Продукція > FDS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDSPRODECDescription: PRODEC - FDS - Schwamm
tariffCode: 96034090
Tuchmaterial: Schaumstoff
Tuchbreite: 110mm
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
hazardous: false
Tuchlänge: 190mm
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDS 09 L 1000Fischer ElektronikD-Sub filter connector
товар відсутній
FDS 09 T 1000Fischer ElektronikConn Filtered D-Sub M 9 POS Solder ST Thru-Hole 9 Terminal 1 Port
товар відсутній
FDS-216Jonard ToolsDescription: FIBER DROP CABLE STRIPPER, 1.6 X
Packaging: Box
Features: Ergonomic
Type: Stripper
Cable Type: 1.6mm ~ 2mm Cable Diameter
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2196.07 грн
5+ 1997.13 грн
FDS-216Jonard ToolsJonard Tools Fiber Drop Cable Stripper (1.6mm x 2.0mm(
товар відсутній
FDS-312Jonard ToolsDescription: FIBER DROP CABLE STRIPPER (3.1MM
Packaging: Bulk
Features: Ergonomic, Side Entry
Type: Stripper
Cable Type: 2mm ~ 3.1mm Cable Diameter
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2247.68 грн
5+ 2067.11 грн
FDS-320-05AutonicsDescription: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM
Packaging: Bag
Sensing Distance: 1.575" (40mm)
Sensing Method: Reflective, Diffuse
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C (TA)
Cable Length: 78.74" (2m)
Connection Method: Connector, M3
Light Source: LED
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4228.73 грн
FDS-42-1050 LD ADVEAGLERISE ELECTRIC & ELECTRONIC CO. LTDAC/DC, 42W, Вхід: 200-240VAC, LED In-Track Driver
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FDS-42-1050 LD ADV-BEAGLERISE ELECTRIC & ELECTRONIC CO. LTDAC/DC, 42W, Вхід: 200-240VAC, LED In-Track Driver, black case
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FDS-E 206PFSC
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 206PFSC09+ SO-8
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 3170N3FSC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 3170N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 3170N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 3170N7FSC
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 4080N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 4080N3FSC
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 5170N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 5170N3FSC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 5170N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 5170N7FSC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7060N7FSC
на замовлення 445 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7060N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7082N3FSC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7082N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7088N7FSC09+ SO-8
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7088N7FSC
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7096N3FSC09+ SO-8
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7096N3FSC
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7288N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E 7288N3FSC
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E7064NFSC
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E7064NFSC09+ SO-8
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E7064N3FSC
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E7064N3FSC09+ SO-8
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E7296N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E7296N3FSC
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E9 7096N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-E9 7096N3FSC
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-N 7064N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-N 7064N3FSC
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-O 7064N3FSC
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-O 7064N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-PCRLE TechnologiesDescription: TRANSLATOR - SNMP/MODBUS/BACNET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS-PC-DPRLE TechnologiesDescription: TRANSLATOR - SNMP/MODBUS/BACNET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS-Q 2170N3FSC
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-Q 2170N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-Q 2170N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS-Q 2170N7FSC
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS009FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS06LSiemensSwitch Fixings SW OP ONLY FXD DEPTH LF 30-100A MCS SW
товар відсутній
FDS06RSiemensSwitch Fixings SW OP ONLY FXD DEPTH RT 30-100A MCS SW
товар відсутній
FDS1Hammond ManufacturingDescription: DOOR SWITCH
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS1HAMMONDDescription: HAMMOND - FDS1 - REMOTE DOOR SWITCH, 115/230VAC, HME
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: RDS Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2084.9 грн
FDS1Hammond ManufacturingRacks & Rack Cabinet Accessories Door Switch
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS1HammondRemote Door Switch For Use With Eclipse, Hme
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS100AA(BA)60SanRex07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100AA40SanRex100A/400V/High Speed Diode/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100AA40module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100AA60SanRex100A/600V/High Speed Diode/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100AA60module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100AA60SANREXCDH2-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100AA60EUPECMODULE
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100BA60SanRex100A/600V/High Speed Diode/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100BA60SANREXF4-5
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100BA60EUPECMODULE
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100BA60SANREX
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100BA60SANREXCDH2-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100BA60module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100BA80SANREXF4-5
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA100module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA100EUPECMODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA100SanRex100A/1000V/High Speed Diode/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA100(120)SanRex07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA120SANREX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA120SanRexDiscrete Semiconductor Modules Discrete Semiconductor Modules 1000V 120A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 259-268 дні (днів)
1+5591.96 грн
10+ 4510.09 грн
FDS100CA120SANREXCDH2-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA120SanRex100A/1200V/High Speed Diode/2U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA120SanRex CorporationDescription: DIODE MODULE 1200V 100A
товар відсутній
FDS100CA120SANREXF4-5
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS100CA120EUPECMODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS1102OWONCategory: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Type of oscilloscope: digital
Number of channels: 2
Band: 100MHz
Sampling: 1Gsps
Memory record length: 10Mpts
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Trigger modes: automatic; normal; single
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Max. input voltage: 300V
Vertical resolution: 8bit
Input coupling: AC, DC, GND
Interface: HDMI; LAN; USB
Manufacturer series: FDS
Rise time: ≤3.5ns
Input impedance: 1MΩ/15pF
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Plug variant: EU
Power consumption: 30W
Body dimensions: 421x221x115mm
Software: download from manufacturers website
Measurement memory: 100
Display resolution: 1024x768
Touchpad: yes
Output current: 3A
Output voltage 2: 15V DC
Output current 2: 3A
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Output voltage: 15V DC
Supply voltage: 100...240V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS1102OWONCategory: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Type of oscilloscope: digital
Number of channels: 2
Band: 100MHz
Sampling: 1Gsps
Memory record length: 10Mpts
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Trigger modes: automatic; normal; single
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Max. input voltage: 300V
Vertical resolution: 8bit
Input coupling: AC, DC, GND
Interface: HDMI; LAN; USB
Manufacturer series: FDS
Rise time: ≤3.5ns
Input impedance: 1MΩ/15pF
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Plug variant: EU
Power consumption: 30W
Body dimensions: 421x221x115mm
Software: download from manufacturers website
Measurement memory: 100
Display resolution: 1024x768
Touchpad: yes
Output current: 3A
Output voltage 2: 15V DC
Output current 2: 3A
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Output voltage: 15V DC
Supply voltage: 100...240V AC
товар відсутній
FDS1102AOWONCategory: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Type of oscilloscope: digital
Number of channels: 2
Band: 100MHz
Sampling: 1Gsps
Memory record length: 10Mpts
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Trigger modes: automatic; normal; single
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Max. input voltage: 300V
Vertical resolution: 14bit
Input coupling: AC, DC, GND
Interface: HDMI; LAN; USB
Manufacturer series: FDS
Rise time: ≤3.5ns
Input impedance: 1MΩ/15pF
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Plug variant: EU
Power consumption: 30W
Body dimensions: 421x221x115mm
Software: download from manufacturers website
Measurement memory: 100
Display resolution: 1024x768
Touchpad: yes
Output current: 3A
Output voltage 2: 15V DC
Output current 2: 3A
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Output voltage: 15V DC
Supply voltage: 100...240V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS1102AOWONCategory: Digital Oscilloscopes
Description: Oscilloscope: digital; Ch: 2; 100MHz; 1Gsps; 10Mpts; LCD TFT 10,4"
Type of oscilloscope: digital
Number of channels: 2
Band: 100MHz
Sampling: 1Gsps
Memory record length: 10Mpts
Kind of display used: LCD TFT 10,4"
Trigger modes: automatic; normal; single
Trigger: CAN; falling-edge; I2C; LIN; logic; Nth Edge; pulse; rising-edge; RS232; runt; slope; timeout; video signal; window
Max. input voltage: 300V
Vertical resolution: 14bit
Input coupling: AC, DC, GND
Interface: HDMI; LAN; USB
Manufacturer series: FDS
Rise time: ≤3.5ns
Input impedance: 1MΩ/15pF
Input sensitivity: 1mV/div...10V/div
Additional functions: frequency meter; function generator; multimeter; power supply
Waveform frequency range: 1µHz...1MHz (ramp waveform); 1µHz...10MHz (pulse waveform); 1µHz...25MHz (rectangular waveform); 1µHz...50MHz (sinus waveform)
Measuring instrument features: mathematical functions: addition, subtraction, division, multiplication and FFT; measurements by means of cursors
Standard equipment: mains cable; oscilloscope probe (1 per channel); test lead (BNC - crocodile clips); test leads ( 2pcs.); trimmer; USB cable; user's manual
Plug variant: EU
Power consumption: 30W
