Продукція > FGH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FGH.LM.368.XLCT
Код товару: 196533		Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Роз'єми колоподібні (силові, мікрофонні)
товар відсутній
FGH051-020.OMEGADescription: OMEGA - FGH051-020. - HEATING TAPE, 105W, 120VAC, 1/2" X 2
tariffCode: 0
productTraceability: No
Stromverbrauch: 105W
rohsCompliant: YES
Drahtverbindung Oberflächenheizung: 2-Prong Molded Separable Plug
euEccn: NLR
Oberflächenheizung: Standard Insulated Heating Tape
Versorgungsspannung: 120VAC
hazardous: false
Wattdichte: 8.6W/in²
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Betriebstemperatur, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 482°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: OMEGALUX FGH Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FGH0H104ZFKEMETDescription: CAP 100MF -20% +80% 5.5V T/H
Packaging: Bulk
Tolerance: -20%, +80%
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.433" Dia (11.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 100Ohm @ 1kHz
Lifetime @ Temp.: 1000 Hrs @ 70°C
Height - Seated (Max): 0.217" (5.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 100 mF
Voltage - Rated: 5.5 V
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.25 грн
10+ 147.36 грн
50+ 135.37 грн
100+ 105.33 грн
500+ 84.69 грн
2000+ 71.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H104ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 0.1F -20/+80% LS=5.08mm
на замовлення 5809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.44 грн
10+ 163.82 грн
50+ 131.19 грн
100+ 109.33 грн
500+ 87.46 грн
1000+ 76.2 грн
2000+ 70.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H104ZFKEMETHigh Energy Storage Electric Double Layer- Supercaps
товар відсутній
FGH0H104ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H104ZF - Superkondensator, EDLC, 0.1 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 5.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 0
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 100ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FG Supercapacitors Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: 11mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.13 грн
10+ 158.32 грн
50+ 147.17 грн
100+ 113.88 грн
500+ 84.1 грн
1000+ 73.27 грн
2000+ 68.81 грн
4000+ 68.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH0H105ZFKEMETDescription: CAP 1F -20% +80% 5.5V T/H
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.846" Dia (21.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.300" (7.62mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 35Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.374" (9.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 1 F
Voltage - Rated: 5.5 V
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.72 грн
90+ 234.34 грн
FGH0H105ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 1F -20/+80% LS=7.62mm
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.42 грн
10+ 355.84 грн
50+ 268.35 грн
90+ 233.89 грн
FGH0H105ZFKEMETCap Supercap 1F 5.5V -20% to 80% (21.5 X 9.5mm) Radial Aluminum Cylindrical Can 7.62mm 35 Ohm 70C Bulk
товар відсутній
FGH0H105ZFKEMETCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; THT; 1F; 5.5VDC; -20÷80%; Body dim: Ø21.5x9.5mm
Mounting: THT
Operating temperature: -25...70°C
Body dimensions: Ø21.5x9.5mm
Trade name: EDLC
Operating voltage: 5.5V DC
Capacitance: 1F
ESR value: 35Ω
Type of capacitor: supercapacitor
Spatial orientation: horizontal
Tolerance: -20...80%
Terminal pitch: 7.62mm
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.66 грн
5+ 189.8 грн
12+ 179.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H105ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H105ZF - Superkondensator, EDLC, 1 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 7.62 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 9.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 7.62mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 35ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 1F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FG Supercapacitors Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 21.5mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+420.7 грн
10+ 342.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H105ZFKEMETCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; THT; 1F; 5.5VDC; -20÷80%; Body dim: Ø21.5x9.5mm
Mounting: THT
Operating temperature: -25...70°C
Body dimensions: Ø21.5x9.5mm
Trade name: EDLC
Operating voltage: 5.5V DC
Capacitance: 1F
ESR value: 35Ω
Type of capacitor: supercapacitor
Spatial orientation: horizontal
Tolerance: -20...80%
Terminal pitch: 7.62mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+376.4 грн
5+ 236.52 грн
12+ 215.34 грн
FGH0H224ZFKemetCap Supercap 0.22F 5.5V -20% to 80% ( 11 X 7mm ) Radial Aluminum Cylindrical Can 5.08mm 100 Ohm 70°C Box
товар відсутній
FGH0H224ZFKEMETDescription: CAP 220MF -20% +80% 5.5V T/H
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.433" Dia (11.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 100Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.217" (5.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 220 mF
Voltage - Rated: 5.5 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.04 грн
10+ 162.68 грн
100+ 123.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H224ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 0.22F -20/+80% LS=5.08mm
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235 грн
10+ 177.54 грн
50+ 142.45 грн
100+ 117.94 грн
500+ 94.75 грн
1600+ 82.82 грн
3200+ 80.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H224ZFKEMETHighly Reliable Against Liquid Leakage Supercapacitors
товар відсутній
FGH0H224ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H224ZF - Superkondensator, EDLC, 0.22 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 7mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 100ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.22F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FG Supercapacitors Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 11mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.86 грн
10+ 179.87 грн
50+ 166.49 грн
100+ 127.68 грн
500+ 94.93 грн
1600+ 82.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH0H474ZFKEMETDescription: CAP 470MF -20% +80% 5.5V T/H
Packaging: Bulk
Tolerance: -20%, +80%
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.650" Dia (16.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 65Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.315" (8.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 470 mF
Voltage - Rated: 5.5 V
товар відсутній
FGH0H474ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 5.5V 0.47F -20/+80% LS=5.08mm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.84 грн
10+ 252.21 грн
50+ 198.77 грн
100+ 163.66 грн
250+ 153.06 грн
600+ 142.45 грн
1200+ 131.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0H474ZFKEMETHighly Reliable Against Liquid Leakage Supercapacitors
товар відсутній
FGH0H474ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0H474ZF - Superkondensator, EDLC, 0.47 F, 5.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 8.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 65ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47F
Spannung (DC): 5.5V
Produktpalette: FG Supercapacitors Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 16.5mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.87 грн
10+ 246.03 грн
50+ 222.24 грн
100+ 151.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH0V474ZFKEMETDescription: KEMET - FGH0V474ZF - Superkondensator, EDLC, 0.47 F, 3.5 V, Radial bedrahtet, -20%, +80%, 5.08 mm, 1000 Stunden bei 70°C
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 7.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5.08mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: -20%, +80%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 70°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 25ohm
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47F
Spannung (DC): 3.5V
Produktpalette: FG Supercapacitors Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 13mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+252.72 грн
10+ 143.45 грн
50+ 133.79 грн
100+ 93.18 грн
800+ 84.1 грн
1600+ 82.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH0V474ZFKEMETCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; THT; 0.47F; 3.5VDC; -20÷80%; Body dim: Ø13x7.5mm
Type of capacitor: supercapacitor
Mounting: THT
Capacitance: 0.47F
Operating voltage: 3.5V DC
Tolerance: -20...80%
Body dimensions: Ø13x7.5mm
Terminal pitch: 5.08mm
ESR value: 25Ω
Spatial orientation: horizontal
Operating temperature: -25...70°C
Trade name: EDLC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 799 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+173.93 грн
10+ 104.93 грн
27+ 95.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0V474ZFKEMETCategory: Supercapacitors
Description: Supercapacitor; THT; 0.47F; 3.5VDC; -20÷80%; Body dim: Ø13x7.5mm
Type of capacitor: supercapacitor
Mounting: THT
Capacitance: 0.47F
Operating voltage: 3.5V DC
Tolerance: -20...80%
Body dimensions: Ø13x7.5mm
Terminal pitch: 5.08mm
ESR value: 25Ω
Spatial orientation: horizontal
Operating temperature: -25...70°C
Trade name: EDLC
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.94 грн
10+ 84.2 грн
27+ 79.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH0V474ZFKemetCap Supercap 0.47F 3.5V -20% to 80% (13 X 7.5mm) Radial Aluminum Cylindrical Can 5.08mm 25 Ohm 70°C Bulk
товар відсутній
FGH0V474ZFKEMETDescription: CAP 470MF -20% +80% 3.5V T/H
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.512" Dia (13.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Lead Spacing: 0.200" (5.08mm)
Termination: PC Pins
ESR (Equivalent Series Resistance): 25Ohm @ 1kHz
Height - Seated (Max): 0.295" (7.50mm)
