Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC 100AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0039" (0.100mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2176 грн
4+ 1990.5 грн
8+ 1885.59 грн
24+ 1671.75 грн
100+ 1376.39 грн
BSC 100 1GF50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0059" (0.151mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2575.94 грн
4+ 2356.3 грн
8+ 2232.76 грн
24+ 1978.77 грн
100+ 1629.65 грн
BSC 100 1TT50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0059" (0.151mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 1.5W/m-K
Adhesive: Tacky - One Side
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3775.75 грн
4+ 3454.39 грн
8+ 3272.87 грн
24+ 2900.47 грн
100+ 2388.77 грн
BSC 100 1TT50 1GF50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0079" (0.200mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Adhesive: Tacky - One Side
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4176.41 грн
4+ 3820.19 грн
8+ 3619.35 грн
24+ 3208.13 грн
100+ 2642.03 грн
BSC 100 2GF50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0079" (0.200mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 2.0W/m-K
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2975.88 грн
4+ 2722.79 грн
8+ 2579.23 грн
24+ 2285.79 грн
100+ 1882.91 грн
BSC 100 2TT50AISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 250MM X 300MM
Packaging: Bulk
Color: White
Material: Non-Silicone, Ceramic Filled
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0079" (0.200mm)
Type: Gap Filler Sheet
Usage: In-Plane Isolation and Heat Transfer
Outline: 250.00mm x 300.00mm
Thermal Conductivity: 1.5W/m-K
Adhesive: Tacky - Both Sides
Backing, Carrier: Fiberglass
Part Status: Active
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5376.22 грн
4+ 4918.28 грн
8+ 4659.46 грн
24+ 4129.83 грн
100+ 3401.15 грн
BSC 100 HTGAISMALIBARDescription: THERMAL INTERFACE 249MM X 239MM
товар відсутній
BSC-SS-148L
Код товару: 89390		Реле
товар відсутній
BSC/0/100TRENDDescription: TREND - BSC/0/100 - BISCUIT NO 0, (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Außenlänge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+932.07 грн
BSC/10/100TRENDDescription: TREND - BSC/10/100 - BISCUIT NO 10 (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Außenlänge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+987.82 грн
BSC/20/100TRENDDescription: TREND - BSC/20/100 - BISCUIT NO 20, (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Außenlänge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+981.13 грн
BSC/MIX/100TRENDDescription: TREND - BSC/MIX/100 - BISCUIT MIXED 0/10/20 (PK 100)
tariffCode: 44219999
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Außenlänge: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: Trend - Jointing Biscuits
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1030.93 грн
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V
товар відсутній
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 45168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.43 грн
10+ 147.82 грн
100+ 104.03 грн
250+ 103.36 грн
500+ 88.12 грн
1000+ 70.9 грн
5000+ 68.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A T/R
товар відсутній
BSC004NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 479A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 12.5 V
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.58 грн
10+ 136.45 грн
100+ 108.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC005N03LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00048 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.98 грн
500+ 91.1 грн
1000+ 68.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesSP004819078
товар відсутній
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC005N03LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00048 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.78 грн
10+ 128.59 грн
100+ 112.98 грн
500+ 91.1 грн
1000+ 68.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 13143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.19 грн
10+ 131.82 грн
100+ 101.37 грн
250+ 100.71 грн
500+ 87.46 грн
1000+ 70.9 грн
5000+ 68.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC005N03LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 15 V
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.58 грн
10+ 136.45 грн
100+ 108.59 грн
500+ 86.23 грн
1000+ 73.16 грн
2000+ 69.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.17 грн
10+ 139.49 грн
100+ 111.01 грн
500+ 88.15 грн
1000+ 74.79 грн
2000+ 71.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC005N03LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00051 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 510µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00051ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.69 грн
500+ 93.87 грн
1000+ 70.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 13980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.07 грн
10+ 152.39 грн
100+ 106.01 грн
250+ 105.35 грн
500+ 90.11 грн
1000+ 72.88 грн
5000+ 69.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC005N03LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC005N03LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00051 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00051ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.92 грн
10+ 149.4 грн
100+ 116.69 грн
500+ 93.87 грн
1000+ 70.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC005N03LS5IATMA1Infineon TechnologiesSP004819084
товар відсутній
BSC007N04LS6ATMA1
Код товару: 161378		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 110497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.13 грн
10+ 192.02 грн
25+ 160.34 грн
100+ 134.5 грн
250+ 121.25 грн
500+ 109.33 грн
1000+ 97.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 8349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.3 грн
10+ 173.65 грн
100+ 140.47 грн
500+ 117.18 грн
1000+ 100.34 грн
2000+ 94.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+98.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC007N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.36 грн
500+ 122.96 грн
1000+ 98.11 грн
5000+ 95.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+100.3 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC007N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC007N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 138W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 0.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 94nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhanced
Case: PG-TDSON-8 FL
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC007N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 138W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 0.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 138W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 94nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhanced
Case: PG-TDSON-8 FL
товар відсутній
BSC007N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+260.15 грн
10+ 206.63 грн
25+ 188.05 грн
100+ 157.36 грн
500+ 122.96 грн
1000+ 98.11 грн
5000+ 95.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.82 грн
10+ 194.77 грн
100+ 157.56 грн
500+ 131.44 грн
1000+ 112.54 грн
2000+ 105.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.05 грн
10+ 217.16 грн
25+ 178.23 грн
100+ 153.06 грн
250+ 144.44 грн
500+ 135.83 грн
1000+ 116.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC007N04LS6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 301A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+93.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 244-253 дні (днів)
2+205.62 грн
10+ 169.92 грн
25+ 139.8 грн
100+ 119.26 грн
250+ 112.64 грн
500+ 106.68 грн
1000+ 91.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC009N04LSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 301A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
на замовлення 4321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.37 грн
10+ 154.74 грн
100+ 125.19 грн
500+ 104.43 грн
1000+ 89.42 грн
2000+ 84.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC009NE2LSInfineon
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC009NE2LS
Код товару: 160463		Мікросхеми > Операційні підсилювачі
товар відсутній
BSC009NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 7809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.19 грн
10+ 69.49 грн
5000+ 53.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+148.66 грн
10+ 110.75 грн
100+ 86.96 грн
500+ 68.33 грн
1000+ 50.71 грн
5000+ 49.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC009NE2LS5ATMA1
Код товару: 173879		Транзистори > Польові N-канальні
очікується 6 шт:
6 шт - очікується
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
товар відсутній
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+323.77 грн
74+ 157.94 грн
81+ 144.12 грн
100+ 112.32 грн
200+ 97.83 грн
500+ 93.07 грн
1000+ 83.34 грн
2000+ 77.75 грн
5000+ 75.56 грн
Мінімальне замовлення: 36
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LV POWER MOS
на замовлення 14966 шт:
термін постачання 1002-1011 дні (днів)
3+151.51 грн
10+ 121.15 грн
100+ 86.14 грн
250+ 84.15 грн
500+ 72.88 грн
1000+ 58.57 грн
5000+ 56.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 74W
On-state resistance: 0.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Polarisation: unipolar
товар відсутній
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.96 грн
500+ 68.33 грн
1000+ 50.71 грн
5000+ 49.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.91 грн
10+ 113.12 грн
100+ 90.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC009NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 74W
On-state resistance: 0.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LV POWER MOS
на замовлення 14095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.7 грн
10+ 140.96 грн
100+ 101.37 грн
250+ 96.74 грн
500+ 85.47 грн
1000+ 69.57 грн
5000+ 66.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
на замовлення 6202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167 грн
10+ 133.48 грн
100+ 106.26 грн
500+ 84.38 грн
1000+ 71.6 грн
2000+ 68.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+323.77 грн
74+ 157.94 грн
82+ 143.13 грн
100+ 112.32 грн
200+ 97.83 грн
500+ 93.07 грн
1000+ 83.26 грн
2000+ 77.67 грн
5000+ 75.47 грн
Мінімальне замовлення: 36
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 40 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 74; PG-TDSON-8
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+75.99 грн
10+ 70.92 грн
100+ 65.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 19268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.47 грн
10+ 129.33 грн
100+ 104.8 грн
500+ 86.96 грн
1000+ 69.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+78.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
товар відсутній
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+129.63 грн
99+ 117.7 грн
100+ 117 грн
114+ 98.9 грн
250+ 88.79 грн
Мінімальне замовлення: 90
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+120.37 грн
10+ 109.29 грн
25+ 108.65 грн
100+ 91.83 грн
250+ 82.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC009NE2LS5IATMA1
Код товару: 195332		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LS5IATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
на замовлення 19418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.8 грн
500+ 86.96 грн
1000+ 69.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+69.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 34032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.01 грн
500+ 83.51 грн
1000+ 59.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
на замовлення 48976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.45 грн
10+ 104.36 грн
100+ 83.05 грн
500+ 65.95 грн
1000+ 55.96 грн
2000+ 53.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC009NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 34032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.7 грн
10+ 136.02 грн
100+ 110.01 грн
500+ 83.51 грн
1000+ 59.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 8158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.01 грн
10+ 110.49 грн
100+ 81.5 грн
250+ 78.85 грн
500+ 68.91 грн
1000+ 55.26 грн
2500+ 55.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
On-state resistance: 0.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
товар відсутній
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.61 грн
10000+ 52.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
On-state resistance: 0.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC009NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC009NE2LSXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