Body dimensions: 421x221x115mm
Software: download from manufacturers website
Measurement memory: 100
Display resolution: 1024x768
Touchpad: yes
Output current: 3A
Output voltage 2: 15V DC
Output current 2: 3A
Measurement: AC current; AC voltage; capacitance; DC current; DC voltage; frequency; resistance
Output voltage: 15V DC
Supply voltage: 100...240V AC
товар відсутній
FDS1212Hammond ManufacturingDescription: SHELF FOLD DOWN 12X12" BEIGE
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS1212Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf 12 x 12"
товар відсутній
FDS1212GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - Steel/Gray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11336.2 грн
5+ 10974.62 грн
10+ 9370.22 грн
25+ 9230.41 грн
FDS1212GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS1212LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 12x12 - Steel/Lt Gray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11869.58 грн
5+ 11491.24 грн
10+ 9810.83 грн
25+ 9665.06 грн
FDS136SBSFAIRCHILD00+ SOP-8
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS1818Hammond ManufacturingDescription: SHELF FOLD DOWN 18X18" BEIGE
Packaging: Box
Color: Beige
Size / Dimension: 18.000" L x 18.000" W (457.20mm x 457.20mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
товар відсутній
FDS1818Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf 18 x 18"
товар відсутній
FDS1818GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 18.000" L x 18.000" W (457.20mm x 457.20mm)
For Use With/Related Products: Enclosures
Material: Metal, Steel
Type: Shelf, Fold Down
Ventilation: Non-Vented
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12936.33 грн
5+ 12234.83 грн
10+ 12012.38 грн
FDS1818GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - Steel/Gray
товар відсутній
FDS1818GYHammondFold Down Shelf, Ansi 61 Gray, Mounts With Bolts Through Doors Or Sides
товар відсутній
FDS1818LGHammondFold Down Shelf, Steel, Light Gray
товар відсутній
FDS1818LGHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 18X18 - STEEL/
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14322.49 грн
FDS1818LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - Steel/Lt Gray
товар відсутній
FDS1818S16Hammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 18X18 - 316SS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Racks
Accessory Type: Shelf
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+61770.99 грн
FDS1818S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 18x18 - 316SS
товар відсутній
FDS1818S16HammondFold Down Shelf, Stainless Steel 316
товар відсутній
FDS187N2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.97 грн
1140+ 134.87 грн
5130+ 102.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS187N2Amphenol PositronicDescription: CONTACTS
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Contact Termination: Solder
Wire Gauge: 16 AWG
Type: Machined
Pin or Socket: Socket
Contact Finish Thickness: FLASH
Contact Material: Copper Alloy
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.67 грн
10+ 208.85 грн
25+ 197.84 грн
50+ 181.35 грн
100+ 172.71 грн
250+ 151.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS187N2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS2-320-05AutonicsDescription: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM
товар відсутній
FDS2-420-05AutonicsDescription: FIBER OPTIC CABLE RETRO 40MM
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS200B
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2020NZFDS07+/08+ SOP8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N3onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh PowerTrench
товар відсутній
FDS2070N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
товар відсутній
FDS2070N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N3FSC
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
товар відсутній
FDS2070N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
на замовлення 13740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+131.67 грн
Мінімальне замовлення: 165
FDS2070N7FSC
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1884 pF @ 75 V
на замовлення 15138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+144.06 грн
Мінімальне замовлення: 150
FDS2070N7FDS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin FLMP SOIC T/R
товар відсутній
FDS2070N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N7onsemi / FairchildMOSFET 150V NCh PowerTrench
товар відсутній
FDS2070N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2070N7FAIRCHILDSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2074N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2074N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2074N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2074N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
на замовлення 2627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+137 грн
Мінімальне замовлення: 145
FDS2170N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
товар відсутній
FDS2170N3FAIRCHILD09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N3FSC09+
на замовлення 641 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
товар відсутній
FDS2170N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N7FAIRCHALSOP8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N7FDS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
товар відсутній
FDS2170N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
на замовлення 23636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+143.62 грн
Мінімальне замовлення: 139
FDS2170N7NS2004 SOP
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1292 pF @ 100 V
товар відсутній
FDS2360AMJRCSOP8
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2370N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2370N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2370N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2370N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2370N7FSC
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2370N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2407FDSSOP-8
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2407FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2424GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - Steel/Gray
товар відсутній
FDS2424GYHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - STEEL/
Packaging: Bulk
товар відсутній
FDS2424LGHammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - STEEL/
Packaging: Bulk
товар відсутній
FDS2424LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - Steel/Lt Gray
товар відсутній
FDS2424S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Fold Down Shelf - 24x24 - 316SS
товар відсутній
FDS2424S16Hammond ManufacturingDescription: FOLD DOWN SHELF - 24X24 - 316SS
Packaging: Bulk
товар відсутній
FDS24C256FDSSOP-8
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS24C64FDSSOP-8
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2570FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2570FDSSOP-8
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2570Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+88.52 грн
Мінімальне замовлення: 221
FDS2570FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2572onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
на замовлення 11596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.5 грн
10+ 92.2 грн
100+ 65.33 грн
250+ 64.73 грн
500+ 54.99 грн
1000+ 46.18 грн
2500+ 44.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.2 грн
5000+ 50.5 грн
10000+ 48.99 грн
12500+ 47.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+124.07 грн
119+ 97.98 грн
121+ 96.06 грн
146+ 76.94 грн
250+ 70.14 грн
500+ 58.97 грн
1000+ 46.8 грн
Мінімальне замовлення: 94
FDS2572FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2572 TFDS2572
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.2 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.24 грн
5000+ 50.54 грн
10000+ 49.03 грн
12500+ 47.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 17196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.23 грн
10+ 86.76 грн
100+ 69.03 грн
500+ 54.82 грн
1000+ 46.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.78 грн
5+ 91.1 грн
13+ 65.57 грн
34+ 62.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+115.2 грн
10+ 90.98 грн
25+ 89.2 грн
100+ 71.44 грн
250+ 65.13 грн
500+ 54.76 грн
1000+ 43.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS2572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+129.33 грн
5+ 113.53 грн
13+ 78.68 грн
34+ 74.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2572onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.9 грн
5000+ 45.32 грн
12500+ 43.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2572ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 4.9 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.33 грн
10+ 98.11 грн
100+ 71.88 грн
500+ 50.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS2572NLFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2574FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2574FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
товар відсутній
FDS2582ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.36 грн
19+ 42.79 грн
51+ 40.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS2582FairchildN-MOSFET 150V 4.1A 66mΩ 2.5W FDS2582 Fairchild TFDS2582
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2582onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.86 грн
10+ 66.47 грн
100+ 51.71 грн
500+ 41.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS2582ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+88.3 грн
5+ 73.97 грн
19+ 51.35 грн
51+ 48.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS2582onsemi / FairchildMOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
на замовлення 19193 шт:
термін постачання 587-596 дні (днів)
4+94.31 грн
10+ 83.05 грн
100+ 56.19 грн
500+ 46.38 грн
1000+ 37.7 грн
2500+ 34.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2582ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2582_Qonsemi / FairchildMOSFET 150V 4.5a .6 Ohms/VGS=1V
товар відсутній
FDS2670FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.72 грн
500+ 70.08 грн
1000+ 60.84 грн
2500+ 53.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+81.9 грн
10+ 73.97 грн
25+ 57.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDS2670FSC
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2670ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS2670FAIRCHILD09+
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3 A, 0.1 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.91 грн
10+ 118.92 грн
25+ 107.78 грн
100+ 89.72 грн
500+ 70.08 грн
1000+ 60.84 грн
2500+ 53.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS2670FDSSOP-8
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2670ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 275mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS2670FSC09+ SO-8
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.83 грн
10+ 93.59 грн
100+ 74.49 грн
500+ 59.14 грн
1000+ 50.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2670FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 200V