Capacitance: 470 mF
Voltage - Rated: 3.5 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.75 грн
10+ 163.3 грн
50+ 147.55 грн
100+ 119.14 грн
800+ 88.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0V474ZFKEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 3.5V 0.47F -20/80% LS=5.08mm
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.21 грн
10+ 176.78 грн
50+ 149.08 грн
100+ 126.55 грн
500+ 108 грн
800+ 106.01 грн
2400+ 88.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH0V474ZFKEMETCap Supercap 0.47F 3.5V -20% to 80% (13 X 7.5mm) Radial Aluminum Cylindrical Can 5.08mm 25 Ohm 70C Bulk
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+83.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
FGH100MAAM2QuectelDescription: Linear IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
FGH100MAAM2QuectelWiFi Modules - 802.11
товар відсутній
FGH100MAAM2Quectel Wireless SoultionsFGH100MAAM2
товар відсутній
FGH100MAAMDQuectelWiFi Modules - 802.11 Wi-Fi HaLow, IEEE 802.11ah, 850-950 MHz, 21 dBm (Morse Micro MM6108)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+2503.78 грн
10+ 2279.81 грн
25+ 1817.46 грн
100+ 1678.98 грн
250+ 1596.82 грн
500+ 1486.17 грн
1000+ 1417.92 грн
FGH100MAAMDQuectel Wireless SoultionsWiFi Hallo IEEE 802.11ah module, 850-950MHz, LGA
товар відсутній
FGH100MAAMDQuectelDescription: Linear IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
FGH100MABMDQuectelDescription: WI-FI HALOW, IEEE 802.11AH, 8509
Packaging: Cut Tape (CT)
Utilized IC / Part: MM6108
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2208.26 грн
10+ 1962.9 грн
25+ 1799.32 грн
100+ 1560.68 грн
FGH100MABMDQuectelDescription: WI-FI HALOW, IEEE 802.11AH, 8509
Packaging: Tape & Reel (TR)
Utilized IC / Part: MM6108
товар відсутній
FGH100MABMDQuectelWiFi Modules - 802.11 Wi-Fi HaLow, IEEE 802.11ah, 850-950 MHz, 21 dBm (Morse Micro MM6108), US version only
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2600.41 грн
10+ 2366.67 грн
25+ 1887.03 грн
100+ 1743.91 грн
250+ 1658.44 грн
500+ 1543.81 грн
1000+ 1472.25 грн
FGH100MABMDQuectel Wireless SoultionsWiFi Hallo IEEE 802.11ah module, 850-950MHz, LGA
товар відсутній
FGH102-080LSEOMEGADescription: OMEGA - FGH102-080LSE - HEIZBAND, 420W, 8.6W/IN2, 240V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FGH12040WD-F155ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH12040WD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH12040WD-F155
Код товару: 167483		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH12040WD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH12040WD-F155ON SemiconductorDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH12040WD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+223.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH12040WD-F155ON Semiconductor
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH15T120SMDonsemiIGBT Transistors FS2TIGBT TO247 15A 1200V
товар відсутній
FGH15T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH15T120SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/490ns
Switching Energy: 1.15mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 34Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
FGH15T120SMD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V, 15A, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 808-817 дні (днів)
1+463.03 грн
10+ 410.7 грн
100+ 295.51 грн
250+ 292.2 грн
FGH15T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH15T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH20N60SFDonsemionsemi FSPIGBT TO247 20A 600V
товар відсутній
FGH20N60SFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 66W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 66W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH20N60SFDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH20N60SFDTU - IGBT, Universal, 40 A, 2.2 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.03 грн
10+ 207.38 грн
100+ 161.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH20N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH20N60SFDTUON-SemicoductorSingle IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+158.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH20N60SFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 20A Field Stop
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.82 грн
10+ 217.92 грн
25+ 153.06 грн
100+ 142.45 грн
450+ 120.59 грн
900+ 119.93 грн
5400+ 119.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH20N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH20N60SFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/90ns
Switching Energy: 370µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 165 W
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH20N60SFDTU Транзистор
Код товару: 191499		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH20N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH20N60SFDTU-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-Ch 20A 600V FS IGBT
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH20N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+130.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
FGH20N60SFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/90ns
Switching Energy: 430µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 165 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FGH20N60UFDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 20A 600V
товар відсутній
FGH20N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/87ns
Switching Energy: 380µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 165 W
товар відсутній
FGH20N60UFDTUON Semiconductor
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH20N60UFDTUON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V 20A Field Stop
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH20N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+150.7 грн
10+ 132.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH20N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH20N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH20N6S2Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH20N6S2DFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 7.7ns/87ns
Switching Energy: 25µJ (on), 58µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 16324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 365
FGH20N6S2DONSEMIDescription: ONSEMI - FGH20N6S2D - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
439+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 439
FGH25N120FTDSON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH25N120FTDSONSEMIDescription: ONSEMI - FGH25N120FTDS - IGBT, 1200V, 25A, FIELD STOP TRENCH
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FGH25N120FTDSON Semiconductor
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH25N120FTDSON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH25N120FTDSonsemiDescription: IGBT 1200V 50A 313W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 535 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/151ns
Switching Energy: 1.42mJ (on), 1.16mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 169 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 313 W
товар відсутній
FGH25N120FTDS; Field Stop Trench IGBT; 25A 1200V 313W; Корпус: TO-247; Fairchild
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+319.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH25N120FTDS_Tonsemi / FairchildIGBT Transistors
товар відсутній
FGH25T120SMDonsemiIGBT Transistors FS2TIGBT TO247 25A 1200V
товар відсутній
FGH25T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH25T120SMD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT
товар відсутній
FGH25T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH25T120SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/490ns
Switching Energy: 1.74mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
FGH25T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH25T120SMD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 214W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 214W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
FGH30N120FTDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 339000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Rail
товар відсутній
FGH30N120FTDTUonsemiDescription: IGBT 1200V 60A 339W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 730 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 208 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 339 W
товар відсутній
FGH30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30N60LSDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30N60LSDTUonsemiDescription: IGBT 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
товар відсутній
FGH30N60LSDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors PDD
товар відсутній
FGH30N60LSDTUON Semiconductor
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH30N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 45A 167W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/40ns
Switching Energy: 55µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 167 W
товар відсутній
FGH30N6S2onsemi / FairchildIGBT Transistors Sgl N-Ch 600V SMPS
товар відсутній
FGH30N6S2Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/40ns
Switching Energy: 55µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 7945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+67.53 грн
Мінімальне замовлення: 293
FGH30N6S2DonsemiDescription: IGBT 600V 45A 167W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/40ns
Switching Energy: 55µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 167 W
товар відсутній
FGH30N6S2DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товар відсутній
FGH30S130PonsemiDescription: IGBT 1300V 60A 500W TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 500 W
товар відсутній