товар відсутній
BSC010N04LSInfineon technologies
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC010N04LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 35600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+154.6 грн
10+ 126.49 грн
100+ 87.46 грн
250+ 80.83 грн
500+ 73.55 грн
1000+ 62.88 грн
2500+ 59.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+180.64 грн
77+ 152.01 грн
100+ 143.13 грн
500+ 124.7 грн
1000+ 108.4 грн
2000+ 101.53 грн
Мінімальне замовлення: 65
BSC010N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC010N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 890 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.41 грн
500+ 72.63 грн
1000+ 59.06 грн
5000+ 57.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC010N04LS6ATMA1
Код товару: 192753		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.29 грн
10+ 133.34 грн
100+ 96.07 грн
250+ 88.79 грн
500+ 80.83 грн
1000+ 65.93 грн
2500+ 65.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
на замовлення 10210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.96 грн
10+ 125.34 грн
100+ 99.79 грн
500+ 79.24 грн
1000+ 67.23 грн
2000+ 63.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 890 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 890µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+150.14 грн
10+ 122.64 грн
25+ 110.01 грн
100+ 90.41 грн
500+ 72.63 грн
1000+ 59.06 грн
5000+ 57.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC010N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.02 грн
10000+ 63.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 79483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.83 грн
10+ 126.49 грн
100+ 86.8 грн
250+ 80.17 грн
500+ 72.88 грн
1000+ 62.22 грн
2500+ 59.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 25875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+144.06 грн
10+ 115.12 грн
100+ 91.64 грн
500+ 72.77 грн
1000+ 61.74 грн
2000+ 58.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+316.86 грн
Мінімальне замовлення: 37
BSC010N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.46 грн
10000+ 58.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 282A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
2+215.67 грн
10+ 179.82 грн
100+ 128.54 грн
500+ 115.95 грн
1000+ 106.01 грн
5000+ 105.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A T/R
товар відсутній
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 282A
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC010N04LSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010N04LSIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 379-388 дні (днів)
2+244.27 грн
10+ 216.4 грн
100+ 154.38 грн
500+ 131.19 грн
1000+ 110.65 грн
2500+ 108 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
на замовлення 9178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.62 грн
10+ 180.69 грн
100+ 146.16 грн
500+ 121.93 грн
1000+ 104.4 грн
2000+ 98.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+104.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010N04LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 8511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.18 грн
10+ 201.16 грн
25+ 170.28 грн
100+ 141.79 грн
250+ 133.18 грн
500+ 125.89 грн
1000+ 101.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.47 грн
10+ 144.46 грн
100+ 116.9 грн
500+ 97.51 грн
1000+ 83.5 грн
2000+ 78.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
товар відсутній
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.07 грн
10+ 173.73 грн
100+ 125.89 грн
500+ 109.99 грн
1000+ 94.09 грн
5000+ 80.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
товар відсутній
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC010N04LSTATMA1Infineon TechnologiesBSC010N04LSTATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+104.8 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 23209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.18 грн
10+ 99.06 грн
100+ 83.49 грн
250+ 78.18 грн
500+ 67.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC010NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC010NE2LSATMA1InfineonN-MOSFET 25V 100A BSC010NE2LSATMA1 Infineon TBSC010ne2ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
на замовлення 19024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.94 грн
10+ 87.38 грн
100+ 69.55 грн
500+ 55.23 грн
1000+ 46.86 грн
2000+ 44.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC010NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.75 грн
500+ 62.63 грн
1000+ 59.19 грн
5000+ 55.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 37465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.26 грн
10+ 82.29 грн
100+ 61.42 грн
250+ 59.5 грн
500+ 53.21 грн
1000+ 45.92 грн
2500+ 45.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC010NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC010NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.41 грн
10000+ 44.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.76 грн
10+ 110.01 грн
25+ 98.86 грн
100+ 80.75 грн
500+ 62.63 грн
1000+ 59.19 грн
5000+ 55.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC010NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.7 грн
10+ 154.68 грн
100+ 108.66 грн
500+ 88.79 грн
1000+ 74.21 грн
2500+ 69.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC010NE2LSIInfineon
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 31004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.67 грн
10+ 138.25 грн
100+ 110.75 грн
500+ 84.89 грн
1000+ 64.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC010NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 38A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 12 V
на замовлення 18764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.46 грн
10+ 108.64 грн
100+ 86.47 грн
500+ 68.66 грн
1000+ 58.26 грн
2000+ 55.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC010NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 38A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC010NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC010NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 31004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.75 грн
500+ 84.89 грн
1000+ 64.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.4 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC010NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 8877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.55 грн
10+ 119.63 грн
100+ 82.82 грн
500+ 70.23 грн
1000+ 55.92 грн
2500+ 54.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC011N03LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+108.52 грн
113+ 103.67 грн
250+ 99.51 грн
500+ 92.49 грн
1000+ 82.85 грн
2500+ 77.18 грн
5000+ 75.11 грн
Мінімальне замовлення: 108
BSC011N03LSInfineon technologies
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC011N03LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 39508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.09 грн
10+ 106.68 грн
100+ 73.55 грн
250+ 67.58 грн
500+ 61.62 грн
1000+ 53.47 грн
10000+ 53.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC011N03LS E8186Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.81 грн
10000+ 47.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.03 грн
10+ 86.96 грн
100+ 67.34 грн
500+ 55.35 грн
1000+ 49.44 грн
5000+ 47.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.49 грн
10000+ 51.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+60.92 грн
192+ 60.58 грн
215+ 54.12 грн
250+ 51.86 грн
500+ 45.01 грн
1000+ 43.05 грн
Мінімальне замовлення: 191
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 53374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.67 грн
10+ 73.68 грн
100+ 51.81 грн
500+ 48.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+60.4 грн
11+ 56.57 грн
25+ 56.25 грн
100+ 48.46 грн
250+ 44.59 грн
500+ 40.13 грн
1000+ 39.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC011N03LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 41540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.29 грн
10+ 68.26 грн
100+ 54.32 грн
500+ 46.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.34 грн
500+ 55.35 грн
1000+ 49.44 грн
5000+ 47.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+72.88 грн
165+ 70.55 грн
179+ 65.03 грн
200+ 60.94 грн
500+ 56.34 грн
1000+ 51.34 грн
2000+ 50.68 грн
Мінімальне замовлення: 160
BSC011N03LSIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
на замовлення 11875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.91 грн
10+ 102.1 грн
100+ 72.22 грн
250+ 70.9 грн
500+ 62.22 грн
1000+ 51.48 грн
2500+ 51.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC011N03LSIInfineon technologies
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC011N03LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+71.52 грн
166+ 70.26 грн
172+ 67.64 грн
Мінімальне замовлення: 163
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.21 грн
10000+ 50.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.68 грн
10+ 109.26 грн
100+ 81.02 грн
500+ 66.74 грн
1000+ 49.69 грн
5000+ 48.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+79.45 грн
10+ 73.26 грн
25+ 70.82 грн
100+ 62.83 грн
250+ 57.59 грн
500+ 51.32 грн
1000+ 50.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
BSC011N03LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC011N03LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+85.56 грн
148+ 78.89 грн
153+ 76.27 грн
166+ 67.66 грн
250+ 62.02 грн
500+ 55.26 грн
1000+ 53.86 грн
Мінімальне замовлення: 136
BSC011N03LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 59230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.71 грн
10+ 99.94 грн
100+ 79.53 грн
500+ 63.16 грн
1000+ 53.59 грн
2000+ 50.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC011N03LSIXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
товар відсутній
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.48 грн
10+ 146.32 грн
100+ 116.47 грн
500+ 92.49 грн
1000+ 78.47 грн
2000+ 74.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC011N03LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.21 грн
500+ 96.63 грн
1000+ 72.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+168.39 грн
82+ 142.26 грн
100+ 134.52 грн
200+ 128.78 грн
500+ 108.01 грн
1000+ 97.88 грн
2000+ 95.39 грн
5000+ 92.07 грн
Мінімальне замовлення: 69
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.32 грн
10+ 153.86 грн
100+ 115.21 грн
500+ 96.63 грн
1000+ 72.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.34 грн
10+ 157.73 грн
100+ 111.31 грн
250+ 102.7 грн
500+ 92.76 грн
1000+ 75.53 грн
5000+ 73.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.02 грн
10+ 173.65 грн
100+ 140.49 грн
500+ 117.2 грн
1000+ 100.35 грн
2000+ 94.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 36A 8-Pin TSON EP T/R
товар відсутній
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 13964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.45 грн
10+ 193.54 грн
25+ 162.99 грн
100+ 136.49 грн
250+ 132.52 грн
500+ 120.59 грн
1000+ 107.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC012N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 306A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товар відсутній
BSC014N03LSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC014N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC014N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
товар відсутній
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSC014N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC014N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC014N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
товар відсутній
BSC014N03MS GINFINEONQFN
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC014N03MS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
BSC014N04LS
Код товару: 148887		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC014N04LSInfineon
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC014N04LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.68 грн
10+ 101.34 грн
100+ 70.23 грн
250+ 64.73 грн
500+ 58.57 грн
1000+ 52.28 грн
5000+ 46.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSInfineon technologies
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.68 грн
10+ 101.34 грн
100+ 70.23 грн
250+ 69.57 грн
500+ 58.57 грн
1000+ 47.71 грн
2500+ 47.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.97 грн
10000+ 46.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+148.07 грн
Мінімальне замовлення: 79
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.81 грн
500+ 63.43 грн
1000+ 47.65 грн
5000+ 46.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC014N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+159.91 грн
