Продукція > BSZ

Description: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	71.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ009NE2LS5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 5127 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.12 грн
10+	165.35 грн
100+	119.26 грн
500+	104.03 грн
1000+	90.77 грн
5000+	85.47 грн
10000+	78.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

BSZ009NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 12 V

на замовлення 9540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.87 грн
10+	147.7 грн
25+	131.88 грн
100+	111.38 грн
250+	99.01 грн
500+	86.63 грн
1000+	70.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

BSZ010NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 32A T/R

товар відсутній

BSZ010NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V

на замовлення 6082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	161.98 грн
10+	140.94 грн
25+	125.78 грн
100+	106.24 грн
250+	94.44 грн
500+	82.64 грн
1000+	67.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

BSZ010NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	64.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ010NE2LS5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 2171 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	171.61 грн
10+	133.34 грн
100+	101.37 грн
250+	92.76 грн
500+	82.82 грн
1000+	69.57 грн
2500+	67.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

BSZ011NE2LS5IATMA1

Description: INFINEON - BSZ011NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 820 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	199.2 грн
10+	145.68 грн
100+	117.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ011NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V

на замовлення 4190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.5 грн
10+	163.78 грн
25+	146.24 грн
100+	123.5 грн
250+	109.77 грн
500+	96.05 грн
1000+	78.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

BSZ011NE2LS5IATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4513 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.2 грн
10+	149.35 грн
100+	115.95 грн
250+	104.69 грн
500+	92.76 грн
1000+	78.85 грн
2500+	78.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

BSZ011NE2LS5IATMA1

Description: INFINEON - BSZ011NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 820 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	117.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ011NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V

товар відсутній

BSZ013NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	58.74 грн
10000+	54.69 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ013NE2LS5IATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 3734 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	108.22 грн
10+	96.01 грн
100+	73.55 грн
500+	67.58 грн
1000+	56.05 грн
5000+	54.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ013NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 12 V

на замовлення 41583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.46 грн
10+	108.22 грн
100+	86.18 грн
500+	68.43 грн
1000+	58.06 грн
2000+	55.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.45mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 40A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

BSZ014NE2LS5IFATMA1

товар відсутній

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	63.14 грн
10000+	58.79 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ014NE2LS5IFATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 932 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	155.38 грн
10+	128.01 грн
100+	90.77 грн
250+	88.12 грн
500+	75.53 грн
1000+	62.22 грн
5000+	59.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ014NE2LS5IFATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 12 V

на замовлення 47261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	145.5 грн
10+	116.37 грн
100+	92.63 грн
500+	73.56 грн
1000+	62.41 грн
2000+	59.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

BSZ017NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

товар відсутній

BSZ017NE2LS5IATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 940-949 дні (днів)

3+	115.95 грн
10+	100.58 грн
100+	70.9 грн
500+	57.78 грн
1000+	46.84 грн
2500+	45.85 грн
5000+	43.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ017NE2LS5IATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V

товар відсутній

BSZ018N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ018N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ018N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	207.38 грн
10+	142.71 грн
100+	113.72 грн
500+	91.8 грн
1000+	73.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ018N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 18188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	154.1 грн
10+	134.38 грн
25+	119.98 грн
100+	101.32 грн
250+	90.07 грн
500+	78.81 грн
1000+	64.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

BSZ018N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ018N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	64.78 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ018N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ018N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	113.72 грн
500+	91.8 грн
1000+	73.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ018N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ018N04LS6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 54548 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.32 грн
10+	106.68 грн
100+	85.47 грн
250+	78.18 грн
500+	69.57 грн
1000+	63.48 грн
5000+	60.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ018NE2LS

Description: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

на замовлення 22633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

BSZ018NE2LS

Description: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

на замовлення 22633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

BSZ018NE2LS

MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 3669 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.26 грн
10+	73 грн
100+	54.46 грн
250+	54.13 грн
500+	49.56 грн
1000+	46.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ018NE2LS

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ018NE2LS

Description: MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

BSZ018NE2LSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 40A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 4974 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	107.92 грн
17+	59.13 грн
45+	53.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ018NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V

на замовлення 13131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.39 грн
10+	91.86 грн
100+	73.1 грн
500+	58.05 грн
1000+	49.25 грн
2000+	46.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ018NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ018NE2LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 13068 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.92 грн
10+	107.03 грн
100+	86.22 грн
500+	65.84 грн
1000+	46.64 грн
5000+	45.68 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ018NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.95 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ018NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	49.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ018NE2LSATMA1

на замовлення 4974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	89.94 грн
17+	47.45 грн
45+	44.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ018NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ018NE2LSATMA1

на замовлення 13068 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	86.22 грн
500+	65.84 грн
1000+	46.64 грн
5000+	45.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ018NE2LSI

MOSFET N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS

на замовлення 65947 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.31 грн
10+	106.68 грн
100+	72.88 грн
250+	70.9 грн
500+	64.73 грн
1000+	54.99 грн
2500+	53.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ018NE2LSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ018NE2LSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ018NE2LSIATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.8mΩ
Power dissipation: 69W
Drain current: 40A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar

товар відсутній

BSZ018NE2LSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V

на замовлення 24986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.46 грн
10+	108.43 грн
100+	86.33 грн
500+	68.55 грн
1000+	58.17 грн
2000+	55.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ018NE2LSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ018NE2LSIATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

BSZ018NE2LSIATMA1

товар відсутній

BSZ018NE2LSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	59.77 грн
10000+	55.34 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ018NE2LSIXT

MOSFET N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS

на замовлення 1198 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.01 грн
10+	117.34 грн
100+	81.5 грн
250+	74.87 грн
500+	67.58 грн
1000+	58.44 грн
2500+	55.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ019N03LS

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ019N03LS

MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 15379 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.95 грн
10+	95.25 грн
100+	65.33 грн
250+	60.29 грн
500+	54.73 грн
1000+	48.83 грн
5000+	43.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ019N03LSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

BSZ019N03LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 80000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	45.58 грн
10000+	42.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ019N03LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.07 грн
500+	40.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ019N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ019N03LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	73.58 грн
12+	66 грн
100+	53.07 грн
500+	40.51 грн

Мінімальне замовлення: 11

BSZ019N03LSATMA1

MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 17322 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	106.68 грн
10+	87.63 грн
100+	62.22 грн
250+	60.29 грн
500+	52.68 грн
1000+	43.8 грн
2500+	43.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ019N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.08 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ019N03LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 89383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.64 грн
10+	84 грн
100+	66.87 грн
500+	53.1 грн
1000+	45.05 грн
2000+	42.8 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ019N03LSATMA1

товар відсутній

BSZ021N04LS6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 12529 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.37 грн
10+	112.01 грн
100+	82.82 грн
250+	74.87 грн
500+	66.26 грн
1000+	55.79 грн
2500+	54.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ021N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	55.5 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ021N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	102.57 грн
500+	80.75 грн
1000+	63.52 грн
2500+	60.84 грн
5000+	59.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ021N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ021N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 16325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	170.21 грн
10+	128.59 грн
100+	102.57 грн
500+	80.75 грн
1000+	63.52 грн
2500+	60.84 грн
5000+	59.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ021N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ021N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

на замовлення 12243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.88 грн
10+	115.12 грн
25+	102.78 грн
100+	86.81 грн
250+	77.17 грн
500+	67.52 грн
1000+	55.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ023N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 20 V

товар відсутній

BSZ023N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ023N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 20 V

товар відсутній

BSZ023N04LSATMA1

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 FL

товар відсутній

BSZ024N04LS6

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

BSZ024N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V

на замовлення 89266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.68 грн
10+	100.08 грн
25+	89.37 грн
100+	75.48 грн
250+	67.1 грн
500+	58.71 грн
1000+	47.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ024N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	68.28 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ024N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V

на замовлення 85000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	48.26 грн
10000+	44.68 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ024N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

42+	277.37 грн
86+	135.24 грн
95+	123.39 грн
117+	96.13 грн
200+	83.9 грн
500+	80.3 грн
1000+	71.32 грн
2000+	66.59 грн

Мінімальне замовлення: 42

BSZ024N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ024N04LS6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 9853 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.72 грн
10+	92.2 грн
100+	65.93 грн
250+	61.29 грн
500+	55.66 грн
1000+	47.71 грн
2500+	45.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ024N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ025N04LS

MOSFET MV POWER MOS

на замовлення 5713 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	105.13 грн
10+	85.34 грн
100+	57.64 грн
500+	48.83 грн
1000+	39.82 грн
2500+	37.44 грн
5000+	35.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ025N04LSATMA1

MOSFET MV POWER MOS

на замовлення 20214 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.08 грн
10+	70.63 грн
100+	53.14 грн
500+	45.39 грн
1000+	36.44 грн
2500+	36.04 грн
5000+	35.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ025N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ025N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V

на замовлення 7814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	98.91 грн
10+	77.78 грн
100+	60.5 грн
500+	48.13 грн
1000+	39.2 грн
2000+	36.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ025N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ025N04LSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

BSZ025N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ025N04LSATMA1

товар відсутній

BSZ025N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.89 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ028N04LS

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 14182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.35 грн
10+	70.63 грн
100+	47.84 грн
500+	40.55 грн
1000+	33 грн
2500+	31.08 грн
5000+	29.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ028N04LSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

BSZ028N04LSATMA1

товар відсутній

BSZ028N04LSATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 3411 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.35 грн
10+	70.63 грн
100+	47.84 грн
500+	40.55 грн
1000+	33 грн
2500+	31.08 грн
5000+	29.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ028N04LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 63W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	76.56 грн
500+	58.87 грн
1000+	40.01 грн
5000+	39.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ028N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V

на замовлення 16312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.99 грн
10+	63.64 грн
100+	49.5 грн
500+	39.38 грн
1000+	32.08 грн
2000+	30.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ028N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ028N04LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	124.87 грн
10+	102.57 грн
100+	76.56 грн
500+	58.87 грн
1000+	40.01 грн
5000+	39.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ028N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.82 грн
10000+	29.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ031NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 14001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	86.96 грн
10+	78.04 грн
100+	60.58 грн
500+	46.52 грн
1000+	32.3 грн
5000+	30.13 грн

Мінімальне замовлення: 9

BSZ031NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.57 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ031NE2LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ031NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 30W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 14001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.58 грн
500+	46.52 грн
1000+	32.3 грн
5000+	30.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ031NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V

на замовлення 8460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.29 грн
10+	67.16 грн
100+	52.22 грн
500+	41.54 грн
1000+	33.84 грн
2000+	31.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ031NE2LS5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.54 грн
10+	97.53 грн
100+	66.92 грн
500+	54.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ033NE2LS5

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

BSZ033NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	105.08 грн

Мінімальне замовлення: 111

BSZ033NE2LS5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 28976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.22 грн
10+	80.01 грн
100+	54.33 грн
500+	44.92 грн
1000+	33.06 грн
5000+	31.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ033NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	97.58 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ033NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ033NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V