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.45 грн
10+ 83.05 грн
100+ 63.48 грн
500+ 57.64 грн
1000+ 51.48 грн
2500+ 49.76 грн
5000+ 48.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2670-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2670_NLFAIRCHILD
на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2672onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
на замовлення 4640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.03 грн
10+ 116.16 грн
100+ 93.35 грн
500+ 71.98 грн
1000+ 59.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS2672onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2672onsemi / FairchildMOSFET 200V 3.9A 70mOHMS NCH ULTRAFET
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 546-555 дні (днів)
3+129.87 грн
10+ 115.82 грн
100+ 80.83 грн
500+ 66.92 грн
1000+ 54.93 грн
2500+ 53.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.9A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 148mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS2672-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V3.9A 70OHMNCH UL TRAFET TRENCH
товар відсутній
FDS2672-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDS2672-TF085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 200V,3.9A, 70OHM,NCH ULTRAFETtrenchMOSFET
товар відсутній
FDS2682FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2682FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2734ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.225Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
товар відсутній
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2734FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 225mOhm; 3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS2734 TFDS2734
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS2734onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.06 грн
5000+ 54.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2734onsemi / FairchildMOSFET 250V 3.0A 117 OHM NCH ULTRAFE
на замовлення 14834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.01 грн
10+ 117.34 грн
100+ 81.5 грн
250+ 74.87 грн
500+ 67.58 грн
1000+ 59.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2734ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.03 грн
500+ 67.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS2734ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.225Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS2734ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 3 A, 0.097 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.17 грн
10+ 124.87 грн
100+ 107.03 грн
500+ 67.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS2734onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 100 V
на замовлення 11729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.16 грн
10+ 104.77 грн
100+ 83.37 грн
500+ 66.21 грн
1000+ 56.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2734-NLFairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS29106AFDS07+/08+ SOP8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2ND 7064N7FSC
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2ND 7064N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2P102FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2P102FDSSOP-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2P102AFAI04/05/
на замовлення 14745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS2P103FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS300BB50SANREXCDH4-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS30C1MARATHON SPECIAL PRODUCTSDescription: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C1 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 1P, 30A, 120VAC
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pole: 1 Pole
Kontaktkonfiguration: -
Sicherungsgröße: Class CC
Anzahl der Sicherungen: 1 Fuse
euEccn: NLR
AC-Kontaktstrom, max.: 30A
AC-Kontaktspannung, max.: 120V
Schalteranschlüsse: Spring Clamp
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS30C3MARATHON SPECIAL PRODUCTSDescription: MARATHON SPECIAL PRODUCTS - FDS30C3 - FUSED SWITCH, CLASS CC, 3P, 30A, 600VAC
tariffCode: 85365080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pole: 3 Pole
Kontaktkonfiguration: -
Sicherungsgröße: Class CC
Anzahl der Sicherungen: 3 Fuse
euEccn: NLR
AC-Kontaktstrom, max.: 30A
AC-Kontaktspannung, max.: 600V
Schalteranschlüsse: Spring Clamp
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21447.33 грн
10+ 20774.66 грн
FDS3170N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3170N3FSC
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3170N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3170N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3170N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3170N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3170N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.7A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 50 V
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+144.06 грн
Мінімальне замовлення: 179
FDS3170N7FSC09+ SO-8
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3170N7FAI02+
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3170N7FAIRCHILD09+
на замовлення 90018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3170N7FSC
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3172N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3172N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3172N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3172N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3512ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3512onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
товар відсутній
FDS3512FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3512onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.67 грн
10+ 169.51 грн
100+ 136.27 грн
500+ 105.07 грн
1000+ 87.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS3512FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3512onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.82 грн
10+ 171.17 грн
100+ 137.57 грн
500+ 106.07 грн
1000+ 87.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS3512FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3512onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.21 грн
10+ 177.54 грн
100+ 123.9 грн
500+ 102.04 грн
1000+ 84.81 грн
2500+ 78.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS35606N/A09+
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3570FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3570FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3570onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 80V
товар відсутній
FDS3570Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
на замовлення 279272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS3570Fairchild
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3570-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3570_NLonsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench® MOSFET
товар відсутній
FDS3572onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 7070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.64 грн
10+ 83.51 грн
100+ 66.47 грн
500+ 52.79 грн
1000+ 44.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3572ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 8.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.75 грн
10+ 147.91 грн
100+ 115.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 5.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS3572onsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.18 грн
10+ 94.48 грн
100+ 65.33 грн
250+ 62.22 грн
500+ 54.53 грн
1000+ 47.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+121.76 грн
115+ 101.45 грн
122+ 95.45 грн
146+ 76.88 грн
250+ 67.26 грн
500+ 58 грн
1000+ 45.65 грн
Мінімальне замовлення: 96
FDS3572onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.08 грн
5000+ 43.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 5.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS3572ON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+113.06 грн
10+ 94.2 грн
25+ 88.63 грн
100+ 71.39 грн
250+ 62.45 грн
500+ 53.86 грн
1000+ 42.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS3572-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3572NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3572_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+202.43 грн
Мінімальне замовлення: 126
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS3580onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.18 грн
5000+ 38.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3580onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 9823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.49 грн
10+ 80.34 грн
100+ 62.48 грн
500+ 49.7 грн
1000+ 40.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3580onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 80V
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.09 грн
10+ 90.67 грн
100+ 61.02 грн
500+ 51.68 грн
1000+ 42.07 грн
2500+ 39.62 грн
5000+ 37.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3580ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3590onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.21 грн
10+ 47.48 грн
100+ 36.93 грн
500+ 29.37 грн
1000+ 23.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS3590ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+67.79 грн
6+ 51.43 грн
25+ 43.73 грн
26+ 38.35 грн
70+ 36.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS3590ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.49 грн
9+ 41.27 грн
25+ 36.44 грн
26+ 31.96 грн
70+ 30.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS3590ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3590onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
товар відсутній
FDS3590onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 80V
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS3590ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3590ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3601onsemi / FairchildMOSFET SO-8
товар відсутній
FDS3601Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 49698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 740
FDS3601FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.3A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS3601onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
FDS3601FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3601ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3601 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 49698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 891
FDS3601FSC0430+ SOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3601-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3601NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3601_NLFAIRCHILD
на замовлення 54500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3601_NLonsemi / FairchildMOSFET 100V/20V, 480/530MO, NCH, DUAL, SO8, 600A GOX, PTI
товар відсутній
FDS3612FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3612 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
543+66.9 грн
Мінімальне замовлення: 543
FDS3612Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