79+ 148.07 грн
100+ 123.39 грн
200+ 113.27 грн
500+ 95.19 грн
1000+ 76.32 грн
2000+ 73.94 грн
5000+ 69.72 грн
10000+ 67.35 грн
Мінімальне замовлення: 73
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 14874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.39 грн
10+ 92.07 грн
100+ 73.3 грн
500+ 58.21 грн
1000+ 49.39 грн
2000+ 46.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.48 грн
10+ 105.55 грн
100+ 75.81 грн
500+ 63.43 грн
1000+ 47.65 грн
5000+ 46.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20; Qg, нКл = 55 @ 10 В; Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TDSON-8 FL
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
14+44.99 грн
15+ 42 грн
100+ 39 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSC014N04LSI
Код товару: 196252		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 30506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.58 грн
10+ 176.78 грн
25+ 145.11 грн
100+ 123.9 грн
250+ 117.28 грн
500+ 109.99 грн
1000+ 94.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSIInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+218.78 грн
56+ 210.44 грн
100+ 203.3 грн
250+ 190.09 грн
500+ 171.23 грн
1000+ 160.36 грн
2500+ 156.82 грн
5000+ 153.7 грн
Мінімальне замовлення: 54
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+207.33 грн
10+ 172.75 грн
25+ 169.59 грн
100+ 132.61 грн
250+ 119.71 грн
500+ 101.8 грн
1000+ 82.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 39700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.21 грн
50+ 144.94 грн
250+ 127.84 грн
1000+ 96.63 грн
3000+ 87.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+126.78 грн
96+ 120.97 грн
Мінімальне замовлення: 92
BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+98.86 грн
15000+ 96.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 100544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.26 грн
10+ 173.73 грн
25+ 149.74 грн
100+ 121.25 грн
250+ 119.26 грн
500+ 106.68 грн
1000+ 88.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+100.47 грн
10+ 94.17 грн
25+ 93.5 грн
50+ 89.81 грн
100+ 76.33 грн
250+ 72.47 грн
500+ 62.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+223.28 грн
63+ 186.04 грн
64+ 182.63 грн
100+ 142.82 грн
250+ 128.92 грн
500+ 109.63 грн
1000+ 88.66 грн
Мінімальне замовлення: 53
BSC014N04LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 39700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.94 грн
250+ 127.84 грн
1000+ 96.63 грн
3000+ 87.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC014N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC014N04LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+108.37 грн
115+ 101.58 грн
116+ 96.86 грн
126+ 82.33 грн
250+ 78.17 грн
500+ 66.91 грн
Мінімальне замовлення: 108
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 71917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.54 грн
10+ 160.4 грн
100+ 129.78 грн
500+ 108.26 грн
1000+ 92.69 грн
2000+ 87.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC014N04LSTInfineon TechnologiesDescription: BSC014N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSTATMA1
Код товару: 198659		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.84 грн
10+ 97.87 грн
100+ 77.89 грн
500+ 61.85 грн
1000+ 52.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+181.63 грн
70+ 167.81 грн
100+ 140.17 грн
200+ 128.5 грн
500+ 108.4 грн
1000+ 86.3 грн
2000+ 84.18 грн
5000+ 79.37 грн
Мінімальне замовлення: 64
BSC014N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 14593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.71 грн
500+ 68.12 грн
1000+ 50.71 грн
5000+ 49.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+137.77 грн
101+ 115.22 грн
106+ 110.53 грн
126+ 88.94 грн
250+ 79.44 грн
500+ 67.12 грн
1000+ 54.3 грн
3000+ 50.57 грн
Мінімальне замовлення: 85
BSC014N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 14593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+148.66 грн
10+ 112.24 грн
100+ 87.71 грн
500+ 68.12 грн
1000+ 50.71 грн
5000+ 49.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 6987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.23 грн
10+ 103.63 грн
100+ 72.88 грн
500+ 61.62 грн
1000+ 50.09 грн
2500+ 49.43 грн
5000+ 49.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+127.93 грн
10+ 106.99 грн
25+ 102.64 грн
100+ 82.59 грн
250+ 73.76 грн
500+ 62.33 грн
1000+ 50.42 грн
3000+ 46.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC014N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
BSC014N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 60V TDSON-8-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товар відсутній
BSC014N06NSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 19736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.94 грн
10+ 172.2 грн
25+ 141.13 грн
100+ 120.59 грн
250+ 113.96 грн
500+ 107.34 грн
1000+ 92.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N06NSInfineon
на замовлення 365000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC014N06NS
Код товару: 144121		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC014N06NSInfineon technologies
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC014N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.21 грн
10+ 197.71 грн
25+ 162.78 грн
100+ 135.97 грн
500+ 115.95 грн
1000+ 108.31 грн
5000+ 102.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30; Qg, нКл = 89 @ 10 В; Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 156; PG-TDSON-8
на замовлення 975 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+130.54 грн
10+ 121.84 грн
100+ 113.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+90.8 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+110.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 9330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.95 грн
10+ 157.16 грн
100+ 127.17 грн
500+ 106.08 грн
1000+ 90.83 грн
2000+ 85.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 18770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+236.91 грн
61+ 191.5 грн
100+ 179.65 грн
500+ 153.25 грн
1000+ 132.2 грн
2000+ 123.53 грн
5000+ 119.3 грн
Мінімальне замовлення: 50
BSC014N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+135.97 грн
500+ 115.95 грн
1000+ 108.31 грн
5000+ 102.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
2+208.71 грн
10+ 172.97 грн
25+ 145.11 грн
100+ 121.25 грн
250+ 119.93 грн
500+ 108 грн
1000+ 87.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+111.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N06NSE8230ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
товар відсутній
BSC014N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 261 A, 0.0012 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 261A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.06 грн
10+ 233.39 грн
25+ 212.58 грн
100+ 177.38 грн
500+ 142.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
товар відсутній
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.09 грн
10+ 211.83 грн
25+ 168.96 грн
100+ 149.08 грн
250+ 143.78 грн
500+ 132.52 грн
1000+ 113.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 261A 8-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 261 A, 0.0012 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 261A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+177.38 грн
500+ 142.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
товар відсутній
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 261A 8-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 261A 8-Pin WSON EP T/R
товар відсутній
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+203.74 грн
10+ 180.01 грн
25+ 179.87 грн
100+ 150.43 грн
250+ 137.49 грн
500+ 116.77 грн
1000+ 110.92 грн
3000+ 105 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
на замовлення 9505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.67 грн
10+ 192.91 грн
100+ 156.08 грн
500+ 130.2 грн
1000+ 111.48 грн
2000+ 104.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+118.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 15202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.74 грн
10+ 238.59 грн
25+ 218.52 грн
100+ 182.9 грн
500+ 147.17 грн
1000+ 118.5 грн
5000+ 115.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8125 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+111.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+128.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+107.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+119.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+227.03 грн
63+ 184.59 грн
100+ 172.75 грн
500+ 147.54 грн
1000+ 126.91 грн
2000+ 118.45 грн
Мінімальне замовлення: 52
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+219.41 грн
60+ 193.7 грн
100+ 162 грн
250+ 148.07 грн
500+ 125.75 грн
1000+ 119.45 грн
3000+ 113.08 грн
Мінімальне замовлення: 53
BSC014N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.87 грн
10+ 211.83 грн
25+ 181.55 грн
100+ 149.08 грн
500+ 132.52 грн
1000+ 107.34 грн
2500+ 106.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 15202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+182.9 грн
500+ 147.17 грн
1000+ 118.5 грн
5000+ 115.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC014NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.27 грн
10+ 96.01 грн
100+ 64.73 грн
500+ 54.66 грн
1000+ 44.53 грн
2500+ 41.94 грн
5000+ 39.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014NE2LSIInfineon technologies
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 8987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.27 грн
10+ 88.39 грн
100+ 62.88 грн
500+ 54.6 грн
1000+ 41.94 грн
2500+ 41.88 грн
5000+ 39.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.4 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
на замовлення 19047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.51 грн
10+ 84.89 грн
100+ 66.06 грн
500+ 52.55 грн
1000+ 42.81 грн
2000+ 40.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 12 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.47 грн
10000+ 39.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014NE2LSIATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC014NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC014NE2LSIXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.27 грн
10+ 96.01 грн
100+ 64.73 грн
500+ 54.66 грн
1000+ 44.53 грн
2500+ 41.94 грн
5000+ 39.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 12712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.41 грн
10+ 99.82 грн
100+ 70.23 грн
500+ 59.04 грн
1000+ 46.84 грн
2500+ 43.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+118.92 грн
10+ 106.35 грн
25+ 105.29 грн
100+ 80.55 грн
250+ 73.83 грн
500+ 60.3 грн
1000+ 44.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 17612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.38 грн
10+ 88.76 грн
100+ 70.69 грн
500+ 56.13 грн
1000+ 47.63 грн
2000+ 45.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC015NE2LS5IATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.18 грн
10000+ 44.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC016N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
товар відсутній
BSC016N03LS GInfineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC016N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.04 грн
10+ 97.53 грн
100+ 67.58 грн
250+ 62.88 грн
500+ 56.72 грн
1000+ 48.57 грн
2500+ 46.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC016N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC016N03LSGInfineon technologies
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+133.58 грн
10+ 119.29 грн
25+ 118.12 грн
100+ 91.21 грн
250+ 83.6 грн
500+ 65.56 грн
1000+ 53.95 грн
3000+ 49.77 грн
6000+ 47.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC016N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
товар відсутній
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.18 грн
10+ 95.25 грн
100+ 66.26 грн
250+ 64.73 грн
500+ 55.92 грн
1000+ 46.18 грн
2500+ 45.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 4869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.66 грн
10+ 87.86 грн
100+ 69.93 грн
500+ 55.53 грн
1000+ 47.11 грн
2000+ 44.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+128.46 грн
92+ 127.2 грн
115+ 101.86 грн
250+ 97.23 грн
500+ 73.55 грн
1000+ 58.1 грн
3000+ 53.6 грн
6000+ 51.26 грн
Мінімальне замовлення: 91
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC016N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC016N03LSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товар відсутній
BSC016N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.54 грн
10+ 89.91 грн
100+ 62.22 грн
250+ 58.11 грн
500+ 52.08 грн
1000+ 41.81 грн