товар відсутній

BSZ033NE2LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ033NE2LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.31 грн
10+	77.85 грн
100+	60.72 грн
500+	47.07 грн
1000+	37.16 грн
2000+	34.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ034N04LS

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 111 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	79.62 грн
10+	65.07 грн
100+	44 грн
500+	37.3 грн
1000+	30.35 грн
2500+	28.62 грн
5000+	27.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ034N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	75.26 грн
10+	59.36 грн
100+	46.21 грн
500+	36.75 грн
1000+	29.94 грн
2000+	28.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ034N04LSATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4472 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.71 грн
10+	66.44 грн
100+	44.06 грн
500+	37.37 грн
1000+	29.48 грн
5000+	28.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ034N04LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.7 грн
10000+	27.28 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ034N04LSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

BSZ034N04LSATMA1

товар відсутній

BSZ034N04LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ035N03LS

QFN

на замовлення 158 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ035N03LS G

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.72 грн
10+	94.48 грн
100+	64.07 грн
500+	54.46 грн
1000+	41.61 грн
2500+	41.21 грн
5000+	38.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ035N03LS G

QFN

на замовлення 365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ035N03LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.5mΩ

товар відсутній

BSZ035N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ035N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5012 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.2 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ035N03LSGATMA1

товар відсутній

BSZ035N03LSGATMA1
Код товару: 129555

товар відсутній

BSZ035N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ035N03MS

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ035N03MS G

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 10044 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.26 грн
10+	68.58 грн
100+	46.38 грн
500+	39.36 грн
1000+	30.28 грн
2500+	30.21 грн
5000+	28.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ035N03MSG

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ035N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.75 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ035N03MSGATMA1

товар відсутній

BSZ035N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

на замовлення 11725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.41 грн
10+	61.15 грн
100+	47.57 грн
500+	37.84 грн
1000+	30.82 грн
2000+	29.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ035N03MSGATMA1

товар відсутній

BSZ035N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.58 грн
10000+	28.09 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ036NE2LS

MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 2695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.33 грн
10+	60.58 грн
100+	41.08 грн
500+	33.92 грн
1000+	26.83 грн
5000+	24.98 грн
10000+	22.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ036NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.74 грн
10000+	21.81 грн
25000+	21.76 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ036NE2LSATMA1

MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 13353 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.44 грн
10+	35.89 грн
100+	26.44 грн
500+	23.79 грн
1000+	21.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

BSZ036NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V

на замовлення 63827 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.21 грн
10+	47.48 грн
100+	36.93 грн
500+	29.38 грн
1000+	23.93 грн
2000+	22.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ036NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ036NE2LSATMA1

BSZ036NE2LSATMA1 SMD N channel transistors

товар відсутній

BSZ037N06LS5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 14051 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.28 грн
10+	102.1 грн
100+	75.53 грн
500+	65.99 грн
1000+	56.85 грн
5000+	49.36 грн
10000+	48.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ037N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

на замовлення 9960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	64.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ037N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ037N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

на замовлення 9960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.45 грн
10+	113.74 грн
25+	101.57 грн
100+	85.79 грн
250+	76.26 грн
500+	66.73 грн
1000+	57.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ039N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

на замовлення 4120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.68 грн
10+	99.94 грн
25+	89.2 грн
100+	75.35 грн
250+	66.98 грн
500+	58.6 грн
1000+	48.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ039N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

товар відсутній

BSZ039N06NSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 11612 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

BSZ039N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ040N04LS G

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 12825 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.22 грн
10+	73.68 грн
100+	50.29 грн
500+	42.67 грн
1000+	34.72 грн
2500+	32.67 грн
5000+	31.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 25302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.89 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ040N04LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V

на замовлення 8889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.57 грн
10+	66.95 грн
100+	52.04 грн
500+	41.4 грн
1000+	33.72 грн
2000+	31.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ040N04LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0033 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	106.29 грн
10+	88.45 грн
100+	64.96 грн
500+	49.83 грн
1000+	33.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ040N04LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 3655 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.96 грн
7+	51.83 грн
22+	37.2 грн
60+	35.13 грн
1000+	33.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ040N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ040N04LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3655 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	77.96 грн
5+	64.59 грн
22+	44.64 грн
60+	42.16 грн
1000+	40.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ040N04LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.46 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ040N04LSGATMA1

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 8414 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.99 грн
10+	74.44 грн
100+	50.29 грн
500+	42.67 грн
1000+	32.73 грн
2500+	32.67 грн
5000+	30.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ040N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

на замовлення 22826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.23 грн
10+	86.34 грн
100+	68.73 грн
500+	54.58 грн
1000+	46.31 грн
2000+	43.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ040N06LS5ATMA1

MOSFET MV POWER MOS

на замовлення 18522 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.63 грн
10+	94.48 грн
100+	65.93 грн
250+	65.33 грн
500+	54.99 грн
1000+	44.33 грн
2500+	44.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ040N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.6 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ040N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.85 грн
10000+	43.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ042N04NS

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

BSZ042N04NS G

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

товар відсутній

BSZ042N04NS G

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

товар відсутній

BSZ042N04NSG

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO220AB

на замовлення 47574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

BSZ042N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

на замовлення 41363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

BSZ042N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

товар відсутній

BSZ042N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

товар відсутній

BSZ042N06NS

на замовлення 4850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ042N06NS

MOSFET N-Ch 60V 40A TDSON-8

на замовлення 10242 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.87 грн
10+	106.68 грн
100+	74.21 грн
250+	68.25 грн
500+	61.62 грн
1000+	54.93 грн
5000+	48.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ042N06NSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

BSZ042N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	52.55 грн
10000+	48.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ042N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	39.81 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ042N06NSATMA1

MOSFET N-Ch 60V 40A TDSON-8

на замовлення 48296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.09 грн
10+	100.58 грн
100+	74.21 грн
250+	70.9 грн
500+	61.49 грн
1000+	49.63 грн
2500+	49.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ042N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ042N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 15799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.13 грн
10+	96.83 грн
100+	77.09 грн
500+	61.22 грн
1000+	51.94 грн
2000+	49.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ042N06NSATMA1

товар відсутній

BSZ042N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 6405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	97.81 грн
10+	88.3 грн
25+	84.41 грн
100+	60.02 грн
250+	50.77 грн
500+	47.68 грн
1000+	38.62 грн
3000+	36.45 грн
6000+	34.74 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ042N06NSATMA1

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ049N03LSCGATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

BSZ0500NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

на замовлення 9990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	63.12 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0500NSIATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 310-319 дні (днів)

2+	169.29 грн
10+	147.06 грн
100+	107.34 грн
250+	104.03 грн
500+	90.11 грн
1000+	74.21 грн
2500+	70.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

BSZ0500NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

на замовлення 9990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	145.5 грн
10+	116.37 грн
100+	92.6 грн
500+	73.53 грн
1000+	62.39 грн
2000+	59.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

BSZ0501NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V

на замовлення 4850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.66 грн
10+	87.65 грн
100+	69.78 грн
500+	55.41 грн
1000+	47.02 грн
2000+	44.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ0501NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm

на замовлення 9635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	133.05 грн
10+	100.34 грн
100+	81.02 грн
500+	64.05 грн
1000+	45.62 грн
5000+	43 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ0501NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ0501NSIATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.72 грн
10+	96.01 грн
100+	65.93 грн
250+	60.76 грн
500+	55.13 грн
1000+	44.92 грн
5000+	43.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ0501NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V

на замовлення 4850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

BSZ0501NSIATMA1

на замовлення 9635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.02 грн
500+	64.05 грн
1000+	45.62 грн
5000+	43 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ0502NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ0502NSIATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

BSZ0502NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8SON

товар відсутній

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

119+	98.32 грн
130+	89.53 грн
160+	72.84 грн
200+	65.77 грн
1000+	53.94 грн
2000+	48.31 грн
5000+	47.04 грн

Мінімальне замовлення: 119

BSZ0503NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0028 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	85.48 грн
11+	74.25 грн
100+	59.46 грн
500+	45.76 грн
1000+	31.15 грн
2500+	29.94 грн

Мінімальне замовлення: 9

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ0503NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ0503NSIATMA1

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.46 грн
500+	45.76 грн
1000+	31.15 грн
2500+	29.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ0503NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ0503NSIATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 12499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.95 грн
10+	77.72 грн
100+	54.13 грн
500+	45.92 грн
1000+	35.25 грн
5000+	33.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ0503NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

на замовлення 4548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.89 грн
10+	73.85 грн
100+	57.4 грн
500+	45.66 грн
1000+	37.2 грн
2000+	35.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ0506NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 71426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.09 грн
10+	53.7 грн
100+	41.71 грн
500+	33.18 грн
1000+	27.03 грн
2000+	25.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ0506NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm

на замовлення 10706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	81.02 грн
12+	62.88 грн
100+	45.27 грн
500+	35.61 грн
1000+	25.23 грн
5000+	24.53 грн

Мінімальне замовлення: 10

BSZ0506NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.42 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0506NSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

BSZ0506NSATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 14516 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.9 грн
10+	77.72 грн
100+	53.07 грн
500+	43.86 грн
1000+	34.65 грн
2500+	33.66 грн
5000+	31.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ0506NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 65000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.82 грн
10000+	24.63 грн
25000+	24.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0506NSATMA1

товар відсутній

BSZ0506NSATMA1

на замовлення 10706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.27 грн
500+	35.61 грн
1000+	25.23 грн
5000+	24.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ050N03LS G

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 8687 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	61.84 грн
10+	53.79 грн
100+	31.94 грн
500+	26.7 грн
1000+	22.66 грн
2500+	20.61 грн
5000+	19.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ050N03LSG

Description: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ050N03LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

BSZ050N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ050N03LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0042 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 19100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	54.04 грн
17+	44.97 грн
100+	31.81 грн
500+	25.4 грн
1000+	18.54 грн
5000+	18.22 грн

Мінімальне замовлення: 14

BSZ050N03LSGATMA1

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 9400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.67 грн
10+	36.42 грн
100+	24.38 грн
500+	18.29 грн

Мінімальне замовлення: 8

BSZ050N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.6 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ050N03LSGATMA1

товар відсутній

BSZ050N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.06 грн
10+	48.31 грн
100+	33.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ050N03MS G

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 9762 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	61.84 грн
10+	52.96 грн
100+	31.87 грн
500+	26.64 грн
1000+	20.21 грн
2500+	20.14 грн
5000+	18.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ050N03MSG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ050N03MSG

Description: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

BSZ050N03MSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

BSZ050N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ050N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.14 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ050N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V

на замовлення 9663 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.06 грн
10+	48.24 грн
100+	33.43 грн
500+	26.22 грн
1000+	22.32 грн
2000+	19.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ050N03MSGATMA1