на замовлення 4809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 489
FDS3612FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3612ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
товар відсутній
FDS3670FAI01+ SMD
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3670FDSSOP-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3670FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3670Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
товар відсутній
FDS3672
Код товару: 38205		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+93.79 грн
126+ 92.87 грн
162+ 71.85 грн
250+ 68.58 грн
500+ 53.41 грн
1000+ 40.52 грн
Мінімальне замовлення: 124
FDS3672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.34 грн
10+ 79.1 грн
100+ 61.49 грн
500+ 48.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3672onsemi / FairchildMOSFET 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
на замовлення 12140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.99 грн
10+ 87.63 грн
100+ 59.43 грн
500+ 50.36 грн
1000+ 40.95 грн
2500+ 40.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.67 грн
500+ 52.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+107.2 грн
10+ 87.09 грн
25+ 86.24 грн
100+ 64.34 грн
250+ 58.96 грн
500+ 47.61 грн
1000+ 37.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
товар відсутній
FDS3672FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS3672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.18 грн
10+ 89.19 грн
100+ 66.67 грн
500+ 52.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3672-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3672-NLFAIRCHILDSOP8 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3672NLFSIRCHILD
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3672_NLFAIRCHIL..07+ SOP-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3672_NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3672_Qonsemi / FairchildMOSFET 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
товар відсутній
FDS3680FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3680onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
товар відсутній
FDS3680FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3682FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3682Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
товар відсутній
FDS3682FAIRCHIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3682FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3682-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3682_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3682_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+59.49 грн
Мінімальне замовлення: 360
FDS36882FSC02+ SMD-8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3690FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3690FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3690FAIRCHILD09+
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3692ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.6 грн
10+ 89.19 грн
100+ 69.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDS3692onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.41 грн
10+ 60.81 грн
100+ 47.31 грн
500+ 37.63 грн
1000+ 30.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS3692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3692ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS3692FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3692 TFDS3692
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDS3692onsemi / FairchildMOSFET 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
на замовлення 8974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.26 грн
10+ 67.51 грн
100+ 45.72 грн
500+ 38.76 грн
1000+ 31.54 грн
2500+ 30.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS3692onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS3692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3692ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS3692-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3692NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3692_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3692_Qonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FDS37C931CQFP
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS37C93202+ QFP
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS37C932
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS37H869
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3812FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3812FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3812onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
товар відсутній
FDS3812FAIRCHILD09+
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3812_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3890ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4.7A; Idm: 20A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS3890FAIRCHILD09+
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3890onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.44 грн
5000+ 49.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS3890ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3890ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 4.7A; Idm: 20A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS3890FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3890
Код товару: 49621		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
FDS3890onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 22836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.55 грн
10+ 104.39 грн
100+ 74.21 грн
250+ 71.56 грн
500+ 62.22 грн
1000+ 53.27 грн
2500+ 52.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3890ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.99 грн
10+ 104.8 грн
100+ 76.56 грн
500+ 64.81 грн
1000+ 50.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS3890FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3890onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.98 грн
10+ 94.83 грн
100+ 75.44 грн
500+ 59.91 грн
1000+ 50.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3890ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3890-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3896FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3896FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3912FAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3912Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
товар відсутній
FDS3912FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3912FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3912FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3912-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS399FAIRCHILDSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3992onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3992
Код товару: 117038		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDS3992onsemi / FairchildMOSFET 100V 4.5a .62 Ohms/VGS=1V
на замовлення 26102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.09 грн
10+ 90.67 грн
100+ 60.82 грн
500+ 51.48 грн
1000+ 43.13 грн
2500+ 41.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3992ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS3992 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.64 грн
10+ 92.17 грн
100+ 68.6 грн
500+ 44.03 грн
2500+ 39.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS3992ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+110.03 грн
10+ 89.92 грн
25+ 88.96 грн
100+ 65.86 грн
250+ 60.36 грн
500+ 48.7 грн
1000+ 38.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS3992ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 123mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+96.84 грн
122+ 95.81 грн
158+ 73.56 грн
250+ 70.2 грн
500+ 54.64 грн
1000+ 41.68 грн
Мінімальне замовлення: 120
FDS3992onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.21 грн
10+ 81.3 грн
100+ 63.26 грн
500+ 50.32 грн
1000+ 40.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS3992ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 4.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS3992NLFAIRCHILD
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS3992_Qonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FDS4070N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4070N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
на замовлення 9403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+115.3 грн
Мінімальне замовлення: 171
FDS4070N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N3FAI03+
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N3onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4070N3FAIRCHILD0903+ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N3FSC
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
на замовлення 72429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+115.3 грн
Мінімальне замовлення: 171
FDS4070N7FDS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4070N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4070N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4070N7FSC
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4072N3FAI242
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4072N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
товар відсутній
FDS4072N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4072N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
товар відсутній
FDS4072N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4072N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC
товар відсутній
FDS4072N3FSC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4072N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4072N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4299 pF @ 20 V
на замовлення 9775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+109.13 грн
Мінімальне замовлення: 180
FDS4072N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4080N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4080N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
на замовлення 39912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+109.86 грн
Мінімальне замовлення: 181
FDS4080N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4080N3FSC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4080N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4080N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4080N7FSC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4080N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4080N7Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V
на замовлення 11820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+110.52 грн
Мінімальне замовлення: 180
FDS4141onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4141ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 5W
Gate charge: 35nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -10.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
On-state resistance: 13mΩ
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.75 грн
7+ 53.63 грн
21+ 37.55 грн
58+ 35.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4141onsemi / FairchildMOSFET -40V P-Channel PowerTrench
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
4+90.44 грн
10+ 73 грн
100+ 49.76 грн