FGH30S130PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30S130PONSEMIDescription: ONSEMI - FGH30S130P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 500 W, 1.3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.3
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FGH30S130PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30S130PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30S130P
Код товару: 104327		FairchildТранзистори > IGBT
Vces: 1300 V
Vce: 1,75 V
Ic 25: 60 A
Ic 100: 30 A
Pd 25: 500 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 39/620
товар відсутній
FGH30S130PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1300V 60A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30S130Ponsemi / FairchildIGBT Transistors 1300V 30A FS SA Trench IGBT
товар відсутній
FGH30S150Ponsemi / FairchildIGBT Transistors SA2TIGBT TO247 30A 1500V
товар відсутній
FGH30S150PonsemiDescription: IGBT 1500V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/492ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 369 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 500 W
товар відсутній
FGH30S150PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1500V 60A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH30S150PONSEMIDescription: ONSEMI - FGH30S150P - IGBT, 30 A, 1.85 V, 500 W, 1.5 kV, TO-247, 3 Pin(s)
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FGH30S150PON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1500V 60A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30T65UPDT-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors FS1TIGBT TO247 30A 650V
товар відсутній
FGH30T65UPDT-F155onsemiDescription: IGBT 650V 60A 250W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns
Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
FGH30T65UPDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+397.66 грн
10+ 357.15 грн
25+ 337.39 грн
50+ 308.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH30T65UPDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH30T65UPDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+428.25 грн
31+ 384.62 грн
32+ 363.35 грн
50+ 332 грн
Мінімальне замовлення: 28
FGH30T65UPDT_F155Fairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns
Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
FGH40N120
Код товару: 179924		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH40N120ANonsemiIGBT Transistors NPTPIGBT TO247 40A 1200V
товар відсутній
FGH40N120ANTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N120ANTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N120ANTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V NPT
товар відсутній
FGH40N120ANTUonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 64A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/110ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
товар відсутній
FGH40N120ANTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N120ANTU
Код товару: 165183		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
FGH40N60SFonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 40A 600V
товар відсутній
FGH40N60SFDFAIRCHIL..QFN16
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40N60SFD
Код товару: 201597		ChinaТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності 85 шт:
85 шт - склад
1+135 грн
10+ 124 грн
FGH40N60SFDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 40A 600V
товар відсутній
FGH40N60SFDFAIRCHIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40N60SFDFairchaildIGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+311.06 грн
10+ 259.96 грн
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Код товару: 79400		FAIRТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності 2 шт:
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується 300 шт:
200 шт - очікується 20.05.2024
100 шт - очікується 12.05.2024
1+165 грн
10+ 152 грн
100+ 139 грн
FGH40N60SFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.1 грн
FGH40N60SFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 40A Field Stop
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+389.6 грн
10+ 330.69 грн
25+ 259.73 грн
100+ 224.61 грн
250+ 206.73 грн
450+ 187.51 грн
900+ 162.99 грн
FGH40N60SFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FGH40N60SFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
FGH40N60SFDTU
Код товару: 49007		IRТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/115
товар відсутній
FGH40N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/138ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 121 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FGH40N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+293.14 грн
FGH40N60SFTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40N60SFTU - IGBT, Universal, 80 A, 2.3 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.71 грн
10+ 272.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH40N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.32 грн
10+ 261.44 грн
25+ 213.9 грн
100+ 168.29 грн
450+ 137.32 грн
900+ 131.23 грн
2700+ 130.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-CH / 40A 600V FS Planar
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+333.94 грн
10+ 296.41 грн
100+ 211.36 грн
450+ 190.16 грн
FGH40N60SFTUFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+166.43 грн
Мінімальне замовлення: 122
FGH40N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
FGH40N60SMD
Код товару: 63296		FAIR/ONТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
у наявності 142 шт:
65 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+205 грн
10+ 186 грн
FGH40N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMDonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V, 40A Field Stop IGBT
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+332.39 грн
10+ 275.07 грн
25+ 225.28 грн
100+ 193.47 грн
250+ 182.21 грн
450+ 171.61 грн
FGH40N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
FGH40N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FGH40N60SMDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 349W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+362.72 грн
10+ 255.69 грн
100+ 210.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH40N60SMD-F085onsemiDescription: IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.31 грн
30+ 326.02 грн
120+ 291.7 грн
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMD-F085onsemi / FairchildIGBT Transistors 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.76 грн
10+ 412.22 грн
25+ 306.11 грн
100+ 277.62 грн
250+ 269.01 грн
450+ 245.15 грн
900+ 210.04 грн
FGH40N60SMDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+453.02 грн
Мінімальне замовлення: 26
FGH40N60SMDFonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V/40A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.94 грн
10+ 380.22 грн
30+ 312.74 грн
120+ 268.35 грн
270+ 252.44 грн
510+ 237.87 грн
1020+ 210.7 грн
FGH40N60SMDFONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40N60SMDF - IGBT, Universal, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+495.02 грн
10+ 357.52 грн
100+ 289.14 грн
500+ 252.61 грн
1000+ 206.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60SMDFonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
FGH40N60SMDFON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+402.63 грн
10+ 347.24 грн
30+ 294.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60SMDF-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMDF-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V, 40A FIELD STOP IGBT
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40N60SMDF-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FGH40N60SMDF-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60UFonsemionsemi FSPIGBT TO247 40A 600V
товар відсутній
FGH40N60UFDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 40A 600V
товар відсутній
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60UFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60UFDTUONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
FGH40N60UFDTU
Код товару: 61781		FairchildТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/112
товар відсутній
FGH40N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.21 грн
30+ 238.92 грн
120+ 204.78 грн
510+ 170.83 грн
1020+ 146.27 грн
FGH40N60UFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 40A Field Stop
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.22 грн
25+ 268.21 грн
100+ 199.44 грн
450+ 173.6 грн
900+ 154.38 грн
FGH40N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60UFTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
товар відсутній
FGH40N60UFTUON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V 40A Field Stop
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N65UFDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 40A 650V
товар відсутній
FGH40N65UFDTUON-SemicoductorIGBT 650V 80A 290W   FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+489.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N65UFDTU
Код товару: 160734		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH40N65UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N65UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N65UFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-ch / 40A 650V
товар відсутній
FGH40N65UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
товар відсутній
FGH40N65UFDTU-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-ch / 40A 650V IGBT
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40N65UFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/126ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FGH40N65UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N65UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N65UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+367.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 75A 290W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/35ns
Switching Energy: 115µJ (on), 195µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 290 W
товар відсутній