товар відсутній

BSZ0589NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ0589NSATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 6958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.07 грн
10+	68.58 грн
100+	46.51 грн
500+	38.43 грн
1000+	30.35 грн
5000+	28.29 грн
10000+	25.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ0589NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

на замовлення 5555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.27 грн
10+	69.23 грн
100+	53.97 грн
500+	41.84 грн
1000+	33.03 грн
2000+	30.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ058N03LS G

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.37 грн
10+	48.92 грн
100+	33.06 грн
500+	28.03 грн
1000+	22.86 грн
5000+	20.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ058N03LSG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ058N03LSG

0950+ TSDSON-8

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ058N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.63 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ058N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

BSZ058N03LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

BSZ058N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON

товар відсутній

BSZ058N03LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

BSZ058N03LSGATMA1

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 2989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.46 грн
10+	46.48 грн
100+	33 грн
500+	27.96 грн
1000+	22.79 грн
2500+	21.93 грн
5000+	20.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ058N03MS G

QFN

на замовлення 92 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ058N03MS G

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 1159 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

BSZ058N03MSG

infineon

08+

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ058N03MSG

Description: BSZ058N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

на замовлення 11233 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

886+	24.37 грн

Мінімальне замовлення: 886

BSZ058N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ058N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

на замовлення 45081 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

959+	20.78 грн

Мінімальне замовлення: 959

BSZ058N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ058N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ058N03MSGXT

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

товар відсутній

BSZ0602LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

товар відсутній

BSZ0602LSATMA1

SP001589450

товар відсутній

BSZ0602LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

товар відсутній

BSZ0602LSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4411 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.19 грн
10+	131.82 грн
100+	89.45 грн
500+	74.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ060NE2LS

MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 44848 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.51 грн
10+	50.06 грн
100+	29.68 грн
500+	24.85 грн
1000+	21.14 грн
2500+	19.94 грн
5000+	16.96 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ060NE2LS

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ060NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V

на замовлення 50767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.11 грн
10000+	17.04 грн
25000+	16.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.49 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ060NE2LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V

на замовлення 54892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.04 грн
10+	44.31 грн
100+	30.67 грн
500+	24.05 грн
1000+	20.47 грн
2000+	18.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ060NE2LSATMA1

MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 70866 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	40.27 грн
10+	34.67 грн
100+	19.28 грн
500+	17.43 грн
1000+	16.96 грн

Мінімальне замовлення: 8

BSZ060NE2LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.65 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ063N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ063N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0051 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 28529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	63.48 грн
15+	52.1 грн
100+	40.58 грн
500+	31.96 грн
1000+	24.02 грн
2500+	22.62 грн
5000+	21.53 грн
10000+	21.34 грн

Мінімальне замовлення: 12

BSZ063N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V

на замовлення 10922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	72.39 грн
10+	61.36 грн
25+	55.41 грн
100+	45.51 грн
250+	39.94 грн
500+	35.29 грн
1000+	27.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ063N04LS6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.34 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ063N04LS6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.89 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ063N04LS6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 179224 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.98 грн
10+	49.3 грн
100+	36.31 грн
500+	33.92 грн
1000+	28.69 грн
2500+	27.3 грн
5000+	24.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ063N04LS6ATMA1

на замовлення 28529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.58 грн
500+	31.96 грн
1000+	24.02 грн
2500+	22.62 грн
5000+	21.53 грн
10000+	21.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ065N03LS

MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 2863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.17 грн
10+	57.38 грн
100+	33.99 грн
500+	28.49 грн
1000+	24.18 грн
2500+	21.93 грн
5000+	20.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ065N03LS
Код товару: 148978

товар відсутній

BSZ065N03LS

QFN

на замовлення 792 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ065N03LSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

BSZ065N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ065N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	45.2 грн
16+	38.28 грн
25+	37.95 грн
100+	26.56 грн
250+	24.37 грн
500+	20.37 грн
1000+	15.05 грн

Мінімальне замовлення: 13

BSZ065N03LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.13 грн
13+	58.42 грн
100+	38.13 грн
500+	29.61 грн

Мінімальне замовлення: 11

BSZ065N03LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 20946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.64 грн
10+	51.49 грн
100+	35.67 грн
500+	27.97 грн
1000+	23.81 грн
2000+	21.2 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ065N03LSATMA1

товар відсутній

BSZ065N03LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.23 грн
10000+	19.82 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ065N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ065N03LSATMA1

MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 689 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.54 грн
10+	53.11 грн
100+	29.88 грн
500+	27.89 грн
1000+	20.94 грн
5000+	19.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ065N03LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ065N03LSATMA1

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	38.13 грн
500+	29.61 грн

Мінімальне замовлення: 150

BSZ065N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.79 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ065N06LS5ATMA1

MOSFET MV POWER MOS

на замовлення 121165 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.49 грн
10+	68.42 грн
100+	49.56 грн
500+	43.8 грн
1000+	35.25 грн
5000+	33.59 грн
10000+	32.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ065N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

на замовлення 89 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.31 грн
10+	71.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ065N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

товар відсутній

BSZ067N06LS3 G

MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4550 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.26 грн
10+	82.29 грн
100+	55.86 грн
500+	47.31 грн
1000+	38.5 грн
2500+	36.31 грн
5000+	34.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ067N06LS3G

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ067N06LS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.005 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm

на замовлення 15914 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	111.49 грн
10+	85.48 грн
100+	62.73 грн
500+	49.35 грн
1000+	34.47 грн
5000+	32.87 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ067N06LS3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 8512 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.04 грн
10+	83.05 грн
100+	55.92 грн
500+	47.37 грн
1000+	36.38 грн
2500+	35.85 грн
5000+	34.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ067N06LS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 69W; PG-TSDSON-8
Power dissipation: 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 6.7mΩ
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

BSZ067N06LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

на замовлення 8248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.89 грн
10+	74.33 грн
100+	57.78 грн
500+	45.96 грн
1000+	37.44 грн
2000+	35.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ067N06LS3GATMA1

товар відсутній

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.84 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ067N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ067N06LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.14 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ068N06NS

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3794 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.35 грн
10+	77.72 грн
100+	52.28 грн
500+	43.2 грн
1000+	37.44 грн
5000+	31.87 грн
10000+	29.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ068N06NS

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ068N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 30990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	88.64 грн
144+	80.75 грн
177+	65.64 грн
200+	59.21 грн
1000+	48.56 грн
2000+	43.49 грн
5000+	42.39 грн
10000+	40.78 грн

Мінімальне замовлення: 132

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.47 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ068N06NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0056 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 11281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	98.86 грн
10+	82.5 грн
100+	61.62 грн
500+	47.28 грн
1000+	33.77 грн
2500+	32.68 грн
5000+	31.54 грн
10000+	28.8 грн

Мінімальне замовлення: 8

BSZ068N06NSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.99 грн
10+	73.38 грн
100+	52.48 грн
500+	45.65 грн
1000+	34.12 грн
5000+	31.8 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ068N06NSATMA1

BSZ068N06NSATMA1 SMD N channel transistors

товар відсутній

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.86 грн
10000+	30.57 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ068N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V

на замовлення 6770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.27 грн
10+	63.08 грн
100+	49.05 грн
500+	39.02 грн
1000+	31.79 грн
2000+	29.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ068N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.94 грн
10000+	30.65 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ068N06NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0056 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 46W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 11281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.62 грн
500+	47.28 грн
1000+	33.77 грн
2500+	32.68 грн
5000+	31.54 грн
10000+	28.8 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ0702LSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 20117 шт:

термін постачання 322-331 дні (днів)

4+	92.76 грн
10+	80.77 грн
100+	54.93 грн
500+	45.98 грн
1000+	36.18 грн
2500+	34.79 грн
5000+	33.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ0702LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

товар відсутній

BSZ0702LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V

товар відсутній

BSZ0702LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.82 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0703LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

товар відсутній

BSZ0703LSATMA1

DIFFERENTIATED MOSFETS

товар відсутній

BSZ0703LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

товар відсутній

BSZ0703LSATMA1

BSZ0703LSATMA1

товар відсутній

BSZ0703LSATMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 3960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.67 грн
10+	78.48 грн
100+	53.6 грн
500+	44.26 грн
1000+	34.92 грн
2500+	32.67 грн
5000+	30.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ0704LSATMA1

SP001614102

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.52 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0704LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

на замовлення 13998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.77 грн
10+	49.56 грн
100+	38.01 грн
500+	28.2 грн
1000+	22.56 грн
2000+	20.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ0704LSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 44915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.93 грн
10+	56.08 грн
100+	37.37 грн
500+	29.62 грн
1000+	23.65 грн
2500+	21.4 грн
5000+	19.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ0704LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.06 грн
10000+	19.53 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ070N08LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.007 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.1 грн
250+	62.36 грн
1000+	46.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ070N08LS5ATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

174+	66.9 грн
179+	64.94 грн
197+	59.07 грн
250+	56.36 грн
500+	47.99 грн
1000+	39.76 грн
3000+	39.5 грн

Мінімальне замовлення: 174

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	47.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ070N08LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

на замовлення 4833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.08 грн
10+	84.69 грн
100+	67.44 грн
500+	53.55 грн
1000+	45.44 грн
2000+	43.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	67.42 грн
10+	62.12 грн
25+	60.3 грн
100+	52.89 грн
250+	48.46 грн
500+	42.78 грн
1000+	36.92 грн
3000+	36.68 грн

Мінімальне замовлення: 9

BSZ070N08LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.007 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	97.37 грн
50+	74.1 грн
250+	62.36 грн
1000+	46.59 грн

Мінімальне замовлення: 8

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ070N08LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 6290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	156.95 грн
81+	145.1 грн
100+	121.41 грн
200+	111.36 грн
500+	94.3 грн
1000+	75.22 грн
2000+	72.85 грн
5000+	68.62 грн

Мінімальне замовлення: 74

BSZ070N08LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

на замовлення 4750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

BSZ070N08LS5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 28474 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.9 грн
10+	75.13 грн
100+	55.19 грн
250+	54.66 грн
500+	48.04 грн
1000+	42.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ075N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V

на замовлення 55000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	44.54 грн
10000+	41.47 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ075N08NS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Power dissipation: 69W

товар відсутній

BSZ075N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V

на замовлення 60786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.49 грн
10+	82.06 грн
100+	65.34 грн
500+	51.89 грн
1000+	44.03 грн
2000+	41.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ075N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.28 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ075N08NS5ATMA1

MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8

на замовлення 73636 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.71 грн
10+	70.79 грн
100+	51.48 грн
250+	51.08 грн
500+	45.32 грн
1000+	41.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ075N08NS5ATMA1

товар відсутній

BSZ076N06NS3 G

MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS 3

товар відсутній

BSZ076N06NS3G

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V

товар відсутній

BSZ076N06NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V

товар відсутній

BSZ076N06NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V

товар відсутній

BSZ076N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ0803LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