2500+ 41.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC016N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC016N03MSGInfineon
на замовлення 7713 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
товар відсутній
BSC016N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
на замовлення 14880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.06 грн
10+ 80.89 грн
100+ 64.35 грн
500+ 51.09 грн
1000+ 43.35 грн
2000+ 41.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.86 грн
10000+ 40.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N04LSInfineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
BSC016N04LS GInfineon
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC016N04LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.16 грн
10+ 156.2 грн
100+ 108 грн
250+ 100.05 грн
500+ 90.77 грн
1000+ 83.49 грн
5000+ 70.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC016N04LSGInfineon technologies
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.47 грн
500+ 96.63 грн
1000+ 82.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.36 грн
10+ 177.54 грн
100+ 143.12 грн
250+ 130.53 грн
500+ 117.94 грн
1000+ 89.45 грн
2500+ 86.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC016N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.35 грн
10+ 155.35 грн
100+ 114.47 грн
500+ 96.63 грн
1000+ 82.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC016N04LSGATMA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; BSC016N04LSGATMA1 BSC016N04LS G TBSC016n04ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+54.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC016N06NSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
на замовлення 12848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.66 грн
10+ 149.35 грн
100+ 103.36 грн
250+ 95.41 грн
500+ 86.8 грн
1000+ 74.87 грн
5000+ 68.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC016N06NSInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; BSC016N06NS TBSC016n06ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+129.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC016N06NS
Код товару: 165006		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC016N06NSInfineon
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 41748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.87 грн
10+ 135.97 грн
100+ 108.19 грн
500+ 85.92 грн
1000+ 72.9 грн
2000+ 69.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.66 грн
10+ 149.35 грн
100+ 103.36 грн
500+ 87.46 грн
1000+ 70.9 грн
5000+ 68.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC016N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
товар відсутній
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesSP005346690
товар відсутній
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
товар відсутній
BSC016N06NSTATMA1
Код товару: 170205		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+95.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 14317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.72 грн
10+ 170.13 грн
100+ 137.66 грн
500+ 114.83 грн
1000+ 98.32 грн
2000+ 92.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+98.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 79017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.72 грн
10+ 187.44 грн
25+ 161.01 грн
100+ 131.19 грн
500+ 117.28 грн
1000+ 94.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC017N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC017N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
товар відсутній
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC017N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC018N04LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.72 грн
10+ 86.86 грн
100+ 62.22 грн
250+ 60.1 грн
500+ 51.75 грн
1000+ 41.74 грн
2500+ 40.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC018N04LSGInfineon technologies
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+96.2 грн
122+ 95.24 грн
151+ 77.02 грн
250+ 73.52 грн
500+ 57.73 грн
1000+ 43.37 грн
3000+ 41.48 грн
Мінімальне замовлення: 121
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+106.84 грн
10+ 89.33 грн
25+ 88.44 грн
100+ 68.96 грн
250+ 63.21 грн
500+ 51.47 грн
1000+ 40.27 грн
3000+ 38.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 33725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.34 грн
10+ 80.54 грн
100+ 64.14 грн
500+ 50.93 грн
1000+ 43.22 грн
2000+ 41.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC018N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC018N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
на замовлення 4810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.73 грн
11+ 69.57 грн
100+ 52.33 грн
500+ 42.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC018N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.72 грн
10000+ 40.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC018N04LSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товар відсутній
BSC018NE2LSInfineonN-MOSFET 25V 29A 1.8mΩ BSC018NE2LSI, BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LS Infineon TBSC018ne2ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.5 грн
Мінімальне замовлення: 30
BSC018NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 2662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.73 грн
10+ 59.51 грн
100+ 43.2 грн
500+ 38.36 грн
1000+ 33.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.8 грн
10000+ 33.8 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.68 грн
10+ 80.27 грн
100+ 63.03 грн
500+ 48.18 грн
1000+ 32.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 11357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.18 грн
10+ 73.64 грн
100+ 57.24 грн
500+ 45.54 грн
1000+ 37.1 грн
2000+ 34.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.03 грн
500+ 48.18 грн
1000+ 32.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC018NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 50619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+79.62 грн
10+ 67.13 грн
100+ 44.72 грн
500+ 40.88 грн
1000+ 35.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 69W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+102.13 грн
10+ 88.24 грн
25+ 84.51 грн
100+ 69.87 грн
250+ 60.3 грн
500+ 52.4 грн
1000+ 47.91 грн
3000+ 47.44 грн
6000+ 46.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 26
BSC018NE2LSIATMA1
Код товару: 109878		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
на замовлення 9250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+96.76 грн
10+ 75.99 грн
100+ 59.1 грн
500+ 47.01 грн
1000+ 38.29 грн
2000+ 36.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC018NE2LSIXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
товар відсутній
BSC019N02KS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 20088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.19 грн
10+ 121.91 грн
100+ 84.15 грн
250+ 77.52 грн
500+ 70.23 грн
1000+ 60.69 грн
2500+ 57.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC019N02KSGInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+110.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N02KSGInfineonN-MOSFET 20V 100A BSC019N02KSGAUMA1 BSC019N02KSG Infineon TBSC019n02ksg
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+54.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC019N02KSGAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 10 V
товар відсутній
BSC019N02KSGAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC019N04LSInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.82 грн
10+ 112.01 грн
100+ 77.52 грн
250+ 71.56 грн
500+ 65.33 грн
1000+ 55.59 грн
2500+ 52.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC019N04LSInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 7930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+72.31 грн
10+ 67.25 грн
25+ 66.84 грн
100+ 58.77 грн
250+ 53.87 грн
500+ 48.74 грн
1000+ 44.13 грн
3000+ 43.36 грн
6000+ 42.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC019N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.88 грн
500+ 60.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC019N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 7930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+77.1 грн
162+ 71.85 грн
164+ 71.13 грн
178+ 62.97 грн
250+ 57.72 грн
500+ 52.48 грн
1000+ 47.93 грн
3000+ 46.7 грн
6000+ 45.81 грн
Мінімальне замовлення: 151
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
на замовлення 25843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.43 грн
10+ 100.56 грн
100+ 80.03 грн
500+ 63.55 грн
1000+ 53.92 грн
2000+ 51.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
товар відсутній
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 9555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.81 грн
10+ 87.63 грн
100+ 64.73 грн
500+ 56.78 грн
1000+ 51.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC019N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.03 грн
10+ 88.45 грн
100+ 71.88 грн
500+ 60.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+167.81 грн
75+ 154.97 грн
100+ 129.31 грн
200+ 118.99 грн
500+ 100.47 грн
1000+ 80.21 грн
2000+ 77.75 грн
5000+ 73.27 грн
Мінімальне замовлення: 70
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.55 грн
10000+ 50.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+64.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+145.5 грн
10+ 125.68 грн
25+ 118.57 грн
100+ 94.81 грн
250+ 89.02 грн
500+ 77.89 грн
1000+ 63.48 грн
2500+ 59.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+76.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+105.9 грн
10+ 86.1 грн
100+ 57.78 грн
500+ 48.96 грн
1000+ 37.77 грн
2500+ 37.44 грн
5000+ 35.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC019N04NSGInfineon TechnologiesDescription: BSC019N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.07 грн
10000+ 38.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC019N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.29 грн
10000+ 41.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04NSGATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP BSC019N04NSGATMA1 TBSC019n04ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+109.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
товар відсутній
BSC019N06NSInfineon TechnologiesInfineon TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+153.01 грн
95+ 123.39 грн
101+ 115.49 грн
200+ 110.41 грн
500+ 91.66 грн
1000+ 82.24 грн
2000+ 80.04 грн
Мінімальне замовлення: 76
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30; Qg, нКл = 77 @ 10 В; Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА; Р, Вт = 136; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; PG-TDSON-8 FL
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+243.7 грн
10+ 227.46 грн
100+ 211.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC019N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.21 грн
500+ 98.11 грн
1000+ 80.91 грн
5000+ 73.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 12581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.11 грн
10+ 148.58 грн
100+ 106.68 грн
250+ 99.39 грн
500+ 88.12 грн
1000+ 74.87 грн
2500+ 70.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 74µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 30 V
на замовлення 14070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.28 грн
10+ 143.63 грн
25+ 135.55 грн
100+ 108.38 грн
250+ 101.76 грн
500+ 89.04 грн
1000+ 72.57 грн
2500+ 67.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC019N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC019N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0017 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.11 грн
10+ 179.13 грн
25+ 161.29 грн
100+ 133.21 грн
500+ 98.11 грн
1000+ 80.91 грн
5000+ 73.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC019N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 237 A, 0.0016 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+270.55 грн
10+ 243.05 грн
25+ 221.5 грн
100+ 184.97 грн
500+ 144.62 грн
5000+ 117.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товар відсутній
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.65 грн
10+ 244.59 грн
25+ 206.06 грн
100+ 172.27 грн
250+ 166.31 грн
500+ 151.73 грн
1000+ 127.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
товар відсутній
BSC019N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 237 A, 0.0016 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+184.97 грн
500+ 144.62 грн
5000+ 117.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товар відсутній
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.49 грн
10+ 217.96 грн
100+ 176.29 грн
500+ 147.06 грн
1000+ 125.92 грн
2000+ 118.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC019N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesSP005560379
товар відсутній