500+ 42.21 грн
1000+ 34.39 грн
2500+ 33.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4141onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+86.02 грн
10+ 73.17 грн
100+ 57.94 грн
500+ 47.62 грн
1000+ 36.12 грн
2500+ 33.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS4141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 10.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDS4141-F085onsemi / FairchildMOSFET -40V P-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDS4141-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4141-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2005 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDS4141-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4141-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2005 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDS4141-SN00136onsemionsemi
товар відсутній
FDS4141-SN00136Ponsemionsemi
товар відсутній
FDS4141SN00136PonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4141_TSN00136onsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
FDS4201D/AAPOSITRONICDescription: POSITRONIC - FDS4201D/AA - D-Sub-Kontakt, D-Sub-Steckverbinder der Produktreihen CBD & CBDD von Positronic, Buchsenkontakt
tariffCode: 85366990
Kontaktausführung: Buchsenkontakt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Kontaktanschluss: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: TBC
Kontaktmaterial: Kupferlegierung
Leiterstärke (AWG), max.: -
Leiterstärke (AWG), min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: D-Sub-Steckverbinder der Produktreihen CBD & CBDD von Positronic
usEccn: TBC
Produktpalette: PW Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2099.76 грн
FDS4201D/AAPositronicDescription: CON F SIZE 8 PCB
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS425N2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS425N2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS425P2Amphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS425P2/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS4310DPEI-GenesisDescription: CONTACT SIZE 8 FEMALE CBD/CBDD
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
FDS4310DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS4310MAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS4312DAmphenol PositronicDescription: CONTACT
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Contact Termination: Crimp
Wire Gauge: 10 AWG
Type: Power
Contact Type: Female Socket
Contact Finish Thickness: FLASH
Contact Material: Copper Alloy
Contact Form: Machined
Part Status: Active
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+556.19 грн
10+ 482.37 грн
25+ 454.45 грн
FDS4312DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS4312D/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS4314DAmphenol PositronicD-Sub Contacts
товар відсутній
FDS4314D/AAAmphenol PositronicD-Sub Contacts
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.81 грн
10+ 393.94 грн
25+ 331.29 грн
105+ 314.73 грн
210+ 281.6 грн
420+ 265.03 грн
945+ 231.9 грн
FDS4410onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
товар відсутній
FDS4410Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
на замовлення 56616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 833
FDS4410ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4410 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 56616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1002+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 1002
FDS4410ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4410onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS4410-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4410AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4410AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4410AFairchild SemiconductorDescription: SINGLE N CHANNEL, LOGIC-LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS4410Aonsemi / FairchildMOSFET LOGIC LEVEL PO SINGLE NCH
товар відсутній
FDS4410ANLFAIRCHILD
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4410A_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V,10A,SINGLE NCH LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET
товар відсутній
FDS4410NLFAIRCHILD
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4410_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4416FSC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4416FSC09+ SO-8
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4420FSC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4420FSC09+ SO-8
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4420AFSCSOP-8
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4425-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435onsemi / FairchildMOSFET SO-8 P-CH -30V
товар відсутній
FDS4435onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товар відсутній
FDS4435ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4435onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товар відсутній
FDS4435ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4435(LF)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435-NLFairchildSOP8 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435AFAIRCHILSOP8
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435AFAI2001+ SMD
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4435AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+131.56 грн
Мінімальне замовлення: 276
FDS4435AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+86.7 грн
Мінімальне замовлення: 229
FDS4435AFSC09+ SO-8
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435AFAIRCHIL
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.67 грн
10+ 56.32 грн
100+ 43.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4435AFAIRCHILD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435AFAI00+
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 P-CH -30V
товар відсутній
FDS4435AFSC
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435AFAIRSOP8
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS4435A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435A-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435ANL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435A_NL
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.84 грн
5000+ 16.7 грн
10000+ 15.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.18 грн
5000+ 15.68 грн
12500+ 14.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+38.22 грн
374+ 31.08 грн
389+ 29.91 грн
500+ 24.19 грн
1000+ 17.33 грн
Мінімальне замовлення: 304
FDS4435BZonsemi / FairchildMOSFET 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 84283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.85 грн
10+ 37.95 грн
100+ 25.05 грн
500+ 21.14 грн
1000+ 18.02 грн
2500+ 15.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS4435BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+97.22 грн
8+ 36.81 грн
25+ 30.64 грн
37+ 25.68 грн
101+ 24.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.15 грн
5000+ 16.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.79 грн
16+ 37.53 грн
25+ 35.49 грн
100+ 27.83 грн
250+ 24.8 грн
500+ 19.96 грн
1000+ 15.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDS4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.22 грн
5000+ 17.98 грн
10000+ 17.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 23753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.15 грн
10+ 37.75 грн
100+ 26.13 грн
500+ 20.49 грн
1000+ 17.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDS4435BZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.02 грн
12+ 29.54 грн
25+ 25.54 грн
37+ 21.4 грн
101+ 20.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4435BZ
Код товару: 45479		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FDS4435BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDS4435BZON-SemicoductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 30
FDS4435BZ-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDS4435BZ-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4435BZ-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4435BZ-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDS4435BZ-F085onsemi / FairchildMOSFET 30V P-Chan PowerTrench
товар відсутній
FDS4435BZ-GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS4435BZ-GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A T/R
товар відсутній
FDS4435BZ-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435BZNLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435FDS4435AFDS4435BZFAICHILD
на замовлення 329000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435NLFAIRCHILD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435_NLFAIRCHILD
на замовлення 450000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4450-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4463
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4463-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4463NLFAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4465ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 822 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+123.98 грн
5+ 102.35 грн
14+ 69.57 грн
38+ 66.26 грн
500+ 65.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4465ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 506
FDS4465onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4465ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.32 грн
5+ 82.13 грн
14+ 57.98 грн
38+ 55.22 грн
500+ 54.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.99 грн
5000+ 46.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4465onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 14266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.27 грн
10+ 80.77 грн
100+ 57.91 грн
500+ 51.35 грн
1000+ 43.86 грн
2500+ 43.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+124.38 грн
134+ 86.84 грн
136+ 85.97 грн
166+ 67.69 грн
250+ 45.82 грн
Мінімальне замовлення: 94
FDS4465ON-SemicoductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDS4465onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.94 грн
10+ 85.86 грн
100+ 66.77 грн
500+ 53.11 грн
1000+ 43.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+115.49 грн
10+ 80.64 грн
25+ 79.83 грн
100+ 62.85 грн
250+ 42.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4465ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.53 грн
5000+ 49.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4465-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8SNGLPCH20V/8V
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS4465-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4465-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDS4465-GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
товар відсутній
FDS4465-NLFDS
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4465-PGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
товар відсутній
FDS4465.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4465.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4465. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4465NLFAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4465_F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 13.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4465_NLFSC09+