товар відсутній

BSZ0803LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	119.67 грн
10+	97.37 грн
100+	73.06 грн
500+	55.97 грн
1000+	38.93 грн
2500+	37.65 грн
5000+	36.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ0803LSATMA1

SP001614108

товар відсутній

BSZ0803LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

товар відсутній

BSZ0803LSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4953 шт:

термін постачання 301-310 дні (днів)

3+	112.09 грн
10+	97.53 грн
100+	65.99 грн
500+	55.06 грн
1000+	43 грн
2500+	41.28 грн
5000+	38.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ0803LSATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	73.06 грн
500+	55.97 грн
1000+	38.93 грн
2500+	37.65 грн
5000+	36.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ0804LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ0804LSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.68 грн
10+	109.72 грн
100+	76.86 грн
500+	62.88 грн
1000+	48.5 грн
5000+	46.71 грн
10000+	46.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ0804LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V

товар відсутній

BSZ0804LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V

товар відсутній

BSZ084N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	40.56 грн
10000+	37.25 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ084N08NS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

BSZ084N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V

на замовлення 37320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.21 грн
10+	81.1 грн
100+	63.09 грн
500+	50.18 грн
1000+	40.88 грн
2000+	38.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ084N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.21 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ084N08NS5ATMA1

товар відсутній

BSZ084N08NS5ATMA1

MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8

на замовлення 21396 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.26 грн
10+	68.12 грн
100+	49.36 грн
500+	44.59 грн
1000+	38.1 грн
2500+	37.97 грн
5000+	37.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ086P03NS3 G

MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 8325 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	61.84 грн
10+	49.91 грн
100+	33.79 грн
500+	28.62 грн
1000+	23.32 грн
5000+	20.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ086P03NS3E G

MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 2923 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.17 грн
10+	58.06 грн
100+	34.39 грн
500+	28.69 грн
1000+	24.45 грн
2500+	22.2 грн
5000+	20.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ086P03NS3EG

на замовлення 409 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ086P03NS3EGATMA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ P3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ

товар відсутній

BSZ086P03NS3EGATMA

товар відсутній

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	34.3 грн

Мінімальне замовлення: 17

BSZ086P03NS3EGATMA1

Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 32831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.65 грн
500+	29.95 грн
1000+	21.41 грн
5000+	20 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

BSZ086P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.5 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.02 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ086P03NS3EGATMA1

на замовлення 32831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	73.44 грн
13+	60.5 грн
100+	38.65 грн
500+	29.95 грн
1000+	21.41 грн
5000+	20 грн

Мінімальне замовлення: 11

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ086P03NS3EGATMA1

MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 4187 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.54 грн
10+	48.23 грн
100+	34.39 грн
500+	28.69 грн
1000+	21.8 грн
5000+	20.61 грн
10000+	19.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ086P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	77.91 грн

Мінімальне замовлення: 150

BSZ086P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V

на замовлення 14251 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.36 грн
10+	52.18 грн
100+	36.11 грн
500+	28.32 грн
1000+	24.1 грн
2000+	21.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ086P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	75.52 грн
172+	67.52 грн
210+	55.38 грн
224+	50.16 грн
500+	41.25 грн
1000+	32.74 грн
5000+	28.59 грн

Мінімальне замовлення: 154

BSZ086P03NS3GATMA1

на замовлення 6019 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.62 грн
10+	44.86 грн
100+	34.89 грн
500+	27.75 грн
1000+	22.61 грн
2000+	21.28 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ086P03NS3GATMA1

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ P3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

BSZ086P03NS3GATMA1

MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 418-427 дні (днів)

6+	61.15 грн
10+	49.3 грн
100+	33.79 грн
500+	28.62 грн
1000+	21.93 грн
5000+	21.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ086P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ086P03NS3GATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ086P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.47 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ086P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.47 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ086P03NS3GATMA1

товар відсутній

BSZ086P03NS3GXT

MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 2539 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.15 грн
10+	49.83 грн
100+	33.73 грн
500+	28.56 грн
1000+	23.26 грн
2500+	21.87 грн
5000+	20.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ088N03LS G

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4942 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	61.84 грн
10+	52.96 грн
100+	31.94 грн
500+	26.7 грн
1000+	20.21 грн
5000+	19.02 грн
10000+	18.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ088N03LS G

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ088N03LS G
Код товару: 177892

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товар відсутній

BSZ088N03LSG

infineon

08+

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ088N03LSG

Description: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ088N03LSG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ088N03LSGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

BSZ088N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ088N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ088N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.77 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ088N03LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ

товар відсутній

BSZ088N03LSGATMA1

товар відсутній

BSZ088N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ088N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 6676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.06 грн
10+	48.24 грн
100+	33.43 грн
500+	26.22 грн
1000+	22.32 грн
2000+	19.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ088N03MS G

QFN

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ088N03MS G

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

BSZ088N03MSG

Description: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ088N03MSG

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ088N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ088N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ088N03MSGATMA1

товар відсутній

BSZ088N03MSGATMA1

товар відсутній

BSZ088N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ0901NS

MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 7741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.05 грн
10+	58.52 грн
100+	43.13 грн
500+	38.76 грн
1000+	32.8 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ0901NS

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ0901NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ0901NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0901NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0017 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.46 грн
500+	47.28 грн
1000+	32.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ0901NSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

BSZ0901NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ0901NSATMA1

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.57 грн
10+	78.79 грн
100+	59.46 грн
500+	47.28 грн
1000+	32.56 грн

Мінімальне замовлення: 8

BSZ0901NSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

BSZ0901NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V

на замовлення 4698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.31 грн
10+	77.65 грн
100+	60.53 грн
500+	46.92 грн
1000+	37.05 грн
2000+	34.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ0901NSI

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ0901NSI

MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 4088 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	105.9 грн
10+	82.29 грн
100+	56.78 грн
500+	48.83 грн
1000+	37.44 грн
5000+	35.65 грн
10000+	35.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ0901NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V

на замовлення 9696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	97.48 грн
10+	76.61 грн
100+	59.58 грн
500+	47.4 грн
1000+	38.61 грн
2000+	36.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ0901NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.45 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0901NSIATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

BSZ0901NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ0901NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm

на замовлення 4278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.59 грн
500+	50.87 грн
1000+	36 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ0901NSIATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

BSZ0901NSIATMA1

на замовлення 4278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	115.95 грн
10+	87.71 грн
100+	64.59 грн
500+	50.87 грн
1000+	36 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ0902NS

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ0902NS

MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 16501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.63 грн
10+	34.29 грн
100+	25.91 грн
500+	25.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ0902NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ0902NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0902NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm

на замовлення 9115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.7 грн
500+	27.88 грн
1000+	20.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ0902NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 99623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.45 грн
10+	38.93 грн
100+	30.29 грн
500+	24.1 грн
1000+	23.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ0902NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

149+	78.19 грн
155+	75.04 грн
185+	63.06 грн
250+	56.89 грн
500+	47.45 грн
1000+	40.16 грн
3000+	38.14 грн

Мінімальне замовлення: 149

BSZ0902NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	85.32 грн
10+	72.6 грн
25+	69.68 грн
100+	56.46 грн
250+	48.91 грн
500+	42.3 грн
1000+	37.29 грн
3000+	35.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ0902NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 95000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0902NSATMA1

на замовлення 9115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.48 грн
18+	43.26 грн
100+	32.7 грн
500+	27.88 грн
1000+	20.83 грн

Мінімальне замовлення: 15

BSZ0902NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.49 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0902NSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

BSZ0902NSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

BSZ0902NSI

MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 11273 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.03 грн
10+	68.58 грн
100+	46.45 грн
500+	39.36 грн
1000+	32.07 грн
2500+	30.21 грн
5000+	28.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ0902NSI
Код товару: 153067

товар відсутній

BSZ0902NSI

на замовлення 6349 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ0902NSIATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

BSZ0902NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0902NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

на замовлення 3478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	92.91 грн
11+	69.2 грн
100+	52.1 грн
500+	41 грн
1000+	29.05 грн

Мінімальне замовлення: 8

BSZ0902NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ0902NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ0902NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0902NSIATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

BSZ0902NSIATMA1

MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 4662 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.03 грн
10+	60.73 грн
100+	45.19 грн
500+	39.36 грн
1000+	30.54 грн
2500+	30.21 грн
5000+	28.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ0902NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ0902NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ0902NSIATMA1

на замовлення 3478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.1 грн
500+	41 грн
1000+	29.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ0904NSI

MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 4860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.33 грн
10+	55.62 грн
100+	37.63 грн
500+	31.94 грн
1000+	25.97 грн
2500+	24.45 грн
5000+	23.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ0904NSI

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.84 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0904NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 4202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.4 грн
500+	33.27 грн
1000+	23.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ0904NSIATMA1

на замовлення 4202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	75.07 грн
14+	55.45 грн
100+	41.4 грн
500+	33.27 грн
1000+	23.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.68 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0904NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V

на замовлення 10849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.51 грн
10+	50.8 грн
100+	39.53 грн
500+	31.44 грн
1000+	25.61 грн
2000+	24.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ0904NSIATMA1

MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 16484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.03 грн
10+	51.89 грн
100+	36.91 грн
500+	31.94 грн
1000+	24.52 грн
2500+	24.45 грн
5000+	23.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ0904NSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.7 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0904NSIATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1463 pF @ 15 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.41 грн
10000+	23.34 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0905PNSATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ0905PNSATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 5260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.26 грн
10+	66.52 грн
100+	45.85 грн
500+	42.8 грн
5000+	36.38 грн
10000+	27.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ0905PNSATMA1

AMPMODU (BREAK AWAY)

товар відсутній

BSZ0905PNSATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ0907NDXTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 11.1A/13.8A 8-Pin WISON EP T/R

товар відсутній

BSZ0909LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0909LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.24 грн
500+	23.54 грн
1000+	20.07 грн
5000+	18.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ0909LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ0909LSATMA1

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	38.95 грн
22+	34.12 грн
100+	28.24 грн
500+	23.54 грн
1000+	20.07 грн
5000+	18.73 грн

Мінімальне замовлення: 20

BSZ0909LSATMA1

MOSFET Power-Transistor

товар відсутній

BSZ0909LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 4784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.47 грн
10+	45.21 грн
100+	31.29 грн
500+	24.53 грн
1000+	20.88 грн
2000+	18.59 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ0909NDXTMA1

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 276 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.27 грн
10+	105.15 грн
100+	71.56 грн
500+	58.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ0909NDXTMA1

Description: MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8

товар відсутній

BSZ0909NDXTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R

товар відсутній

BSZ0909NDXTMA1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8

товар відсутній

BSZ0909NDXTMA1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8

товар відсутній

BSZ0909NDXTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin WISON EP T/R

на замовлення 361 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	30.51 грн
20+	30.14 грн
25+	29.8 грн
100+	27.05 грн
250+	24.79 грн