BSC02000-0RSauroBridge for Shortcircuit for RISING CLAMP system, 2POS, red
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC020C0-0RSauroBridge for Shortcircuit for RISING CLAMP system, red similar to RAL3017
товар відсутній
BSC020N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC020N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC020N025S GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP
товар відсутній
BSC020N025SGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC020N025SGXTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC020N03LSINF09+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC020N03LS GInfineon
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC020N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.99 грн
10+ 89.15 грн
100+ 62.22 грн
250+ 56.98 грн
500+ 51.68 грн
1000+ 44.33 грн
2500+ 42.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC020N03LSGINFINEON
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC020N03LSGInfineon technologies
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC020N03LSGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC020N03LSGINFINEON09+ SOP8
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 24300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+87.95 грн
146+ 79.86 грн
174+ 67.02 грн
200+ 61.11 грн
500+ 50.86 грн
1000+ 41.04 грн
2000+ 39.51 грн
5000+ 36.21 грн
20000+ 33 грн
Мінімальне замовлення: 133
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 18852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.96 грн
10+ 56.39 грн
100+ 44.87 грн
500+ 38.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC020N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC020N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.24 грн
10+ 88.45 грн
100+ 63.92 грн
500+ 53.83 грн
1000+ 40.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.38 грн
10000+ 35.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.03 грн
10+ 51.81 грн
100+ 40.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.1 грн
10000+ 37.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.8 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC020N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.31 грн
12+ 51.03 грн
25+ 40.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC020N03LSGATMA2Infineon TechnologiesDescription: LV POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
BSC020N03LSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товар відсутній
BSC020N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.41 грн
10+ 92.96 грн
100+ 62.88 грн
500+ 53.34 грн
1000+ 43.47 грн
2500+ 42.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC020N03MSGinfineon08+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC020N03MSGInfineon technologies
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 32523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.79 грн
10+ 83.72 грн
100+ 65.15 грн
500+ 51.83 грн
1000+ 42.22 грн
2000+ 39.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 10340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.04 грн
10+ 83.82 грн
100+ 57.64 грн
500+ 49.76 грн
1000+ 39.42 грн
2500+ 39.22 грн
5000+ 38.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.89 грн
10000+ 38.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC020N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
товар відсутній
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.76 грн
10+ 213.48 грн
100+ 172.7 грн
500+ 144.06 грн
1000+ 123.36 грн
2000+ 116.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
товар відсутній
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET TRENCH 80V TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 40 V
товар відсутній
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TSON EP T/R
товар відсутній
BSC021N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
2+282.15 грн
10+ 234.69 грн
25+ 201.42 грн
100+ 164.98 грн
250+ 164.32 грн
500+ 146.43 грн
1000+ 118.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC022N03SINF09+
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC022N03SInfineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
BSC022N03Sinfineon06+ TDSON
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC022N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товар відсутній
BSC022N03S GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 28A TDSON-8
товар відсутній
BSC022N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товар відсутній
BSC022N03SGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC022N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товар відсутній
BSC022N03SGINFINEON07+ DIP16
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC022N03SGXTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC022N04LSInfineon technologies
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC022N04LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.45 грн
10+ 86.86 грн
100+ 58.64 грн
500+ 49.76 грн
1000+ 40.55 грн
2500+ 39.56 грн
10000+ 39.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC022N04LS6Infineon TechnologiesInfineon TRENCH <= 40V
товар відсутній
BSC022N04LS6Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC022N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 19401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.54 грн
10+ 94.07 грн
100+ 74.91 грн
500+ 59.49 грн
1000+ 50.47 грн
2000+ 47.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC022N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.76 грн
250+ 69.12 грн
1000+ 51.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.07 грн
10000+ 47.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LS6ATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP OptiMOS 6 BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6 TBSC022n04ls6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+126.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 22653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126 грн
10+ 103.63 грн
100+ 71.56 грн
500+ 60.43 грн
1000+ 48.77 грн
5000+ 47.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC022N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+106.29 грн
50+ 81.76 грн
250+ 69.12 грн
1000+ 51.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC022N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+149.03 грн
84+ 138.39 грн
100+ 118.07 грн
200+ 109.18 грн
500+ 92.45 грн
1000+ 75.32 грн
2000+ 73.08 грн
5000+ 69.18 грн
Мінімальне замовлення: 78
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.68 грн
50+ 67.12 грн
250+ 56.94 грн
1000+ 41.41 грн
3000+ 35.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC022N04LSATMA1
Код товару: 131683		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
на замовлення 17230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.34 грн
10+ 79.1 грн
100+ 61.52 грн
500+ 48.93 грн
1000+ 39.86 грн
2000+ 37.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.68 грн
10+ 83.82 грн
100+ 57.25 грн
500+ 49.03 грн
1000+ 38.16 грн
2500+ 38.1 грн
5000+ 36.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+98.71 грн
126+ 92.42 грн
148+ 78.77 грн
200+ 72.42 грн
500+ 61.87 грн
1000+ 49.94 грн
2000+ 48.53 грн
Мінімальне замовлення: 118
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.12 грн
250+ 56.94 грн
1000+ 41.41 грн
3000+ 35.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+95.1 грн
10+ 79.66 грн
25+ 78.93 грн
100+ 60.84 грн
250+ 55.8 грн
500+ 46.12 грн
1000+ 33.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC022N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.55 грн
10000+ 36.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+85.79 грн
137+ 85 грн
171+ 67.95 грн
250+ 64.91 грн
500+ 51.73 грн
1000+ 36.44 грн
Мінімальне замовлення: 136
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
товар відсутній
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.1 грн
10+ 225.54 грн
25+ 185.52 грн
100+ 159.02 грн
250+ 149.74 грн
500+ 141.13 грн
1000+ 120.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesSP005561403
товар відсутній
BSC023N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.44 грн
10+ 205.4 грн
100+ 166.22 грн
500+ 138.66 грн
1000+ 118.72 грн
2000+ 111.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC024N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 27A/100A TDSON
товар відсутній
BSC024N025SG
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC024NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+79.62 грн
10+ 64.54 грн
100+ 43.66 грн
500+ 37.04 грн
1000+ 30.21 грн
2500+ 28.42 грн
5000+ 26.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+56.52 грн
207+ 56.35 грн
245+ 47.44 грн
251+ 44.72 грн
500+ 36.03 грн
1000+ 27.55 грн
3000+ 26.34 грн
Мінімальне замовлення: 206
BSC024NE2LSATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LS INFINEON TBSC024ne2ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+53.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 6012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.68 грн
10+ 50.14 грн
100+ 35.85 грн
500+ 31.67 грн
1000+ 26.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC024NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 25A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
на замовлення 10436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.39 грн
10+ 57.35 грн
100+ 44.57 грн
500+ 35.46 грн
1000+ 28.88 грн
2000+ 27.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.4 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC024NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 25A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+79.26 грн
161+ 72.16 грн
198+ 58.73 грн
212+ 53.02 грн
1000+ 43.45 грн
5000+ 37.9 грн
Мінімальне замовлення: 147
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC024NE2LSATMA1
Код товару: 116188		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC024NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+57.62 грн
11+ 52.48 грн
25+ 52.32 грн
100+ 42.47 грн
250+ 38.45 грн
500+ 32.12 грн
1000+ 25.58 грн
3000+ 24.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC024NE2LSXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
товар відсутній
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.95 грн
10+ 80.77 грн
100+ 54.4 грн
500+ 46.12 грн
1000+ 37.57 грн
2500+ 35.38 грн
5000+ 33.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC025N03LS GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC025N03LSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC025N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0021 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.37 грн
10+ 75.07 грн
100+ 54.93 грн
500+ 43.21 грн
1000+ 30.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC025N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 15 V
на замовлення 38848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.74 грн
10+ 72.26 грн
100+ 56.22 грн
500+ 44.72 грн
1000+ 36.43 грн
2000+ 34.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.14 грн
10000+ 33.2 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC025N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC025N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 244-253 дні (днів)
4+98.95 грн
10+ 80.77 грн
100+ 54.4 грн
500+ 46.12 грн
1000+ 36.31 грн
2500+ 35.38 грн
5000+ 33.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC025N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 3454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.08 грн
10+ 76.2 грн
100+ 52.21 грн
500+ 44.26 грн
1000+ 36.04 грн
2500+ 35.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC025N03MSGInfineon technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC025N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC025N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.21 грн
10+ 50.9 грн
100+ 38.16 грн
500+ 34.85 грн
1000+ 32.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta). 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC025N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC025N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0021 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+83.25 грн
12+ 63.03 грн
100+ 46.83 грн
500+ 36.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC025N08LS5Infineon TechnologiesInfineon TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
BSC025N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+195.48 грн
500+ 162.88 грн
1000+ 137.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+111.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.41 грн
10+ 209.89 грн
25+ 188.89 грн
100+ 161.53 грн
250+ 145.77 грн
500+ 130.8 грн
1000+ 108.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.55 грн
10+ 216.4 грн
25+ 173.6 грн
100+ 153.72 грн
250+ 141.79 грн
500+ 130.53 грн
