52 грн
5000+	67.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IDD05G

товар відсутній

IDD05SG60C

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 5A; PG-TO252-3; 56W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Power dissipation: 56W
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 5A
Max. forward impulse current: 18A
Max. off-state voltage: 600V
Leakage current: 0.4µA
Case: PG-TO252-3
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode

товар відсутній

IDD05SG60C

Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD05SG60C

товар відсутній

IDD05SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD05SG60CXTMA1

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO252-3

товар відсутній

IDD05SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	95.87 грн
5000+	88.57 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IDD05SG60CXTMA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 7475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	189.39 грн
10+	165.35 грн
100+	124.57 грн
250+	118.6 грн
500+	111.31 грн
1000+	95.41 грн
2500+	89.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDD05SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.39 грн
10+	159.23 грн
100+	128.82 грн
500+	107.46 грн
1000+	92.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDD06E60

Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode

товар відсутній

IDD06E60

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні

Rectifier Diode Switching 600V 14.7A 70ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IDD06E60
Код товару: 63442

товар відсутній

IDD06E60BUMA1
Код товару: 122046

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні

товар відсутній

IDD06E60BUMA1

Description: DIODE GP 600V 14.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 14.7A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD06E60BUMA1

Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 6A; TO252-3
Case: TO252-3
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IDD06E60BUMA1

товар відсутній

IDD06E60XT

Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCHING EMCON DIODE 600V 6A

товар відсутній

IDD06SG60C

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 6A; PG-TO252-3; 71W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Power dissipation: 71W
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 23A
Max. off-state voltage: 600V
Leakage current: 0.5µA
Case: PG-TO252-3
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode

товар відсутній

IDD06SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD06SG60C

товар відсутній

IDD06SG60CHUMA1

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IDD06SG60CXTMA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD06SG60CXTMA1

Rectifier Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

IDD06SG60CXTMA2

Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IDD06SG60CXTMA2

Description: INFINEON - IDD06SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, CoolSic 3G thinQ, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 1267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	162.03 грн
500+	141.49 грн
1000+	112.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

IDD06SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	116.04 грн
5000+	107.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500

IDD06SG60CXTMA2

3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode

товар відсутній

IDD06SG60CXTMA2

Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	300.08 грн
44+	269.48 грн
52+	226.05 грн
100+	206.56 грн
500+	171.87 грн
1000+	156.53 грн
2000+	152.3 грн
2500+	145.53 грн
5000+	141.29 грн

Мінімальне замовлення: 39

IDD06SG60CXTMA2

Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IDD06SG60CXTMA2

на замовлення 1267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	282.45 грн
10+	211.83 грн
100+	162.03 грн
500+	141.49 грн
1000+	112.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDD06SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

на замовлення 9975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	238.67 грн
10+	192.7 грн
100+	155.93 грн
500+	130.07 грн
1000+	111.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDD06SG60CXTMA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 4269 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.05 грн
10+	204.21 грн
100+	153.06 грн
250+	144.44 грн
500+	135.83 грн
1000+	116.61 грн
2500+	108.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDD08SG60C

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 8A; PG-TO252-3; 100W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Power dissipation: 100W
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 36A
Max. off-state voltage: 600V
Leakage current: 0.6µA
Case: PG-TO252-3
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode

товар відсутній

IDD08SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товар відсутній

IDD08SG60CXTMA1

Diode Schottky 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

IDD08SG60CXTMA1

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-3

товар відсутній

IDD08SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD08SG60CXTMA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 7395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	313.84 грн
10+	259.83 грн
100+	182.87 грн
250+	172.93 грн
500+	162.99 грн
1000+	139.14 грн
2500+	133.84 грн

IDD08SG60CXTMA2

Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 4296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	332.25 грн
100+	273.53 грн
500+	228.45 грн
1000+	193.04 грн

Мінімальне замовлення: 10

IDD08SG60CXTMA2

3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode

товар відсутній

IDD08SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V

на замовлення 2350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	314.65 грн
10+	254.75 грн
100+	206.12 грн
500+	171.94 грн
1000+	147.23 грн