Мінімальне замовлення: 19

BSZ0909NS

QFN

на замовлення 217 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ0909NS

MOSFET N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS

на замовлення 2667 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.66 грн
10+	49.38 грн
100+	32.86 грн
500+	26.04 грн
1000+	18.88 грн
5000+	17.56 грн
10000+	17.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ0909NS

на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ0909NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.71 грн
10000+	13.11 грн
25000+	12.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0909NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0909NSATMA1

BSZ0909NSATMA1 SMD N channel transistors

товар відсутній

BSZ0909NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15

на замовлення 42043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.85 грн
10+	34.1 грн
100+	23.6 грн
500+	18.51 грн
1000+	15.75 грн
2000+	14.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ0910LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 14362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.99 грн
10+	31.68 грн
100+	21.93 грн
500+	17.2 грн
1000+	14.64 грн
2000+	13.04 грн

Мінімальне замовлення: 8

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

609+	19.09 грн
675+	17.21 грн
682+	17.03 грн
707+	15.84 грн
1000+	14.12 грн
3000+	13.02 грн

Мінімальне замовлення: 609

BSZ0910LSATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 6867 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.76 грн
10+	39.77 грн
100+	26.5 грн
500+	21 грн
1000+	15.17 грн
5000+	14.11 грн
10000+	13.58 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.47 грн
10000+	13.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0910LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0910LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0036 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm

на замовлення 4743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.52 грн
500+	18.01 грн
1000+	12.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ0910LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.67 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.84 грн
10000+	14.76 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0910LSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	18.15 грн
33+	17.69 грн
100+	15.33 грн
250+	14.05 грн
500+	13.04 грн
1000+	12.56 грн
3000+	12.09 грн

Мінімальне замовлення: 32

BSZ0910LSATMA1

на замовлення 4743 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.36 грн
22+	34.41 грн
100+	22.52 грн
500+	18.01 грн
1000+	12.87 грн

Мінімальне замовлення: 19

BSZ0910NDXTMA1

Description: DIFFERENTIATED MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8
Part Status: Obsolete

товар відсутній

BSZ0910NDXTMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-Pin WISON EP T/R

товар відсутній

BSZ0910NDXTMA1

Description: DIFFERENTIATED MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WISON-8
Part Status: Obsolete

товар відсутній

BSZ0910NDXTMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

BSZ0911LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0911LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0055 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	49.13 грн
21+	35.6 грн
100+	24.16 грн
500+	18.5 грн
1000+	12.36 грн
5000+	11.72 грн

Мінімальне замовлення: 16

BSZ0911LSATMA1

SP005424280

товар відсутній

BSZ0911LSATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 13201 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	44.6 грн
10+	33.6 грн
100+	21.53 грн
500+	17.76 грн
1000+	12.85 грн
5000+	12.19 грн
10000+	11.33 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ0911LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.99 грн
10000+	11.61 грн
25000+	11.34 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0911LSATMA1

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.16 грн
500+	18.5 грн
1000+	12.36 грн
5000+	11.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ0911LSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 29980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.85 грн
10+	33.41 грн
100+	23.22 грн
500+	17.02 грн
1000+	13.83 грн
2000+	12.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

BSZ0945NDXTMA1

Description: TRENCH <= 40V

товар відсутній

BSZ0945NDXTMA1

BSZ0945NDXTMA1

товар відсутній

BSZ096N10LS5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

BSZ096N10LS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 160A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8FL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	62.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ096N10LS5ATMA1

товар відсутній

BSZ096N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V

на замовлення 10447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.69 грн
10+	95.59 грн
100+	76.08 грн
500+	60.41 грн
1000+	51.26 грн
2000+	48.7 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ096N10LS5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 36151 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.87 грн
10+	101.34 грн
100+	74.21 грн
250+	72.22 грн
500+	62.22 грн
1000+	50.22 грн
2500+	50.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ096N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	51.86 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

86+	136.22 грн
95+	123.39 грн
116+	100.68 грн
200+	91.09 грн
1000+	74.74 грн
2000+	66.92 грн

Мінімальне замовлення: 86

BSZ096N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ097N04LS G

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 203864 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.56 грн
10+	58.75 грн
100+	34.79 грн
500+	29.09 грн
1000+	24.78 грн
2500+	22.46 грн
5000+	20.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ097N04LS G

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ097N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.79 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ097N04LSGATMA1
Код товару: 170565

товар відсутній

BSZ097N04LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0081 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm

на замовлення 20889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	74.18 грн
13+	61.1 грн
100+	38.8 грн
500+	30.3 грн
1000+	24.46 грн
5000+	20.96 грн

Мінімальне замовлення: 11

BSZ097N04LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 35W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 4975 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	67.79 грн
7+	38.7 грн
25+	32.88 грн
34+	28.49 грн
93+	26.92 грн
1000+	26.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ097N04LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 3596 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	51.19 грн
14+	43.65 грн
25+	43.48 грн
100+	30.83 грн
250+	28.26 грн
500+	23.21 грн
1000+	20.54 грн
3000+	19.31 грн

Мінімальне замовлення: 12

BSZ097N04LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V

на замовлення 7454 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.36 грн
10+	51.97 грн
100+	36 грн
500+	28.23 грн
1000+	24.03 грн
2000+	21.4 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ097N04LSGATMA1

на замовлення 4975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.49 грн
12+	31.06 грн
25+	27.4 грн
34+	23.74 грн
93+	22.43 грн
1000+	22.16 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ097N04LSGATMA1

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 38846 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.56 грн
10+	57.83 грн
100+	34.59 грн
500+	29.09 грн
1000+	21.87 грн
2500+	21.6 грн
5000+	20.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ097N04LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.43 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ097N10NS5

MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8

на замовлення 24419 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.09 грн
10+	105.91 грн
100+	73.55 грн
250+	67.58 грн
500+	61.62 грн
1000+	52.74 грн
2500+	50.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ097N10NS5

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ097N10NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	52.58 грн
10000+	48.96 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ097N10NS5ATMA1

N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40; Ciss, пФ @ Uds, В = 2080 @ 50; Qg, нКл = 28; Rds = 9.7 мОм; Ugs(th) = 2,2 В; Р, Вт = 69 @ 25°C; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; TSDSON-8

на замовлення 4 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

4+	156 грн
10+	128.45 грн
100+	119.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ097N10NS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

BSZ097N10NS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 13869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	93.65 грн
500+	71.78 грн
1000+	50.78 грн
2500+	49.88 грн
5000+	48.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ097N10NS5ATMA1

товар відсутній

BSZ097N10NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ097N10NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 50 V

на замовлення 17486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.13 грн
10+	96.9 грн
100+	77.14 грн
500+	61.26 грн
1000+	51.98 грн
2000+	49.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ097N10NS5ATMA1

на замовлення 13869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	147.17 грн
10+	118.92 грн
100+	93.65 грн
500+	71.78 грн
1000+	50.78 грн
2500+	49.88 грн
5000+	48.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ097N10NS5ATMA1

MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.87 грн
10+	105.15 грн
100+	74.21 грн
250+	73.55 грн
500+	62.22 грн
1000+	49.76 грн
2500+	49.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ0994NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.76 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ0994NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ0994NSATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.56 грн
10+	57.83 грн
100+	34.79 грн
500+	29.09 грн
1000+	22.06 грн
2500+	22 грн
5000+	20.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ0994NSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.1W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.1W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

BSZ0994NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.07 грн
10+	52.73 грн
100+	36.52 грн
500+	28.64 грн
1000+	24.37 грн
2000+	21.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ0994NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ0994NSATMA1

товар відсутній

BSZ099N06LS5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

BSZ099N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

на замовлення 21191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.64 грн
10+	48.73 грн
100+	37.88 грн
500+	30.14 грн
1000+	24.55 грн
2000+	23.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ099N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 167930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	75.81 грн
13+	59.02 грн
100+	42.22 грн
500+	33.13 грн
1000+	23.51 грн
5000+	22.3 грн

Мінімальне замовлення: 10

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.33 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ099N06LS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 12950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	58.73 грн
233+	49.95 грн
272+	42.74 грн
287+	39.12 грн
500+	33.84 грн
1000+	30.55 грн
5000+	26.82 грн
10000+	25.22 грн

Мінімальне замовлення: 198

BSZ099N06LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.35 грн
10000+	22.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ099N06LS5ATMA1

товар відсутній

BSZ099N06LS5ATMA1
Код товару: 165964

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

BSZ099N06LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ099N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 167930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.22 грн
500+	33.13 грн
1000+	23.51 грн
5000+	22.3 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.31 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ099N06LS5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 54496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.17 грн
10+	51.74 грн
100+	35.65 грн
500+	30.61 грн
1000+	23.52 грн
5000+	22.33 грн
10000+	22.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ099N06LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.85 грн

Мінімальне замовлення: 5000

Bsz100

Fuse: time-lag; glass type; current: 100mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-100-R; 0218.100MXP; 179120.0,1; 0034.3107 Fuse: time-lag; 100mA Bsz100
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 800 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BSZ100N03LS

QFN

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ100N03LS G

QFN

на замовлення 365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ100N03LS G

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4407 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.32 грн
10+	47.7 грн
100+	28.62 грн
500+	23.99 грн
1000+	18.15 грн
5000+	16.56 грн
10000+	16.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ100N03LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

BSZ100N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

на замовлення 4186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.32 грн
10+	43.48 грн
100+	30.09 грн
500+	23.59 грн
1000+	20.08 грн
2000+	17.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ100N03LSGATMA1

товар відсутній

BSZ100N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ100N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ100N03MS G

QFN

на замовлення 91 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ100N03MS G

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.98 грн
10+	51.13 грн
100+	30.35 грн
500+	25.31 грн
1000+	21.6 грн
2500+	21.4 грн
5000+	18.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ100N03MSG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ100N03MSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm

на замовлення 9893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	61.62 грн
15+	51.81 грн
100+	33.08 грн
500+	25.81 грн
1000+	18.16 грн
5000+	17.39 грн

Мінімальне замовлення: 13

BSZ100N03MSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.68 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ100N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 9997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.19 грн
10+	45.9 грн
100+	31.78 грн
500+	24.92 грн
1000+	21.21 грн
2000+	18.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ100N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ100N03MSGATMA1

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 14346 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.02 грн
10+	43.89 грн
100+	27.5 грн
500+	23.32 грн
1000+	18.55 грн
2500+	18.22 грн
5000+	18.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ100N03MSGATMA1

товар відсутній

BSZ100N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.8 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ100N03MSGATMA1

на замовлення 9893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.08 грн
500+	25.81 грн
1000+	18.16 грн
5000+	17.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ100N06LS3 G

MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 9145 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	78.85 грн
10+	64.46 грн
100+	43.6 грн
500+	36.97 грн
1000+	30.15 грн
2500+	28.36 грн
5000+	26.97 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ100N06LS3 G

N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 11 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 30; Qg, нКл = 45 @ 10 В; Rds = 10 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,2 В @ 23 мкА; Р, Вт = 2,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 20 A; Ptot2, Вт = 50; PG-TSDSON-8