1000+ 110.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+83.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC025N08LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC025N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.76 грн
10+ 235.62 грн
100+ 195.48 грн
500+ 162.88 грн
1000+ 137.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+111.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+111.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC025N08LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC026N02KS GInfineon
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC026N02KS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 4897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.91 грн
10+ 100.58 грн
100+ 69.57 грн
250+ 51.95 грн
5000+ 45.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC026N02KSGinfineon08+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC026N02KSGInfineon TechnologiesDescription: BSC026N02 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
на замовлення 27190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+59.49 грн
Мінімальне замовлення: 363
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.31 грн
10+ 115.26 грн
100+ 92.63 грн
500+ 71.42 грн
1000+ 59.18 грн
2000+ 55.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+38.5 грн
16+ 37.91 грн
25+ 37.31 грн
100+ 35.41 грн
250+ 32.25 грн
500+ 30.46 грн
1000+ 29.95 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
товар відсутній
BSC026N02KSGAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2.6mΩ
товар відсутній
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSC026N02KSGAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2.6mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC026N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 25A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC026N04LSInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.18 грн
10+ 92.96 грн
100+ 62.88 грн
500+ 53.47 грн
1000+ 43.6 грн
2500+ 42.6 грн
10000+ 42.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC026N04LSInfineon technologies
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC026N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+64.28 грн
10+ 59.22 грн
25+ 58.71 грн
100+ 51.1 грн
250+ 46.84 грн
500+ 41.82 грн
1000+ 35.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC026N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.45 грн
500+ 68.74 грн
1000+ 47.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
на замовлення 7083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.79 грн
10+ 84 грн
100+ 65.33 грн
500+ 51.97 грн
1000+ 42.33 грн
2000+ 39.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
товар відсутній
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
товар відсутній
BSC026N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0021 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.99 грн
10+ 115.21 грн
100+ 88.45 грн
500+ 68.74 грн
1000+ 47.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.95 грн
10+ 93.72 грн
100+ 64.07 грн
500+ 54.6 грн
1000+ 41.68 грн
2500+ 41.54 грн
5000+ 41.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC026N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC026N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+63.78 грн
184+ 63.23 грн
204+ 57.07 грн
250+ 54.48 грн
500+ 46.91 грн
1000+ 38.54 грн
Мінімальне замовлення: 183
BSC026N08NS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
BSC026N08NS5Infineon
на замовлення 14128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC026N08NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+259.69 грн
47+ 248.53 грн
50+ 239.07 грн
100+ 222.7 грн
250+ 199.95 грн
500+ 186.74 грн
1000+ 182.16 грн
2500+ 178.15 грн
5000+ 174.6 грн
Мінімальне замовлення: 45
BSC026N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+186.78 грн
75+ 156.78 грн
100+ 148.07 грн
200+ 141.84 грн
500+ 119.24 грн
1000+ 107.84 грн
2000+ 105.35 грн
5000+ 102.03 грн
Мінімальне замовлення: 63
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+213.87 грн
10+ 179.44 грн
25+ 171.82 грн
100+ 145.51 грн
250+ 128.25 грн
500+ 110.48 грн
1000+ 82.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC026N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+147.17 грн
250+ 133.79 грн
1000+ 102.15 грн
3000+ 92.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 9227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.72 грн
10+ 170.41 грн
100+ 137.85 грн
500+ 115 грн
1000+ 98.47 грн
2000+ 92.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+230.32 грн
61+ 193.24 грн
63+ 185.03 грн
100+ 156.7 грн
250+ 138.11 грн
500+ 118.98 грн
1000+ 88.99 грн
Мінімальне замовлення: 51
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+224.03 грн
54+ 215.5 грн
100+ 208.18 грн
250+ 194.66 грн
500+ 175.34 грн
1000+ 164.21 грн
2500+ 160.58 грн
Мінімальне замовлення: 52
BSC026N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC026N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.67 грн
50+ 147.17 грн
250+ 133.79 грн
1000+ 102.15 грн
3000+ 92.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+68.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+98.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 36980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.72 грн
10+ 178.3 грн
25+ 148.42 грн
100+ 131.19 грн
250+ 130.53 грн
500+ 117.28 грн
1000+ 94.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC026N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 66A; 29W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 29W
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain current: 66A
Drain-source voltage: 25V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Polarisation: unipolar
товар відсутній
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+86.26 грн
10+ 73.02 грн
25+ 72.29 грн
100+ 55.85 грн
250+ 51.64 грн
500+ 40.58 грн
1000+ 33.67 грн
3000+ 32.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LV POWER MOS
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.59 грн
10+ 105.91 грн
100+ 72.22 грн
500+ 59.7 грн
1000+ 46.78 грн
2500+ 46.71 грн
5000+ 44.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC026NE2LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 66A; 29W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 29W
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain current: 66A
Drain-source voltage: 25V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.61 грн
10+ 74.47 грн
100+ 57.94 грн
500+ 46.09 грн
1000+ 37.54 грн
2000+ 35.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC027N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC027N03SG
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC027N04LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.22 грн
10+ 87.63 грн
100+ 59.43 грн
500+ 50.42 грн
1000+ 41.01 грн
2500+ 40.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC027N04LSGInfineonTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP BSC027N04LSG TBSC027n04lsg
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
BSC027N04LSG(XT)
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC027N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 27433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+124.87 грн
10+ 102.57 грн
100+ 76.56 грн
500+ 58.94 грн
1000+ 40.14 грн
5000+ 39.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC027N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+120.97 грн
100+ 116.45 грн
125+ 90.2 грн
250+ 81.94 грн
500+ 68.63 грн
1000+ 54.46 грн
3000+ 48.81 грн
Мінімальне замовлення: 96
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+169.78 грн
Мінімальне замовлення: 69
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 56540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.78 грн
10+ 80.27 грн
100+ 62.42 грн
500+ 49.65 грн
1000+ 40.45 грн
2000+ 38.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+126.7 грн
10+ 112.78 грн
25+ 112.33 грн
50+ 104.27 грн
100+ 77.55 грн
250+ 73.04 грн
500+ 63.73 грн
1000+ 50.57 грн
3000+ 45.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.99 грн
10+ 86.86 грн
100+ 58.84 грн
500+ 50.09 грн
1000+ 38.36 грн
2500+ 37.97 грн
5000+ 36.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC027N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.13 грн
10000+ 36.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC027N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+71.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.02 грн
10+ 144.77 грн
100+ 100.71 грн
250+ 100.05 грн
500+ 84.15 грн
1000+ 68.25 грн
5000+ 66.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC027N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 83W
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS®
Drain current: 84A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Polarisation: unipolar
товар відсутній
BSC027N06LS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 83W
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS®
Drain current: 84A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC027N06LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 15630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.85 грн
10+ 132.31 грн
100+ 105.3 грн
500+ 83.61 грн
1000+ 70.94 грн
2000+ 67.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC027N10NS5Infineon TechnologiesInfineon TRENCH >=100V
товар відсутній
BSC027N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+220.75 грн
500+ 183.59 грн
1000+ 136.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+146.3 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
товар відсутній
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 26137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.12 грн
10+ 281.17 грн
25+ 232.57 грн
100+ 198.11 грн
250+ 186.85 грн
500+ 175.58 грн
1000+ 142.45 грн
BSC027N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC027N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.46 грн
10+ 267.58 грн
100+ 220.75 грн
500+ 183.59 грн
1000+ 136.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+143.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
товар відсутній
BSC027N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 146µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 7377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.21 грн
10+ 253.3 грн
100+ 204.9 грн
500+ 170.92 грн
1000+ 146.35 грн
2000+ 137.81 грн
BSC028N06LS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC028N06LS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 50710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.49 грн
10+ 172.97 грн
25+ 142.45 грн
100+ 121.91 грн
250+ 115.29 грн
500+ 108.66 грн
1000+ 92.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06LS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+214.23 грн
57+ 206.07 грн
100+ 199.08 грн
250+ 186.14 грн
500+ 167.67 грн
1000+ 157.02 грн
2500+ 153.56 грн
5000+ 150.5 грн
Мінімальне замовлення: 55
BSC028N06LS3GINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 18108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.95 грн
10+ 157.64 грн
100+ 127.52 грн
500+ 106.37 грн
1000+ 91.08 грн
2000+ 85.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+130.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+205.2 грн
10+ 171.18 грн
25+ 162.71 грн
100+ 131.68 грн
250+ 118.49 грн
500+ 71.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC028N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC028N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 28256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.56 грн
500+ 115.26 грн
1000+ 86.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+220.98 грн
63+ 184.34 грн
67+ 175.22 грн
100+ 141.81 грн
250+ 127.6 грн
500+ 77.44 грн
Мінімальне замовлення: 53
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+91.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 22390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.49 грн
10+ 172.97 грн
25+ 143.78 грн
100+ 121.91 грн
250+ 119.26 грн
500+ 96.07 грн
1000+ 86.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06LS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+101.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06LS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 28256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.16 грн
10+ 162.78 грн
100+ 131.56 грн
500+ 115.26 грн
1000+ 86.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12; Qg, нКл = 23 @ 10 В; Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 48 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TDSON-8
на замовлення 70 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
BSC028N06LS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 14268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+175.16 грн
79+ 147.1 грн
100+ 139.36 грн
200+ 133.45 грн
500+ 112.33 грн
1000+ 101.2 грн