FGH40N6S2DonsemiDescription: IGBT 600V 75A 290W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/35ns
Switching Energy: 115µJ (on), 195µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 290 W
товар відсутній
FGH40N6S2Donsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Comp 600V N-Ch
товар відсутній
FGH40T100SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T100SMDonsemiDescription: IGBT 1000V 80A 333W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/285ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 265 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
FGH40T100SMDonsemi / FairchildIGBT Transistors 1000V 40A Field Stop Trench IGBT
товар відсутній
FGH40T100SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T100SMD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors FS1TIGBT TO247 40A 1000V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.91 грн
10+ 446.51 грн
100+ 320.69 грн
FGH40T100SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T100SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1000V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T100SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1000V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/285ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 398 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.17 грн
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+563.58 грн
10+ 498.28 грн
25+ 426.33 грн
100+ 384.08 грн
250+ 299.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+667.47 грн
2+ 427.23 грн
6+ 403.76 грн
FGH40T120SMDON-SemicoductorSingle IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+447.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SMDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+584.14 грн
30+ 449.22 грн
120+ 401.94 грн
510+ 332.83 грн
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+604.14 грн
22+ 534.14 грн
26+ 457 грн
100+ 411.71 грн
250+ 321.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
FGH40T120SMDonsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+633.87 грн
10+ 535.66 грн
25+ 422.73 грн
100+ 388.27 грн
250+ 365.08 грн
FGH40T120SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+800.96 грн
2+ 532.39 грн
6+ 484.51 грн
FGH40T120SMDON-SemicoductorSingle IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+447.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SMD
Код товару: 104369		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH40T120SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SMD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 555W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1021.27 грн
5+ 910.52 грн
10+ 799.77 грн
50+ 722.63 грн
100+ 645.38 грн
250+ 626.9 грн
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+390.16 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH40T120SMD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+584.14 грн
30+ 449.29 грн
120+ 402.01 грн
FGH40T120SMD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+832.53 грн
100+ 772.64 грн
250+ 388.93 грн
450+ 342.55 грн
900+ 323.34 грн
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SMD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FGH40T120SMD-F155
Код товару: 154761		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+418.24 грн
Мінімальне замовлення: 30
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+333.17 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SMD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
FGH40T120SMD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SMDL4onsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/464ns
Switching Energy: 2.24mJ (on), 1.02mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
товар відсутній
FGH40T120SMDL4ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors FS2 TIGBT excellent swtching performance
товар відсутній
FGH40T120SMDL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SQDNL4ON Semiconductor
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40T120SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T120SQDNL4onsemiDescription: IGBT 1200V 40A UFS FOR SO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 221 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.29 грн
30+ 450.78 грн
120+ 403.32 грн
FGH40T120SQDNL4onsemiIGBT Transistors IGBT 1200V 40A UFS
на замовлення 450 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
1+636.19 грн
10+ 537.95 грн
25+ 424.05 грн
100+ 389.6 грн
250+ 366.41 грн
450+ 343.88 грн
900+ 309.43 грн
FGH40T120SQDNL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+672.67 грн
5+ 579.01 грн
10+ 485.36 грн
50+ 432.75 грн
100+ 382.26 грн
250+ 359.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SHFairchild SemiconductorDescription: IGBT 80A, 650V, N CHANNEL, TO 24
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
FGH40T65SHonsemiON Semiconductor FS3TIGBT TO247 40A 650V
товар відсутній
FGH40T65SH-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SH-F155onsemiDescription: IGBT 650V 80A 268W TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
товар відсутній
FGH40T65SH-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40T65SH-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SHDFairchild SemiconductorDescription: IGBT 80A, 650V, N CHANNEL, TO 24
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
FGH40T65SHDonsemiIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 40A 650V
товар відсутній
FGH40T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SHD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.01 грн
10+ 204.57 грн
450+ 147.13 грн
1350+ 118.23 грн
2250+ 111.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SHD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.33 грн
10+ 224.78 грн
25+ 192.15 грн
100+ 183.53 грн
250+ 161.67 грн
450+ 139.8 грн
900+ 112.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SHDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SHDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SHDF-F155
Код товару: 190128		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH40T65SHDF-F155onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.86 грн
30+ 191.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SHDF-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.01 грн
10+ 237.73 грн
25+ 182.21 грн
100+ 155.71 грн
250+ 127.88 грн
450+ 115.29 грн
900+ 111.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SPDonsemiIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 40A 650V
товар відсутній
FGH40T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH40T65SPD-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T65SPD-F085 - IGBT, 267 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 267W
Transistormontage: Durchsteckmontage
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: TO-247
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH40T65SPD-F085onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+348.63 грн
10+ 309.36 грн
25+ 254.43 грн
100+ 220.64 грн
FGH40T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 24
FGH40T65SPD-F085ON Semiconductor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40T65SPD-F085onsemiDescription: IGBT NPT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/35ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 267 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FGH40T65SPD-F155TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
FGH40T65SPD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65SPD-F155onsemiDescription: IGBT 650V 80A 267W TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/37ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 267 W
товар відсутній
FGH40T65SPD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 40A 650V
товар відсутній
FGH40T65SPD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH40T65SQDonsemionsemi 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
товар відсутній
FGH40T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.06 грн
30+ 204.23 грн
120+ 175.05 грн
510+ 146.03 грн
1020+ 125.03 грн
2010+ 117.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SQD-F155ON Semiconductor
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40T65SQD-F155ON SemiconductorIGBT, Field Stop, Trench 650 V, 40 A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+88.37 грн
10+ 84.05 грн
25+ 81.36 грн
50+ 77.59 грн
100+ 70.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
FGH40T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-
товар відсутній
FGH40T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V-80A, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+184.33 грн
Мінімальне замовлення: 180
FGH40T65SQD-F155onsemiIGBT Transistors 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40T65SQD_F155onsemiDescription: 650V FS4 TRENCH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
товар відсутній
FGH40T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/144ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
товар відсутній
FGH40T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65UPDON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650 V 80 A 268 W
на замовлення 4529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40T65UQDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65UQDF-F155ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40T65UQDF-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T65UQDF-F155onsemiDescription: FS4TIGBT TO247 40A 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/271ns
Switching Energy: 989µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 306 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 231 W
товар відсутній
FGH40T70SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+152.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH40T70SHD-F155onsemiDescription: 650V FS GEN3 TRENCH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/66ns
Switching Energy: 1.15mJ (on), 271µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
товар відсутній