IDD08SG60CXTMA2

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDD08SG60CXTMA2

Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 4296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	431.85 грн
10+	332.25 грн
100+	273.53 грн
500+	228.45 грн
1000+	193.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDD09E60

infineon

03+

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDD09E60

Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 9A

на замовлення 2451 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD09E60BUMA1

Description: DIODE GP 600V 19.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 19.3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD09SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

товар відсутній

IDD09SG60C

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 9A; PG-TO252-3; 115W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Power dissipation: 115W
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 9A
Max. forward impulse current: 42A
Max. off-state voltage: 600V
Leakage current: 0.7µA
Case: PG-TO252-3
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode

товар відсутній

IDD09SG60C

товар відсутній

IDD09SG60CXTMA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD09SG60CXTMA2

Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IDD09SG60CXTMA2

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO252-3

товар відсутній

IDD09SG60CXTMA2

Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	300.28 грн
10+	244.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDD09SG60CXTMA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 1671 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	355.58 грн
10+	307.07 грн
100+	231.9 грн
250+	221.3 грн
500+	208.71 грн
1000+	189.5 грн
2500+	177.57 грн

IDD10-12D1U

Chinfa

DC-DC перетворювач; Кіл. вих. кан. = 2; Uвих1, В = 12; Uвих2, В = -12; Pвих, Вт = 10; Uвх (max), В = 18; Uвх (min), В = 9; Iвих1, А = 0,42; Iвих2, А = 0,42; Uізол., В = 1 500; ККД, % = 88; Uвих, % = 2; Габ. розм, мм = 50,8 x 25,4 x 10,2; Рів. пульс., мВ =

на замовлення 55 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	1235.05 грн
10+	1152.72 грн

IDD10SG60C

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 10A; PG-TO252-3; 120W
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A
Leakage current: 0.8µA
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IDD10SG60C

товар відсутній

IDD10SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 1579 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD10SG60CXTMA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD10SG60CXTMA1

Diode Schottky 600V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

IDD10SG60CXTMA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 3027 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	435.98 грн
10+	360.41 грн
100+	253.77 грн
250+	240.52 грн
500+	225.94 грн
1000+	193.47 грн
2500+	181.55 грн

IDD10SG60CXTMA2

Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	397.79 грн
10+	321.21 грн
100+	259.89 грн

IDD10SG60CXTMA2

Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C

на замовлення 5374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	317.38 грн
100+	243.05 грн
500+	211.89 грн
1000+	167.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

IDD10SG60CXTMA2

товар відсутній

IDD10SG60CXTMA2

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDD10SG60CXTMA2

Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99

на замовлення 5374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	415.49 грн
10+	317.38 грн
100+	243.05 грн
500+	211.89 грн
1000+	167.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDD10SG60CXTMA2

Diode Schottky 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IDD12SG60C

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 12A; PG-TO252-3; 125W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Power dissipation: 125W
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 12A
Max. forward impulse current: 51A
Max. off-state voltage: 600V
Leakage current: 1µA
Case: PG-TO252-3
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode

товар відсутній

IDD12SG60C

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN

на замовлення 1533 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDD12SG60C

товар відсутній

IDD12SG60CXTMA1

Description: DIODE SIL CARB 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V

товар відсутній

IDD12SG60CXTMA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

товар відсутній

IDD12SG60CXTMA2

Description: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO252-3

товар відсутній

IDD15E60

на замовлення 958 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDD15E60BUMA1

Description: DIODE GP 600V 29.2A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 29.2A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V

на замовлення 14802 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	39.42 грн

Мінімальне замовлення: 544

IDD15E60BUMA2

Description: DIODE GP 600V 29.2A TO252-3

товар відсутній

IDD15E60XT

Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCHING EMCON DIODE 600V 15A

на замовлення 897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDDD04G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 13A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1700+	70.81 грн

Мінімальне замовлення: 1700

IDDD04G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	108.87 грн
10+	105.48 грн
25+	100.49 грн
100+	90.1 грн
250+	83.06 грн
500+	72.39 грн
1000+	68.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

IDDD04G65C6XTMA1

Description: INFINEON - IDDD04G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 13 A, 6.9 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	204.4 грн
10+	144.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

IDDD04G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD04G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	117.24 грн
103+	113.59 грн
108+	108.22 грн
116+	97.03 грн
250+	89.45 грн
500+	77.95 грн
1000+	73.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