2000+ 98.71 грн
5000+ 95.39 грн
Мінімальне замовлення: 67
BSC028N06NSInfineon technologies
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC028N06NSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 12793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.16 грн
10+ 156.2 грн
100+ 108 грн
250+ 99.39 грн
500+ 90.77 грн
1000+ 78.85 грн
5000+ 71.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06NSInfineon
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
на замовлення 4647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.33 грн
4+ 106.29 грн
10+ 87.65 грн
26+ 82.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+129.3 грн
10+ 74.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC028N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4647 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+155.2 грн
3+ 132.45 грн
10+ 105.18 грн
26+ 99.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
на замовлення 26312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.47 грн
10+ 142.52 грн
100+ 113.41 грн
500+ 90.06 грн
1000+ 76.41 грн
2000+ 72.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+70.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.93 грн
10+ 162.3 грн
100+ 113.3 грн
250+ 110.65 грн
500+ 94.75 грн
1000+ 74.87 грн
5000+ 71.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товар відсутній
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167 грн
10+ 133.83 грн
100+ 106.5 грн
500+ 84.57 грн
1000+ 71.76 грн
2000+ 68.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.57 грн
10+ 147.06 грн
100+ 101.37 грн
250+ 93.42 грн
500+ 84.81 грн
1000+ 72.88 грн
2500+ 68.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товар відсутній
BSC028N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.81 грн
10+ 170.21 грн
100+ 137.51 грн
500+ 104.91 грн
1000+ 80.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+75.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BSC028N06NSSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC028N06NSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS SC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.51 грн
500+ 104.91 грн
1000+ 80.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC028N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesSQUARE FLANGE RECETACLE
товар відсутній
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 36651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.3 грн
10+ 152.39 грн
100+ 106.01 грн
250+ 101.37 грн
500+ 91.44 грн
1000+ 74.21 грн
5000+ 70.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+67.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 10836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.17 грн
10+ 138.93 грн
100+ 110.6 грн
500+ 87.83 грн
1000+ 74.52 грн
2000+ 70.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC028N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+75.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC029N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC029N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC029N025S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
товар відсутній
BSC029N025SGinfineon08+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC029N025SGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5090 pF @ 15 V
на замовлення 8868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+53.76 грн
Мінімальне замовлення: 402
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.91 грн
10000+ 61.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC0302LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC0302LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+188.79 грн
10+ 150.14 грн
100+ 121.15 грн
500+ 91.8 грн
1000+ 65.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 60 V
на замовлення 10035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+151.95 грн
10+ 121.47 грн
100+ 96.69 грн
500+ 76.78 грн
1000+ 65.15 грн
2000+ 61.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+159.24 грн
10+ 131.82 грн
100+ 92.76 грн
250+ 90.11 грн
500+ 78.85 грн
1000+ 68.91 грн
2500+ 65.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC0302LSATMA1Infineon TechnologiesBSC0302LSATMA1
на замовлення 5027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+77.53 грн
10+ 75.05 грн
25+ 74.29 грн
50+ 70.92 грн
100+ 60.49 грн
250+ 57.49 грн
500+ 55.74 грн
1000+ 55.26 грн
3000+ 54.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
товар відсутній
BSC0303LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET Power-Transistor
товар відсутній
BSC030N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.94 грн
10+ 65.99 грн
100+ 44.66 грн
500+ 37.83 грн
1000+ 30.88 грн
2500+ 30.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC030N03LSGInfineon TechnologiesDescription: BSC030N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC030N03LSGinfineon08+
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03LSGInfineon technologies
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03LSGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03LSGINFINEON1035+ TDSON-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC030N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.68 грн
10+ 50.21 грн
100+ 36.24 грн
500+ 32.4 грн
1000+ 27.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 18328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.54 грн
10+ 58.6 грн
100+ 45.57 грн
500+ 36.25 грн
1000+ 29.53 грн
2000+ 27.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC030N03LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.57 грн
13+ 61.84 грн
100+ 48.31 грн
500+ 37.06 грн
1000+ 25.17 грн
5000+ 24.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSC030N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
товар відсутній
BSC030N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.3 грн
10000+ 26.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N03LSЎЎG
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 9691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.59 грн
10+ 59.28 грн
100+ 40.09 грн
500+ 33.99 грн
1000+ 27.76 грн
2500+ 26.04 грн
5000+ 24.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC030N03MS GInfineonQFN
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03MSGInfineon TechnologiesDescription: BSC030N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
товар відсутній
BSC030N03MSG
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 10950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.37 грн
10+ 53.42 грн
100+ 41.56 грн
500+ 33.05 грн
1000+ 26.93 грн
2000+ 25.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC030N03MSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+92.91 грн
10+ 78.04 грн
100+ 56.86 грн
500+ 43.62 грн
1000+ 29.69 грн
2500+ 28.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC030N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
товар відсутній
BSC030N03MSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 8621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.04 грн
10+ 47.32 грн
100+ 33.92 грн
500+ 29.95 грн
1000+ 24.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC030N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 15361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.22 грн
10+ 62.02 грн
100+ 42.6 грн
500+ 36.51 грн
1000+ 29.29 грн
2500+ 28.36 грн
5000+ 27.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC030N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
товар відсутній
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+113.16 грн
104+ 112.06 грн
105+ 110.97 грн
250+ 105.94 грн
500+ 97.11 грн
1000+ 92.29 грн
3000+ 65.05 грн
Мінімальне замовлення: 103
BSC030N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+90.12 грн
152+ 76.79 грн
177+ 65.74 грн
200+ 60.06 грн
500+ 52.09 грн
1000+ 46.96 грн
2000+ 44.25 грн
5000+ 41.29 грн
10000+ 38.75 грн
Мінімальне замовлення: 129
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V
на замовлення 44708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.41 грн
10+ 60.67 грн
100+ 47.2 грн
500+ 37.54 грн
1000+ 30.58 грн
2000+ 28.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+118.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 20 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.34 грн
10000+ 27.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+106.09 грн
10+ 105.07 грн
25+ 104.05 грн
100+ 99.36 грн
250+ 91.09 грн
500+ 86.57 грн
1000+ 85.69 грн
3000+ 60.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC030N04NSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 6475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+106.29 грн
10+ 87.71 грн
100+ 64.59 грн
500+ 49.56 грн
1000+ 33.7 грн
5000+ 33 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC030N04NSGXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товар відсутній
BSC030N08NS5Infineon technologies
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.19 грн
10000+ 60.7 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.56 грн
10+ 137.92 грн
100+ 98.06 грн
250+ 96.07 грн
500+ 80.17 грн
1000+ 63.48 грн
2500+ 62.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC030N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 40 V
на замовлення 20169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150.51 грн
10+ 120.16 грн
100+ 95.63 грн
500+ 75.94 грн
1000+ 64.43 грн
2000+ 61.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
товар відсутній
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesSP005561083
товар відсутній
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
товар відсутній
BSC030N10NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
2+285.24 грн
10+ 236.21 грн
25+ 194.14 грн
100+ 166.31 грн
250+ 157.03 грн
500+ 147.76 грн
1000+ 126.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030P03NS3 G
Код товару: 142919		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
BSC030P03NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 12236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.03 грн
10+ 158.49 грн
100+ 109.99 грн
250+ 101.37 грн
500+ 92.76 грн
1000+ 80.17 грн
5000+ 72.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030P03NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 17661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.13 грн
113+ 103.55 грн
117+ 99.68 грн
200+ 95.19 грн
500+ 82.87 грн
1000+ 76.23 грн
2000+ 74.91 грн
5000+ 72.75 грн
10000+ 72.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 6944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.47 грн
10+ 142.66 грн
100+ 113.56 грн
500+ 90.17 грн
1000+ 76.51 грн
2000+ 72.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.66 грн
10+ 140.96 грн
100+ 102.04 грн
500+ 85.47 грн
1000+ 74.87 грн
5000+ 72.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+72.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC030P03NS3GAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.08 грн
10+ 133.21 грн
11+ 76.61 грн
29+ 72.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+91.04 грн
138+ 84.16 грн
150+ 77.74 грн
250+ 74.08 грн
500+ 63.32 грн
1000+ 56.59 грн
Мінімальне замовлення: 128
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC030P03NS3GAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+210.5 грн
3+ 185.78 грн
10+ 159.85 грн
11+ 91.93 грн
29+ 86.96 грн
5000+ 83.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC030P03NS3GAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, BRT, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.75 грн
10+ 176.16 грн
100+ 141.97 грн
500+ 108.36 грн
1000+ 77.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+84.73 грн
10+ 78.33 грн
100+ 72.35 грн
250+ 68.96 грн
500+ 58.94 грн
1000+ 52.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+112.59 грн
10+ 101.29 грн
25+ 100.27 грн
100+ 87.53 грн
250+ 79.8 грн
500+ 61.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+121.26 грн
107+ 109.08 грн
108+ 107.99 грн
119+ 94.26 грн
250+ 85.94 грн
500+ 66.34 грн
Мінімальне замовлення: 96
BSC030P03NS3GAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC031N06NS3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.74 грн
10+ 136.39 грн
100+ 94.75 грн
250+ 90.77 грн
500+ 79.51 грн
1000+ 64.73 грн
5000+ 62.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC031N06NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 5201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.1 грн
10+ 123.13 грн
100+ 98.01 грн
500+ 77.82 грн
1000+ 66.03 грн
2000+ 62.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+66.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC031N06NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC031N06NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
товар відсутній
BSC032N03SinfineonTDSON-8
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03SINF09+