FGH40T70SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40T70SHD-F155ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH40T70SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+164.52 грн
Мінімальне замовлення: 71
FGH4L40T120LQDonsemiDescription: 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/218ns
Switching Energy: 1.04mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 227 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+550.45 грн
10+ 454.7 грн
FGH4L40T120LQDON SemiconductorFGH4L40T120LQD
товар відсутній
FGH4L40T120LQDonsemiIGBT Transistors IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+556.57 грн
10+ 476.99 грн
25+ 379 грн
100+ 352.49 грн
250+ 348.52 грн
450+ 295.51 грн
900+ 289.55 грн
FGH4L40T120LQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+414.66 грн
10+ 385.98 грн
25+ 370.31 грн
50+ 353.48 грн
100+ 317.34 грн
250+ 286.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH4L40T120LQDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L40T120LQD - IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+622.12 грн
5+ 534.42 грн
10+ 446.71 грн
50+ 398.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH4L40T120LQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+424.87 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH4L40T120LQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+446.56 грн
28+ 415.67 грн
30+ 398.79 грн
50+ 380.67 грн
100+ 341.75 грн
250+ 308.37 грн
Мінімальне замовлення: 27
FGH4L50T65MQDC50ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L50T65MQDC50 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 246 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Field Stop IV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+850.31 грн
5+ 712.06 грн
10+ 602.8 грн
50+ 531.44 грн
100+ 453.61 грн
250+ 447.24 грн
FGH4L50T65MQDC50ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH4L50T65MQDC50onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/181ns
Switching Energy: 240µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 4035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+747.55 грн
10+ 650.23 грн
25+ 620.04 грн
100+ 505.23 грн
450+ 439.95 грн
1350+ 383.18 грн
FGH4L50T65MQDC50ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH4L50T65MQDC50onsemiIGBT Transistors 650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+811.66 грн
10+ 685.77 грн
25+ 540.67 грн
100+ 496.94 грн
250+ 467.78 грн
450+ 437.97 грн
900+ 394.24 грн
FGH4L50T65SQDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/162ns
Switching Energy: 660µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
товар відсутній
FGH4L50T65SQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+287.73 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH4L50T65SQDonsemiIGBT Transistors IGBT - 650 V 50 A FS4 high speed IGBT with copack diode 650 V 50 A FS4 high speed IGBT with copack diode
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+333.94 грн
10+ 276.59 грн
25+ 226.6 грн
100+ 194.14 грн
250+ 183.53 грн
450+ 172.27 грн
900+ 147.76 грн
FGH4L50T65SQDONSEMIDescription: ONSEMI - FGH4L50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.77 грн
10+ 254.2 грн
100+ 205.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH4L75T65MQDC50onsemiIGBT Transistors 650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+817.07 грн
10+ 710.15 грн
25+ 600.96 грн
50+ 567.83 грн
100+ 534.04 грн
250+ 449.89 грн
FGH4L75T65MQDC50onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/187ns
Switching Energy: 720µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+752.57 грн
10+ 665.89 грн
30+ 638.29 грн
120+ 527.77 грн
270+ 501.87 грн
FGH50N3onsemiDescription: IGBT PT 300V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/135ns
Switching Energy: 130µJ (on), 92µJ (off)
Test Condition: 180V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товар відсутній
FGH50N3ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 300V; 75A; 463W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 75A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
товар відсутній
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50N3onsemi / FairchildIGBT Transistors 300V PT N-Channel
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+721.22 грн
10+ 643.1 грн
100+ 450.55 грн
250+ 403.51 грн
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50N3ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 300V; 75A; 463W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 75A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FGH50N3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50N6S2Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+367.98 грн
Мінімальне замовлення: 54
FGH50N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 75A 463W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товар відсутній
FGH50N6S2DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50N6S2DonsemiDescription: IGBT 600V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товар відсутній
FGH50N6S2Donsemi / FairchildIGBT Transistors Comp 600V N-Ch
товар відсутній
FGH50N6S2DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50N6S2DFSCTO-247 08+
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH50N6S2DFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+704.18 грн
Мінімальне замовлення: 29
FGH50N6S2D_NLON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Stealth™ Diode
товар відсутній
FGH50T65SQDonsemiON Semiconductor FS4TIGBT TO247 50A 650V
товар відсутній
FGH50T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Collector-emitter voltage: 650V
Kind of package: tube
Collector current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FGH50T65SQD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+315.39 грн
10+ 285.74 грн
25+ 215.34 грн
100+ 183.53 грн
250+ 178.23 грн
450+ 158.36 грн
900+ 145.11 грн
FGH50T65SQD-F155ONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 200A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 134W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 99nC
Collector-emitter voltage: 650V
Kind of package: tube
Collector current: 50A
товар відсутній
FGH50T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH50T65SQD-F155 - IGBT, 650 V, 50A FIELD STOP 4 TRENCH
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/105ns
Switching Energy: 180µJ (on), 45µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+290.28 грн
30+ 221.8 грн
120+ 190.12 грн
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50T65UPDonsemi / FairchildIGBT Transistors 650 V 100 A 240 W
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.93 грн
10+ 365.74 грн
25+ 261.72 грн
100+ 258.41 грн
250+ 243.17 грн
450+ 206.73 грн
2700+ 206.06 грн
FGH50T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH50T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 340 W
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.97 грн
30+ 314.68 грн
120+ 281.57 грн
FGH60N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60SFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-Ch/ 60A 600V FS
товар відсутній
FGH60N60SFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH60N60SFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
товар відсутній
FGH60N60SFDTUFGH60N60SFDTU Транзисторы IGB-transistors
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
FGH60N60SFDTU
Код товару: 71883		FAIR/ONТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 378 W
у наявності 38 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+228 грн
10+ 211 грн
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60SFDTU-F085onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/134ns
Switching Energy: 1.97mJ (on), 570µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60SFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60SFTUfairchild2011+
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+231.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60SFTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
товар відсутній
FGH60N60SFTUFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/134ns
Switching Energy: 1.79mJ (on), 670µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 378 W
на замовлення 9888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+248.97 грн
Мінімальне замовлення: 81
FGH60N60SFTUON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-CH / 600V 60A/ FS
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH60N60SFTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60SFTU - IGBT,N CH,600V,120A,TO247
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+272.78 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH60N60SFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+486.82 грн
30+ 387.95 грн
100+ 333.53 грн
Мінімальне замовлення: 24
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+396.61 грн
25+ 330.72 грн
100+ 291.87 грн
450+ 255.72 грн
900+ 197.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60SMD
Код товару: 60291		FAIR/ONТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,9 V
Ic 25: 120 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 300 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 18/115
у наявності 100 шт:
67 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+255 грн
10+ 239 грн
FGH60N60SMDonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
на замовлення 8651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.44 грн
25+ 366.51 грн
100+ 272.98 грн
450+ 242.5 грн
900+ 210.7 грн
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.04 грн
25+ 360.24 грн
100+ 309.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.39 грн
3+ 308.51 грн
8+ 291.26 грн
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+426.57 грн
33+ 355.7 грн
100+ 313.91 грн
450+ 275.04 грн
900+ 212.48 грн
Мінімальне замовлення: 28
FGH60N60SMDONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 284nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 383 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+578.87 грн
3+ 384.46 грн
8+ 349.51 грн