IDDD04G65C6XTMA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 3256 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.18 грн
10+	99.06 грн
100+	73.55 грн
500+	65.93 грн
1000+	65.33 грн
1700+	59.76 грн
3400+	58.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDDD04G65C6XTMA1

IDDD04G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes

товар відсутній

IDDD04G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 13A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	149.08 грн
10+	119.33 грн
100+	94.98 грн
500+	75.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDDD04G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD04G65C6XTMA1

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IDDD06G65C6XTMA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 534 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.57 грн
10+	175.25 грн
25+	146.43 грн
250+	135.17 грн
500+	125.23 грн
1000+	101.37 грн
1700+	100.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDDD06G65C6XTMA1

IDDD06G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes

товар відсутній

IDDD06G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	101.68 грн
120+	97.03 грн
122+	95.45 грн
500+	89.19 грн

Мінімальне замовлення: 115

IDDD06G65C6XTMA1

Description: INFINEON - IDDD06G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	130.82 грн
500+	84.2 грн
1000+	64.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

IDDD06G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 18A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V

товар відсутній

IDDD06G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD06G65C6XTMA1

Description: INFINEON - IDDD06G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1179 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	182.85 грн
10+	138.25 грн
100+	130.82 грн
500+	84.2 грн
1000+	64.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

IDDD06G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1700+	128.15 грн

Мінімальне замовлення: 1700

IDDD06G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 18A HDSOP-10
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V

на замовлення 801 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

210+	97.01 грн

Мінімальне замовлення: 210

IDDD06G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD06G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD08G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 24A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	237.24 грн
10+	191.8 грн
100+	155.16 грн
500+	129.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDDD08G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD08G65C6XTMA1

Description: INFINEON - IDDD08G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IDDD08G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 24A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V

товар відсутній

IDDD08G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD08G65C6XTMA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 2888 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	252 грн
10+	208.02 грн
100+	146.43 грн
250+	138.48 грн
500+	130.53 грн
1000+	111.31 грн
1700+	105.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDDD08G65C6XTMA1

IDDD08G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes

товар відсутній

IDDD08G65C6XTMA1

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	237.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

IDDD08G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD10G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	229.32 грн
52+	227 грн
55+	205.9 грн
100+	172.95 грн
250+	165.04 грн
500+	142.87 грн

Мінімальне замовлення: 51

IDDD10G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD10G65C6XTMA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	231.13 грн
10+	197.35 грн
100+	148.42 грн
250+	144.44 грн
500+	135.83 грн
1000+	124.57 грн
1700+	116.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDDD10G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 29A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V

на замовлення 1543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	293.86 грн
10+	237.36 грн
100+	192.01 грн
500+	160.18 грн

IDDD10G65C6XTMA1

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; PG-HDSOP-10-1
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Power dissipation: 105W
Case: PG-HDSOP-10-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 10A
Leakage current: 1µA
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IDDD10G65C6XTMA1

товар відсутній

IDDD10G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	215.09 грн
10+	212.94 грн
25+	210.78 грн
50+	191.19 грн
100+	160.6 грн
250+	153.25 грн
500+	132.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDDD10G65C6XTMA1

Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	149.4 грн
500+	129.76 грн
1000+	117.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

IDDD10G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 29A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V

товар відсутній

IDDD10G65C6XTMA1

Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	196.23 грн
10+	170.21 грн
100+	149.4 грн
500+	129.76 грн
1000+	117.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

IDDD12G65C6XTMA1

Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	283.93 грн
10+	238.59 грн
100+	182.1 грн
500+	158.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDDD12G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 3032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	281.58 грн
44+	265.32 грн
50+	254.57 грн
100+	222.17 грн
250+	204.92 грн
500+	190.45 грн
1000+	184.41 грн
3000+	179.24 грн

Мінімальне замовлення: 42

IDDD12G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 34A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	349.05 грн
10+	281.87 грн
100+	228.06 грн

IDDD12G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 3032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	261.46 грн
10+	250.39 грн
25+	246.37 грн
50+	236.39 грн
100+	206.3 грн
250+	190.28 грн
500+	176.85 грн
1000+	171.24 грн
3000+	166.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