на замовлення 18503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC032N03S GInfineon09+
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03S GINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC032N03SGinfineon09+
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03SGINF09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03SGinfineon06+
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03SGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 15 V
товар відсутній
BSC032N03SGINFINEON07+ DIP16
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03SGINFINEON
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03SGINFINEON06+ P-TDSON-
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032N03SGXTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC032N04LSInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 11557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.67 грн
10+ 73 грн
100+ 49.43 грн
500+ 41.88 грн
1000+ 34.06 грн
2500+ 33.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC032N04LS
Код товару: 196253		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC032N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.4 грн
10+ 76.56 грн
100+ 55.52 грн
500+ 43.69 грн
1000+ 30.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 19300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+87.76 грн
156+ 74.73 грн
182+ 63.86 грн
200+ 58.45 грн
500+ 50.59 грн
1000+ 45.6 грн
5000+ 40.11 грн
10000+ 37.65 грн
Мінімальне замовлення: 133
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 22290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.57 грн
10+ 66.67 грн
100+ 51.85 грн
500+ 41.25 грн
1000+ 33.6 грн
2000+ 31.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC032N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.33 грн
6+ 62.81 грн
17+ 47.62 грн
47+ 44.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.33 грн
10000+ 30.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC032N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+89.19 грн
5+ 78.27 грн
17+ 57.15 грн
47+ 53.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC032N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.52 грн
500+ 43.69 грн
1000+ 30.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 13179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.73 грн
10+ 56.92 грн
100+ 44.86 грн
500+ 42.74 грн
1000+ 32.86 грн
5000+ 31.27 грн
10000+ 30.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC032N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC032NE2LSInfineon technologies
на замовлення 4957 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC032NE2LSInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.33 грн
10+ 54.94 грн
100+ 37.17 грн
500+ 31.47 грн
1000+ 25.71 грн
2500+ 24.18 грн
5000+ 22.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC032NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 84A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.4 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.32 грн
10+ 42.06 грн
100+ 30.88 грн
500+ 27.36 грн
1000+ 22.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC032NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 0.0027 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.06 грн
17+ 44.45 грн
100+ 33.08 грн
500+ 26.16 грн
1000+ 18.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
на замовлення 23502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.07 грн
10+ 49.42 грн
100+ 38.4 грн
500+ 30.55 грн
1000+ 24.88 грн
2000+ 23.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+67.19 грн
187+ 62.43 грн
222+ 52.31 грн
250+ 47.86 грн
500+ 37.44 грн
1000+ 26.69 грн
3000+ 25.92 грн
Мінімальне замовлення: 173
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.22 грн
10+ 62.39 грн
25+ 57.97 грн
100+ 46.84 грн
250+ 41.15 грн
500+ 33.37 грн
1000+ 24.78 грн
3000+ 24.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.69 грн
10000+ 22.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC032NE2LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 84A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC032NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 0.0027 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.08 грн
500+ 26.16 грн
1000+ 18.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC032NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC033N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesSP001691008
товар відсутній
BSC033N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 76µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 40 V
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.23 грн
10+ 157.02 грн
100+ 127.02 грн
500+ 105.96 грн
1000+ 90.73 грн
2000+ 85.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC033N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.68 грн
10+ 205.73 грн
100+ 147.09 грн
500+ 125.23 грн
1000+ 106.68 грн
4000+ 90.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC033N08NS5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 76µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+94.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BSC034N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 7679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.59 грн
10+ 58.67 грн
100+ 39.69 грн
500+ 33.66 грн
1000+ 27.43 грн
5000+ 24.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+45.38 грн
16+ 37.45 грн
25+ 37.29 грн
100+ 30.45 грн
250+ 28.04 грн
500+ 25 грн
1000+ 21.79 грн
3000+ 20.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSC034N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N03LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+40.33 грн
290+ 40.16 грн
342+ 34.01 грн
344+ 32.62 грн
500+ 28.04 грн
1000+ 23.46 грн
3000+ 21.63 грн
Мінімальне замовлення: 288
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC034N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 11164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.17 грн
10+ 53.57 грн
100+ 36.71 грн
500+ 31.61 грн
1000+ 26.11 грн
2500+ 24.52 грн
5000+ 24.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC034N06NSInfineon
на замовлення 215000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC034N06NSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+102.64 грн
Мінімальне замовлення: 114
BSC034N06NSInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.64 грн
10+ 107.44 грн
100+ 74.87 грн
250+ 68.25 грн
500+ 62.22 грн
1000+ 53.54 грн
2500+ 50.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 23703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+76.36 грн
158+ 73.94 грн
193+ 60.29 грн
Мінімальне замовлення: 153
BSC034N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
на замовлення 11909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.29 грн
500+ 59.7 грн
1000+ 47.4 грн
5000+ 46.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 17485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.81 грн
10+ 86.86 грн
100+ 63.48 грн
250+ 62.88 грн
500+ 55.26 грн
1000+ 49.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC034N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 11670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.56 грн
10+ 98.28 грн
100+ 78.25 грн
500+ 62.14 грн
1000+ 52.72 грн
2000+ 50.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
на замовлення 11909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.64 грн
10+ 94.4 грн
100+ 73.29 грн
500+ 59.7 грн
1000+ 47.4 грн
5000+ 46.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC034N06NSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+78.25 грн
161+ 72.43 грн
162+ 71.7 грн
181+ 62.21 грн
250+ 56.61 грн
500+ 50.04 грн
1000+ 46.62 грн
3000+ 46.15 грн
Мінімальне замовлення: 149
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC034N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 112A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+72.66 грн
10+ 67.26 грн
25+ 66.58 грн
100+ 57.77 грн
250+ 52.57 грн
500+ 46.46 грн
1000+ 43.29 грн
3000+ 42.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC034N10LS5Infineon TechnologiesInfineon TRENCH >=100V
товар відсутній
BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19A T/R
товар відсутній
BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19A T/R
товар відсутній
BSC034N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 28511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+173.93 грн
500+ 147.7 грн
1000+ 115.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 12056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.92 грн
10+ 227.83 грн
25+ 182.21 грн
100+ 161.67 грн
250+ 149.08 грн
500+ 136.49 грн
1000+ 115.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 26890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.29 грн
10+ 217 грн
25+ 195.3 грн
100+ 166.99 грн
250+ 150.7 грн
500+ 135.22 грн
1000+ 112.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19A T/R
товар відсутній
BSC034N10LS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC034N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 28511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.31 грн
10+ 214.06 грн
100+ 173.93 грн
500+ 147.7 грн
1000+ 115.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC034N10LS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+114.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC035N04LS GINFINEON08+ SOP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC035N04LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.26 грн
10+ 68.12 грн
100+ 46.12 грн
500+ 39.09 грн
1000+ 31.87 грн
2500+ 31.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC035N04LSGInfineon technologies
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC035N04LSGinfineon08+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.63 грн
10000+ 28.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 252
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.1 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC035N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 41925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.64 грн
500+ 36.58 грн
1000+ 25.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.26 грн
10+ 63.78 грн
100+ 45.19 грн
500+ 39.09 грн
1000+ 29.95 грн
5000+ 28.49 грн
10000+ 28.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 22288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+85.48 грн
150+ 77.88 грн
184+ 63.37 грн
200+ 57.21 грн
500+ 52.79 грн
1000+ 45.01 грн
2000+ 41.97 грн
5000+ 40.78 грн
10000+ 39.34 грн
Мінімальне замовлення: 136
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 15736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.41 грн
10+ 61.22 грн
100+ 47.65 грн
500+ 37.9 грн
1000+ 30.88 грн
2000+ 29.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC035N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 92A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 92A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC035N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC035N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 41925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.5 грн
13+ 61.25 грн
100+ 45.64 грн
500+ 36.58 грн
1000+ 25.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC035N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 92A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 92A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC035N10NS5Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
BSC035N10NS5Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC035N10NS5Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+115.14 грн
25000+ 105.21 грн
50000+ 97.89 грн
75000+ 89.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC035N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+249.74 грн
10+ 188.79 грн
100+ 155.35 грн
500+ 130.45 грн
1000+ 97.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC035N10NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+280.26 грн
46+ 254.63 грн
100+ 214.78 грн
250+ 196.87 грн
500+ 170.88 грн
1000+ 169.15 грн
3000+ 167.49 грн
6000+ 165.77 грн
Мінімальне замовлення: 42
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+102.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+260.24 грн
10+ 238.82 грн
25+ 236.45 грн
100+ 199.44 грн
250+ 182.81 грн
500+ 158.67 грн
1000+ 157.07 грн
3000+ 155.53 грн
6000+ 153.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC035N10NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC035N10NS5ATMA1
Код товару: 192220		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
BSC035N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+130.3 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC035N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC035N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+155.35 грн
500+ 130.45 грн
1000+ 97.48 грн
Мінімальне замовлення: 100