FGH60N60SMDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60SMDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/104ns
Switching Energy: 1.26mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 189 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.61 грн
30+ 327.31 грн
120+ 280.55 грн
FGH60N60SMD-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT Gen 2
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH60N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60SMD-F085onsemiDescription: IGBT 600V 120A 600W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/116ns
Switching Energy: 1.59mJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 280 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 600 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FGH60N60SMD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 600W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+344.5 грн
10+ 328.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60UFDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 60A 600V
товар відсутній
FGH60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60UFDTUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/130ns
Switching Energy: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 188 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
товар відсутній
FGH60N60UFDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-Ch/ 60A 600V FS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+582.85 грн
10+ 519.66 грн
120+ 373.7 грн
270+ 363.09 грн
510+ 325.99 грн
1020+ 272.98 грн
FGH60N60UFDTUfairchild2011+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+364.99 грн
10+ 337.79 грн
30+ 319.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60N60UFDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60UFDTU-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60UFDTU-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60N60UFDTU-F085 - IGBT, 600V, 60A, 1.8V, TO-247 FIELD STOP
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FGH60N60UFDTU-F085onsemiDescription: IGBT 600V 120A 298W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/138ns
Switching Energy: 2.47mJ (on), 810µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 298 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FGH60N60UFDTU-F085ON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors N-Ch/ 60A 600V FS IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGH60N60UFDTU_F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N60UFDTU_F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 120A 298000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60N6S2onsemiDescription: IGBT 600V 75A 625W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/70ns
Switching Energy: 400µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Power - Max: 625 W
товар відсутній
FGH60T65
Код товару: 130492		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH60T65SHDonsemiIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 60A 650V
товар відсутній
FGH60T65SHD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60T65SHD-F155 - IGBT, 650 V, 60 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FGH60T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60T65SHD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/87ns
Switching Energy: 1.69mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.56 грн
30+ 253.97 грн
120+ 217.7 грн
510+ 181.6 грн
FGH60T65SHD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650 V, 60 A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 370 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
1+361.77 грн
10+ 329.93 грн
25+ 245.82 грн
100+ 210.04 грн
250+ 206.73 грн
450+ 186.85 грн
900+ 165.65 грн
FGH60T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60T65SQD-F155
Код товару: 166613		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH60T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH60T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/102ns
Switching Energy: 227µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.37 грн
30+ 273.64 грн
120+ 234.54 грн
FGH60T65SQD-F155onsemiIGBT Transistors 650V 60A FS4 TRENCH
на замовлення 961 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+389.6 грн
10+ 329.93 грн
25+ 265.03 грн
100+ 225.94 грн
250+ 214.01 грн
450+ 201.42 грн
900+ 162.33 грн
FGH60T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH60T65SQD-F155 - IGBT, 120 A, 1.6 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+430.36 грн
5+ 370.15 грн
10+ 309.2 грн
50+ 278.84 грн
100+ 249.74 грн
250+ 242.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH60T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75N60SFTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/138ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 452 W
товар відсутній
FGH75N60SFTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-CH/75A 600V FS Planar
товар відсутній
FGH75N60UFonsemionsemi FSPIGBT TO247 75A 600V
товар відсутній
FGH75N60UFTUON Semiconductor
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH75N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75N60UFTUonsemi / FairchildIGBT Transistors N-CH / 600V 75A FS Planar
товар відсутній
FGH75N60UFTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75N60UFTUonsemiDescription: IGBT 600V 150A 452W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/128ns
Switching Energy: 3.05mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 452 W
товар відсутній
FGH75T65SHDonsemiIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 75A 650V
товар відсутній
FGH75T65SHD-F155
Код товару: 172511		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH75T65SHD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHD-F155 - IGBT, 650 V, 75 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FGH75T65SHD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43.4 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/80ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 51901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.79 грн
30+ 336.19 грн
120+ 288.17 грн
510+ 240.39 грн
1020+ 205.83 грн
2010+ 193.81 грн
FGH75T65SHD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650 V, 75 A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.49 грн
10+ 450.32 грн
25+ 324.66 грн
100+ 278.28 грн
250+ 272.98 грн
450+ 247.14 грн
900+ 212.69 грн
FGH75T65SHD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SHDTonsemiIGBT Transistors FS3TIGBT TO247 75A 650V
товар відсутній
FGH75T65SHDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SHDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SHDT-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V FS3 Trench IGBT
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.67 грн
10+ 385.56 грн
25+ 306.11 грн
100+ 261.72 грн
250+ 247.14 грн
450+ 233.23 грн
900+ 188.17 грн
FGH75T65SHDT-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHDT-F155 - IGBT, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+486.1 грн
5+ 460.83 грн
10+ 435.56 грн
50+ 381.67 грн
100+ 330.65 грн
250+ 308.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65SHDT-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/86ns
Switching Energy: 3mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.99 грн
30+ 316.43 грн
120+ 271.23 грн
FGH75T65SHDTL4onsemi / FairchildIGBT Transistors FS3 TIGBT Excellent switching performan
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+476.17 грн
10+ 427.46 грн
25+ 322.01 грн
100+ 276.96 грн
250+ 268.35 грн
450+ 229.92 грн
900+ 198.11 грн
FGH75T65SHDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SHDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHDTL4 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.71 грн
5+ 432.59 грн
10+ 362.72 грн
50+ 312.66 грн
100+ 266.31 грн
250+ 258.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65SHDTL4onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.92 грн
30+ 334.28 грн
120+ 286.53 грн
FGH75T65SHDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SHDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SHDTLN4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SHDTLN4 - IGBT, 650V, 150A, 175DEG C, 455W, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH75T65SHDTLN4onsemiDescription: FS3 T TO247 75A 650V 4WL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 455 W
товар відсутній
FGH75T65SHDTLN4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SHDTLN4TE ConnectivityTE Connectivity
товар відсутній
FGH75T65SHDTLN4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH75T65SHDTLN4onsemiDescription: FS3 T TO247 75A 650V 4WL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/189ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 1.56mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 126 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 455 W
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+317.01 грн
Мінімальне замовлення: 63
FGH75T65SHDTLN4onsemiIGBT Transistors FS3 T TO247 75A 65
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+424.38 грн
10+ 390.13 грн
100+ 334.6 грн
250+ 314.73 грн
450+ 257.74 грн
900+ 253.11 грн
FGH75T65SHDTLN4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+141.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
FGH75T65SHDT_F155
Код товару: 171976		Транзистори > Польові N-канальні
у наявності 1 шт:
1 шт - склад
1+190 грн
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+264.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH75T65SHD_F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+508.11 грн
28+ 423.87 грн
100+ 340.8 грн
Мінімальне замовлення: 23
FGH75T65SQDonsemiIGBT Transistors FS4TIGBT TO247 75A 650V
товар відсутній
FGH75T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQD-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Switching Energy: 760µJ (on), 180µJ (off)
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.41 грн
30+ 314.04 грн
120+ 269.17 грн
510+ 224.53 грн
1020+ 192.26 грн