на замовлення 6818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4465_NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4465_SN00187onsemiDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
товар відсутній
FDS4467FDSSOP-8
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4467FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4467-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4467NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+86.99 грн
10+ 79.3 грн
25+ 77.99 грн
100+ 68.37 грн
250+ 53.29 грн
500+ 50.65 грн
1000+ 49.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS4470ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4470 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 194011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+91.42 грн
Мінімальне замовлення: 395
FDS4470Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 193682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 329
FDS4470onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 4957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.82 грн
10+ 100.58 грн
100+ 72.22 грн
250+ 67.58 грн
500+ 60.16 грн
1000+ 53.01 грн
2500+ 51.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4470ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 12.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.38 грн
10+ 111.49 грн
100+ 89.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS4470ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+93.69 грн
136+ 85.4 грн
139+ 83.99 грн
153+ 73.63 грн
250+ 57.39 грн
500+ 54.54 грн
1000+ 53.8 грн
Мінімальне замовлення: 124
FDS4470ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.1 грн
5+ 104.91 грн
10+ 80.75 грн
28+ 75.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4470ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 733 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+152.52 грн
5+ 130.73 грн
10+ 96.9 грн
28+ 91.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS4470-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4470NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4470_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8
товар відсутній
FDS4480FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4480onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4480ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4480Fairchild
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4480ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4480FAIRCHILD09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4480ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS4480ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10.8A; Idm: 45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS4480FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4480onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.39 грн
10+ 57.42 грн
100+ 44.66 грн
500+ 35.53 грн
1000+ 28.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4480onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 9874 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
4+78.85 грн
10+ 63.32 грн
100+ 43 грн
500+ 36.97 грн
1000+ 30.15 грн
2500+ 29.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4480FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4480-NLFAIRSOP8
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4480NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4480SNLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4480_NL
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4480_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8
товар відсутній
FDS4485FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4485FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4488onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.06 грн
10+ 33.3 грн
100+ 24.05 грн
2500+ 23.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDS4488FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4488Fairchild SemiconductorDescription: 0.0079A, 30V, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 927 pF @ 15 V
на замовлення 117757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 606
FDS4488FAIRCHILD09+
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4488ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4488FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4488-NL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4489FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4489FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501FAIRCHIL00+ SOP
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501AHFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501hFSC
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501honsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDS4501hONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-20V
Drain current: 9.3/-5.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±8V
On-state resistance: 80/29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21/27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS4501hFSC09+ SO-8
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501hFAIRSOP8
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4501hFAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4501honsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDS4501hfsc04+ sop
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501hFAI02+
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501honsemi / FairchildMOSFET SO-8 COMP N-P-CH
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.58 грн
10+ 79.24 грн
100+ 60.63 грн
1000+ 55.39 грн
2500+ 31.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4501hONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-20V
Drain current: 9.3/-5.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±8V
On-state resistance: 80/29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21/27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS4501hFAIRCHILD09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4501hFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 40090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
415+48.84 грн
Мінімальне замовлення: 415
FDS4501HNLFAIRCHILD
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4532FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4532F00+ SOP-8
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4532FDS
на замовлення 22350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4532NLFAIRCHILD
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4542FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4542FAI2004 SMD8
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4559ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 6326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.73 грн
13+ 58.87 грн
100+ 37.54 грн
500+ 29.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4559onsemi / FairchildMOSFET 60V/-60V N/P
на замовлення 6571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.01 грн
10+ 54.4 грн
100+ 32.8 грн
500+ 27.43 грн
1000+ 23.32 грн
2500+ 20.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4559onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 15199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.77 грн
10+ 48.93 грн
100+ 33.9 грн
500+ 26.57 грн
1000+ 22.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4559ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -888
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 6356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.96 грн
500+ 31.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4559ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4559onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.29 грн
5000+ 20.33 грн
12500+ 18.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4559-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4559-F085 - 60V COMPLEMENTARY POWERTRENCH® MOSFET
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDS4559-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4559-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4559-F085onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDS4559-F085onsemi / FairchildMOSFET 60V Complementary PowerTrench MOS
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS4559-F085onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FDS4559-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4559ANLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4559NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4559_NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4585
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4585NLFAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4672FDSSOP-8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4672FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4672AonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4672Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 4643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.4 грн
10+ 86.1 грн
100+ 58.44 грн
500+ 48.3 грн
1000+ 38.16 грн
2500+ 35.65 грн
5000+ 32.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4672AFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4672AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.07 грн
6+ 62.81 грн
18+ 46.93 грн
25+ 46.24 грн
47+ 44.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4672AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4672A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4672AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4672AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+90.09 грн
5+ 78.27 грн
18+ 56.32 грн
25+ 55.49 грн
47+ 53.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4672A-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4672ANLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4675onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 841-850 дні (днів)
3+104.36 грн
10+ 92.2 грн
100+ 62.88 грн
500+ 51.55 грн
1000+ 42.27 грн
2500+ 38.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+87.66 грн
134+ 86.8 грн
169+ 68.72 грн
250+ 65.58 грн
500+ 53.11 грн
1000+ 35.2 грн
Мінімальне замовлення: 133
FDS4675ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 11A; 2,4W; -55°C ~ 175°C; FDS4675 TFDS4675
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS4675ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.07 грн
6+ 62.12 грн
18+ 45.55 грн
49+ 42.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4675onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4675ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4675ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; 2.4W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+90.09 грн
5+ 77.41 грн
18+ 54.66 грн
49+ 51.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4675onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4675-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 11A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4675-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4675-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET P-CHANNEL MOSFET
на замовлення 4603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS4675-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4675-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4675NLFAIRCHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4675_NL