IDDD12G65C6XTMA1

Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	182.1 грн
500+	158.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

IDDD12G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD12G65C6XTMA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 1615 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	368.73 грн
10+	305.55 грн
100+	215.34 грн
250+	202.75 грн
500+	190.82 грн
1000+	162.99 грн
1700+	154.38 грн

IDDD12G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 34A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V

товар відсутній

IDDD12G65C6XTMA1

IDDD12G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes

товар відсутній

IDDD16G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD16G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 43A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V

на замовлення 3400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1700+	209.96 грн

Мінімальне замовлення: 1700

IDDD16G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD16G65C6XTMA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 1138 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	433.66 грн
10+	390.13 грн
100+	285.57 грн
500+	255.09 грн
1000+	223.95 грн
1700+	215.34 грн
3400+	204.74 грн

IDDD16G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	372.47 грн
33+	353.34 грн
34+	349.86 грн
100+	301.46 грн
250+	276.36 грн
500+	243.74 грн

Мінімальне замовлення: 32

IDDD16G65C6XTMA1

IDDD16G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes

товар відсутній

IDDD16G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	587.32 грн
26+	454.07 грн
50+	410.64 грн
100+	375.98 грн
200+	330.5 грн
500+	298.67 грн
1000+	282.59 грн

Мінімальне замовлення: 20

IDDD16G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 43A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V

на замовлення 4773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	406.39 грн
10+	328.32 грн
100+	265.64 грн
500+	221.6 грн

IDDD16G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	345.86 грн
10+	328.11 грн
25+	324.87 грн
100+	279.92 грн
250+	256.62 грн
500+	226.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDDD20G65C6

Infineon SIC DIODES

товар відсутній

IDDD20G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	423.18 грн
29+	405.68 грн
100+	363.57 грн
250+	325.99 грн
500+	299.15 грн
1000+	299.02 грн

Мінімальне замовлення: 28

IDDD20G65C6XTMA1

IDDD20G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes

товар відсутній

IDDD20G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD20G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD20G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 51A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V

товар відсутній

IDDD20G65C6XTMA1

Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3091 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	475.7 грн
5+	442.25 грн
10+	408.06 грн
50+	347.16 грн
100+	291.15 грн
250+	279.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDDD20G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	392.36 грн
31+	378.51 грн
32+	374.48 грн
100+	339.75 грн
250+	310.58 грн
500+	284.29 грн
1000+	280.84 грн
1700+	277.38 грн

Мінімальне замовлення: 30

IDDD20G65C6XTMA1

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

на замовлення 419 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	601.4 грн
10+	537.95 грн
25+	461.82 грн
100+	392.91 грн
250+	382.97 грн
500+	345.2 грн
1000+	339.9 грн

IDDD20G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	364.34 грн
10+	351.47 грн
25+	347.73 грн
100+	315.49 грн
250+	288.39 грн
500+	263.98 грн
1000+	260.78 грн
1700+	257.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDDD20G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	392.95 грн
10+	378.07 грн
25+	376.7 грн
100+	337.6 грн
250+	302.71 грн
500+	277.78 грн
1000+	277.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IDDD20G65C6XTMA1

Description: DIODE SIL CARB 650V 51A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V

на замовлення 1623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	519.63 грн
10+	428.68 грн
100+	357.21 грн
500+	295.78 грн

IDDD20G65C6XTMA1

на замовлення 3091 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	408.06 грн
50+	347.16 грн
100+	291.15 грн
250+	279.05 грн

Мінімальне замовлення: 10

IDDD20G65C6XTMA1

Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R

товар відсутній

IDDD371AA-M04

на замовлення 10193 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74ALS244ASJ

98 SOP

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74ALS32SJ

98+ SOP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74ALS32SJ

07+

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS05SJ

07+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS05SJ

98 SOP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS132SJ

07+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS132SJ

98 SOP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS139SJ

98 SOP

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS139SJ

07+

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS14SJ

98 SOP

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS157SJ

07+

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS157SJ

98 SOP

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDM74LS74ASJ

98+ SOP

на замовлення 632 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IDDV-6304140A-R10

Isolated DC/DC Converters 140W DC/DC 6-30V DC input,Vehicle Converter Module,RoHS

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IDDV-6304140A-R10