FGH75T65SQD-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQD-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQD-F155 - IGBT, N-Kanal, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+471.98 грн
5+ 406.57 грн
10+ 340.42 грн
50+ 293.33 грн
100+ 249.74 грн
250+ 242.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65SQD-F155ON Semiconductor
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH75T65SQD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V FS4 Trench IGBT
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+446.8 грн
10+ 401.56 грн
25+ 249.13 грн
100+ 225.28 грн
250+ 190.82 грн
450+ 186.19 грн
FGH75T65SQDNL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQDNL4 - IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+733.62 грн
5+ 572.33 грн
10+ 410.29 грн
50+ 365.11 грн
100+ 323.01 грн
250+ 308.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65SQDNL4ON Semiconductor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH75T65SQDNL4onsemiIGBT Transistors 650V/75 FAST IGBT
на замовлення 449 шт:
термін постачання 1207-1216 дні (днів)
1+713.49 грн
10+ 619.48 грн
25+ 402.85 грн
100+ 365.74 грн
250+ 341.23 грн
450+ 338.58 грн
FGH75T65SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQDNL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQDNL4onsemiDescription: 650V/75 FAST IGBT FSIII T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns
Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 152 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+656.53 грн
30+ 458.63 грн
120+ 378.98 грн
FGH75T65SQDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQDT-F155onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.54 грн
30+ 347.1 грн
120+ 310.57 грн
FGH75T65SQDT-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQDT-F155 - IGBT, FS-Trench, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+495.77 грн
5+ 428.13 грн
10+ 359.75 грн
50+ 312.66 грн
100+ 268.85 грн
250+ 261.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65SQDT-F155onsemiIGBT Transistors 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+479.27 грн
10+ 450.32 грн
25+ 327.31 грн
100+ 288.89 грн
250+ 284.91 грн
450+ 270.33 грн
900+ 223.29 грн
FGH75T65SQDT-F155ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/276ns
Switching Energy: 307µJ (on), 266µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
товар відсутній
FGH75T65SQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65SQDTL4 - IGBT, 650 V, 75 A FIELD STOP TRENCH
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
FGH75T65SQDTL4onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V FS4 Trench IGBT
товар відсутній
FGH75T65SQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65SQDT_F155onsemiDescription: 650V FS4 TRENCH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
товар відсутній
FGH75T65UPDonsemi / FairchildIGBT Transistors 650V 150A 187W
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.67 грн
10+ 380.22 грн
25+ 300.15 грн
100+ 276.3 грн
250+ 259.73 грн
450+ 243.17 грн
900+ 230.58 грн
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65UPDonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 385 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.71 грн
30+ 319.35 грн
120+ 285.73 грн
510+ 236.6 грн
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+260.04 грн
Мінімальне замовлення: 45
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+236.54 грн
Мінімальне замовлення: 30
FGH75T65UPDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65UPDON-SemicoductorIGBT Transistor Chip N-CH 650V 150A   FGH75T65UPD TO247AB TFGH75T65upd
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
FGH75T65UPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65UPD-F085ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH75T65UPD-F085onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V/75A FS TRENCH IGBT
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+639.28 грн
10+ 540.24 грн
25+ 426.04 грн
100+ 391.59 грн
250+ 367.73 грн
450+ 312.74 грн
900+ 310.75 грн
FGH75T65UPD-F085onsemiDescription: IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/166ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 578 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+588.44 грн
30+ 452.49 грн
120+ 404.86 грн
FGH75T65UPD-F085ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH75T65UPD-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH75T65UPD-F085 - IGBT, 150 A, 1.69 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.69V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+675.64 грн
5+ 581.99 грн
10+ 487.59 грн
50+ 434.82 грн
100+ 384.17 грн
250+ 360.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH75T65UPD-F155onsemi / FairchildIGBT Transistors 650V,75A Field Stop Trench IGBT
товар відсутній
FGH75T65UPD-F155onsemiDescription: 650V,75A FIELD STOP TRENCH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/216ns
Switching Energy: 3.68mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 375 W
товар відсутній
FGH75T65UPD-F155ON SemiconductorField Stop Trench IGBT Chip Transistor
товар відсутній
FGH80N60FDonsemiIGBT Transistors FSPIGBT TO247 80A 600V
товар відсутній
FGH80N60FD2TUonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 61 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/126ns
Switching Energy: 1mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.58 грн
30+ 257.67 грн
120+ 220.87 грн
FGH80N60FD2TUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH80N60FD2TUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V 80A Field Stop
на замовлення 869 шт:
термін постачання 501-510 дні (днів)
1+379.55 грн
10+ 336.79 грн
120+ 239.85 грн
FGH80N60FD2TUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+216.46 грн
900+ 190.65 грн
4500+ 188.71 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH80N60FD2TU(транзистор)
Код товару: 61002		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
FGH80N60FDTUonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V Field Stop
товар відсутній
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH80N60FDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FGH80N60FDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 80
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
FGH80N60FDTUonsemiDescription: IGBT 600V 80A 290W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/126ns
Switching Energy: 1mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 290 W
товар відсутній
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH80N60FDTUON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH80N60FDTU
Код товару: 155558		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGHL40S65UQON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGHL40S65UQON SemiconductorDescription: IGBT 650V 40A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL40S65UQON SemiconductorIGBT Transistors IGBT, 650 V, 40 A
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FGHL40S65UQON Semiconductor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGHL40T120RWDonsemiIGBT Transistors 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in TO247-3L Packaging 1200V 40A FS7 Low Vcesat IGBT Discrete
на замовлення 424 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
1+497.82 грн
10+ 419.84 грн
25+ 331.29 грн
100+ 304.12 грн
250+ 286.23 грн
FGHL40T120RWDON Semiconductor1200V/40A FS7 IGBT SCR TO247
товар відсутній
FGHL40T120RWDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 248 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40.3A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/184ns
Switching Energy: 2.9mJ (on), 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 600 W
товар відсутній
FGHL40T120SWDonsemiIGBT Transistors 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT in TO247-3L Packaging 1200V 40A Fast Switching IGBT
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+436.75 грн
10+ 361.17 грн
25+ 296.84 грн
100+ 254.43 грн
250+ 240.52 грн
450+ 225.94 грн
900+ 193.47 грн
FGHL40T120SWDON SemiconductorIGBT- Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII
товар відсутній
FGHL40T120SWDonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 70A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 185 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/118ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 118 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 469 W
товар відсутній
FGHL40T65LQDTonsemiIGBT Transistors FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.92 грн
10+ 234.69 грн
25+ 192.15 грн
100+ 136.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL40T65LQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 84 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/364ns
Switching Energy: 620µJ (on), 1.03mJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 414 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 273 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.76 грн
30+ 201.49 грн
120+ 172.7 грн
510+ 144.07 грн
1020+ 123.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL40T65MQDON Semiconductor650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT
товар відсутній
FGHL40T65MQDonsemiIGBT Transistors 650 V 40 A FS4
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.11 грн
10+ 239.26 грн
25+ 167.63 грн
450+ 141.79 грн
900+ 123.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL40T65MQDonsemiDescription: IGBT 650V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/109ns
Switching Energy: 860µJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 86 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
товар відсутній
FGHL40T65MQDON Semiconductor
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGHL40T65MQDON Semiconductor650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT
товар відсутній
FGHL40T65MQDTonsemiDescription: FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/75ns
Switching Energy: 880µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.98 грн