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4678FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4678FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+66.56 грн
191+ 60.94 грн
224+ 52.03 грн
250+ 49.68 грн
500+ 29.94 грн
Мінімальне замовлення: 175
FDS4685onsemi / FairchildMOSFET 40V PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 9968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+77.3 грн
10+ 61.41 грн
100+ 42.21 грн
500+ 34.79 грн
1000+ 29.15 грн
2500+ 28.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.92 грн
5000+ 50.18 грн
10000+ 46.7 грн
15000+ 42.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.44 грн
5000+ 27 грн
12500+ 25.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4685
Код товару: 82291		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4685FairchildTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS4685 TFDS4685
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.3 грн
5000+ 29.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.32 грн
5000+ 29.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+76.17 грн
10+ 61.8 грн
25+ 56.58 грн
100+ 46.58 грн
250+ 42.72 грн
500+ 34.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDS4685ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+99 грн
5+ 64.51 грн
21+ 47.21 грн
56+ 44.72 грн
500+ 43.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1872 pF @ 20 V
на замовлення 20695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.67 грн
10+ 56.11 грн
100+ 43.62 грн
500+ 34.7 грн
1000+ 28.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4685ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.5 грн
7+ 51.76 грн
21+ 39.34 грн
56+ 37.27 грн
500+ 36.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4685-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4685NLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4685_NLFAIRCHIL09+ TSSOP8
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4770FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4770Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC
товар відсутній
FDS4770FAI03+
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4770FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4770-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4770NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4780onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
товар відсутній
FDS4780FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4780FSC09+ SO-8
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4780FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4780FSC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4831-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4835FAIRCHILD
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4835F02+ SOP8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4835A
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4835ANLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4884-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4885-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4885CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4885CFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 419
FDS4885CFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4885CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC
товар відсутній
FDS4885CFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4885C-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4885CNLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4885C_NLFAIRCHILD
на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4895CFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4895CFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4895CFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
FDS4895CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.5A/4.4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4895CFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4895CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
товар відсутній
FDS4895LFDS07+/08+ SOP8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4897AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO
товар відсутній
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4897ACONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897AC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 6.1 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4897ACFairchildTransistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 39mOhm/65mOhm; 6,1A/5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS4897AC TFDS4897ac
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.8 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDS4897AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO
товар відсутній
FDS4897AConsemi / FairchildMOSFET 40V Dual N & P Chan PowerTrench
товар відсутній
FDS4897ACON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4897ACONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897AC - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 6.1 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDS4897CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.2/-4.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+71.35 грн
5+ 51.6 грн
25+ 38.68 грн
68+ 36.61 грн
500+ 36.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4897ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.65 грн
5000+ 21.69 грн
12500+ 20.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4897Consemi / FairchildMOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 59908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.54 грн
10+ 50.59 грн
100+ 34.26 грн
500+ 29.02 грн
1000+ 23.65 грн
2500+ 23.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4897CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.2/-4.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.46 грн
9+ 41.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS4897CONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4897CFairchildTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC FDS4897C TFDS4897C
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 40
FDS4897ConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 13524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.34 грн
10+ 45.07 грн
100+ 35.04 грн
500+ 27.87 грн
1000+ 22.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4897CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4897C-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4920FAIRCHILDSO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4920FDSSOP-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4925FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4925-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4925NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935FAIRCHILD09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935FSC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDS4935FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4935FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935FSC09+ SO-8
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935FAIRCHILD
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935onsemi / FairchildMOSFET 30V P-CH DUAL PowerTrench MOSFET
товар відсутній
FDS4935-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.32 грн
5000+ 25.05 грн
12500+ 23.9 грн
25000+ 22.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935AONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+86.52 грн
5+ 52.29 грн
24+ 41.41 грн
64+ 39.75 грн
250+ 37.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.04 грн
13+ 61.1 грн
100+ 43.85 грн
500+ 34.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935AONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.1 грн
9+ 41.96 грн
24+ 34.51 грн
64+ 33.13 грн
250+ 31.4 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4935Aonsemi / FairchildMOSFET -30V Dual
на замовлення 5045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.89 грн
10+ 56.61 грн
100+ 39.09 грн
500+ 33.13 грн
1000+ 26.97 грн
2500+ 26.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4935AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 25791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.94 грн
10+ 51.97 грн
100+ 40.47 грн
500+ 32.19 грн
1000+ 26.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4935AON-SemicoductorTransistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C; FDS4935A TFDS4935a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.4 грн
5000+ 26.25 грн
12500+ 26.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -888
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: -888W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 11674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.39 грн
500+ 37.13 грн
1000+ 29.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS4935AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.86 грн
5000+ 28.61 грн
12500+ 28.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935A
Код товару: 40550		FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 7 А
Rds(on),Om: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1233/15
Монтаж: SMD
у наявності 76 шт:
25 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+28 грн
10+ 25.2 грн
FDS4935A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935ANLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935A_NLFSC
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935A_Qonsemi / FairchildMOSFET -30V Dual
товар відсутній
FDS4935B
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.45 грн
16+ 36.74 грн
25+ 36.37 грн
100+ 31.27 грн
250+ 28.31 грн
500+ 21.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDS4935BZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товар відсутній
FDS4935BZFairchildMosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC FDS4935BZ ONS TFDS4935bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4935BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -888
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: -888W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.04 грн
500+ 34.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS4935BZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+90.09 грн
5+ 52.12 грн
25+ 38.68 грн
69+ 36.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
294+39.56 грн
297+ 39.17 грн
333+ 34.92 грн
341+ 32.93 грн
500+ 24.2 грн
Мінімальне замовлення: 294
FDS4935BZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4935BZonsemi / FairchildMOSFET 30V PCH DUAL POWER TRENCH M
на замовлення 52459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.4 грн
10+ 52.73 грн
100+ 35.65 грн
500+ 30.28 грн
1000+ 24.65 грн
2500+ 24.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4935BZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.92 грн
10+ 48.11 грн
100+ 37.42 грн
500+ 29.77 грн
1000+ 24.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4935BZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.07 грн
9+ 41.83 грн
25+ 32.23 грн
69+ 30.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4935BZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -888