на замовлення 2618 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

24+	26.47 грн
26+	24.69 грн
100+	22.93 грн

Мінімальне замовлення: 24

BSZ100N06LS3G

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	62.96 грн
250+	60.43 грн
500+	58.25 грн
1000+	54.34 грн
2500+	48.83 грн
5000+	45.62 грн

Мінімальне замовлення: 185

BSZ100N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.71 грн
10000+	31.29 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ100N06LS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

BSZ100N06LS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.008 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 154908 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.94 грн
11+	70.31 грн
100+	50.84 грн
500+	40.03 грн
1000+	28.35 грн
5000+	26.95 грн

Мінімальне замовлення: 9

BSZ100N06LS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

BSZ100N06LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 96298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	74.54 грн
10+	58.87 грн
100+	45.79 грн
500+	36.43 грн
1000+	29.67 грн
2000+	27.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ100N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.47 грн
10000+	23.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ100N06LS3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 16250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	79.62 грн
10+	64.54 грн
100+	43.66 грн
500+	37.04 грн
1000+	28.42 грн
5000+	26.97 грн
10000+	26.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ100N06LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.08 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ100N06LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 85000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.44 грн
10000+	27.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ100N06NS

на замовлення 3650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ100N06NS

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 18857 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.37 грн
10+	48.84 грн
100+	33.06 грн
500+	28.03 грн
1000+	22.86 грн
5000+	20.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 52235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

265+	43.83 грн
310+	37.51 грн
327+	35.54 грн
500+	32.08 грн
1000+	27.85 грн
5000+	23.52 грн
10000+	22.08 грн
20000+	22 грн

Мінімальне замовлення: 265

BSZ100N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.27 грн
10000+	20.46 грн
25000+	20.42 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ100N06NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0085 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 36W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 8149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.75 грн
500+	34.72 грн
1000+	24.02 грн
5000+	23.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ100N06NSATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

BSZ100N06NSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V

на замовлення 27654 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.62 грн
10+	44.52 грн
100+	34.65 грн
500+	27.56 грн
1000+	22.45 грн
2000+	21.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ100N06NSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ100N06NSATMA1

товар відсутній

BSZ100N06NSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 33777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.68 грн
10+	48.77 грн
100+	33 грн
500+	27.96 грн
1000+	21.53 грн
2500+	21.47 грн
5000+	20.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ100N06NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ100N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0085 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 8149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	75.07 грн
12+	62.21 грн
100+	44.75 грн
500+	34.72 грн
1000+	24.02 грн
5000+	23.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

BSZ105N04NS G

Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ105N04NS G

MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4338 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

BSZ105N04NSG

Description: OPTLMOS POWER-MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V

товар відсутній

BSZ105N04NSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

BSZ105N04NSGATMA1

товар відсутній

BSZ105N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V

товар відсутній

BSZ105N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V

товар відсутній

BSZ105N04NSGATMA2

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

BSZ105N04NSGATMA2

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V

товар відсутній

BSZ105N04NSGATMA2

OptiMOS 3 Power-Transistor

товар відсутній

BSZ110N06NS3 G

MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 89660 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.63 грн
10+	43.05 грн
100+	28.56 грн
500+	25.11 грн
1000+	20.67 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ110N06NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8

товар відсутній

BSZ110N06NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 9684 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	71.88 грн
13+	60.73 грн
100+	43.63 грн
500+	33.41 грн
1000+	24.4 грн
5000+	23.89 грн

Мінімальне замовлення: 11

BSZ110N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ110N06NS3GATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

BSZ110N06NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V

на замовлення 11130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.06 грн
10+	45.48 грн
100+	35.37 грн
500+	28.14 грн
1000+	22.92 грн
2000+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ110N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ110N06NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ110N06NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ110N06NS3GATMA1

товар відсутній

BSZ110N08NS5

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ110N08NS5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

BSZ110N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V

на замовлення 46481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	74.54 грн
10+	58.87 грн
100+	45.78 грн
500+	36.42 грн
1000+	29.66 грн
2000+	27.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ110N08NS5ATMA1

товар відсутній

BSZ110N08NS5ATMA1

MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	80.39 грн
10+	64.54 грн
100+	43.66 грн
500+	37.04 грн
1000+	29.15 грн
2500+	28.42 грн
5000+	26.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ110N08NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.43 грн
10000+	27.03 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ110N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ115N03MSCGATMA1

Old Part BSZ115N03MSCGXT^INFINEON

товар відсутній

BSZ120P03NS3 G

MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 14791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.15 грн
10+	53.95 грн
100+	32 грн
500+	26.7 грн
1000+	22.73 грн
2500+	21.53 грн
5000+	18.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ120P03NS3 G

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ120P03NS3E G

MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

BSZ120P03NS3EG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ120P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ120P03NS3EGATMA1

MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

BSZ120P03NS3GATMA1

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

BSZ120P03NS3GATMA1

MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.21 грн
10+	49.38 грн
100+	32 грн
500+	26.7 грн
1000+	20.27 грн
2500+	20.21 грн
5000+	19.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.46 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ120P03NS3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V

на замовлення 1962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	57.34 грн
10+	47.83 грн
100+	33.09 грн
500+	25.95 грн
1000+	22.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ120P03NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.39 грн
500+	28.99 грн
1000+	20.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

208+	56.07 грн
244+	47.78 грн
285+	40.87 грн
300+	37.41 грн
500+	32.34 грн
1000+	29.19 грн
5000+	25.63 грн
10000+	24.12 грн

Мінімальне замовлення: 208

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ120P03NS3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V

товар відсутній

BSZ120P03NS3GATMA1

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.69 грн
13+	59.61 грн
100+	37.39 грн
500+	28.99 грн
1000+	20.64 грн

Мінімальне замовлення: 11

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ120P03NS3GATMA1

товар відсутній

BSZ120P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ123N08NS3 G

Trans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP

на замовлення 4432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	175.02 грн
69+	168.36 грн
100+	162.64 грн
250+	152.08 грн
500+	136.99 грн
1000+	128.29 грн
2500+	125.45 грн

Мінімальне замовлення: 67

BSZ123N08NS3 G

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ123N08NS3 G

MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 30770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	108.22 грн
10+	88.39 грн
100+	59.5 грн
500+	50.49 грн
1000+	41.08 грн
5000+	36.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ123N08NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.3mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ123N08NS3GATMA1

MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 24983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	108.99 грн
10+	88.39 грн
100+	59.43 грн
500+	50.42 грн
1000+	38.69 грн
2500+	38.63 грн
5000+	36.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ123N08NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V

на замовлення 52428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	101.78 грн
10+	80.27 грн
100+	62.42 грн
500+	49.65 грн
1000+	40.45 грн
2000+	38.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ123N08NS3GATMA1

товар відсутній

BSZ123N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.57 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ123N08NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	40.13 грн
10000+	36.86 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ123N08NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 21807 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.18 грн
10+	90.68 грн
100+	66.75 грн
500+	52.59 грн
1000+	37.21 грн
5000+	35.1 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ12DN20NS3 G

MOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 10256 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.45 грн
10+	86.86 грн
100+	59.04 грн
500+	49.96 грн
1000+	40.75 грн
2500+	38.3 грн
5000+	36.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ12DN20NS3G

Description: BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

товар відсутній

BSZ12DN20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

на замовлення 3862 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	99.63 грн
10+	78.54 грн
100+	61.06 грн
500+	48.57 грн
1000+	39.57 грн
2000+	37.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ12DN20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V

товар відсутній

BSZ12DN20NS3GATMA1

BSZ12DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors

товар відсутній

BSZ12DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ130N03LS G

MOSFET N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 9798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.49 грн
10+	45.03 грн
100+	27.1 грн
500+	22.59 грн
1000+	17.16 грн
5000+	16.23 грн
10000+	15.5 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ130N03LSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

BSZ130N03LSGATMA1

товар відсутній

BSZ130N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V

на замовлення 28124 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.74 грн
10+	41.07 грн
100+	28.39 грн
500+	22.26 грн
1000+	18.94 грн
2000+	16.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ130N03LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ130N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm

на замовлення 210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	57.75 грн
16+	48.24 грн
100+	30.4 грн

Мінімальне замовлення: 13

BSZ130N03LSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.22 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ130N03LSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 15 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.69 грн
10000+	15.77 грн
25000+	15.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ130N03MS G

MOSFET N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3M

на замовлення 4101 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.02 грн
10+	43.66 грн
100+	26.64 грн
500+	22.53 грн
1000+	17.49 грн
2500+	17.09 грн
5000+	16.5 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ130N03MSG

Description: BSZ130N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

BSZ130N03MSG

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ130N03MSGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

BSZ130N03MSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ130N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0092 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm

на замовлення 3129 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.25 грн
17+	44.08 грн
100+	29.81 грн
500+	22.98 грн
1000+	15.99 грн

Мінімальне замовлення: 15

BSZ130N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

на замовлення 16285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.45 грн
10+	41.27 грн
100+	28.58 грн
500+	22.41 грн
1000+	19.07 грн
2000+	16.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ130N03MSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.53 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ130N03MSGATMA1

товар відсутній

BSZ130N03MSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.8 грн
10000+	15.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ146N10LS5ATMA1

N-Channel 100 V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL

на замовлення 14 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	255.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

78+	149.05 грн
85+	138.19 грн
101+	115.49 грн
200+	105.65 грн
500+	89.01 грн
1000+	71.32 грн
2000+	69.04 грн
5000+	65.07 грн

Мінімальне замовлення: 78

BSZ146N10LS5ATMA1

Description: INFINEON - BSZ146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.62 грн
250+	62.88 грн
1000+	44.72 грн
3000+	38.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ146N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

на замовлення 8765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.51 грн
10+	84.55 грн
100+	65.77 грн
500+	52.31 грн
1000+	42.61 грн
2000+	40.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ146N10LS5ATMA1

на замовлення 6797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	92.91 грн
50+	72.62 грн
250+	62.88 грн
1000+	44.72 грн
3000+	38.93 грн

Мінімальне замовлення: 8

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ146N10LS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	42.28 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ146N10LS5ATMA1

MOSFET MV POWER MOS

на замовлення 134951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.18 грн
10+	92.96 грн
100+	62.88 грн
500+	53.14 грн
1000+	40.81 грн
2500+	40.75 грн
5000+	38.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ146N10LS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ150N10LS3 G

MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8

на замовлення 9490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.41 грн
10+	93.72 грн
100+	64.73 грн
250+	59.57 грн
500+	54.13 грн
1000+	46.31 грн
2500+	44.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ150N10LS3GATMA1

MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8

на замовлення 40546 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.45 грн
10+	89.91 грн
100+	57.58 грн
250+	56.72 грн
500+	50.49 грн
1000+	42.87 грн
2500+	42.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ150N10LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.13 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ150N10LS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ150N10LS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ150N10LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.013 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 22234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.13 грн
500+	50.73 грн
1000+	38.67 грн
2500+	38.16 грн
5000+	36.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ150N10LS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 7316 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.08 грн
10+	85.03 грн
100+	67.67 грн
500+	53.74 грн
1000+	45.59 грн
2000+	43.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ150N10LS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 63W
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8

товар відсутній

BSZ150N10LS3GATMA1

товар відсутній

BSZ150N10LS3GATMA1

на замовлення 22234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	98.11 грн
10+	82.5 грн
100+	60.13 грн
500+	50.73 грн
1000+	38.67 грн
2500+	38.16 грн
5000+	36.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

BSZ15DC02KD H

MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

на замовлення 16722 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.67 грн
10+	73 грн
100+	49.56 грн
500+	42.01 грн
1000+	34.19 грн
5000+	30.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ15DC02KDHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.45 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ15DC02KDHXTMA1

Description: INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.041ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 18983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	107.03 грн
10+	88.45 грн
100+	66 грн
500+	50.66 грн
1000+	36.89 грн
2500+	36.19 грн
5000+	35.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ15DC02KDHXTMA1

MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

на замовлення 1773 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.9 грн
10+	72.31 грн
100+	49.23 грн
500+	41.68 грн
1000+	32.2 грн
2500+	32 грн
5000+	30.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ15DC02KDHXTMA1

Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 22724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.58 грн
10000+	32.05 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ15DC02KDHXTMA1

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 5.1/-3.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63/164mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

BSZ15DC02KDHXTMA1

товар відсутній

BSZ15DC02KDHXTMA1

Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 22724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.29 грн
10+	67.64 грн
100+	52.58 грн
500+	41.83 грн
1000+	34.07 грн
2000+	32.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

Bsz160

Fuse: time-lag; glass type; current: 160mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.160MXP; 179120.0.16; 0034.3109 Fuse: time-lag; 160mA Bsz160
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

Bsz160

на замовлення 240 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BSZ160N10NS3 G
Код товару: 66694

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

BSZ160N10NS3 G

MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 38105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.5 грн
10+	95.25 грн
100+	64.73 грн
500+	54.46 грн
1000+	44.39 грн
2500+	41.81 грн
5000+	39.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ160N10NS3G

на замовлення 695 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ160N10NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ160N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.014 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 8606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	78.79 грн
500+	59.43 грн
1000+	47.53 грн
2500+	45.11 грн
5000+	40.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ160N10NS3GATMA1

MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 7360 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.72 грн
10+	93.72 грн
100+	64.07 грн
500+	54.46 грн
1000+	41.81 грн
5000+	39.75 грн
10000+	39.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ160N10NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	42.7 грн
10000+	39.22 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ160N10NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

BSZ160N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	29.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ160N10NS3GATMA1

на замовлення 8606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	122.64 грн
10+	101.09 грн
100+	78.79 грн
500+	59.43 грн
1000+	47.53 грн
2500+	45.11 грн
5000+	40.77 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ160N10NS3GATMA1

товар відсутній

BSZ160N10NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V

на замовлення 58141 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.23 грн
10+	85.38 грн
100+	66.43 грн
500+	52.84 грн
1000+	43.04 грн
2000+	40.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ165N04NS G

Trans MOSFET N-CH 40V 8.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ165N04NS G

MOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 2646 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

BSZ165N04NSG

на замовлення 10080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ165N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V

товар відсутній

BSZ165N04NSGATMA1

MOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 1598 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

BSZ165N04NSGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V

товар відсутній

BSZ16DN25NS3 G

MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 9928 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)

3+	152.28 грн
10+	125.72 грн
100+	86.14 грн
250+	80.17 грн
500+	72.88 грн
1000+	62.22 грн
2500+	59.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ16DN25NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V

на замовлення 6078 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.63 грн
10+	114.36 грн
100+	91.05 грн
500+	72.3 грн
1000+	61.35 грн
2000+	58.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ16DN25NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar

товар відсутній

BSZ16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	55.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ16DN25NS3GATMA1

MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.06 грн
10+	125.72 грн
100+	86.8 грн
250+	84.15 грн
500+	74.21 грн
1000+	59.23 грн
5000+	57.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ16DN25NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	62.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ16DN25NS3GATMA1

товар відсутній

BSZ16DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 10.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ180P03NS3 G

MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 14619 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.82 грн
10+	49.45 грн
100+	29.42 грн
500+	24.52 грн
1000+	20.87 грн
2500+	18.95 грн
5000+	17.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ180P03NS3 G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ180P03NS3E G

MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.6 грн
10+	51.97 грн
100+	34.72 грн
500+	27.43 грн
1000+	23.39 грн
5000+	19.88 грн
10000+	17.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ180P03NS3EGATMA

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

BSZ180P03NS3EGATMA

товар відсутній

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ180P03NS3EGATMA1

MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 34930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.07 грн
10+	51.97 грн
100+	34.72 грн
500+	27.96 грн
1000+	21.93 грн
5000+	19.88 грн
10000+	18.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ180P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V

на замовлення 7931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.32 грн
10+	43.83 грн
100+	30.34 грн
500+	23.79 грн
1000+	20.25 грн
2000+	18.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ180P03NS3EGATMA1

Description: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 28382 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.85 грн
17+	45.64 грн
100+	35.08 грн
500+	26.23 грн
1000+	18.99 грн
5000+	18.6 грн

Мінімальне замовлення: 15

BSZ180P03NS3EGATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ180P03NS3EGATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ180P03NS3GATMA1

MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3

на замовлення 7753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.82 грн
10+	45.03 грн
100+	29.42 грн
500+	24.52 грн
1000+	18.62 грн
5000+	16.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ180P03NS3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ180P03NS3GATMA1

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

BSZ180P03NS3GATMA1

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

BSZ180P03NS3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

BSZ180P03NS3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V

на замовлення 14176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.32 грн
10+	43.83 грн
100+	30.34 грн
500+	23.79 грн
1000+	20.25 грн
2000+	18.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ180P03NS3GATMA1 (BSZ180P03NS3 G)
Код товару: 191392

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

Bsz200

Fuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

Bsz200

Fuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 475 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

Bsz200

Fuse: time-lag; glass type; current: 200mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.200MXP; 179120.0,2 Fuse: time-lag; 200mA Bsz200
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BSZ215CHXTMA1

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	38.47 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ215CHXTMA1

MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.49 грн
10+	80.01 грн
100+	55.92 грн
500+	48.96 грн
1000+	37.63 грн
2500+	37.57 грн
5000+	35.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ215CHXTMA1

Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.1A/3.2A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ215CHXTMA1

Description: MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	98.19 грн
10+	76.96 грн
100+	59.85 грн
500+	47.6 грн
1000+	38.78 грн
2000+	36.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ22DN20NS3 G

MOSFET N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 277 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.35 грн
10+	76.96 грн
100+	52.08 грн
500+	43 грн
1000+	33.99 грн
5000+	31.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ22DN20NS3G

Description: BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

товар відсутній

BSZ22DN20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

товар відсутній

BSZ22DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ22DN20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

на замовлення 1024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.27 грн
10+	63.7 грн
100+	49.53 грн
500+	39.4 грн
1000+	32.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ22DN20NS3GATMA1

MOSFET N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 1630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	85.8 грн
10+	69.72 грн
100+	47.18 грн
500+	40.02 грн
1000+	32.6 грн
2500+	30.68 грн
5000+	29.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ22DN20NS3GATMA1

BSZ22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors

товар відсутній

BSZ22DN20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ240N12NS3 G

MOSFET N-Ch 120V 37A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 2884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.63 грн
10+	93.72 грн
100+	64.73 грн
250+	59.83 грн
500+	54.27 грн
1000+	46.51 грн
2500+	44.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ240N12NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON

товар відсутній

BSZ240N12NS3GATMA1

BSZ240N12NS3GATMA1 SMD N channel transistors

товар відсутній

BSZ240N12NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 37A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ240N12NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

Bsz250

Fuse: time-lag; glass type; current: 250mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.250MXP; 179120.0,25; 0034.3111 Fuse: time-lag; 250mA Bsz250
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

Bsz250

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BSZ300N15NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 75 V

на замовлення 2751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.3 грн
10+	136.86 грн
100+	108.91 грн
500+	86.49 грн
1000+	73.38 грн
2000+	69.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

BSZ300N15NS5ATMA1

MOSFET MV POWER MOS

товар відсутній

BSZ300N15NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 32A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	55.97 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ300N15NS5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 75 V

товар відсутній

Bsz315

Fuse: time-lag; glass type; current: 315mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.315MXP; 179120.0,315; 0034.3112 Fuse: time-lag; 315mA Bsz315
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 174 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

Bsz315

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BSZ340N08NS3 G
Код товару: 194005

товар відсутній

BSZ340N08NS3 G

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ340N08NS3 G

MOSFET N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 61437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.04 грн
10+	49.07 грн
100+	29.15 грн
500+	24.32 грн
1000+	20.67 грн
2500+	18.75 грн
5000+	17.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ340N08NS3 G

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	44 грн
275+	42.23 грн
500+	40.71 грн
1000+	37.97 грн
2500+	34.12 грн
5000+	31.87 грн

Мінімальне замовлення: 264

BSZ340N08NS3G

на замовлення 792 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	41.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ340N08NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 23A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ

товар відсутній

BSZ340N08NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V

на замовлення 45031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.32 грн
10+	43.55 грн
100+	30.15 грн
500+	23.65 грн
1000+	20.12 грн
2000+	17.92 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ340N08NS3GATMA1

MOSFET N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 21327 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.82 грн
10+	47.09 грн
100+	23.46 грн
500+	20.94 грн
1000+	17.62 грн
2500+	17.56 грн
5000+	16.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ340N08NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.027 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 75723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	64.59 грн
14+	53.66 грн
100+	37.54 грн
500+	27.47 грн
1000+	23.89 грн
2500+	22.36 грн
5000+	20.96 грн
10000+	19.43 грн

Мінімальне замовлення: 12

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

288+	40.37 грн
315+	36.91 грн
317+	36.72 грн
500+	28.84 грн
1000+	24.94 грн
5000+	21.24 грн

Мінімальне замовлення: 288

BSZ340N08NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.79 грн
10000+	16.75 грн
25000+	16.59 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

BSZ340N08NS3GATMA1

товар відсутній

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.4 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ340N08NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	55.69 грн
12+	49.16 грн
25+	48.67 грн
100+	36.28 грн

Мінімальне замовлення: 11

BSZ340N08NS3GATMA2

SP001171262

товар відсутній

Bsz400

Fuse: time-lag; glass type; current: 400mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.400MXP; 179120.0,4; 0034.3113 Fuse: time-lag; 400mA Bsz400
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 4853 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BSZ42DN25NS3 G