30+ 218.05 грн
120+ 186.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL40T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL40T65MQDT - IGBT, 60 A, 1.45 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 6632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.73 грн
10+ 237.11 грн
100+ 192.51 грн
500+ 168.41 грн
1000+ 133.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGHL40T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW Tube
товар відсутній
FGHL40T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 238000mW Tube
товар відсутній
FGHL40T65MQDTonsemiIGBT Transistors FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.34 грн
10+ 252.97 грн
25+ 207.39 грн
100+ 178.23 грн
250+ 168.3 грн
450+ 158.36 грн
900+ 135.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL50T65LQDTonsemiIGBT Transistors FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 50A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.3 грн
10+ 272.78 грн
25+ 223.95 грн
100+ 154.38 грн
FGHL50T65LQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/408ns
Switching Energy: 510µJ (on), 880µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 509 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 341 W
товар відсутній
FGHL50T65LQDTON SemiconductorField Stop Trench IGBT
товар відсутній
FGHL50T65LQDTL4onsemiIGBT Transistors FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 450 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
1+349.4 грн
10+ 288.79 грн
25+ 237.87 грн
100+ 203.41 грн
250+ 192.15 грн
450+ 180.88 грн
FGHL50T65LQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/424ns
Switching Energy: 410µJ (on), 860µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 509 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 341 W
товар відсутній
FGHL50T65MQDON Semiconductor650 V, 50 A Field Stop Trench IGBT
товар відсутній
FGHL50T65MQDonsemiIGBT Transistors 650 V 50 A FS4
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.81 грн
10+ 279.64 грн
25+ 241.84 грн
100+ 235.22 грн
250+ 206.06 грн
450+ 174.92 грн
900+ 141.13 грн
FGHL50T65MQDonsemiDescription: IGBT 650V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/120ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.78 грн
10+ 252.06 грн
FGHL50T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Tube
товар відсутній
FGHL50T65MQDTonsemiIGBT Transistors FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+354.81 грн
10+ 294.12 грн
25+ 241.18 грн
100+ 166.31 грн
FGHL50T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+176.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGHL50T65MQDTonsemiDescription: FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/90ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 139050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.3 грн
30+ 258.31 грн
120+ 221.41 грн
510+ 184.69 грн
1020+ 158.14 грн
2010+ 148.91 грн
FGHL50T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65MQDT - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+411.78 грн
10+ 334.48 грн
25+ 274.27 грн
450+ 216.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL50T65MQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Tube
товар відсутній
FGHL50T65MQDTL4onsemiDescription: FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/336ns
Switching Energy: 1mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.55 грн
10+ 299.68 грн
450+ 215.49 грн
1350+ 173.16 грн
2250+ 163.05 грн
FGHL50T65MQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65MQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+426.64 грн
10+ 306.23 грн
100+ 248.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL50T65MQDTL4onsemiIGBT Transistors FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+401.97 грн
10+ 332.98 грн
25+ 272.98 грн
100+ 233.89 грн
250+ 221.3 грн
450+ 208.05 грн
900+ 178.23 грн
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
товар відсутній
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
товар відсутній
FGHL50T65SQonsemiIGBT Transistors FS4TIGBT 50A 650V
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.87 грн
10+ 256.78 грн
25+ 185.52 грн
100+ 159.02 грн
250+ 153.72 грн
450+ 136.49 грн
900+ 113.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL50T65SQON SemiconductorIGBT Chip for PFC Applications
товар відсутній
FGHL50T65SQonsemiDescription: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/93ns
Switching Energy: 410µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.57 грн
30+ 191.69 грн
120+ 164.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL50T65SQONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65SQ - IGBT, 100 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.54 грн
10+ 181.36 грн
100+ 161.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGHL50T65SQDTonsemiIGBT Transistors 650 FS4 HI SPEED 50 A WITH FULL RATING FRD
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+391.92 грн
10+ 368.03 грн
25+ 266.36 грн
100+ 227.93 грн
250+ 224.61 грн
450+ 202.09 грн
900+ 162.99 грн
FGHL50T65SQDTonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.8ns/70ns
Switching Energy: 223µJ (on), 91.13µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99.7 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.52 грн
30+ 275.29 грн
120+ 235.97 грн
FGHL50T65SQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGHL50T65SQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGHL50T65SQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGHL60T120RWDonsemiIGBT Transistors 1200V/60A FS7 IGBT SCR TO247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 252-261 дні (днів)
1+650.88 грн
10+ 550.14 грн
30+ 433.99 грн
120+ 398.21 грн
270+ 374.36 грн
510+ 351.17 грн
1020+ 316.05 грн
FGHL60T120RWDonsemiDescription: 1200V, 60A TRENCH FIELD STOP VII
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 257 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 51ns/250ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 3.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 256 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 833 W
товар відсутній
FGHL75T65LQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65LQDT - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+532.19 грн
5+ 455.63 грн
10+ 379.07 грн
50+ 337.5 грн
100+ 297.52 грн
250+ 280.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL75T65LQDTonsemiIGBT Transistors FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.1 грн
10+ 428.23 грн
25+ 337.92 грн
100+ 309.43 грн
250+ 291.54 грн
450+ 272.98 грн
900+ 245.82 грн
FGHL75T65LQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
товар відсутній
FGHL75T65LQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
товар відсутній
FGHL75T65LQDTonsemiDescription: FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 152 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/568ns
Switching Energy: 1.88mJ (on), 2.38mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 793 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.88 грн
10+ 384.71 грн
FGHL75T65LQDTL4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 469000mW Tube
товар відсутній
FGHL75T65LQDTL4onsemiDescription: FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/548ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 2.53mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 779 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 469 W
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.7 грн
30+ 382 грн
120+ 341.79 грн
FGHL75T65LQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65LQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+519.55 грн
5+ 444.48 грн
10+ 369.41 грн
50+ 329.22 грн
100+ 290.52 грн
250+ 273.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL75T65LQDTL4onsemiIGBT Transistors FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.95 грн
10+ 417.56 грн
25+ 329.3 грн
100+ 302.14 грн
250+ 284.25 грн
450+ 266.36 грн
900+ 249.79 грн
FGHL75T65MQDonsemiIGBT Transistors 650 V 75 A FS4
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.9 грн
10+ 386.32 грн
25+ 325.99 грн
100+ 300.81 грн
250+ 256.42 грн
450+ 234.55 грн
900+ 194.8 грн
FGHL75T65MQDonsemiDescription: IGBT 650V 75A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/176ns
Switching Energy: 1.94mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 145 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.04 грн
10+ 347.85 грн
450+ 250.12 грн
FGHL75T65MQDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Tube
товар відсутній
FGHL75T65MQDTonsemiIGBT Transistors FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.67 грн
10+ 387.08 грн
25+ 318.04 грн
100+ 272.32 грн
250+ 257.08 грн
450+ 241.84 грн
900+ 206.73 грн
FGHL75T65MQDTonsemiDescription: FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/118ns
Switching Energy: 2.35mJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.76 грн
10+ 348.55 грн
FGHL75T65MQDTONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65MQDT - IGBT, 80 A, 1.45 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+481.65 грн
10+ 347.85 грн
100+ 280.96 грн
500+ 245.02 грн
1000+ 193.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHL75T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Tube
товар відсутній
FGHL75T65MQDTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW Tube
товар відсутній
FGHL75T65MQDTL4onsemiIGBT Transistors FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+359.45 грн
10+ 323.07 грн
25+ 241.84 грн
100+ 239.19 грн
450+ 211.36 грн
FGHL75T65MQDTL4onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/181ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.29 грн
30+ 322.52 грн
120+ 288.57 грн
FGHL75T65MQDTL4ONSEMIDescription: ONSEMI - FGHL75T65MQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.45 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+516.58 грн
10+ 424.41 грн
25+ 385.76 грн
100+ 322.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGHOV225Z-L5(T3-270)NEC
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)