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: -888W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.29 грн
13+ 58.27 грн
100+ 43.04 грн
500+ 34.3 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDS4935BZ-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935BZ_NLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935NLFAIRCHILD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4935_NLFAIRCHILD
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4936FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4936FAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4936-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4953ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS4953onsemi / FairchildMOSFET SO-8 P-CH DUAL -30V
товар відсутній
FDS4953onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDS4953onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDS4953-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4953A
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4953A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4953ANLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4953NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4953_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, DUAL, SO-8, PCH
товар відсутній
FDS4963Fairchild04+ SOP-8
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5009FDS04+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5109FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5109MFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 21520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N3FSC09+ SO-8
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N3FSC
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N7FSC09+ SO-8
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V
товар відсутній
FDS5170N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N7FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2889 pF @ 30 V
товар відсутній
FDS5170N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5170N7FDS09+
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5341FSCSOP-8
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS53418MFDSSOP-8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5351FairchildN-MOSFET 6.1A 60V 2.5W 35mΩ FDS5351 TFDS5351
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
FDS5351ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5351 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.0265 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+41.33 грн
282+ 41.25 грн
365+ 31.84 грн
368+ 30.46 грн
500+ 24.44 грн
1000+ 18.31 грн
Мінімальне замовлення: 281
FDS5351onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
на замовлення 29791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.76 грн
10+ 45 грн
100+ 31.16 грн
500+ 24.43 грн
1000+ 20.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS5351ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 58.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.44 грн
11+ 31.75 грн
25+ 28.3 грн
34+ 24.29 грн
92+ 22.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+41.9 грн
15+ 38.38 грн
25+ 38.3 грн
100+ 28.51 грн
250+ 26.19 грн
500+ 21.78 грн
1000+ 17 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDS5351ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.1A; 5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.1A
On-state resistance: 58.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+74.92 грн
7+ 39.56 грн
25+ 33.96 грн
34+ 29.15 грн
92+ 27.58 грн
500+ 27.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS5351onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 7276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.82 грн
10+ 49.3 грн
100+ 30.15 грн
500+ 25.18 грн
1000+ 20.87 грн
2500+ 19.02 грн
5000+ 18.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.33 грн
5000+ 19.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5351onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 30 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.49 грн
5000+ 18.69 грн
12500+ 17.31 грн
25000+ 16.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.34 грн
5000+ 19.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5351On Semiconductor/FairchildMOSFET N-CH 60V 6.1A SOIC-8
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FDS5351ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5670ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FDS5670onsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 60V
на замовлення 8013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.55 грн
10+ 116.58 грн
100+ 82.16 грн
500+ 69.57 грн
1000+ 58.77 грн
2500+ 58.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+70.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5670onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS5670
Код товару: 66965		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+76.44 грн
Мінімальне замовлення: 152
FDS5670ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS5670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDS5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDS5670onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS5670-NLFAIRCHILD1025+/1041+ SOP8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5670-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5670NLFAIRCHILD
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5670_NLFAIRCHILD
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.9 грн
5000+ 45.32 грн
12500+ 43.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5672FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5672 TFDS5672
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.59 грн
10+ 97.37 грн
100+ 68.46 грн
500+ 58.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+90.59 грн
10+ 76.98 грн
25+ 76.21 грн
100+ 72.76 грн
250+ 50.08 грн
500+ 45.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS5672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
товар відсутній
FDS5672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
FDS5672onsemi / FairchildMOSFET 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 45531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.5 грн
10+ 96.01 грн
100+ 66.92 грн
500+ 56.52 грн
1000+ 48.9 грн
2500+ 48.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS5672onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 14742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.23 грн
10+ 86.76 грн
100+ 69.03 грн
500+ 54.82 грн
1000+ 46.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS5672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+97.56 грн
133+ 87.77 грн
134+ 86.89 грн
143+ 78.36 грн
250+ 53.95 грн
500+ 48.99 грн
Мінімальне замовлення: 120
FDS5672-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5672NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5672_F095onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товар відсутній
FDS5680FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 32mOhm; 8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS5680 TFDS5680
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDS5680Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS5680
Код товару: 131521		Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5680ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 60V
на замовлення 11779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS5680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+157.58 грн
10+ 130.82 грн
100+ 97.37 грн
500+ 58.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5680-NLFAIRCHIL09+ TSOP
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5680NLFAIRCHILD
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5680NLRHFAIRC09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5682FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5682onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товар відсутній
FDS5682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS5682onsemi / FairchildMOSFET 60V N-CH. FET 20 MO SO8 TR
товар відсутній
FDS5682-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5690FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690FAIRSOP8
на замовлення 538 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
товар відсутній
FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.65 грн
5000+ 27.06 грн
12500+ 26.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5690FDSSOP-8
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690Fairchild
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
товар відсутній
FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS5690ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 60V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS5690FAIRCHILD09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690FAI99+
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.68 грн
5000+ 25.13 грн
12500+ 24.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5690FAIRCHILDSOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690FAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
товар відсутній
FDS5690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS5690FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690-NBBM009AonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
товар відсутній
FDS5690-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5690_NBBM009AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
товар відсутній
FDS5690_NBBM009AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
товар відсутній
FDS5690_NBBM009AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
товар відсутній
FDS5692ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
товар відсутній
FDS5692ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS5692ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
товар відсутній
FDS5692ZFairchild
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS5692ZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 25 V
на замовлення 8231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+66.55 грн
Мінімальне замовлення: 304
FDS6064N3Fairchild
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6064N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
на замовлення 31115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS6064N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6064N3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 23A 8-Pin FLMP SOIC T/R
товар відсутній
FDS6064N3FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6064N7ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 23A 8-Pin FLMP SOIC T/R
товар відсутній
FDS6064N7FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6064N7Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS6064N7FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6141CSFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6143FDSSOP-8
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6143CSFAIRCHIL09+ SOP8
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6162N3FAIRCHILDSO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6162N3FSC09+ SO-8
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6162N3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 21A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5521 pF @ 10 V
на замовлення 33137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+116.48 грн
Мінімальне замовлення: 171