MOSFET N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 10874 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.26 грн
10+	82.29 грн
100+	55.46 грн
500+	46.98 грн
1000+	38.3 грн
2500+	36.04 грн
5000+	34.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ42DN25NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ42DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.371 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.371ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.371ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	118.92 грн
10+	95.14 грн
100+	70.98 грн
500+	55.35 грн
1000+	39.44 грн
2500+	38.16 грн
5000+	36.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ42DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ42DN25NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

на замовлення 22581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.61 грн
10+	74.68 грн
100+	58.1 грн
500+	46.22 грн
1000+	37.65 грн
2000+	35.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ42DN25NS3GATMA1

MOSFET N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 27381 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.26 грн
10+	77.72 грн
100+	53.87 грн
500+	45.45 грн
1000+	35.98 грн
2500+	35.45 грн
5000+	34.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ42DN25NS3GATMA1

N-канальний ПТ; Udss, В = 250; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100; Qg, нКл = 5,5 @ 10 В; Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА; Р, Вт = 33,8; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TSDSON-8

на замовлення 5 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

5+	124.8 грн
10+	108.97 грн
100+	101.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ42DN25NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 33.8W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
On-state resistance: 0.425Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33.8W
Polarisation: unipolar

товар відсутній

BSZ42DN25NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.35 грн
10000+	34.31 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ42DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	83.95 грн
10+	69.68 грн
25+	69.11 грн
100+	52.5 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ42DN25NS3GATMA1

товар відсутній

BSZ42DN25NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ440N10NS3 G

MOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 81539 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	61.84 грн
10+	49.91 грн
100+	33.79 грн
500+	28.62 грн
1000+	24.58 грн
5000+	20.87 грн
10000+	20.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ440N10NS3 G

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ440N10NS3G
Код товару: 155825

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

BSZ440N10NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ440N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

BSZ440N10NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 4917 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.88 грн
7+	50.8 грн
23+	35.61 грн
62+	33.68 грн
1000+	32.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ440N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ440N10NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.4 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ440N10NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V

на замовлення 23187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.06 грн
10+	45.48 грн
100+	35.37 грн
500+	28.14 грн
1000+	22.92 грн
2000+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ440N10NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 59898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	66.37 грн
15+	50.62 грн
100+	37.09 грн
500+	29.82 грн
1000+	24.66 грн
5000+	21.79 грн

Мінімальне замовлення: 12

BSZ440N10NS3GATMA1

MOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 59040 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.77 грн
10+	36.35 грн
100+	26.83 грн
500+	24.05 грн
1000+	20.81 грн
2500+	20.67 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ440N10NS3GATMA1

на замовлення 4917 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	115.06 грн
5+	63.3 грн
23+	42.74 грн
62+	40.42 грн
1000+	38.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

Bsz500

Fuse: time-lag; glass type; current: 500mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-500-R; 0213.500MXP; 179120.0,5; 0034.3114 Fuse: time-lag; 500mA Bsz500
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 53 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

Bsz500

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BSZ520N15NS3 G

MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 44081 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.72 грн
10+	94.48 грн
100+	64.07 грн
500+	53.93 грн
1000+	43.93 грн
5000+	39.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ520N15NS3 G

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

98+	119.11 грн
103+	113.78 грн
250+	109.22 грн
500+	101.52 грн
1000+	90.93 грн

Мінімальне замовлення: 98

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	74.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.14 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ520N15NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	42.88 грн
10000+	39.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	119.54 грн
10+	105.97 грн
25+	104.94 грн
100+	78.65 грн
250+	72.1 грн
500+	41.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ520N15NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.042 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 15197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	125.61 грн
10+	94.4 грн
100+	69.79 грн
500+	52.8 грн
1000+	37.52 грн
5000+	36.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 24890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

99+	117.46 грн

Мінімальне замовлення: 99

BSZ520N15NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.79 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ520N15NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V

на замовлення 15462 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.94 грн
10+	85.72 грн
100+	66.7 грн
500+	53.05 грн
1000+	43.22 грн
2000+	40.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ520N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	114.12 грн
103+	113.01 грн
133+	87.84 грн
250+	83.85 грн
500+	46.58 грн

Мінімальне замовлення: 102

BSZ520N15NS3GATMA1

MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 59659 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.18 грн
10+	92.96 грн
100+	62.88 грн
500+	50.62 грн
1000+	39.69 грн
2500+	39.29 грн
5000+	39.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ520N15NS3GATMA1

Ningbo KLS electronic co.,ltd

товар відсутній

BSZ6-SS-112L

Реле 12В, SPDT

на замовлення 393 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

Bsz630

Fuse: time-lag; glass type; current: 630mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0213.630MXP; 179120.0,63; 0034.3115 Fuse: time-lag; 630mA Bsz630
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

Bsz630

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

Bsz630

на замовлення 1574 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

Bsz800

Fuse: time-lag; glass type; current: 800mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.800MXP; 179120.0,8; 0034.2515 Fuse: time-lag; 800mA Bsz800
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

Bsz800

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

Bsz800

на замовлення 790 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BSZ900N15NS3 G

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

BSZ900N15NS3 G

Description: MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8

на замовлення 15211 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

BSZ900N15NS3 G

MOSFET N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 12314 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.95 грн
10+	80.01 грн
100+	54.13 грн
500+	45.92 грн
1000+	37.44 грн
5000+	33.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ900N15NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.51 грн
10000+	33.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ900N15NS3GATMA1

MOSFET N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 18115 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81.94 грн
10+	60.12 грн
100+	44.39 грн
500+	40.48 грн
1000+	33.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ900N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 13A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ900N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

158+	73.84 грн
167+	69.59 грн
192+	60.51 грн
202+	55.69 грн
1000+	47.15 грн
2000+	43.07 грн
5000+	42.22 грн
10000+	40.95 грн

Мінімальне замовлення: 158

BSZ900N15NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.074 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 19751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.61 грн
500+	38.24 грн
1000+	26.95 грн
5000+	25.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ900N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ900N15NS3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; 38W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 4060 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	59.83 грн
8+	45.69 грн
24+	33.13 грн
65+	31.75 грн

Мінімальне замовлення: 7

BSZ900N15NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V

на замовлення 13667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.46 грн
10+	73.02 грн
100+	56.8 грн
500+	45.18 грн
1000+	36.81 грн
2000+	34.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ900N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 13A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.82 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ900N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	103.42 грн
118+	98.78 грн
148+	78.98 грн
250+	72.54 грн
500+	57.62 грн
1000+	45.9 грн

Мінімальне замовлення: 113

BSZ900N15NS3GATMA1

на замовлення 4060 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	71.8 грн
5+	56.94 грн
24+	39.75 грн
65+	38.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

BSZ900N15NS3GATMA1

на замовлення 19751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	86.96 грн
12+	66 грн
100+	48.61 грн
500+	38.24 грн
1000+	26.95 грн
5000+	25.55 грн

Мінімальне замовлення: 9

BSZ900N15NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	107.3 грн
10+	96.03 грн
25+	91.72 грн
100+	70.72 грн
250+	62.37 грн
500+	51.37 грн
1000+	42.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

BSZ900N20NS3 G

MOSFET 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 15846 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.23 грн
10+	116.58 грн
100+	80.83 грн
250+	74.87 грн
500+	67.58 грн
1000+	57.84 грн
2500+	54.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ900N20NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.077 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 10847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	160.55 грн
10+	128.59 грн
100+	102.57 грн
500+	77.99 грн
1000+	55.55 грн
2500+	54.54 грн
5000+	53.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

BSZ900N20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	71.3 грн
10000+	68.47 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ900N20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	56.8 грн
10000+	52.88 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ900N20NS3GATMA1

MOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3

на замовлення 2006 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.23 грн
10+	116.58 грн
100+	80.83 грн
500+	68.25 грн
1000+	54.99 грн
5000+	53.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ900N20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	66.21 грн
10000+	63.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

BSZ900N20NS3GATMA1

BSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors

товар відсутній

BSZ900N20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ900N20NS3GATMA1

Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.077 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 62.5W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 19700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	104.06 грн
500+	79.37 грн
1000+	56.38 грн
5000+	55.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

BSZ900N20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

BSZ900N20NS3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V

на замовлення 24720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.16 грн
10+	104.7 грн
100+	83.33 грн
500+	66.16 грн
1000+	56.14 грн
2000+	53.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

BSZ900N20NS3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

BszA01.00

Fuse: time-lag; glass type; current: 1A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-1-R/BK1; 179120.1; 0034.3117; 0213001.MXP; 0218001.MXP Fuse: time-lag; 1A BszA01.00
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA01.00

на замовлення 634 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA01.00

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA01.25

Fuse: time-lag; glass type; current: 1,25A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-1.25-R; 02181.25MXP; 179120.1,25; 0034.3118 Fuse: time-lag; 1,25A BszA01.25
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 7930 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA01.60

Fuse: time-lag; glass type; current: 1,60A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-1.6-R/BK1; 021301.6MXP; 021801.6MXP; 179120.1,6; 0034.3119 Fuse: time-lag; 1,6A BszA01.60
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA01.60

на замовлення 45 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 200

BszA01.60

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA01.60

на замовлення 3150 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA02.00

Fuse: time-lag; glass type; current: 2A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0213002.MXP; 0218002.MXP; 179120.2; 0034.3120 Fuse: time-lag; 2A BszA02.00
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 12860 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA02.50

Fuse: time-lag; glass type; current: 2,5A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-2.5-R/BK1; 021302.5MXP; 179120.2,5; 0034.3121 Fuse: time-lag; 2,5A BszA02.50
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 6585 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA03.15

Fuse: time-lag; glass type; current: 3,15A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-3.15-R/BK1; 02183.15MXP; 02133.15MXP; 179120.3,15; 0034.3122 Fuse: time-lag; 3,15A BszA03.15
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA03.15

на замовлення 12900 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA03.15

на замовлення 40 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA03.15

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA03.15

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA04.00

Fuse: time-lag; glass type; current: 4A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-4-R/BK1; 0218004.MXP; 0218004.MXP; 179120.4; 0034.3123 Fuse: time-lag; 4A BszA04.00
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA04.00

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA04.00

на замовлення 3243 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA05.00

Fuse: time-lag; glass type; current: 5A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-5-R/BK1; 0213005.MXP; 0218005.MXP; 179120.5; 0034.3124 Fuse: time-lag; 5A BszA05.00
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA05.00

на замовлення 12089 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA06.30

Fuse: time-lag; glass type; current: 6,3A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 021806.3MXP; 179120.6,3; 0034.3125 Fuse: time-lag; 6,3A BszA06.30
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA06.30

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA06.30

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA06.30

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA08.00

Fuse: time-lag; glass type; current: 8A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218008.MXP; 179120.8; 0034.3126 Fuse: time-lag; 8A BszA08.00
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA08.00

на замовлення 150 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA08.00

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 500

BszA10.00